硅片清洗原理與方法---蘇州華林科納CSE1 引言 硅片經(jīng)過(guò)切片、倒角、研磨、表面處理、拋光、外延等不同工序加工后，表面已經(jīng)受到嚴(yán)重的沾污，清洗的目的就是為了去除硅片表面顆粒、金屬離子以及有機(jī)物等污染。2 硅片清洗的常用方法與技術(shù)化學(xué)清洗是指利用各種化學(xué)試劑和有機(jī)溶劑與吸附在被清洗物體表面上的雜質(zhì)及油污發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或溶解作用，或伴以超聲、加熱、抽真空等物理措施，使雜質(zhì)從被清除物體的表面脫附（解吸），然后用大量高純熱、冷去離子水沖洗，從而獲得潔凈表面的過(guò)程。在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，大約有30％的工序和硅片清洗有關(guān)，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，這就必須采用各種不同的清洗方法和技術(shù)手段，以達(dá)到清洗的目的。 化學(xué)清洗又可分為濕法化學(xué)清洗和干法化學(xué)清洗，其中濕法化學(xué)清洗技術(shù)在硅片表面清洗中仍處于主導(dǎo)地位，因此本文僅對(duì)濕法化學(xué)清洗及與之相關(guān)的技術(shù)進(jìn)行介紹。3 濕法化學(xué)清洗原理常用化學(xué)試劑及洗液的去污能力，對(duì)于濕法化學(xué)清洗的清洗效率有決定性的影響，根據(jù)硅片清洗目的和要求選擇適當(dāng)?shù)脑噭┖拖匆菏菨穹ɑ瘜W(xué)清洗的首要步驟。4 濕法化學(xué)清洗方法4.1 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通過(guò)將要清洗的硅片放入溶液中浸泡來(lái)達(dá)到清除表面污染目的的一種方法，它是濕法化學(xué)清洗中最簡(jiǎn)單也是最常用的一種方法。它主要是通過(guò)溶液與硅片表面的污染雜質(zhì)在浸泡過(guò)程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)及溶解作用來(lái)達(dá)到清除硅...
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掃碼添加微信，獲取更多相關(guān)濕法資料1.刻蝕速率刻蝕速率是指在刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺(tái)階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個(gè)很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。 2.刻蝕剖面刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀。 有兩種基本的刻蝕剖面： 各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和垂直方向) 以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕， 導(dǎo)致被刻蝕材料在掩膜下面產(chǎn)生鉆蝕面形成的，這帶來(lái)不希望的線寬損失。 濕法化學(xué)腐蝕本質(zhì)上是各向同性的，因而濕法腐蝕不用于亞微米器件制作中的選擇性圖形刻蝕。一些干法等離子體系統(tǒng)也能進(jìn)行各向同性刻蝕。 由于后續(xù)上藝步驟或者被刻蝕材料的特殊需要， 也自一些要用到各向同性腐蝕的地方。3.刻蝕偏差刻蝕偏差是指刻蝕以后線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化。它通常是由于橫向鉆蝕引起的， 但也能由刻蝕剖面引起。 當(dāng)刻蝕中要去除掩膜下過(guò)量的材料時(shí)， 會(huì)引起被刻蝕材料的上表面向光刻膠邊緣凹進(jìn)去， 這樣就會(huì)產(chǎn)生橫向鉆蝕。4.選擇比選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少。 它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)...
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太陽(yáng)能光伏最新新聞資訊韓七電企投資30億美元發(fā)展可再生能源 近四成將用于太陽(yáng)能根據(jù)韓國(guó)政府規(guī)劃，到2025年，可再生能源占全國(guó)電力總量比例將達(dá)到11％。同時(shí)，政府鼓勵(lì)公共能源企業(yè)和私營(yíng)企業(yè)大力投資可再生能源，以實(shí)現(xiàn)全國(guó)可再生能源發(fā)展目標(biāo)和減排目標(biāo)。韓國(guó)六大電力企業(yè)聯(lián)合韓國(guó)電力工社KEPC日前宣布，將在2017－2018年投資30．6億美元發(fā)展可再生能源，尤其是可再生能源發(fā)電設(shè)施、新技術(shù)的開(kāi)發(fā)，從而加強(qiáng)韓國(guó)在可再生能源領(lǐng)域的重要地位，共同應(yīng)對(duì)氣候變化。據(jù)介紹，這筆投資的38．6％將用于太陽(yáng)能發(fā)電，35％用于風(fēng)力發(fā)電，17．9％用于燃料電池。其中，燃料電池已成為交通領(lǐng)域最受關(guān)注的新興市場(chǎng)，而韓國(guó)已經(jīng)成為成為最具吸引力的燃料電池市場(chǎng)。政府和企業(yè)的投入將進(jìn)一步推動(dòng)該市場(chǎng)的發(fā)展。微信8元炒白銀＋油關(guān)注公眾號(hào)：金投粵微盤(pán)（cngoldywp）原油專家直播室專屬參謀集金號(hào)原油貴金屬行情軟件根據(jù)韓國(guó)政府規(guī)劃，到2025年，可再生能源占全國(guó)電力總量比例將達(dá)到11％。同時(shí)，政府鼓勵(lì)公共能源企業(yè)和私營(yíng)企業(yè)大力投資可再生能源，以實(shí)現(xiàn)全國(guó)可再生能源發(fā)展目標(biāo)和減排目標(biāo)。 （出自：電纜網(wǎng)）雙軸追光柔性支架水上光伏電站建成近日，雙軸追光柔性支架水上光伏電站示范項(xiàng)目施工順利完成，項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了雙軸追光，屬全球首創(chuàng)，比行業(yè)同類產(chǎn)品發(fā)電量提高20%以上;水上漂浮系統(tǒng)采用的柔性網(wǎng)架，完全自有設(shè)計(jì)，比行業(yè)同類產(chǎn)品成本...
