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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構(gòu)成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關重要的,它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸,結(jié)果表明在沖洗時間的一般分析中必須考慮由于流體層上的非均勻速度而導致的徑向分散現(xiàn)象。介紹      更好地了解硅晶片制造中的濕法工藝對于提高清潔效率以及優(yōu)化水分配和工藝時間非常重要。在這里,我們專注于沖洗過程,執(zhí)行該過程是為了消除已分配在晶片表面的清潔溶液,并考慮代表單個晶片工具的情況。DIW(去離子水)的中心注入以及施加到系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)引起沿晶片表面的徑向流動和從邊緣排出水溶液。研究了沖洗流中的流體動力學和化學輸運,重點研究了由穿過流體層的非均勻速度場引起的徑向分散現(xiàn)象。流體動力學和傳輸現(xiàn)象。       在這項工作中,沖洗過程被分析為純水對水溶液的混溶置換。為簡單起見,化學物質(zhì)和殘留物被視為單一溶解的溶質(zhì)。如圖 1 所示,去離子水 (DIW) 從晶片和屏蔽板之間的中心注入。兩者都以相同的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。區(qū)分了兩種主要配置(圖 1)。在第一種情況下,稱為密閉情況 (a),流速足夠高,液體可以完全充滿晶片和屏蔽板之間的空間。第二個,稱為自由表面情況(b),對應于旋轉(zhuǎn)速度或屏蔽板高度足夠高...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      我們據(jù)報道,金屬薄膜可以通過脈沖摻釹釔鋁石榴石激光束照射薄膜表面直接光刻。該過程利用激光誘導的熱彈性力,起到將薄膜與底層分離的作用。使用空間調(diào)制激光束制造了微米級的高保真圖案。具有光刻鋁源極和漏極電極的鋅-錫-氧化物薄膜晶體管表現(xiàn)出高于 105 的開/關比和非常低的關斷電流水平。這表明金屬層通過該過程被完全蝕刻掉,不需要額外的清潔或蝕刻步驟。介紹      金屬薄膜圖案化是現(xiàn)代電子設備制造中的關鍵工藝,因為它們通常需要電極、金屬化或互連線。這些圖案通常是通過光刻技術制造的。雖然傳統(tǒng)的光刻可以提供高分辨率的圖案,但它也需要昂貴的設備和許多工藝步驟。對簡單、低成本制造的日益增長的需求導致了對替代品的狂熱尋找。已經(jīng)研究了許多不同的方法,包括噴墨打印、 納米轉(zhuǎn)移印刷,和激光誘導的正向轉(zhuǎn)移。這些替代方案中的大多數(shù)都具有加成工藝的優(yōu)勢,但在分辨率、處理速度或可靠性方面仍然存在限制。光刻      該領域以前的工作主要致力于潛在光刻膠材料的光刻蝕以及納米顆粒的尺寸選擇性蝕刻。在最近的一份報告中,我們已經(jīng)證明,蒸發(fā)在玻璃基板上的金屬薄膜(Au、Ag 和 Al)可以通過從基板背面入射的空間調(diào)制脈沖摻釹釔鋁石榴石 (Nd:YAG) 激光束直接圖案化。該...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      在早期階段檢測工藝問題和參數(shù)漂移對于成功的半導體制造至關重要。晶圓上的缺陷模式可以作為質(zhì)量工程師的重要信息來源,使他們能夠隔離生產(chǎn)問題。傳統(tǒng)上,缺陷識別是由質(zhì)量工程師使用掃描電子顯微鏡進行的。這種手動方法不僅昂貴且耗時,而且會導致很高的錯誤識別率。在本文中,提出了一種由空間過濾器、分類模塊和估計模塊組成的自動方法來驗證真實數(shù)據(jù)和模擬數(shù)據(jù)。實驗結(jié)果表明,三種典型的缺陷圖案:(i)線性劃痕;(ii) 一個圓環(huán);(iii) 可以成功提取和分類橢圓區(qū)域。高斯EM算法用于估計橢圓和線性圖案,球殼算法用于估計環(huán)形圖案。此外,可以通過混合聚類方法同時識別凸形和非凸形缺陷圖案。