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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積(英語:chemical vapor deposition,簡稱CVD)是一種用來產(chǎn)生純度高、性能好的固態(tài)材料的化學(xué)技術(shù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)使用此技術(shù)來成長薄膜。典型的CVD工藝是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前趨物下,在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或/及化學(xué)分解來產(chǎn)生欲沉積的薄膜。反應(yīng)過程中通常也會伴隨地產(chǎn)生不同的副產(chǎn)品,但大多會隨著氣流被帶走,而不會留在反應(yīng)腔(reaction chamber)中。微制程大都使用CVD技術(shù)來沉積不同形式的材料,包括單晶、多晶、非晶及外延材料。這些材料有硅、碳纖維、碳納米纖維、納米線、納米碳管、SiO2、硅鍺、鎢、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各種不同的high-k介質(zhì)等材料。CVD制程也常用來生成合成鉆石。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 25
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物理氣相沉積物理氣相沉積(英語:Physical vapor deposition,PVD)是一種工業(yè)制造上的工藝,是主要利用物理過程來沉積薄膜的技術(shù),即真空鍍膜(蒸鍍),多用在切削工具與各種模具的表面處理,以及半導(dǎo)體裝置的制作工藝上。和化學(xué)氣相沉積相比,物理氣相沉積適用范圍廣泛,幾乎所有材料的薄膜都可以用物理氣相沉積來制備,但是薄膜厚度的均勻性是物理氣相沉積中的一個問題。主要的物理氣相沉積的方法有:● 熱蒸鍍● 濺鍍● 脈沖激光沉積
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 25
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刻蝕刻蝕(英語:etching)是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝??涛g對于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤,將造成難以恢復(fù)的硅片報廢,因此必須進行嚴(yán)格的工藝流程控制。半導(dǎo)體器件的每一層都會經(jīng)歷多個刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻,光刻對材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清潔度。 但是,對于電子束刻蝕,由于電子的波長極短,因此分辨率與光刻相比要好的多。 因為不需要掩模板,因此對平整度的要求不高,但是電子束刻蝕很慢,而且設(shè)備昂貴。對于大多數(shù)刻蝕步驟,晶圓上層的部分位置都會通過“罩”予以保護,這種罩不能被刻蝕,這樣就能對層上的特定部分進行選擇性地移除。在有的情況中,罩的材料為光阻性的,這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中,刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì),氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 24
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半導(dǎo)體激光半導(dǎo)體激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激發(fā),在1970年實現(xiàn)室溫下連續(xù)發(fā)射。后來經(jīng)過改良,開發(fā)出雙異質(zhì)接合型激光及條紋型構(gòu)造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆),是目前生產(chǎn)量最大的激光器。在基本構(gòu)造上,它屬于半導(dǎo)體的P-N接面,但激光二極管是以金屬包層從兩邊夾住發(fā)光層(活性層),是“雙異質(zhì)接合構(gòu)造”。而且在激光二極管中,將界面作為發(fā)射鏡(共振腔)使用。在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中,也使用Ga·Al·As等。由于具有條狀結(jié)構(gòu),即使是微小電流也會增加活性區(qū)域的居量反轉(zhuǎn)密度,優(yōu)點是激發(fā)容易呈現(xiàn)單一形式,而且,其壽命可達10~100萬小時。激光二極體的優(yōu)點是效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%,P-N型也達到數(shù)%~25%,總而言之能量效率高是其最大特色。另外,它的連續(xù)輸出波長涵蓋了紅外到可見光范圍,而光脈沖輸出達50W(帶寬100ns)等級的產(chǎn)品也已商業(yè)化,作為激光雷達或激發(fā)光源可說是非常容易使用的激光的例子。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 24