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華林科納CSE晶圓電鍍?cè)O(shè)備分兩個(gè)系列， CPE(半自動(dòng))/CPEA（全自動(dòng)），主要 用于半導(dǎo)體晶圓凸點(diǎn)UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍； 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點(diǎn)制作工藝流程主要包括焊料凸點(diǎn)制作和金凸點(diǎn)制作。? 焊料凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測(cè)凸點(diǎn)→劃片分割→成品。? 金凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測(cè)→成品。? 一般來(lái)說(shuō),凸點(diǎn)制備過(guò)程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點(diǎn)工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生所需的特征。因?yàn)橛糜谄骷圃斓墓饪躺婕笆褂霉鈱W(xué)曝光來(lái)創(chuàng)建圖案，所以半導(dǎo)體光刻通常被稱為“光刻”。與已經(jīng)討論的檢查和計(jì)量技術(shù)一樣，光刻是圖案化的選擇技術(shù)，因?yàn)樗枪鈱W(xué)的，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小特征和高晶片產(chǎn)量。這與直接書(shū)寫(xiě)和壓印等其他技術(shù)形成對(duì)比。光刻的基本原理圖1示出了用于定義淺溝槽隔離特征的典型光刻工藝。這一過(guò)程包括以下步驟:1. 基板清潔和準(zhǔn)備2. 形成熱氧化層，并在干凈的襯底上沉積一層氮化硅3. 沉積碳硬掩模，然后沉積一層抗反射材料4. 沉積一層光刻膠5. 預(yù)烘焙光刻膠6. 對(duì)準(zhǔn)襯底/光刻膠和掩模版，使用紫外輻射和4x-5x成像曝光光刻膠。重復(fù)步驟和掃描7. 曝光后烘焙8. 在光致抗蝕劑中顯影圖案，并硬烘焙以去除剩余的溶劑9. 執(zhí)行蝕刻以打開(kāi)電介質(zhì)抗反射涂層(DARC)和硬掩模圖案，并去除光致抗蝕劑和DARC10. 執(zhí)行蝕刻以在襯底中打開(kāi)溝槽并去除硬掩模11. 清潔表面 ...
