掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 我們研究了硅晶片表面取向?qū)O薄氧化物質(zhì)量的影響，測(cè)試了硅(100｝和(111｝晶片。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)， 非常薄的氧化物結(jié)構(gòu)主要由硅晶片表面取向決定，并且當(dāng)硅(111)被氧化時(shí)，隨著氧化物變得厚 于10納米，二氧化硅/硅(111)界面的微粗糙度增加，導(dǎo)致硅(111｝上的氧化物膜質(zhì)量下降。當(dāng)氧 化物厚度減小到小于10納米時(shí)，二氧化硅/硅界面平滑度保持與硅(100)和(111)相似，但是二氧化硅/硅界面顯示出硅(111)比硅(100)更大的界面電荷和平帶電壓価移。 介紹 隨著柵極氧化物變得更薄以及大規(guī)模集 成器件的更高集成度，氧化物的電特性受到硅片質(zhì)量的強(qiáng)烈 影響。硅片表面取向被認(rèn)為是決定金屬氧化物半導(dǎo)體器件性 能的因素之一。 二氧化硅/硅界面的光滑度是彙現(xiàn)高質(zhì)量超薄柵氧化膜的重要因素。實(shí)驗(yàn)和結(jié)果 在該實(shí)驗(yàn)中，氧化是在以極低的金屬和空氣中的雜質(zhì)濃 度為特征的超浄環(huán)境中進(jìn)行的，以僅揭示硅晶片取向的影 響。非常薄的氧化物是通過(guò)在90(TC下的干氧化形成的 ,在存在這些的地方，在300°CT形成0.4納米的預(yù)氧化物 a MOS器件。 結(jié)論 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 使用嵌段共聚物光刻(BCPL)方法將金納米粒子分散在玻璃基底上.1 25.4毫克二嵌段共聚物[聚苯乙烯81，000-嵌段-聚(2-乙烯基吡啶)14，200(聚合物來(lái)源公司)]的混合物。并將5 ml甲苯在氮?dú)獯祾叩暮诎淡h(huán)境中攪拌并攪拌過(guò)夜，加入約8 mg四氯化鈦H2O，并將該溶液攪拌90小時(shí)。玻璃基板以50m/秒的恒定速率浸入嵌段共聚物溶液中，保持5秒鐘，然后以相同的速率從溶液中升起。讓基材在空氣中干燥，然后置于氧等離子體中10分鐘以除去聚合物，僅留下金顆粒的分散體。等離子體是使用直徑為9毫米的試管中的埃文森腔產(chǎn)生的。凈腔功率在20到30 W之間。空腔壓力約為600毫托，氧氣流量為1 sccm。 激光器是一種532納米、40毫瓦(連續(xù)波)、氣冷、二極管泵浦的固態(tài)激光器。它由光學(xué)顯微鏡聚焦，使用50倍長(zhǎng)工作距離物鏡和三個(gè)外部透鏡。 建立并穩(wěn)定氣流，然后將激光聚焦到樣品的上表面，保持足夠低的功率，從而不會(huì)產(chǎn)生沉積。反應(yīng)器壓力保持恒定在5托。氬氣和氧氣的流速分別為18和1 sccm。這些實(shí)驗(yàn)中只使用了全激光功率。 分析表明用于表征PACVD沉積物和材料標(biāo)準(zhǔn)的顯...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 超聲研磨和超聲化學(xué)機(jī)械拋光均可降低雙體磨損，降低表面粗糙度的峰谷值，超聲波在研磨中的作用有助于后續(xù)化學(xué)機(jī)械拋光獲得更高的MRR和更好的表面質(zhì)量。化學(xué)機(jī)械拋光中的超聲輔助振動(dòng)可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，提高M(jìn)RR，改善表面質(zhì)量。超聲波化學(xué)機(jī)械拋光和超聲波研磨的組合實(shí)現(xiàn)了最高1.057米/小時(shí)的MRR和最低0.474米的PV值。因此，這種后續(xù)的超聲波輔助加工方法可以用來(lái)提高單晶碳化硅晶片的材料去除率和表面粗糙度。