掃碼添加微信。獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料什么是化學(xué)鍍？ 化學(xué)鍍是在不使用外部電能的情況下，用金屬離子溶液生產(chǎn)鍍層的過(guò)程。 它是制造工業(yè)中使用最廣泛的化學(xué)鍍層，也是工程用途中最普遍的?；瘜W(xué)鍍鎳的優(yōu)點(diǎn) 1. 優(yōu)良的耐腐蝕性能 2. 優(yōu)異的耐磨性和耐磨性 3. 良好的延展性、潤(rùn)滑性和電性能 4. 高硬度，尤其在熱處理時(shí) 5. 良好的可焊性 6. 在深孔和凹槽，以及角落和邊緣，厚度均勻均勻 7. 涂層可以作為最終的生產(chǎn)操作，并能滿足嚴(yán)格的尺寸公差 8. 可用于金屬和非金屬襯底，前提是它們經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)念A(yù)處理 化學(xué)鍍鎳的浴液成分 化學(xué)鍍依賴于在特定溫度下進(jìn)行的反應(yīng)，通常在90°C左右，當(dāng)適當(dāng)活化的基底浸...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料文摘 薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來(lái)適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物，并添加化學(xué)物質(zhì)來(lái)調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤(rùn)濕性。 當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時(shí)，蝕刻速率將隨時(shí)間而降低。 這種變化已經(jīng)建模。 這些模型可以延長(zhǎng)時(shí)間，補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì)，或者兩者兼而有之。硅蝕刻: 硅的各向同性濕蝕刻最常用的化學(xué)方法是硝酸和氫氟酸的結(jié)合。 它通常被稱為海航體系(HF:硝酸:乙酸)與醋酸添加作為濕工作臺(tái)應(yīng)用的緩沖。 硝酸作為氧化劑將表面轉(zhuǎn)化為二氧化硅，然后HF腐蝕(溶解)氧化物。 其反應(yīng)過(guò)程如下所示Si + 4HNO3 SiO2 + 4NO2 + 2H2O 略實(shí)驗(yàn): 實(shí)驗(yàn)是在SSEC 3300系列單片自旋處理器系統(tǒng)上進(jìn)行的。 所采用的化學(xué)方法是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合。 化學(xué)再循環(huán)采用SSEC的收集環(huán)技術(shù)。 在蝕刻過(guò)程中有許多工藝參數(shù)可以改變，從以前的工作中選擇...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文提供了一種通過(guò)濕工作臺(tái)法清洗硅片的方法，該方法可提高清洗效率，且不會(huì)產(chǎn)生氧化物。 在該方法中，晶圓可以首先在包括堿或酸的第一清洗液中清洗，然后在包括去離子水和臭氧的第二溶液中清洗。 去離子水中的臭氧濃度可在約1ppm至約20ppm之間，最好在約3ppm至約10ppm之間。 在臭氧/DI水漂洗步驟之后，在最后的漂洗步驟和干燥步驟之前，可以使用稀釋的HF清洗步驟來(lái)去除硅表面上可能形成的任何氧化物。 圖1 圖2發(fā)明背景 在半導(dǎo)體器件的制造中，硅片的加工需要大量的去離子水。 隨著晶圓尺寸的增大，去離子水的消耗增加。 例如，加工200毫米的晶圓消耗至少是加工150毫米晶圓消耗的兩倍。 去污水最常用于槽和洗滌器，用于過(guò)程中硅片的頻繁...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 一種以可控的成本效益和最小的化學(xué)消耗來(lái)細(xì)化硅片的方法。 將晶圓放入工藝室，隨后將臭氧氣體和HF蒸氣送入工藝室，與晶圓的硅表面發(fā)生反應(yīng)。 臭氧和HF蒸氣可以按順序輸送，也可以在進(jìn)入工藝室之前相互混合。使硅變薄的方法-使用hf和臭氧的晶圓 硅片薄化是半導(dǎo)體器件和微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)制造中的重要一步。 晶圓變薄是至關(guān)重要的，因?yàn)樗兄诜乐咕A在制造和使用過(guò)程中產(chǎn)生熱量，也使晶圓更容易處理和更便宜的包裝。 發(fā)明的簡(jiǎn)要說(shuō)明 本發(fā)明涉及一種使用臭氧和HF細(xì)化硅片的方法。 臭氧氧化晶圓表面的一層或多層硅，HF腐蝕掉氧化硅層，從而使晶圓變薄。 