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歡迎訪問華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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HIT電池具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢,具體特點如下:(1)低溫工藝HIT電池結(jié)合了薄膜太陽能電池低溫(900℃)擴(kuò)散工藝來獲得p-n結(jié)。這種技術(shù)不僅節(jié)約了能源,而且低溫環(huán)境使得a_Si:H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制,工藝上也易于優(yōu)化器件特性;低溫沉積過程中,單品硅片彎曲變形小,因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(約80μm);同時低溫過程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化,從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來作襯底。 高溫環(huán)境下發(fā)電量高,在一天的中午時分,HIT電池的發(fā)電量比一般晶體硅太陽電池高出8-10%,雙玻HIT組件的發(fā)電量高出20%以上,具有更高的用戶附加值。(2)雙面電池HIT是非常好的雙面電池,正面和背面基本無顏色差異,且雙面率(指電池背面效率與正面效率之比)可達(dá)到90%以上,最高可達(dá)96%,背面發(fā)電的優(yōu)勢明顯。(3)高效率HIT電池獨有的帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),在p-n結(jié)成結(jié)的同時完成了單晶硅的表面鈍化,大大降低了表面、界面漏電流,提高了電池效率。目前HIT電池的實驗室效率已達(dá)到23%,市售200W組件的電池效率達(dá)到19.5%。(4)高穩(wěn)定性HIT電池的光照穩(wěn)定性好,理論研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質(zhì)結(jié)中的非晶硅薄膜沒有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應(yīng),從而不會出現(xiàn)類似非晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率因光照而衰退的現(xiàn)象;H...
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
瀏覽次數(shù):319
微納光學(xué)是目前新型光電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向,在光通信、光互聯(lián)、光存儲、半導(dǎo)體器件等諸多領(lǐng)域,發(fā)揮了巨大的作用。微納光學(xué)的結(jié)構(gòu)技術(shù)是指通過將微納光學(xué)結(jié)構(gòu)引入到相關(guān)的材料中,制成新型光學(xué)功能器件。微納光學(xué)就是利用微結(jié)構(gòu)材料作為光學(xué)元件的光學(xué)分支。它的結(jié)構(gòu)的設(shè)計和制造是微納光學(xué)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵性問題,所以微納光學(xué)成為了新型光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵性突破。它的主要優(yōu)點就是能在局域電磁相互作用的基礎(chǔ)上實現(xiàn)許多全新的功能,成為21世紀(jì)國家不可或缺的關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)。微納光學(xué)現(xiàn)有技術(shù)與特點微納光學(xué)制造技術(shù)以LIGA工藝為基礎(chǔ),主要經(jīng)過光刻、電鑄制模和微納米壓印三個主要工藝步驟。(1)光刻光刻是半導(dǎo)體技術(shù)中晶圓制造的關(guān)鍵工藝,通過表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去,在晶圓表面留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上??上攵?,半導(dǎo)體清洗設(shè)備就發(fā)揮了非常大的作用。國內(nèi)也是有多家濕法清洗設(shè)備廠商,其中熟知的華林科納就是一家濕制程設(shè)備專業(yè)制造商,主要從事半導(dǎo)體濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。目前光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級,已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù);成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。微納光學(xué)制造技術(shù)采用光刻技術(shù)在激光原版上形成具有微納尺寸的細(xì)微結(jié)構(gòu),即...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來了!日前,江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群,新區(qū)管委會副主任陳潺嵋,東南大學(xué)首席教授、南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時龍興,金雨茂物投資管理股份有限公司董事長段小光, 南京中安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司董事長曾安,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司董事長劉欣宇出席活動?;顒又?,超芯星半導(dǎo)體項目和中安半導(dǎo)體項目與新區(qū)簽約,未來都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,是國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商,碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料,將在軌道交通、5G、新能源汽車等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴(kuò)徑晶體,實現(xiàn)厚度突破,屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動上市計劃,項目規(guī)劃三年實現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬片,未來還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝,打造國內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。另外,中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測設(shè)備研發(fā)商,擁有國內(nèi)領(lǐng)先的檢測設(shè)備研發(fā)能力。項目團(tuán)隊擁有硅片檢測核心技術(shù),并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗以及多年所累積的市場資源。此次項目主要是開發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備,從事開發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備,目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險投資,未來將通過開發(fā)擁有獨立知...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 20