關(guān)鍵詞:單晶碳化硅；材料移除；表面生成；超聲波化學(xué)機(jī)械拋光；超聲波研磨介紹 碳化硅是第三代(寬帶隙)半導(dǎo)體材料之一(SiC)因其具有高熱導(dǎo)率、高硬度、耐化學(xué)性、耐溫性、對(duì)光波透明等顯著的物理化學(xué)性能，在學(xué)術(shù)研究和工業(yè)應(yīng)用中都備受關(guān)注。 因此，碳化硅已成為光電子和電力電子領(lǐng)域最有前途的材料之一，尤其是當(dāng)該器件用于高溫、高頻、高功率和抗輻射的環(huán)境中時(shí)。然而，它的機(jī)械和化學(xué)性質(zhì)使得表面平面化比廣泛用作襯底材料的硅和藍(lán)寶石困難得多，因?yàn)樗哪嫌捕冉咏饎偸⑶一瘜W(xué)惰性太強(qiáng)，除了在200℃以上的熱氫氟酸(HF)溶液或磷酸中，在室溫下在所有已知的含水蝕刻溶液中不能反應(yīng)。 實(shí)驗(yàn)裝置 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和性能表征 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料 Cu2ZnSnS4是一種潛在的重要太陽(yáng)能電池材料。我們首次報(bào)道了用二乙基二硫代氨基甲酸銅、鋅和錫的配合物化學(xué)氣相沉積銅Cu2ZnSnS4薄膜。 Cu2ZnSnS4 (CZTS)在太陽(yáng)能電池應(yīng)用中的優(yōu)異性能，它是由相對(duì)無(wú)毒和豐富的元素形成的低成本材料，此外還具有1.5 eV的有用帶隙和高吸收系數(shù)( 104 cm1)。這種p型半導(dǎo)體可被視為硫族化物(CuinS2或CuGaS2)的衍生物，其中較不豐富的元素In或Ga被更易獲得的Zn和Sn.4，5 A的電池光收集效率所取代。 化學(xué)氣相沉積是一種眾所周知的制備和生產(chǎn)高質(zhì)量化合物半導(dǎo)體薄膜的方法。 首次利用容易制備的銅、鋅和錫的二乙基二硫代氨基甲酸鹽配合物，用原子吸收化學(xué)氣相沉積法沉積了高質(zhì)量的Cu2ZnSnS4薄膜。用PXRD、掃描電鏡、透射電鏡、SAED、EDX、紫外-可見光譜和電阻率測(cè)量對(duì)沉積膜進(jìn)行了表征。 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料關(guān)鍵詞:種植體穩(wěn)定性，臨床試驗(yàn)，共振頻率分析，種植體表面化學(xué) 摘要 噴砂、酸蝕(SLA)種植體表面的化學(xué)修飾已被證明可以提高骨結(jié)合率。本研究的目的是檢查具有化學(xué)修飾表面的植入物的穩(wěn)定性變化，并將其結(jié)果與對(duì)照植入物進(jìn)行比較。對(duì)31名患者進(jìn)行了隨機(jī)對(duì)照試驗(yàn)，每名患者接受兩種具有相同物理性質(zhì)的植入物，但一種具有標(biāo)準(zhǔn)SLA表面(對(duì)照)，另一種具有改性表面(試驗(yàn))。植入后的前6周每周評(píng)估一次共振頻率分析。所有的植入物都被證明在臨床上是成功的，允許修復(fù)。對(duì)于大多數(shù)放置在下頜骨中的植入物(62個(gè)中的50個(gè))，植入物穩(wěn)定性從降低的穩(wěn)定性轉(zhuǎn)變?yōu)樵黾拥姆€(wěn)定性(p 材料和方法 這項(xiàng)雙中心、隨機(jī)、對(duì)照的試點(diǎn)試驗(yàn)旨在前瞻性地評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)噴砂、酸蝕(SLA)植入物(瑞士巴塞爾的Straumann)與具有相同物理特性但具有化學(xué)改性表面(SLActive)的植入物的整合性。使用共振頻率分析(RFA奧斯泰爾，整合基于標(biāo)準(zhǔn)成功標(biāo)準(zhǔn)的診斷和結(jié)果。統(tǒng)計(jì)分析 主要響應(yīng)變量ISQ(值在0到100之間)是連續(xù)的，并被確定為正態(tài)分布(科爾莫戈羅夫斯米爾諾夫檢驗(yàn))。為了降低患者特異性變異性并針對(duì)患者特異性情況進(jìn)行調(diào)整，將反應(yīng)變量轉(zhuǎn)換為相對(duì)于基線讀數(shù)的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果。