掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料缺陷掃描檢查 在開(kāi)始生產(chǎn)之前，裸晶圓在晶圓制造商處要檢驗(yàn)合格合格，并在半導(dǎo)體工廠接收后再次要檢驗(yàn)合格。只有最無(wú)缺陷的晶圓才用于生產(chǎn)，它們的生產(chǎn)前缺陷圖允許制造商跟蹤可能導(dǎo)致芯片功能不佳的區(qū)域。裸晶片或非圖案化晶片也在經(jīng)受被動(dòng)或主動(dòng)處理環(huán)境之前和之后被測(cè)量，以確定來(lái)自給定處理工具的粒子貢獻(xiàn)的基線。圖1:旋轉(zhuǎn)非圖案化晶片上的缺陷檢測(cè)(左)以及暗場(chǎng)和亮場(chǎng)圖像照明中鏡面反射的使用(右) 器件制造商使用光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)來(lái)檢查晶片和掩模上的顆粒和其他類型的缺陷，并確定這些缺陷在晶片上的X-Y網(wǎng)格中的位置。用于非圖案化晶片上的缺陷檢測(cè)的基本原理相對(duì)簡(jiǎn)單。激光束在旋轉(zhuǎn)的晶片表面上徑向掃描，以確保光束投射到晶片表面的所有部分上。激光從表面反射，就像從鏡子反射一樣，如圖1所示。這種反射被稱為鏡面反射。當(dāng)激光束遇到晶片表面上的顆粒或其他缺陷時(shí)，缺陷散射一部分激光。根據(jù)照明布置，散射光可以被直接檢測(cè)(暗場(chǎng)照明)或作為反射光束中強(qiáng)度的損失(亮場(chǎng)照明)。晶片的旋轉(zhuǎn)位置和光束的徑向位置限定了晶片表面上缺陷的位置。在晶圓檢測(cè)工具中，使用光電倍增管或電荷耦合器件以電子方式記錄光強(qiáng)度，并生成晶圓表面的散射或反射強(qiáng)度圖，如圖2所示。該圖提供了有關(guān)缺陷大小和位置的信息，以及由于顆粒污染等問(wèn)題造成的晶片表面狀況的信息。這種方法需要對(duì)晶片臺(tái)和光學(xué)元...
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資料根據(jù)金融資料提供商 Dealogic 的資料顯示，過(guò)去 2 年間，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成的并購(gòu)交易規(guī)模已經(jīng)達(dá)到 2,400 億美元。而 2016 年目前為止，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的并購(gòu)交易金額則達(dá)到為 1,302 億美元，較 2015 年的金額高出 16%，創(chuàng)下新紀(jì)錄。而且，過(guò)去 2 年，有 6 筆交易的規(guī)模超過(guò) 100 億美元，3 筆超過(guò) 300 億美元。 在這么瘋狂的并購(gòu)熱潮后，未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展的態(tài)勢(shì)將會(huì)如何？根據(jù) Dealogic 的分析顯示，接下來(lái)的市場(chǎng)狀況有可能退燒一段時(shí)間。 首先是當(dāng)前市場(chǎng)中可供收購(gòu)的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體芯片企業(yè)已不多，而且多數(shù)想要實(shí)施收購(gòu)的公司已經(jīng)完成了各自收購(gòu)交易。舉例來(lái)說(shuō)：高通（Qualcomm）藉由 300 億美元的海外現(xiàn)金儲(chǔ)備中，要拿出大部分用來(lái)收購(gòu)恩智浦 （NXP） 半導(dǎo)體。博通 （Broadcom） 則在 2016 年初完成了與安華高科技（Avago）的 370 億美元合并交易后，并另外投資 55 億美元收購(gòu)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備公司博科通訊系統(tǒng)（Brocade）。至于半導(dǎo)體龍頭英特爾（Intel）則在 2015 年斥資逾 150 億美元，收購(gòu)了 Altera 之后，隨后又收購(gòu)或計(jì)劃收購(gòu) 12 家小型公司。