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2、HIT電池工藝流程HIT電池的一大優(yōu)勢在于工藝步驟相對簡單,總共分為四個步驟:制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。    圖表2:HIT太陽能電池工藝流程制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積,其對工藝清潔度要求極高,量產(chǎn)過程中可靠性和可重復(fù)性是一大挑戰(zhàn),目前通常用PECVD法制備。 HIT電池的制備工藝步驟簡單,且工藝溫度低,可避免高溫工藝對硅片的損傷,并有效降低排放,但是工藝難度大,且產(chǎn)線與傳統(tǒng)電池不兼容,設(shè)備資產(chǎn)投資較大。
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
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AR光波導(dǎo)隨著光纖通信的飛速發(fā)展,作為光纖傳輸?shù)睦碚摶A(chǔ)—光波導(dǎo)理論也趨于完善與系統(tǒng)化。光波導(dǎo),因其輕薄和外界光線的高穿透特性而被認(rèn)為是消費級AR眼鏡的必選光學(xué)方案,又因其價格高和技術(shù)門檻高讓人望而卻步。隨著主流AR設(shè)備微軟HoloLens2、Magic Leap One等對光波導(dǎo)技術(shù)的采用和設(shè)備量產(chǎn),以及AR光學(xué)模組廠商DigiLens、耐德佳、靈犀微光等近期融資消息的頻繁披露,導(dǎo)致光波導(dǎo)的討論熱度也持續(xù)增加了不少。光波導(dǎo)是如何工作的其實,波導(dǎo)技術(shù)并不是什么新發(fā)明,我們熟悉的光通信系統(tǒng)中,用來傳輸信號的光纖組成了無數(shù)條連接大洋彼岸的海底光纜,就是波導(dǎo)的一種,只不過傳輸?shù)氖俏覀兛床灰姷募t外波段的光。 光波導(dǎo)是集成光學(xué)重要的基礎(chǔ)性部件,它能將光波束縛在光波長量級(微米納料級)尺寸的介質(zhì)中,目前硅基/石英基沉積二氧化硅光波導(dǎo)晶圓是應(yīng)用最廣泛的,雖然各種光波導(dǎo)晶圓工藝過程較為簡單,沒有半導(dǎo)體晶圓的套刻多層等工藝,但光波導(dǎo)晶圓由于要將光在波導(dǎo)中傳播,任何細(xì)小的微變都是使光傳播出現(xiàn)變化,目前國內(nèi)外光波導(dǎo)晶圓生產(chǎn)都集中在生產(chǎn)四寸或六寸,這是由于晶圓越大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的翹曲使晶圓的良率不高從而無法進(jìn)行生產(chǎn),但是晶圓無論大小,生產(chǎn)過程的工藝步驟基本差不多,但單片大尺寸的晶圓的芯片顆粒大大多于單片小尺寸晶圓顆粒,所以大尺寸晶圓成本優(yōu)勢明顯,用大尺寸晶圓生產(chǎn)的芯片成本是小尺寸晶圓生產(chǎn)的芯片成...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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在許多大學(xué)、研究所,研究員在實驗室做實驗時,往往需要配比很多不同類型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機液,人工配液時接觸,不僅存在安全隱患,還經(jīng)常存在配液比例不準(zhǔn)確,效率低下的問題。同時,由于人工反復(fù)不斷的配比,人在疲倦的時候容易出錯,還易造成藥液的浪費?! ∪A林科納公司設(shè)計的CSE-LIQOUR-II自動配液機,專為解決以上問題而研發(fā),可以適用于各類化學(xué)生物制藥工藝實驗室,是用來滿足藥液自動配比的設(shè)備,通過稱重、流量計準(zhǔn)確計量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送,配液精確度能夠達(dá)到2‰。  該配液機由配液控制單元與配液稱量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區(qū)域、外接原液桶裝置與計算控比裝置組成,通過操作區(qū)域輸入化學(xué)藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量,經(jīng)過計算控比裝置的精確計算,將幾種藥液進(jìn)行混合配比,從而實現(xiàn)藥液的精確配比。同時,配有精確的配液稱量單元,最高配液分辨率可達(dá)到0.01g。除了可以用量杯進(jìn)行大規(guī)格的調(diào)制之外,還可以配備標(biāo)準(zhǔn)試管支架,以用來固定試管,進(jìn)行精確地試管配比?! ≡撆湟簷C能夠達(dá)到高精準(zhǔn)、高效率的配液,并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能,保證操作者安全;通過計算控比單元與機臺界面自動化,實現(xiàn)自動控制操作的運轉(zhuǎn);接觸部分與絕大多數(shù)化學(xué)品(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液;氨水N...
發(fā)布時間: 2019 - 06 - 28
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1、HIT電池結(jié)構(gòu)和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫,意為本征薄膜異質(zhì)結(jié),因HIT已被日本三洋公司申請為注冊商標(biāo),所以又被稱為HJT或SHJ(Silicon Heterojunction solar cell)。該類型太陽能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開發(fā),當(dāng)時轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到14.5%(4mm2的電池),后來在三洋公司的不斷改進(jìn)下,三洋HIT電池的轉(zhuǎn)換效率于2015年已達(dá)到25.6%。2015年三洋的HIT專利保護(hù)結(jié)束,技術(shù)壁壘消除,是我國大力發(fā)展和推廣HIT技術(shù)的大好時機。下圖是HIT太陽能電池的基本構(gòu)造,其特征是以光照射側(cè)的p-i型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夾住晶體硅片,在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極,構(gòu)成具有對稱結(jié)構(gòu)的HIT太陽能電池。  圖表:HIT太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖在電池正表面,由于能帶彎曲,阻擋了電子向正面的移動,空穴則由于本征層很薄而可以隧穿后通過高摻雜的p+型非晶硅,構(gòu)成空穴傳輸層。同樣,在背表面,由于能帶彎曲阻擋了空穴向背面的移動,而電子可以隧穿后通過高摻雜的n+型非晶硅,構(gòu)成電子傳輸層。通過在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層,使得光生載流子只能在吸收材料中產(chǎn)生富集然后從電池的一個表面流出,從而實現(xiàn)兩者的分離...