氫氟酸中的蝕刻時(shí)間在1、3和5分鐘變化，以便研究涂層的粘附行為。使用場(chǎng)發(fā)射描電子顯微鏡(FESEM)觀察化學(xué)鍍樣品的表面形態(tài)，并使用橫截面分析測(cè)量涂層厚度，結(jié)果表明，較長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間(5分鐘)比1分鐘蝕刻時(shí)間(5μm)產(chǎn)生更厚的銅沉積物(8.5μm)。此外，通過(guò)增加蝕刻時(shí)間，改善了銅膜和襯底之間的機(jī)械結(jié)合。關(guān)鍵詞:化學(xué)鍍，銅互連，表面預(yù)處理，氫氟酸腐蝕，硅通孔(TSV)方法論 以購(gòu)買的方式使用了商業(yè)上可獲得的涂覆有二氧化硅薄層(厚度:300納米)的(100)取向單晶硅晶片。將晶片切成更小的片(大約1×1cm 2)，并用作無(wú)電沉積銅的基底。 結(jié)果和討論 化學(xué)鍍銅的表面形態(tài) 略 橫截面的形態(tài)學(xué) 略 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 石墨有望成為基本微機(jī)電系統(tǒng)的常用材料為了成為基本的微機(jī)電系統(tǒng)材料，石墨必須適應(yīng)常用的微/納米加工技術(shù)。因此，本文采用直接光刻和刻蝕工藝來(lái)研究石墨的微/納米加工。結(jié)果表明，石墨表面適合光刻，可以在石墨表面直接制作不同形狀和尺寸的光刻膠圖形。此外，在加工納米高度的石墨結(jié)構(gòu)時(shí)，微米高度的光刻膠仍能抵抗等離子體刻蝕。因此，具有光致抗蝕劑圖案的石墨通過(guò)蝕刻被直接處理，并且納米量的石墨被蝕刻。此外，高度范圍從29.4 nm到30.9 nm的微/納米級(jí)石墨結(jié)構(gòu)被制造成具有大約23♀個(gè)側(cè)壁。 介紹 石墨是一種全球豐富的礦物。它是一種具有六邊形層狀結(jié)構(gòu)晶格的結(jié)晶碳，每一層都有石墨烯的單原子厚度。微/納米加工技術(shù)是制造微機(jī)電系統(tǒng)器件的主要方法。因此，石墨需要滿足微/納米加工技術(shù)的要求，才能成為基本的MEMS材料。目前，碳微機(jī)電系統(tǒng)已經(jīng)被提出和研究，龔等?，F(xiàn)已提出了一種將聚酰亞胺與納米石墨顆粒添加劑混合以提高犧牲層釋放速率的方法。 結(jié)果和討論 通過(guò)光刻在石墨表面上獲得的光致抗蝕劑圖案與設(shè)計(jì)的掩模模板上的圖案基本相同。這一發(fā)現(xiàn)表明石墨表面可以通過(guò)光刻直接加工。因此，可以根據(jù)需要設(shè)計(jì)不同的光刻膠圖形，通過(guò)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 自信息時(shí)代到來(lái)以來(lái)，不斷縮小和降低半導(dǎo)體產(chǎn)品成本的需求日益增長(zhǎng)。為了滿足這一需求，已經(jīng)做了大量的研究來(lái)改進(jìn)我們當(dāng)前的微/納米制造工藝并開發(fā)下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)。高通量、低成本、更小的特征、高重復(fù)性和制造過(guò)程的簡(jiǎn)化都是研究人員不斷追求的目標(biāo)。不僅利用高能表面等離子體在硅襯底上形成有序的金納米粒子，還有一種利用表面等離子體的低成本光刻技術(shù)。 最常用的光刻技術(shù)是光刻 略 等離子體納米光刻 略 等離子透鏡 略金納米粒子的形成 略 進(jìn)行了九個(gè)不同的實(shí)驗(yàn)，包括短脈沖束和長(zhǎng)脈沖束，每個(gè)裝置都進(jìn)行了多次試驗(yàn)。表1列出了每個(gè)裝置的具體實(shí)驗(yàn)參數(shù)。這九個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果描述如下。 