這些交易，都已經(jīng)使得市場(chǎng)上可以再被收購(gòu)的好標(biāo)的大大減少。 而另外一個(gè)導(dǎo)致半導(dǎo)體企業(yè)收購(gòu)放緩的原因，就是各國(guó)監(jiān)管部門的管制。就如同...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 設(shè)備在整個(gè)制造過(guò)程中需要使用不同的材料達(dá)到不同的清潔水平，因此提供多種清潔選項(xiàng)以達(dá)到所需的清潔水平以確保良好的設(shè)備和高產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。表面活化是與清潔相關(guān)的一個(gè)重要過(guò)程，它為下一個(gè)工藝步驟調(diào)節(jié)和準(zhǔn)備表面，確保良好的附著力，從而產(chǎn)生高質(zhì)量的模具。 圖1 可能存在于硅晶片上的表面污染物 在晶片進(jìn)入制造過(guò)程之前，必須清潔其表面以去除任何粘附顆粒和有機(jī)/無(wú)機(jī)雜質(zhì)。硅原生氧化物也需要去除。不斷縮小的設(shè)備設(shè)計(jì)規(guī)則使得清潔技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)可接受的產(chǎn)品產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。在現(xiàn)代設(shè)備制造中，晶圓清洗程序可以占整個(gè)制造過(guò)程中步驟的 30% -到40%。晶圓清洗在半導(dǎo)體行業(yè)有著悠久的發(fā)展歷史。晶片表面上的污染物可能以吸附離子和元素、薄膜、離散顆粒、微粒（顆粒簇）和吸附氣體的形式存在。圖 ...
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隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小，對(duì)硅片表面的潔凈度及表面態(tài)的要求也越來(lái)越高。要得到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過(guò)程中造成的表面化學(xué)態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數(shù)。目前，通常應(yīng)用的清洗方法是濕式化學(xué)清洗法，即利用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學(xué)試劑，配合兆聲、超聲、加熱等物理措施，使有機(jī)物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面，然后用大量的去離子水沖洗，獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。1.硅片清洗 硅片表面沾污是指沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種。因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，使氧化層和與之相關(guān)的沾污難以去除，清洗的一般思路是首先去除表面的有機(jī)沾污,然后溶解氧化層（因?yàn)檠趸瘜邮?quot;沾污陷阱"，也會(huì)引入外延缺陷）,最后再去除顆粒、金屬沾污，同時(shí)使表面鈍化。2.清洗技術(shù)的最新發(fā)展 2.1電解離子水清洗硅片 用電解的方法將超凈水或添加電解質(zhì)的超凈水分解為陰離子和陽(yáng)離子，并通過(guò)調(diào)節(jié)電解液的濃度、電流密度等來(lái)控制其pH值和氧化還原電位，得到所需要的強(qiáng)氧化性溶液或強(qiáng)還原性溶液，以達(dá)到去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒和金屬的作用。此清洗方法可大幅度地減少化學(xué)試劑的用量，而且也減少了沖洗用的...