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 05
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2019年上半年接近尾聲,華林科納設(shè)備事業(yè)部喜訊頻頻。5月28日再次簽下上海12寸晶圓產(chǎn)線晶圓項目的slurry供應(yīng)系統(tǒng)千萬大單,標(biāo)志著華林科納Slurry供應(yīng)系統(tǒng)在大尺寸晶圓項目上取得新的突破。究竟什么是Slurry供應(yīng)系統(tǒng)?在廠務(wù)化學(xué)系統(tǒng)中,與CMP制程關(guān)系最為密切的就是Slurry化學(xué)研磨液供應(yīng)系統(tǒng)。Slurry供應(yīng)系統(tǒng)是指無間斷(24小時/天,365天/年)為CMP提供制程所需要的化學(xué)研磨液的系統(tǒng)。一旦廠務(wù)Slurry供應(yīng)系統(tǒng)出現(xiàn)異常,將使CMP制程造成極為嚴(yán)重的損失,Slurry品質(zhì)至關(guān)重要。這次客戶選擇華林科納作為Slurry供應(yīng)系統(tǒng)項目的合作對象,是對我們產(chǎn)品品質(zhì)最大的認(rèn)可。接下來,我們?nèi)A林科納也將會以最大能力保障客戶Slurry供應(yīng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性。
發(fā)布時間: 2019 - 05 - 29
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近幾年,在政策和市場雙輪驅(qū)動下,骨干企業(yè)加大了工藝研發(fā)和技改投入力度,生產(chǎn)工藝水平不斷進(jìn)步,高效電池技術(shù)不斷發(fā)展。  2018年,各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率方面,規(guī)模化生產(chǎn)的多晶黑硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.2%,使用PERC電池技術(shù)的單晶和多晶黑硅電池效率提升至21.8%和20.3%,較2017年分別提升0.5個百分點和0.3個百分點,N型PERT單晶電池平均轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到21.5%。雙面N型PERT電池和異質(zhì)結(jié)(HJT)電池已進(jìn)入量產(chǎn),并且會成為未來發(fā)展的主要方向之一。下表給出了2018-2025年不同類型電池轉(zhuǎn)換效率變化趨勢?! ?018年,各種電池技術(shù)市場占比方面,BSF電池(常規(guī)電池及多晶黑硅電池結(jié)構(gòu))仍占據(jù)大部分市場份額,但相比2017年83%的占比已下降了23個百分點,隨著新技術(shù)的發(fā)展其占比將逐年減少;PERC電池是當(dāng)前產(chǎn)能最大的高效電池,2018年市場份額占比大幅增加,達(dá)到33.5%左右,預(yù)計明年P(guān)ERC電池市場占比將反超BSF電池,成為市場占比最高的電池種類。雙面N型PERT電池、背接觸(IBC)電池、異質(zhì)結(jié)(HJT)電池等新型高效電池市場份額將逐步提高,其中N-PERT電池未來將成為市場占比第二的電池種類。下圖給出了2018-2025年不同電池技術(shù)市場占比的變化趨勢?! 】v觀未來光伏市場發(fā)展,隨著高效電池技術(shù)的逐步成熟、成本的逐步下降,產(chǎn)品市場需求將繼續(xù)擴(kuò)大,...
發(fā)布時間: 2019 - 04 - 30
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在華林科納公司領(lǐng)導(dǎo)和各部門員工的不懈努力下,經(jīng)過認(rèn)證機構(gòu)資深專家的現(xiàn)場審核,華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司環(huán)境管理體系各方面實施效果均已達(dá)到ISO14001:2015標(biāo)準(zhǔn)的要求,順利通過了ISO14001的認(rèn)證審核,向華林科納正式頒發(fā)ISO14001:2015環(huán)境管理體系認(rèn)證證書。  作為國內(nèi)著名的半導(dǎo)體濕制程設(shè)備供應(yīng)商,華林科納不僅追求在技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量、服務(wù)等各方面領(lǐng)先,而且積極履行對環(huán)境保護(hù)的社會義務(wù),為全球環(huán)境與可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。 此次能順利通過ISO14001:2015環(huán)境管理體系認(rèn)證,是對華林科納環(huán)境體系管理工作的高度肯定,今后將嚴(yán)格按照環(huán)境管理體系認(rèn)證的要求,不斷完善優(yōu)化公司環(huán)境管理體系各項工作。
發(fā)布時間: 2019 - 04 - 22
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