硅襯底上金納米粒子的尺寸分布結(jié)論 將等離子體激元用于微納制造有能力徹底改變半導(dǎo)體工業(yè)。在第二章中，討論了一種通過(guò)光學(xué)等離子體天線產(chǎn)生寬陣列半周期金納米粒子的方法。在這項(xiàng)技術(shù)中，金/氧化鋁納米孔光學(xué)天線可以使用1064納米釹:釔鋁石榴石激光系統(tǒng)照射，將半周期金納米粒子沉積在任何平坦基底的表面上。所討論的方法顯示出...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。介紹 由于簡(jiǎn)單、成本效益和多功能性，濕化學(xué)蝕刻方法在半導(dǎo)體器件技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用。雖然一些半導(dǎo)體可以通過(guò)還原分解，但實(shí)際蝕刻通常涉及固體的氧化. 價(jià)電子從與溶液中的蝕刻物質(zhì)（開路蝕刻）或通過(guò)外部電路（電化學(xué)蝕刻）對(duì)電極的表面鍵合中去除。對(duì)于開路蝕刻，可以區(qū)分兩種機(jī)制。第一個(gè)是“電化學(xué)”：溶液中的氧化劑從固體的價(jià)帶中提取鍵合電子，即它“注入空穴”，當(dāng)它位于表面時(shí)，會(huì)導(dǎo)致鍵斷裂。由于空穴是移動(dòng)的載體，氧化劑的還原和固體的氧化這兩個(gè)反應(yīng)可以看作是獨(dú)立的電化學(xué)反應(yīng)；它們可以在空間上分開（下面將給出一個(gè)例子）。這種蝕刻形式通常稱為無(wú)電蝕刻。第二種機(jī)制是化學(xué)機(jī)制：溶液中的活性蝕刻劑與表面原子之間直接發(fā)生電子交換反應(yīng)。 化學(xué)蝕刻：堿性溶液中的硅 圖 3. 電流-電位 (i-V) 曲線顯示兩個(gè)晶面 A 和 B 之間原電池的形成。蝕刻由氧化劑的擴(kuò)散控制。陽(yáng)極蝕刻：各向異性孔隙 HF溶液中Si的多孔陽(yáng)極蝕刻已為人所知并應(yīng)用多年 一個(gè)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 本章專門討論 AIIIBV 半導(dǎo)體化合物的熱濕氧化，主要是砷化鎵和氮化鎵。它分為幾個(gè)主題，包含單斜晶系氧化鎵1 b-Ga2O3 特性數(shù)據(jù)、氧化物制造技術(shù)和應(yīng)用說(shuō)明。在第一部分中，對(duì)上述半導(dǎo)體氧化物的性質(zhì)進(jìn)行了表征。然后描述了特別關(guān)注濕熱氧化的制造方法。之后，給出了氧化鎵結(jié)構(gòu)在電子學(xué)中的應(yīng)用。它還側(cè)重于專用于氣體傳感器應(yīng)用的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，而與包含 SnO2 等的那些相比，氧化鎵層顯著改善了檢測(cè)器的最關(guān)鍵參數(shù)。AIIIBV 和 AIIIN 半導(dǎo)體化合物是眾所周知的光電子器件材料。它們還經(jīng)常用于構(gòu)建高溫和微波設(shè)備或化學(xué)氣體傳感器。在這些應(yīng)用中，介電層是必需的。有可能使用他們自己的氧化物——Ga2O3 提供了制造許多不同器件的機(jī)會(huì)——MOS 結(jié)構(gòu)（金屬氧化物半導(dǎo)體）。它可以是 MOS 電容器、功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、高遷移率 GaAs MOSFET 或柵極關(guān)斷晶閘管。 Ga2O3 的性質(zhì) 氧化鎵-Ga2O3 是一種寬帶隙材料，可確保深紫外透明度。適當(dāng)摻雜可以達(dá)到導(dǎo)電性能，因此包含在 TCO（透明導(dǎo)電氧化物）材料中，例如 ITO 或 ZnO，它們是光電子學(xué)中最先進(jìn) 的材料。 電導(dǎo)率 ...
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