所提出的方法有可能應用于其他行業(yè)。介紹      集成電路的制造是一個復雜且成本高昂的過程,涉及數(shù)百個步驟,并且需要在整個生產(chǎn)過程中監(jiān)控許多工藝參數(shù)。今天,即使使用位于幾乎無塵的潔凈室并由訓練有素的工藝工程師操作的高度自動化和精確定位的設備,仍然無法避免點缺陷的發(fā)生(Kuo et al., 1998; Kuo and金,1999)。由于晶圓上的成簇點缺陷通常是由于工藝問題或人為錯誤造成的,因此關于簇大小、幾何形狀和空間位置的信息對于尋求識別潛在生產(chǎn)問題的工藝工程師來說非常有價值。一般來說,缺陷模式可以被視為兩個獨立...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本報告中回顧的紫外線 (UV)/臭氧表面清潔方法是從半導體(以及許多其他)表面去除各種污染物的有效方法。這是一種簡單易用的干式工藝,設置和操作成本低廉。它可以在環(huán)境溫度下在空氣或真空系統(tǒng)中快速產(chǎn)生清潔的表面 結(jié)合干法去除無機污染物,該方法可能滿足未來幾代人需要的全干法清潔方法的要求半導體器件。將經(jīng)過適當預清潔的表面放置在距離產(chǎn)生臭氧的紫外線源幾毫米的范圍內(nèi),可以在不到一分鐘的時間內(nèi)產(chǎn)生干凈的表面。該技術可以產(chǎn)生接近原子級清潔的表面,俄歇電子能譜、ESCA、和 ISS/SIMS 研究。討論的主題包括過程變量、成功清潔的表面類型、可以去除的污染物、紫外線/臭氧清潔設施的建造、過程機制、真空系統(tǒng)中的紫外線/臭氧清潔、速率提高技術、安全考慮、除清潔外的紫外線/臭氧影響以及應用。介紹      紫外線 (UV) 光分解有機分子的能力早已為人所知,但直到 1970 年代中期才開始探索表面的紫外線清潔 (1-6)。自 1976 年以來,紫外線/臭氧清潔方法的使用穩(wěn)步增長。紫外線/臭氧清潔劑現(xiàn)在可以從幾個制造商處購買。紫外線/臭氧清潔的歷史      長期以來,人們普遍知道紫外線會導致化學變化。眾所周知的表現(xiàn)是織物顏色褪色和人體皮膚色素沉著(即曬黑)在暴露于...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要 在本文中,我們描述了一項實驗研究,該研究旨在調(diào)查 58 – 192 kHz 頻率范圍內(nèi)的超聲波場的表面清潔和侵蝕潛力。使用三種不同的方法(重量損失法、表面輪廓法和精密比濁法)進行測量,以評估各種材料(包括半導體)的這些機制。得出關于高頻、高強度超聲波場和浸沒表面之間相互作用的性質(zhì)的結(jié)論。提供了最佳設置的建議,以最大限度地提高表面清潔度并最大限度地減少敏感基材的可蝕性。關鍵詞:超聲波、空化、侵蝕、清洗、硅片介紹亞微米顆粒污染是許多微電子行業(yè)(例如半導體設備、集成電路、硬盤驅(qū)動器等)設備故障和制造工藝良率損失的主要原因。隨著關鍵產(chǎn)品尺寸在日益小型化的市場中縮小,顆粒的最小尺寸可能導致缺陷的因素也在不斷減少,從而導致清潔復雜性和成本呈螺旋式上升。實驗數(shù)據(jù)和分析圖 1 是優(yōu)化概念的早期說明。在室溫水中測量的聲流力(理論值)和空化強度(由 ppb? 空化探頭測量)與超聲波頻率作圖。凈力似乎在 100-130 kHz 范圍內(nèi)具有最小值,這與工業(yè)經(jīng)驗合理一致。      結(jié)論對給定表面的超聲波清洗工藝的優(yōu)化必須基于兩個可測量的指標——表面可清潔性和表面可蝕性。前者必須最大化,后者必須最小化。更現(xiàn)實的是,必須確定一個最佳設置,以在兩者之間提供最可接受的折衷方案,因為很可能導致高清潔度的基于空化的清潔過程也導...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 31
