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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 02
全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)-華林科納(江蘇)CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備概況尺寸(參考):約3500(L)*1500(W)*2000(H)(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)清洗件規(guī)格:一次性可裝8寸晶片25pcs典型生產(chǎn)節(jié)拍:5~10min/籃(清洗節(jié)拍連續(xù)可調(diào))門:不銹鋼合頁門+PVC視窗主題構(gòu)造特點(diǎn)設(shè)備由于是在一個(gè)腐蝕的環(huán)境,我們?cè)O(shè)備的排風(fēng)方式,臺(tái)面下抽風(fēng),每套工藝清洗槽都有自動(dòng)開閉的槽蓋,槽蓋下有單獨(dú)的抽風(fēng)裝置。設(shè)備結(jié)構(gòu)外型,整機(jī)主要由機(jī)架、工藝槽體、機(jī)械手傳輸系統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、水路系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等組成。由于工藝槽內(nèi)藥液腐蝕性強(qiáng),設(shè)備需要做防腐處理:(1)設(shè)備機(jī)架采用鋼結(jié)構(gòu)骨架包塑;(2)殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接,制程區(qū)由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成:(3)電氣區(qū)設(shè)置在設(shè)備后上部,與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離;(4)槽體材料選用耐相應(yīng)溶液腐蝕的材料;(5)機(jī)械手探人濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 07
金屬剝離清洗機(jī)-華林科納(江蘇)CSE微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動(dòng)器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-金屬剝離清洗機(jī)設(shè)備系列CSE-CX13系列設(shè)備概況尺寸(參考):機(jī)臺(tái)尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環(huán)境:室內(nèi)放置;主體構(gòu)造特點(diǎn)外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門:無安全門,采用敞開式設(shè)計(jì);管路系統(tǒng):藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;排 風(fēng):后下抽風(fēng),動(dòng)力抽風(fēng)法蘭位于機(jī)臺(tái)上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側(cè);隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機(jī)臺(tái)上方配照明(與工作區(qū)隔離);機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。三色警示燈置于機(jī)臺(tái)上方明顯處。工作槽參數(shù)剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學(xué)藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動(dòng)加入;工作溫度:60℃并可調(diào);溫度可調(diào);加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數(shù)位檢測; 計(jì)時(shí)功能:工藝時(shí)間可設(shè)定,并可調(diào),到設(shè)定時(shí)間后聲鳴提示,點(diǎn)擊按鈕后開始倒序計(jì)時(shí);批次記憶:藥液使用次數(shù)可記憶,藥液供入時(shí)間可記憶,設(shè)定次數(shù)和設(shè)定時(shí)間到后更換藥液;排液:排液管道材質(zhì)為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動(dòng)槽蓋;IPA槽...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 05