晶圓減薄過(guò)程是通過(guò)研磨和拋光操作(通常稱為“反研磨”)或使用含有強(qiáng)氧化劑(如硝酸(HNO3)和/或氫氟酸(HF))的溶液來(lái)完成的。 這兩種工藝也經(jīng)常結(jié)合在一起，因?yàn)闄C(jī)械磨削操作會(huì)在硅表面產(chǎn)生大量的應(yīng)力。這種應(yīng)力可以通過(guò)化學(xué)蝕刻來(lái)減輕，化學(xué)蝕刻可以去除應(yīng)力和損壞的層。 這個(gè)過(guò)程的化學(xué)反應(yīng)一般如下: 4HF + SiO2 - SiF4 + 2H2O (...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在晶片雙面拋光過(guò)程中能夠有意地使所要求的邊緣滾轉(zhuǎn)，一種使用該載體的晶片拋光方法，并使用經(jīng)過(guò)這種雙面拋光處理的晶片增加背面的平整度。 提供了一種制造能夠制造外延晶片的外延晶片的方法。 描述 一種晶圓兩面的拋光方法，一種使用該拋光方法制造外延晶圓的方法，以及一種外延晶圓。本發(fā)明涉及一種用于晶片雙面拋光過(guò)程的雙面拋光載體及使用該載體的晶片雙面拋光方法。 本發(fā)明還涉及一種外延片及其制造方法，該外延片使用該雙面拋光方法拋光的晶片作為襯底材料。 平坦度 根據(jù)本發(fā)明，在晶圓的雙面拋光過(guò)程中，可以在晶圓的背面有意地做出所要求的滾邊。 因此，當(dāng)該晶片用作外延硅晶片的襯底材料時(shí)，在形成外延膜后，就有可能增加最終外延晶片產(chǎn)品的平坦度。 外延薄膜 第二外延薄膜具有薄膜厚度分布以消除在晶圓背面的邊緣滾轉(zhuǎn)是更好的。 通過(guò)抵消外延生長(zhǎng)引起的晶圓外延部分厚度的增加，可以抑制外延片外延部分平整度的惡化。 外延層 略文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在硅片上形成電路的各種傳感器、通信、存儲(chǔ)設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備(芯片)是必不可少的。一般來(lái)說(shuō)，“細(xì)化”和“最小化”都是必需的。另一方面，模具強(qiáng)度的提高對(duì)于提高制造工藝的良率和提高最終產(chǎn)品的耐久性也非常重要。介紹 在半導(dǎo)體器件的前端生產(chǎn)過(guò)程中，電子電路如晶體管是在硅片表面形成的。隨后，在后端生產(chǎn)中，對(duì)晶圓背面進(jìn)行薄化，并對(duì)晶圓進(jìn)行切丁模擬。近年來(lái)，對(duì)更薄芯片的需求一直在增長(zhǎng)，以支持較低的封裝高度，并允許多個(gè)芯片堆疊和封裝在封裝中。 圖1鋸齒圖像 圖2 DBG工藝流程評(píng)價(jià)方法 半導(dǎo)體設(shè)備與材料國(guó)際(SEMI)將三點(diǎn)彎曲的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為G86-0303[1]，作為測(cè)量模具強(qiáng)度的方法。在三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)中，如圖4所示，切屑是簡(jiǎn)單支撐，兩端不固定，用壓頭連續(xù)施加垂直載荷，直至切屑斷裂。 圖5三點(diǎn)彎曲模強(qiáng)度(鋸痕角度對(duì)比)應(yīng)力緩解效應(yīng) 評(píng)估了消除鏡面磨削損傷和鋸痕的應(yīng)力消除效果。利用上述CMP和DP去除磨后的鏡面，DBG大大減少了后側(cè)切屑，提高了模具強(qiáng)度。背面切屑的影響 最后，評(píng)估了芯片背面四邊產(chǎn)生的切屑對(duì)芯片的影響。對(duì)比樣品采用DBG工藝...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料評(píng)價(jià)蝕刻和清洗過(guò)程蝕刻和清洗許多現(xiàn)代制造的表面，如硅片，會(huì)給制造商帶來(lái)許多問(wèn)題。 許多濕法蝕刻工藝使用腐蝕性和危險(xiǎn)液體，如硫酸氫銨和氫氟酸，可能對(duì)用戶和環(huán)境造成危害。毒性較低的方法，如機(jī)械研磨和噴砂，耗時(shí)較長(zhǎng)，精確度較低，更適合創(chuàng)建宏觀蝕刻——當(dāng)電子元件需要更小、更復(fù)雜的電路時(shí)，用處較小。 光燒蝕使用高能激光來(lái)制造微蝕刻，但這一過(guò)程被限制在高度局域化、較小的區(qū)域，很難用于處理整個(gè)表面。 用等離子技術(shù)解決問(wèn)題簡(jiǎn)單地生產(chǎn)質(zhì)量較低的部件，在允許的污染水平下，滿足特定市場(chǎng)、應(yīng)用或價(jià)格點(diǎn)的要求。 然而，仍然存在一些風(fēng)險(xiǎn)，特別是如果低質(zhì)量導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失敗。