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半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊 2017年我國(guó)將調(diào)整集成電路等進(jìn)出口關(guān)稅據(jù)財(cái)政部發(fā)布消息，經(jīng)國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)審議通過(guò)，并報(bào)經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)，自2017年1月1日起，我國(guó)將調(diào)整部分商品的進(jìn)出口關(guān)稅。據(jù)介紹，明年關(guān)稅調(diào)整將秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的理念，繼續(xù)鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)亟需的先進(jìn)設(shè)備、關(guān)鍵零部件和能源原材料進(jìn)口，以進(jìn)口暫定稅率方式降低集成電路測(cè)試分選設(shè)備、飛機(jī)用液壓作動(dòng)器、熱裂解爐等商品的進(jìn)口關(guān)稅。為豐富國(guó)內(nèi)消費(fèi)者的購(gòu)物選擇，還將降低金槍魚(yú)、北極蝦、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消費(fèi)品的進(jìn)口關(guān)稅。為回應(yīng)國(guó)民對(duì)醫(yī)療和健康的關(guān)注，降低生產(chǎn)抗癌藥所需的紅豆杉皮和枝葉、治療糖尿病藥所需阿卡波糖水合物的進(jìn)口關(guān)稅。為充分發(fā)揮關(guān)稅對(duì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的保護(hù)作用，明年對(duì)此前實(shí)行暫定稅率的丙烯酸鈉聚合物、具有變流功能的半導(dǎo)體拈等商品的進(jìn)口關(guān)稅稅率進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。明年還將取消氮肥、磷肥和天然石墨等商品的出口關(guān)稅，適當(dāng)降低三元復(fù)合肥、鋼坯等商品的出口關(guān)稅。為擴(kuò)大雙邊、多邊經(jīng)貿(mào)合作，加快實(shí)施自由貿(mào)易區(qū)戰(zhàn)略，明年我國(guó)將繼續(xù)對(duì)原產(chǎn)于25個(gè)國(guó)家或地區(qū)的部分進(jìn)口商品實(shí)施協(xié)定稅率，其中需進(jìn)一步降稅的有中國(guó)與韓國(guó)、澳大利亞、新西蘭、秘魯、哥斯達(dá)黎加、瑞士、冰島、巴基斯坦的自貿(mào)協(xié)定；商品范圍和稅率水平均維持不變的有中國(guó)與新加坡、東盟、智利的自貿(mào)協(xié)定，以及亞太貿(mào)易協(xié)定；同時(shí)，內(nèi)地分別與港澳的更緊密經(jīng)貿(mào)安排（CEPA）將適當(dāng)增加實(shí)施零關(guān)稅的商品...
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—本文來(lái)自華林科納 網(wǎng)絡(luò)部摻雜的作用是制作N型或P型半導(dǎo)體區(qū)域，以構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過(guò)某種技術(shù)措施，將一定濃度的三價(jià)元素（如硼、銻）或五價(jià)元素（如磷、砷等）摻入半導(dǎo)體襯底，從而原材料的部分原子被雜質(zhì)原子代替。摻雜工藝方法分為：熱擴(kuò)散法和離子注入法。熱擴(kuò)散是最早使用也是最簡(jiǎn)單的摻雜工藝，它利用原子在高溫下的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴(kuò)散并形成一定的分布。熱擴(kuò)散通常分兩個(gè)步驟進(jìn)行：預(yù)淀積（預(yù)擴(kuò)散）和主擴(kuò)散（也稱推進(jìn)）。預(yù)淀積是在高溫下利用諸如硼、磷等雜質(zhì)源對(duì)硅片上的摻雜窗口進(jìn)行擴(kuò)散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。主擴(kuò)散是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴(kuò)散的過(guò)程。通常推進(jìn)的時(shí)間較長(zhǎng)。 現(xiàn)分別列出不同擴(kuò)散方式的步驟：CSD涂源擴(kuò)散（硼源）CSD涂源擴(kuò)散的步驟為：CSD涂源——CSD預(yù)淀積——后處理——基區(qū)氧化——基區(qū)再擴(kuò)散（或者后兩步同時(shí)進(jìn)行即基區(qū)氧化再擴(kuò)散）：1、硼源CSD涂覆：利用凃源機(jī)在硅片表面進(jìn)行硼源涂覆，硼源選用硼源B 30，主要成份是B2O3，液態(tài)。涂源步驟為：1）清洗：硅片在2號(hào)清洗液中清洗，如果硅片較臟，還需要在煮沸的SH清洗液中浸泡清洗；2）涂覆：硅片旋轉(zhuǎn)速度約為2500轉(zhuǎn)/min，涂覆后硅片傳送到加熱板，溫度為（80±1）℃，加熱時(shí)間為20S；3）測(cè)試：硼源涂覆...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應(yīng)用在第一步中，晶片被化學(xué)清洗以去除表面上的顆粒物質(zhì)以及任何有機(jī)、離子和金屬雜質(zhì)的痕跡。清洗后，用作阻擋層的二氧化硅沉積在晶片表面。在二氧化硅層形成之后，光致抗蝕劑被施加到晶片的表面。硅片的高速離心旋轉(zhuǎn)是集成電路制造中應(yīng)用光刻膠涂層的標(biāo)準(zhǔn)方法。這種技術(shù)被稱為“旋涂”，在晶片表面產(chǎn)生一層薄而均勻的光刻膠。正性和負(fù)性光刻膠光刻膠有兩種:正片和負(fù)片。對(duì)于正性抗蝕劑，抗蝕劑在要去除底層材料的地方用紫外光曝光。在這些抗蝕劑中，暴露于紫外光會(huì)改變抗蝕劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)，從而使其在顯影劑中更易溶解。然后曝光的抗蝕劑被顯影液洗掉，留下裸露的底層材料窗口。換句話說(shuō)，“無(wú)論什么節(jié)目，都會(huì)去。因此，掩模包含要保留在晶片上的圖案的精確拷貝。消極抵抗的行為正好相反。暴露在紫外光下會(huì)導(dǎo)致負(fù)性抗蝕劑聚合，并且更難溶解。因此，負(fù)性抗蝕劑在其被曝光的任何地方都保留在表面上，并且顯影劑溶液僅去除未曝光的部分。因此，用于負(fù)性光致抗蝕劑的掩模包含待轉(zhuǎn)印圖案的反轉(zhuǎn)(或照相“負(fù)片”)。下圖顯示了使用正性和負(fù)性抗蝕劑產(chǎn)生的圖案差異。 負(fù)抗蝕劑在集成電路加工的早期歷史中很流行，但是正抗蝕劑逐漸變得更廣泛使用，因?yàn)樗鼈優(yōu)樾缀翁?..