管道清洗機(jī)設(shè)備—華林科納CSE半自動(dòng)石英管清洗設(shè)備適用于臥式或立式石英管清洗優(yōu)點(diǎn)石英管清洗:臥式—標(biāo)準(zhǔn)/立式—選項(xiàng) 先進(jìn)的圖形化界面 極高的生產(chǎn)效率 最佳的占地 結(jié)合最先進(jìn)工藝技術(shù) 優(yōu)越的可靠性 獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 應(yīng)用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉(zhuǎn),清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲(chǔ)備槽(根據(jù)使用化學(xué)品的數(shù)量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內(nèi)部進(jìn)行不斷循環(huán) 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨(dú)排液系統(tǒng) 安全蓋子 易于操作和控制 節(jié)約用酸系統(tǒng) 全自動(dòng)的清洗工藝步驟 備件 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的PP外殼材料—標(biāo)準(zhǔn)更多的石英管道清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
1、設(shè)備概況:主要功能:本設(shè)備主要采用手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對(duì)擴(kuò)散、外延等設(shè)備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領(lǐng) 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設(shè)備名稱:半自動(dòng)石英管清洗機(jī)設(shè)備型號(hào):CSE-SC-N401整機(jī)尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;節(jié)拍:約1--12小時(shí)(節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實(shí)際工藝時(shí)間而定)      操作形式:半自動(dòng)2、設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)半自動(dòng)的處理設(shè)備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設(shè)備特點(diǎn): 腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠;設(shè)備成本合理,自動(dòng)化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作;結(jié)合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各部分遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先同類產(chǎn)品;設(shè)備上層電器控制系統(tǒng)及抽風(fēng)系統(tǒng),中層工作區(qū),下層為管道安裝維修區(qū),主體結(jié)構(gòu)由清洗機(jī)主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風(fēng)系統(tǒng)、工件滾動(dòng)系統(tǒng)、氮?dú)夤呐菹到y(tǒng)、支撐及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、管路部分、電控部分。本設(shè)備裝有雙防漏盤結(jié)構(gòu),并有防漏檢測報(bào)警系統(tǒng),在整臺(tái)設(shè)備的底部裝有接液盤。設(shè)備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正?!鷨?dòng)電源→人工上料→注酸→槽體底部氮?dú)夤呐荨⒐苻D(zhuǎn)動(dòng)(7轉(zhuǎn)/min)→進(jìn)入酸泡程序→自動(dòng)排酸(到儲(chǔ)酸箱)→槽體底部自動(dòng)注水(同時(shí)氣動(dòng)碟閥關(guān)閉)→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質(zhì)排出)→初級(jí)潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復(fù)循環(huán)(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成1#,2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
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㈠、目的和原理:利用氫氧化鈉對(duì)多晶硅腐蝕作用,去除硅片在多線切割鋸切片時(shí)產(chǎn)生的表面損傷層,同時(shí)利用氫氧化鈉對(duì)硅腐蝕的各向異性,爭取表面較低反射率較低的表面織構(gòu)。 解釋:①現(xiàn)有多晶硅片是由長方體晶錠在多線切割鋸切成一片片多晶 硅方片。由于切片是鋼絲在金剛砂溶液作用下多次往返削切成硅片金剛砂硬度很高會(huì)在硅片表面帶來一定的機(jī)械損傷。如果損傷不去除會(huì)影響太陽電池的填充因子。②氫氧化鈉俗稱燒堿,是在國民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中大量應(yīng)用化工產(chǎn)品。由電解食鹽水而得,價(jià)格比較便宜,每500克6元。化學(xué)反應(yīng)方程式為: 分析純氫氧化鋰、氫氧化鉀也可以與硅起反應(yīng),但價(jià)格較貴。如氫氧化鋰每500克23元,用于鎘-鎳電池電解液中。③堿性腐蝕優(yōu)點(diǎn)是反應(yīng)生成物無毒,不污染空氣和環(huán)境。不像HF-HNO3酸性系統(tǒng)會(huì)生成有毒的NOx氣體污染大氣。另外,堿性系統(tǒng)與硅反應(yīng),基本處于受控狀態(tài)。有利于大面積硅片的腐蝕,可以保證一定的平行度。 ㈡、步驟: 1. 本工藝步驟是施博士制定的,是可行的具有指導(dǎo)意義的兩步法堿腐蝕工藝。第一步粗拋光去掉硅片的損傷層。第二步細(xì)拋光,表面產(chǎn)生出部分反射率較低的織構(gòu)表面。如果含有[100]晶向的晶粒就可以長出金字塔體狀的絨面。第五步是通過鹽酸中和殘余的氫氧化鈉,化學(xué)反應(yīng)方程式為: 2. 第七步氫氟酸絡(luò)合掉硅片表面的二氧化硅層,化...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 04 - 12