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![耗資30億美元半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園在南京立成 步入國(guó)內(nèi)集成電路第一梯隊(duì)]( "耗資30億美元半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園在南京立成 步入國(guó)內(nèi)集成電路第一梯隊(duì)")
—蘇州華林科納網(wǎng)絡(luò)部6月8日下午，總投資達(dá)30億美元的德科碼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式在南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)奠基，將建設(shè)8寸晶圓廠2座、12寸晶圓廠1座，以及封裝測(cè)試廠、設(shè)備再制造廠、科研設(shè)計(jì)中心和配套生活區(qū)等。此前的3月28日，總投資同為30億美元的臺(tái)積電南京項(xiàng)目簽約落戶江北新區(qū)。兩大“30億美元級(jí)”的世界領(lǐng)先企業(yè)先后投資南京，在帶給中國(guó)大陸最先進(jìn)生產(chǎn)工藝的同時(shí)，也將填補(bǔ)南京市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的關(guān)鍵短板，使南京一舉進(jìn)入全國(guó)集成電路重點(diǎn)城市第一方陣?？平倘瞬艃?yōu)勢(shì)讓南京脫穎而出 臺(tái)積電南京項(xiàng)目為臺(tái)灣集成電路制造公司獨(dú)資。該公司是全球最大的集成電路晶圓代工制造企業(yè)、全球第三大集成電路企業(yè)，僅次于英特爾和三星。 德科碼南京項(xiàng)目則由香港德科碼科技有限公司和以色列塔爾半導(dǎo)體公司共同投資。這兩大項(xiàng)目，以其龐大的規(guī)模和先進(jìn)的技術(shù)，引發(fā)了各個(gè)城市的激烈“爭(zhēng)奪”。南京為何能從眾多競(jìng)爭(zhēng)城市中脫穎而出?南京的科教人才優(yōu)勢(shì)和電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，是這兩家企業(yè)非?？粗氐年P(guān)鍵點(diǎn)。晶圓制造是科技含量非常高的工業(yè)領(lǐng)域，對(duì)人才有非常高的需求?！ 〖涌齑箨懢A制造追趕世界先進(jìn)水平的腳步 兩大“30億美元級(jí)”項(xiàng)目落戶南京，不僅是我市集成電路產(chǎn)業(yè)的大事，也是全國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)界的大事，在海內(nèi)外都引起強(qiáng)烈反響。過(guò)去一個(gè)時(shí)期，大陸電子信息產(chǎn)業(yè)一直面臨“缺芯少屏”的尷尬。這其中，“屏”指面板，“芯”指芯片。近幾年，大陸液晶面板產(chǎn)業(yè)強(qiáng)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 通過(guò)使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種情況下，控制蝕刻浴溫度和蝕刻劑濃度對(duì)于成功創(chuàng)建微結(jié)構(gòu)和后續(xù)批次的可重復(fù)性至關(guān)重要。 1.各向同性和各向異性蝕刻有何不同 硅片具有單晶晶格結(jié)構(gòu)，在各個(gè)方向重復(fù)，但各個(gè)方向的密度不同。垂直平面包含與對(duì)角平面不同數(shù)量的硅原子。這意味著使用某些蝕刻劑的蝕刻在具有更多原子的方向上較慢，而在具有較少原子的方向上進(jìn)行得更快。 用于各向同性蝕刻的蝕刻劑，如氫氟酸，在所有方向上以相同的速度蝕刻，與硅原子密度無(wú)關(guān)。對(duì)于用于各向異性蝕刻的蝕刻劑，例如氫氧化鉀 (KOH)，蝕刻速度取決于晶格平面中硅原子的數(shù)量，因此取決于不同平面的方向。 各向異性蝕刻速度的差異允許更好地控制蝕刻到硅晶片中的形狀。通過(guò)硅晶片的相應(yīng)取向，可以定時(shí)蝕刻以產(chǎn)生直邊或成角度的邊和尖角?？梢詼p少掩模下的蝕刻。 2.如何在半導(dǎo)體制造中使用各向同性和各向異性蝕刻 各向同性蝕刻比各向異性蝕刻更難控制，但速度更快。在硅晶片制造的初始階段，大型特征被蝕刻到硅中。在制造的這個(gè)階段，蝕刻速度對(duì)設(shè)施吞吐量很重要。各向同性蝕刻用于快速創(chuàng)建這些...