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文使用原子力顯微鏡分析了使用六氟化硫、四氟化碳、氯氣和氫溴酸化學方法在高密度等離子體中腐蝕壓力、射頻功率條件下c-Si100表面產(chǎn)生的粗糙度。本文明確地證明,高密度等離子體在硅蝕刻過程中不會產(chǎn)生粗糙度;但相反,如果已經(jīng)存在,它們傾向于光滑現(xiàn)有的表面粗糙度。利用二嵌段共聚物作為蝕刻掩模,分析硅晶片上自組織硅納米柱形狀的時間演化,證明了這一點。20nm高,20nm寬的10nm柱通過暴露于氯氣和六氟化硫等離子體迅速平滑,從而恢復平坦的硅表面。在高密度等離子體中,局部蝕刻速率通常受到反應自由基可用性的限制。在這些條件下,平滑機制是由于粗糙表面的山丘比山谷接收到更高的蝕刻自由基通量。最后,本文指出,在硅基等離子體中,硅表面的粗糙化,經(jīng)常在文獻中報道,只是由于由al2o3反應器壁濺射產(chǎn)生的AlFx粒子對硅的微濺蔽。在氟基等離子體中蝕刻后,表面確實檢測到很高比例的鋁。然而,當在硅蝕刻過程之前,腔室壁被有意地被碳層覆蓋時,氟基等離子體的表現(xiàn)與其他研究的蝕刻化學物質(zhì)一樣,它們能迅速平滑任何現(xiàn)有的粗糙度。 介紹      在通過等離子體工藝蝕刻薄膜的過程中,薄膜中產(chǎn)生的粗糙度對于所制造的器件的正確操作可能是一個嚴重的問題。對于硅蝕刻,這對于集成電路集成電路...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要處理納米級顆粒污染仍然是半導體器件制造過程中的主要挑戰(zhàn)之一。對于越來越多的關鍵處理步驟而言尤其如此,在這些步驟中,需要去除顆粒物質(zhì)的殘留物而不會對敏感器件圖案造成機械損壞,同時實現(xiàn)盡可能低的基板損失。如果允許更高的基板損失,則可以采用或多或少純的化學機制(例如,基板蝕刻和剝離導致的顆粒底切)。然而,僅允許在統(tǒng)計上看到亞埃材料損失,需要將物理力與適當?shù)幕瘜W支持結(jié)合起來。在本文中,我們描述了基于單分散液滴撞擊的顆粒清潔技術。介紹硅晶片上殘留的微粒污染仍然是先進半導體制造中產(chǎn)量損失的主要原因之一。 因此,隨著更小的設備節(jié)點不斷發(fā)展,對控制微粒污染的新技術和工藝的要求變得越來越嚴格。正如《國際半導體技術路線圖》(ITRS 2012 更新版)所述,“致命缺陷”尺寸(臨界粒徑)隨著器件的產(chǎn)生而不斷減小,現(xiàn)在臨界粒徑小于MPU(主處理單元)物理門長度。而且,顯然,必須在不對機械敏感的設備結(jié)構(gòu)造成任何結(jié)構(gòu)損壞的情況下實現(xiàn)高顆粒去除效率 (PRE),并且材料損失最?。ㄔ趤啺7秶鷥?nèi)統(tǒng)計可見)。這些良率降低因素的來源可能是作為先前加工步驟或晶片處理的副產(chǎn)品的落下顆粒。顆粒去除基礎對顆粒粘附的理解在確定合適的清潔方法中起著關鍵作用。它會影響清潔液化學成分的選擇以及提供物理力以從基材上去除顆粒所需的機制。這種粒子-基材-相互作用的強度取決于材料和發(fā)生相互作用的介質(zhì)的物...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      自選擇性無電電鍍是一種生產(chǎn)功能性一維納米材料的新方法。該技術基于傳統(tǒng)的無靜電電鍍,利用基底和表面金屬沉積來產(chǎn)生所需的功能納米結(jié)構(gòu)。綜述了過去6年的進展和進展,包括通過自選擇性無電電鍍實現(xiàn)的硅納米線陣列和伴隨的貴金屬樹突的生產(chǎn)、可能的生長機制和未來的挑戰(zhàn)。本文討論了這種方法對未來發(fā)展新穎和獨特的納米器件的作用,這是用傳統(tǒng)的制造技術無法實現(xiàn)的。有趣的最新結(jié)果表明,該產(chǎn)品的選擇性是可以通過控制無靜電電鍍過程和后表面處理來獲得的。 介紹      無電鍍是指金屬離子水溶液的自動催化或化學還原以及隨后在基材上的電鍍。在這個過程中,金屬離子被還原劑還原成金屬,還原劑僅僅是電子供體,金屬離子是與電子供體反應的電子受體。催化劑是加速允許還原劑氧化的無電化學反應的樣品。在傳統(tǒng)的無電鍍中,基底提供了防止蝕刻的催化表面。多孔硅因其在光電子學中的潛在應用而備受關注。生產(chǎn)多孔硅有三種電化學途徑,即陽極蝕刻、光電化學蝕刻和激光輔助蝕刻,所有這三種方法都在酸性氟化物溶液中進行。      金屬輔助無電蝕刻用于在基底上產(chǎn)生所需的納米結(jié)構(gòu),但在金屬沉積中不起主要作用。這與采用表面金屬化的常規(guī)化學鍍形成對比。 硅上的自選擇性化學鍍  &#...