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能帶結(jié)構(gòu)在固體物理學(xué)中,固體的能帶結(jié)構(gòu) (又稱電子能帶結(jié)構(gòu))描述了禁止或允許電子所帶有的能量,這是周期性晶格中的量子動力學(xué)電子波衍射引起的。材料的能帶結(jié)構(gòu)決定了多種特性,特別是它的電子學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。為何有能帶單個自由原子的電子占據(jù)了原子軌道,形成一個分立的能級結(jié)構(gòu)。如果幾個原子集合成分子,他們的原子軌道發(fā)生類似于耦合振蕩的分離。這會產(chǎn)生與原子數(shù)量成比例的分子軌道。當(dāng)大量(數(shù)量級為{\displaystyle 10^{20}}或更多)的原子集合成固體時,軌道數(shù)量急劇增多,軌道相互間的能量的差別變的非常小。但是,無論多少原子聚集在一起,軌道的能量都不是連續(xù)的。這些能級如此之多甚至無法區(qū)分。首先,固體中能級的分離與電子和聲原子振動持續(xù)的交換能相比擬。其次,由于相當(dāng)長的時間間隔,它接近于由于不確定性原理引起的能量的不確定度。物理學(xué)中流行的方法是從不帶電的電子和原子核出發(fā),因為它們是自由的平面波,可以具有任意能量,并在帶電后衰減。這導(dǎo)致了布拉格反射和帶結(jié)構(gòu)。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 23
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空穴空穴又稱電洞(Electron hole),在固體物理學(xué)中指共價鍵上流失一個電子,最后在共價鍵上留下空位的現(xiàn)象。一個呈電中性的原子,其正電的質(zhì)子和負(fù)電的電子的數(shù)量是相等的?,F(xiàn)在由于少了一個負(fù)電的電子,所以那里就會呈現(xiàn)出一個正電性的空位——空穴。當(dāng)有外面一個電子進來掉進了空穴,就會發(fā)出電磁波——光子??昭ú皇钦娮樱娮优c正電子相遇湮滅時,所發(fā)出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質(zhì)量所完全轉(zhuǎn)化出來的電磁波(通常會轉(zhuǎn)出一對光子)。而電子掉入空穴所發(fā)出來的光子,其能量通常只有幾個電子伏特。半導(dǎo)體由于禁帶較窄,電子只需不多的能量就能從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶,從而在價帶中留下空穴。周圍電子可以填補這個空穴,同時在原位置產(chǎn)生一個新的空穴,因此實際上的電子運動看起來就如同是空穴在移動。在半導(dǎo)體的制備中,要在4價的本征半導(dǎo)體(純硅、鍺等的晶體)的基礎(chǔ)上摻雜。若摻入3價元素雜質(zhì)(如硼、鎵、銦、鋁等),則可產(chǎn)生大量空穴,獲得P型半導(dǎo)體,又稱空穴型半導(dǎo)體。空穴是P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 23
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電子電子是一種帶有負(fù)電的次原子粒子。電子屬于輕子類,以重力、電磁力和弱核力與其它粒子相互作用。輕子是構(gòu)成物質(zhì)的基本粒子之一,無法被分解為更小的粒子。電子帶有1/2自旋,是一種費米子。因此,根據(jù)泡利不相容原理,任何兩個電子都不能處于同樣的狀態(tài)。電子的反粒子是正電子,其質(zhì)量、自旋、帶電量大小都與電子相同,但是電量正負(fù)性與電子相反。電子與正電子會因碰撞而互相湮滅,在這過程中,生成一對以上的光子。由電子與中子、質(zhì)子所組成的原子,是物質(zhì)的基本單位。相對于中子和質(zhì)子所組成的原子核,電子的質(zhì)量顯得極小。質(zhì)子的質(zhì)量大約是電子質(zhì)量的1836倍。當(dāng)原子的電子數(shù)與質(zhì)子數(shù)不等時,原子會帶電;稱該帶電原子為離子。當(dāng)原子得到額外的電子時,它帶有負(fù)電,叫陰離子,失去電子時,它帶有正電,叫陽離子。若物體帶有的電子多于或少于原子核的電量,導(dǎo)致正負(fù)電量不平衡時,稱該物體帶靜電。當(dāng)正負(fù)電量平衡時,稱物體的電性為電中性。靜電在日常生活中有很多用途,例如,靜電油漆系統(tǒng)能夠?qū)⒋善峄蚓郯滨テ?,均勻地噴灑于物品表面。電子與質(zhì)子之間的吸引性庫侖力,使得電子被束縛于原子,稱此電子為束縛電子。兩個以上的原子,會交換或分享它們的束縛電子,這是化學(xué)鍵的主要成因。當(dāng)電子脫離原子核的束縛,能夠自由移動時,則改稱此電子為自由電子。許多自由電子一起移動所產(chǎn)生的凈流動現(xiàn)象稱為電流。在許多物理現(xiàn)象里,像電傳導(dǎo)、磁性或熱傳導(dǎo),電子都扮演了機要的角色。移...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 22
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載流子在物理學(xué)中,載流子(charge carrier),或簡稱載子(carrier),指可以自由移動的帶有電荷的物質(zhì)微粒,如電子和離子。在半導(dǎo)體物理學(xué)中,電子流失導(dǎo)致共價鍵上留下的空位(空穴)被視為載流子。在電解質(zhì)溶液中,載流子是已溶解的陽離子和陰離子。類似地,游離液體中的陽離子和陰離子在液體和熔融態(tài)固體電解質(zhì)中也是載流子?;魻枺t敺ň褪且粋€熔融電解的例子。在等離子體,如電弧中,電離氣體和汽化的電極材料中的電子和陽離子是載流子。電極汽化在真空中也可以發(fā)生,但技術(shù)上電弧在真空中不能發(fā)生,而是發(fā)生在低壓電氣中;在真空中,如真空電弧或真空管中,自由電子是載流子;在金屬中,金屬晶格中形成費米氣體的電子是載流子。