另一種方法是首先消除導(dǎo)致部件污染的因素。 這將涉及到要么完全消除制造步驟(可能由于成本或技術(shù)問(wèn)題不可能)，要么完全返工或搬遷生產(chǎn)線，這可能會(huì)非常昂貴和耗時(shí)。半導(dǎo)體也許最不具吸引力的解決方案就是簡(jiǎn)單地把臟零件的問(wèn)題交還給供應(yīng)商。 這本質(zhì)上把確保所有部件完全不受污染的責(zé)任推給了部件供應(yīng)商。 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料概述氫氧化鉀是一種濕法蝕刻，優(yōu)先在平面侵蝕硅，產(chǎn)生特征性的各向異性垂直蝕刻，側(cè)壁與表面形成54.7°角(與法線成35.3°)。該蝕刻工藝與砷、磷和銻的摻雜濃度無(wú)關(guān)。對(duì)于硼，在高摻雜濃度下蝕刻速率迅速下降。這是一個(gè)一級(jí)流程，需要基本的INRF安全認(rèn)證。危險(xiǎn)化學(xué)品的使用要求用戶不得單獨(dú)執(zhí)行該過(guò)程。所需時(shí)間對(duì)于40米蝕刻，氫氧化鉀工藝通常需要1小時(shí):20分鐘的準(zhǔn)備時(shí)間，然后是40分鐘的蝕刻。光刻和反應(yīng)離子蝕刻需要額外的時(shí)間。所需材料o 100個(gè)帶有熱生長(zhǎng)氧化物或氮化物層的硅片(~ 2000–3000)o KOH顆粒(可從化學(xué)商店獲得)o玻璃容器o溫度計(jì)o熱板準(zhǔn)備戴上防護(hù)性丁腈手套和眼睛保護(hù)裝置。按照以下方式制備新鮮氫氧化鉀溶液。將1份氫氧化鉀顆粒(按重量)稱量到塑料燒杯中。加入2份去離子水。例如，使用100克氫氧化鉀和200毫升水。在溫暖的表面混合，直到氫氧化鉀溶解。向溶液中加入40毫升異丙醇。異丙醇增加了蝕刻中的各向異性。儲(chǔ)存在標(biāo)有“30%氫氧化鉀溶液”的塑料瓶中，然后加上你的名字、日期和靶器官標(biāo)簽。氫氧化鉀配方(30%)在溫暖的表面上混合70克氫氧化鉀顆粒和190毫升去離子水，直到氫氧化鉀完全溶解。o加入40毫升異丙醇?xì)溲趸浳g刻需要二氧化硅或氮化硅的“硬掩?！?氮化物是優(yōu)選的，因?yàn)檠趸锉粴溲趸浘徛g刻)。制作硬掩膜的細(xì)節(jié)可...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 縮小特征尺寸的另一種選擇是增加集成電路(IC)封裝的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已經(jīng)大大減少。 推動(dòng)薄模具需求的主要因素包括便攜式通信和計(jì)算設(shè)備、存儲(chǔ)卡、智能卡、以及CMOS圖像傳感器、混合、箔式柔性系統(tǒng)、led、MEMS、太陽(yáng)能和電源設(shè)備。關(guān)鍵詞:化學(xué)減薄、蝕刻、應(yīng)力消除、波蝕、線性掃描、超薄晶片、處理、非接觸卡盤(pán)。介紹 研磨、拋光和稀釋技術(shù);以及將晶圓與載體結(jié)合以進(jìn)行處理、細(xì)化或加工的許多方法。因此，有一種新的化學(xué)稀釋技術(shù)，它可以將晶片稀釋到50µm或更少， 具有更好的均勻性，而且成本比傳統(tǒng)的稀釋更低。減薄和應(yīng)力消除 化學(xué)稀釋是消除亞表面損傷和減輕磨削和拋光留下的應(yīng)力的必要步驟?；瘜W(xué)稀釋也是一種替代拋光(磨削后)的方法。 圖2。材料去除均勻性(總厚度變化或TTV)典型的波蝕線性掃描減薄過(guò)程如上所示。在去掉75µm后，最終的厚度為112µm, TTV的范圍從4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹 通過(guò)對(duì)硅表面的清洗和表面處理制備超凈硅。集成電路(IC)在制造條件下發(fā)生了相當(dāng)大的變化，在1993年。 這些變化的驅(qū)動(dòng)力是不斷增長(zhǎng)的，生產(chǎn)高性能先進(jìn)硅器件的要求，可靠性和成本。 這些電路的特征尺寸已經(jīng)被放大了。在100納米以下，器件結(jié)構(gòu)可以包含多能級(jí) 金屬化層與銅(銅)和特殊介質(zhì)材料。表面清潔和調(diào)理晶圓片的重要性 在半導(dǎo)體微電子器件的制造過(guò)程中，清潔襯底表面的重要性從固體出現(xiàn)之初就得到了認(rèn)識(shí)。20世紀(jì)50年代的國(guó)家設(shè)備技術(shù)......因此，超凈硅晶片的制備已成為一項(xiàng)重要的技術(shù) 。 前端加工表面制備技術(shù)要求(1):近期工藝 晶圓清洗和表面處理技術(shù) 略 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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