發(fā)布時間: 2021 - 09 - 26
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料關鍵詞: 超臨界 CO2、光刻膠剝離、NEMS、二氧化硅蝕刻介紹隨著半導體器件不斷縮小并變得更快,將需要新的材料和工藝來實現(xiàn)這一進步。已經(jīng)提出基于超臨界 CO2 (SCCO2) 的技術用于器件制造的各個步驟,例如清潔和沉積。SCCO2 擴散迅速、粘度低、表面張力接近于氣體,因此可以輕松滲透到深溝槽和通孔中。它還可以在沒有圖案塌陷或粘滯的情況下進行清潔。SCCO2 具有液體的溶劑化特性,因此可以溶解醇類和氟化烴等化學物質(zhì),形成均質(zhì)的超臨界流體溶液。已經(jīng)研究了基于 SCCO2 的工藝,因為它具有剝離光刻膠殘留物的潛力(由于它與低 k 材料的兼容性)[1] 并且因為它可以恢復低 k 材料的 k 值以進行 Cu/低 k 集成在生產(chǎn)線的后端 (BEOL) [2]。SCCO2 在超低 k 材料加工中的應用是一項很有前景的未來技術。在本文中,我們首先回顧了 SCCO2 在 BEOL 中的各種應用,然后展示了超臨界 CO2 在半導體和納米電子器件制造中針對生產(chǎn)線前端 (FEOL) 的幾種應用。SCCO2 在 BEOL 中的應用圖 1 顯示了典型通孔開孔工藝的橫截面示意圖。用光刻膠圖案化的低 k 膜通過 RIE 蝕刻,然后進行等離子灰化和濕法清洗。等離子灰化和濕法清潔會損壞低 k 膜,并且在低 k 膜的側(cè)壁上形成聚合物殘留物。然后通過RIE蝕刻銅布線上的蝕刻停止層...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要CMOS 器件技術中接觸孔的高縱橫比 (HAR) 對蝕刻后濕法清洗提出了重大挑戰(zhàn)。HAR 孔的 IPA 表面張力梯度 (STG) 干燥在蝕刻后 SC1 清潔期間的半間距處理中受到影響,導致聚合物殘留。殘留物的來源被確定為接觸 RIE 過程中氮化物蝕刻產(chǎn)生的聚合物。這些聚合物在干燥過程中與 IPA 的 SC1 反應副產(chǎn)物導致形成 CFx 殘留物。干燥參數(shù)在確定 SC1 蝕刻后清潔后的缺陷性能方面起著重要作用。實驗已經(jīng)確定,緩慢的晶片提升速度以提供更高的 STG 將有效地去除可能被困在接觸孔內(nèi)的可溶性 SC1 副產(chǎn)物。介紹隨著器件特征尺寸的快速縮小,接觸孔的縱橫比不斷增加,不僅在接觸干法蝕刻中,而且在隨后的濕法清潔中都會帶來相當大的挑戰(zhàn)。在基于 CFx 的等離子體中進行接觸干法蝕刻后,必須通過灰化和濕法清潔去除剩余的碳氟化合物膜、金屬(來自硅化物)氧化物和氟化物 (1)。傳統(tǒng)的濕法清潔方法包括使用過氧化硫混合物 (SPM) 或硫酸臭氧混合物 (SOM)、過氧化氨混合物 (SC1) 和稀氫氟酸 (HF)。最近,據(jù)報道,使用 NF3 的化學干洗可以改善與底層 Ni 硅化物的接觸金屬化。蝕刻后濕法清潔的目的是有效去除晶片表面和接觸孔內(nèi)部的任何蝕刻后/灰渣殘留,以實現(xiàn)低接觸電阻。在濕法清潔過程中,化學品需要滲透到接觸孔中,以便與任何殘留的蝕刻后殘留物發(fā)生...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 30
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