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![半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊2016.12.27]( "半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊2016.12.27")
半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊2016.12.27韓媒：中國(guó)半導(dǎo)體正在加快崛起 有望趕超韓國(guó)韓媒稱，在1年多的時(shí)間里，中國(guó)半導(dǎo)體專業(yè)設(shè)計(jì)公司增加到了之前的2倍之多。市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦科技21日透露，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司從去年初的736家，增長(zhǎng)到了現(xiàn)在的1362家。壓倒性地超過(guò)了幾年來(lái)一直在200多家規(guī)模上原地踏步的韓國(guó)，實(shí)現(xiàn)了急速增長(zhǎng)。韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》網(wǎng)站12月22日?qǐng)?bào)道，中國(guó)半導(dǎo)體正在加快崛起，在存儲(chǔ)芯片工廠建設(shè)方面投資了幾十萬(wàn)億韓元，還在傾盡全力培育相當(dāng)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大腦的設(shè)計(jì)公司。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司是專門(mén)設(shè)計(jì)電子回路的企業(yè)，技術(shù)人才是競(jìng)爭(zhēng)力的源泉。不僅是存儲(chǔ)芯片，在韓國(guó)相對(duì)薄弱的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，中國(guó)也意欲上升至世界最高水平。中國(guó)對(duì)創(chuàng)業(yè)者給予破例的資金支持，大舉召回在外國(guó)學(xué)習(xí)的本國(guó)半導(dǎo)體人才。半導(dǎo)體行業(yè)有關(guān)人士說(shuō)：“中國(guó)展露出了躍升為涵蓋設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的綜合半導(dǎo)體大國(guó)的野心?！眻?bào)道稱，中國(guó)將視線轉(zhuǎn)向了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域，是為了掌握未來(lái)IT（信息技術(shù)）產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)權(quán)。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司大部分以擔(dān)當(dāng)信息計(jì)算和處理的“系統(tǒng)半導(dǎo)體”為主業(yè)。系統(tǒng)半導(dǎo)體是PC和智能手機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)人駕駛汽車(chē)等未來(lái)產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，因此跨國(guó)半導(dǎo)體公司間的角逐異常激烈。報(bào)道稱，中國(guó)在半導(dǎo)體生產(chǎn)方面已經(jīng)進(jìn)行了天文數(shù)字的投資。在韓國(guó)名列世界第一位的存儲(chǔ)（信息存儲(chǔ)）芯片領(lǐng)域，今年初清華紫光集團(tuán)和XMC分別宣布投資300億美元和240億美元進(jìn)行工廠建設(shè)。...
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一、太陽(yáng)能電池片工藝流程： 制絨(INTEX)---擴(kuò)散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測(cè)試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING） 二、我是做清洗的，今天主要跟大家分享一下清洗的工藝電池片制造過(guò)程中，有哪些步驟用到清洗呢？1，硅棒硅芯的清洗 ，需要用到硅棒硅芯清洗機(jī) 圖為華林科納硅棒清洗機(jī)2，制絨刻蝕--堿洗--酸洗 需要用到制絨腐蝕清洗機(jī) 圖為華林科納制絨腐蝕設(shè)備3，長(zhǎng)時(shí)間擴(kuò)散后需要對(duì)石英管進(jìn)行清洗 需要石英管清洗機(jī) 圖為華林科納石英管清洗機(jī)下面講一講具體的步驟 ?。ㄒ唬┣扒逑础 ?.RENA前清洗工序的目的： （1） 去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷） ?。?） 清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl） （3）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率?！ ?、前清洗工藝步驟： 制絨→堿洗 →酸洗→吹干 Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。 所用溶液為HF+HNO3 ，作用： ?。?）.去除硅片表面的機(jī)械損傷層； （2）.形成無(wú)規(guī)則絨面。Alkaline Rinse：堿洗槽 。 所用溶液為KOH，...
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