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![華林科納帶你解讀--半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的挑戰(zhàn)和機(jī)遇]( "華林科納帶你解讀--半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的挑戰(zhàn)和機(jī)遇")
半導(dǎo)體設(shè)備為集成電路產(chǎn)業(yè)之支撐 半導(dǎo)體設(shè)備是產(chǎn)業(yè)鏈上游重要環(huán)節(jié)，是生產(chǎn)部門不可或缺的生產(chǎn)資料。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中可以看出，無(wú)論是上游設(shè)計(jì)制造，還是下游封裝測(cè)試，幾乎每一個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)都需要相關(guān)設(shè)備的投入。半導(dǎo)體設(shè)備是下游半導(dǎo)體制造及封裝企業(yè)的主要投入，芯片生產(chǎn)線的70%以上是半導(dǎo)體設(shè)備支出。 ·行業(yè)景氣，晶圓制造設(shè)備前景可期 半導(dǎo)體設(shè)備與產(chǎn)業(yè)相關(guān)性強(qiáng)，BB 值顯示已經(jīng)進(jìn)入景氣期。今年以來(lái)，由于下游需求旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集，預(yù)計(jì)全年將取得出色成績(jī)。另外，半導(dǎo)體設(shè)備主要集中在制造和封測(cè)端，晶圓制造設(shè)備依舊是半導(dǎo)體設(shè)備中占絕對(duì)地位的設(shè)備，在2015 年晶圓制造設(shè)備銷售額達(dá)到約286.7 億美元，占比達(dá)到78.74%。中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備增長(zhǎng)迅速，目前已經(jīng)達(dá)到全球增速最快的市場(chǎng)，且下游需求良好，前景可期?！ ?#183;中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)存在巨大替代空間 全球制造設(shè)備市場(chǎng)為國(guó)外廠商占據(jù)。2015 年，前五大供應(yīng)商占市場(chǎng)份額的76.8%，前十大供應(yīng)商占據(jù)了93.6%的市場(chǎng)份額，市場(chǎng)集中度高。且十大廠商中多數(shù)為美國(guó)和日本企業(yè)，國(guó)內(nèi)廠商在這塊差距仍然較大。從半導(dǎo)體主要制造設(shè)備看來(lái)，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積(CVD)市場(chǎng)都為國(guó)外廠商占據(jù)。同時(shí)，也說(shuō)明中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)存在巨大替代空間，且由于需求驅(qū)動(dòng)，主要設(shè)備后續(xù)需求有望持續(xù)，維持良好增長(zhǎng)勢(shì)頭。華林科納深耕濕制...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義，其創(chuàng)建過(guò)程在光刻中有詳細(xì)描述。一旦掩模就位，就可以通過(guò)濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。從歷史上看，濕化學(xué)方法在用于圖案定義的蝕刻中發(fā)揮了重要作用，隨著器件特征尺寸的減小，表面形貌變得更加關(guān)鍵，濕化學(xué)蝕刻讓位于干蝕刻技術(shù)。這種轉(zhuǎn)變主要是由于濕蝕刻的各向同性。濕法蝕刻會(huì)在所有方向產(chǎn)生材料去除，如圖2所示，這導(dǎo)致掩模定義的特征尺寸與基板上復(fù)制的特征尺寸之間存在差異。此外，先進(jìn)設(shè)備中的縱橫比（深度與寬度之比）增加，實(shí)現(xiàn)這些比例需要使用定向蝕刻技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行各向異性蝕刻。圖3提供了一個(gè)示意圖，有助于理解各向同性與各向異性特征生成和定向蝕刻。對(duì)濕法蝕刻在高級(jí)加工中的效用的最后打擊可能是這樣一個(gè)事實(shí)，即許多用于器件制造的新材料沒(méi)有可用于蝕刻的濕法化學(xué)物質(zhì)。這些問(wèn)題結(jié)合在一起使?jié)裎g刻技術(shù)幾乎只用于清潔而不是蝕刻應(yīng)用。只有特征尺寸相對(duì)較大的器件才繼續(xù)采用濕法蝕刻。表面清潔已在 各向異性特征生成和定向蝕刻。對(duì)濕法蝕刻在高級(jí)加工中的效用的最后打擊可能是這樣一個(gè)事實(shí)，即許多用于器件制造的新材料沒(méi)有可用于蝕刻的濕法化學(xué)物質(zhì)。這些問(wèn)題結(jié)合在一起使?jié)裎g刻技術(shù)幾乎只用于清潔而不是蝕刻應(yīng)用。只有特征尺寸相...