半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子在半導(dǎo)體中,電子和空穴作為載流子。數(shù)目較多的載流子稱為多數(shù)載流子;在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是電子,而在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是空穴。數(shù)目較少的載流子稱為少數(shù)載流子;在N型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子是空穴,而在P型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子是電子。少數(shù)載流子在雙極性晶體管和太陽能電池中起重要作用。不過,此種載流子在場效應(yīng)管(FET)中的作用是有些復(fù)雜的:例如,MOSFET兼有P型和N型。晶體管酌涉及到源漏區(qū),但這些少數(shù)載流子橫穿多數(shù)載流子體。不過在傳送區(qū)內(nèi),橫穿的載流子比其相反類型載流子的數(shù)目多得多(實際上,相反類型的載流子會被外加電場移除而形成耗盡層),因此按慣例...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 22
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PN結(jié)一塊半導(dǎo)體晶體一側(cè)摻雜成P型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成N型半導(dǎo)體,中間二者相連的接觸面稱為PN結(jié)(英語:pn junction)。PN結(jié)是電子技術(shù)中許多元件,例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。N型半導(dǎo)體摻入少量雜質(zhì)磷元素(或銻元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代,磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵,多出的一個電子幾乎不受束縛,較為容易地成為自由電子。于是,N型半導(dǎo)體就成為了含自由電子濃度較高的半導(dǎo)體,其導(dǎo)電性主要是因為自由電子導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體摻入少量雜質(zhì)硼元素(或銦元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代,硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵的時候,會產(chǎn)生一個“空穴”,這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”,使得硼原子成為帶負(fù)電的離子。這樣,這類半導(dǎo)體由于含有較高濃度的“空穴”(“相當(dāng)于”正電荷),成為能夠?qū)щ姷奈镔|(zhì)。PN結(jié)的形成采用一些特殊的工藝,可以將上述的P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體緊密地結(jié)合在一起。在二者的接觸面的位置形成一個PN結(jié)。P型、N型半導(dǎo)體由于分別含有較高濃度的“空穴”和自由電子,存在濃度梯度,所以二者之間將產(chǎn)生擴散運動。即:● 自由電子由N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體的方向擴散● 空穴由P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體的方向擴散載流子經(jīng)過擴散的過程后,擴散...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 21
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晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)是指晶體的周期性結(jié)構(gòu)。固體材料可以分為晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體三大類,其中,晶體內(nèi)部原子的排列具有周期性,外部具有規(guī)則外形,比如鉆石。Hauy最早提出晶體的規(guī)則外型是因為晶體內(nèi)部原子分子呈規(guī)則排列,比如鉆石所具有的完美外形和優(yōu)良光學(xué)性質(zhì)就可以歸結(jié)為其內(nèi)部原子的規(guī)則排列。20世紀(jì)初期,勞厄發(fā)明X射線衍射法,從此人們可以使用X射線來研究晶體內(nèi)部的原子排列,其研究結(jié)果進而證實了Hauy的判斷。晶體內(nèi)部原子排列的具體形式一般稱之為晶格,不同的晶體內(nèi)部原子排列稱為具有不同的晶格結(jié)構(gòu)。各種晶格結(jié)構(gòu)又可以歸納為七大晶系,各種晶系分別與十四種空間格(稱作布拉維晶格)相對應(yīng),在宏觀上又可以歸結(jié)為三十二種空間點群,在微觀上可進一步細(xì)分為230個空間群。對于晶體結(jié)構(gòu)的研究是研究固體材料的宏觀性質(zhì)及各種微觀過程的基礎(chǔ)。專門研究分子結(jié)晶結(jié)構(gòu)的科學(xué)稱為晶體學(xué),經(jīng)常應(yīng)用在化學(xué)、生物化學(xué)與分子生物學(xué)。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 21
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