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對(duì)于中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，包括作者在內(nèi)的很多讀者都只是關(guān)注前段的設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)和晶圓制造，而在IC產(chǎn)業(yè)鏈的后段封測(cè)上面，卻關(guān)注得不多。但如果沒(méi)有完善的封測(cè)產(chǎn)業(yè)，前段的工作做得最好，也不能把一個(gè)符合需求的IC交付給客戶。中國(guó)近年來(lái)在上面也做了不少的工作，助力中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展。 封測(cè)產(chǎn)業(yè)在半導(dǎo)體中的地位在談封測(cè)之前，我們先要來(lái)了解一下集成電路從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的整個(gè)流程。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，IC產(chǎn)品的源頭來(lái)自IC設(shè)計(jì)，IC設(shè)計(jì)使用CAD等輔助工具，將客戶或自行開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的規(guī)格與功能，藉由電路設(shè)計(jì)由IC表現(xiàn)出來(lái)，就是如何將一片芯片的功能從邏輯設(shè)計(jì)到晶圓設(shè)計(jì)之流程。設(shè)計(jì)好IC的電路之后，就需要投入到下一步的制造。IC制造的流程是將晶圓廠所做好的晶圓，以光罩印上電路基本圖樣，再以氧化、擴(kuò)散、CVD、蝕刻、離子植入等方法，將電路及電路上的元件，在晶圓上制作出來(lái)。由于IC上的電路設(shè)計(jì)是層狀結(jié)構(gòu)，因此還要經(jīng)過(guò)多次的光罩投入、圖形制作、形成線路與元件等重復(fù)程序，才能制作出完整的集成電路。然后就是到了文章提到的封裝測(cè)試流程。IC封裝是將加工完成的晶圓，晶切割過(guò)后的晶粒，以塑膠、陶瓷或金屬包覆，保護(hù)晶粒以免受污染且易于裝配，并達(dá)成芯片與電子系統(tǒng)的電性連接與散熱效果。而IC測(cè)試則可分為兩階段，一是進(jìn)入封裝之前的晶圓測(cè)試，主要測(cè)試電性；另一則為IC成品測(cè)試，主要在測(cè)試IC功能、電性與散熱是否正常，以確保品質(zhì)。封...
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華林科納CSE已具備FPD設(shè)備整線配套能力 華林科納（CSE）FPD設(shè)備項(xiàng)目負(fù)責(zé)人—李豐博士表示，CSE已經(jīng)具備了FPD設(shè)備與工藝整線配套能力，并與國(guó)內(nèi)某知名企業(yè)簽定戰(zhàn)略合作協(xié)議。近兩年，項(xiàng)目組在平板顯示行業(yè)光電方面進(jìn)行了顯示方案、光電控制、光電測(cè)量、光學(xué)鍍膜、光學(xué)膠合、器件產(chǎn)品、工藝工裝、工程試驗(yàn)等產(chǎn)業(yè)化研究，掌握了其核心技術(shù)，并取得多項(xiàng)相關(guān)專利，其中包括大尺寸LED背光模組和新型彩色濾光片，這兩個(gè)器件模組是液晶顯示面板部件及材料成本的60%左右。 華林科納（CSE）愿做FPD顯示設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的領(lǐng)路人，不斷創(chuàng)新，積極進(jìn)取，為客戶提供一流的設(shè)備，先進(jìn)的工藝和完善的服務(wù)。 公司注重持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)改進(jìn)，目前已擁有發(fā)明專利技術(shù)18項(xiàng)，并多次獲得國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定證書(shū)，肯定了企業(yè)的整體實(shí)力。CSE始終以高品質(zhì)、高要求、高目標(biāo)為產(chǎn)品技術(shù)理念持續(xù)進(jìn)行以客戶為導(dǎo)向的創(chuàng)新，且與國(guó)際上知名公司和中科院蘇州納米所等科研機(jī)構(gòu)建立了良好的合作關(guān)系。10多年以來(lái)始終為半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)提供創(chuàng)新的專用的濕法工藝解決方案；以技術(shù)創(chuàng)新為支撐，以精細(xì)管理做保證；以卓越的產(chǎn)品贏得客戶信任，以竭誠(chéng)的服務(wù)完美品牌形象；以矢志不渝的精神追求國(guó)際化，現(xiàn)代化，制造服務(wù)一體化的企業(yè)方向，努力打造成中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備高新技術(shù)制造基地。
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