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多晶硅鑄錠硅片清洗設(shè)備,包括裝置主體、升降機(jī)構(gòu)(2)和清洗機(jī)構(gòu)(9),其特征在于:所述裝置主體包括加工箱體(1)、拋光軸(3)、驅(qū)動(dòng)機(jī)(4)、轉(zhuǎn)軸(5)、內(nèi)箱(6)、集水槽(7)、泵體(8)和支腿(10),所述支腿(10)設(shè)置在加工箱體(1)下端面,所述驅(qū)動(dòng)機(jī)(4)設(shè)置在加工箱體(1)頂端面中間位置,所述轉(zhuǎn)軸(5)轉(zhuǎn)動(dòng)連接在加工箱體(1)內(nèi)部,且與驅(qū)動(dòng)機(jī)(4)的輸出端傳動(dòng)連接,所述拋光軸(3)設(shè)置在轉(zhuǎn)軸(5)上,所述集水槽(7)設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部底端面,所述內(nèi)箱(6)位于集水槽(7)上方;所述升降機(jī)構(gòu)(2)設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部上側(cè),所述升降機(jī)構(gòu)(2)包括電機(jī)一(21)、滑輪(22)、傳動(dòng)軸(23)和繩索(24),所述傳動(dòng)軸(23)轉(zhuǎn)動(dòng)連接在加工箱體(1)內(nèi)部靠上部位,所述滑輪(22)設(shè)有兩個(gè),兩個(gè)滑輪(22)對(duì)稱轉(zhuǎn)動(dòng)連接在傳動(dòng)軸(23)上,所述滑輪(22)通過繩索(24)與內(nèi)箱(6)固定連接,所述傳動(dòng)軸(23)與電機(jī)一(21)的輸出端傳動(dòng)連接;所述清洗機(jī)構(gòu)(9)包括輔助清潔組件(91)和電機(jī)二(92),所述電機(jī)二(92)設(shè)置在加工箱體(1)底端面,所述輔助清潔組件(91)設(shè)有兩個(gè),兩個(gè)所述輔助清潔組件(91)對(duì)稱設(shè)置在加工箱體(1)內(nèi)部,所述輔助清潔組件(91)包括支架(911)、高壓噴頭(912)、滑塊(913)、齒條(914)、齒輪(915)和安裝軸(916),所述齒...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 04 - 12
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制備絨面的目的:?減少光的反射率,提高短路電流,以致提高光電轉(zhuǎn)換效率?陷光原理?當(dāng)光入射到一定角度的斜面,光會(huì)反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,從而增加吸收率。單晶制絨:單晶制絨流程:預(yù)清洗+制絨預(yù)清洗目的:通過預(yù)清洗去除硅片表面臟污,以及部分損傷層。 單晶制絨:預(yù)清洗方法:1、10%NaOH,78oC,50sec;2、①1000gNaOH,65-70oC(超聲),3min;②1000gNa2SiO3+4LIPA,65oC,2min。2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 預(yù)清洗原理:1、10%NaOH,78oC,50sec;利用濃堿液在高溫下對(duì)硅片進(jìn)行快速腐蝕。損傷層存在時(shí),采用上述工藝,硅片腐蝕速率可達(dá)5μm/min;損傷去除完全后,硅片腐蝕速率約為1.2μm/min。經(jīng)腐蝕,硅片表面臟污及表面顆粒脫離硅片表面進(jìn)入溶液,從而完成硅片的表面清洗。經(jīng)50sec腐蝕處理,硅片單面減薄量約3μm。采用上述配比,不考慮損傷層影響,硅片不同晶面的腐蝕速率比為:(110):(100):(111)=25:15:1,硅片不會(huì)因各向異性產(chǎn)生預(yù)出絨,從而獲得理想的預(yù)清洗結(jié)果。缺點(diǎn):油污片處理困難,清洗后表面殘留物去除困難。預(yù)清洗原理:2、①1000gNaOH,65-70oC(超聲),3min;②1000gNa2Si...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 04 - 12
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1等離子體刻蝕裝備與工藝:圖1給出了大連理工大學(xué)PEPP-300型等離子體刻蝕/聚合復(fù)合加工系統(tǒng)照片。該裝置主要包括兩組13.56MHz的射頻功率源、阻抗匹配源、電感線圈和同軸電纜構(gòu)成的復(fù)合射頻源系統(tǒng)、刻蝕/聚合加工室、等離子體診斷系統(tǒng)、供氣和真空系統(tǒng)等4部分。兩組射頻功率源分別為1.5kW和1kW??涛g加工樣品置于加工室中的樣品臺(tái)上,樣品臺(tái)采用循環(huán)水冷,溫度控制范圍為5~30℃。該裝置可以實(shí)現(xiàn)等離子體/離子等不同類型的刻蝕工藝。本試驗(yàn)典型的工藝條件:射頻源功率分別為200~400W,50~200W,工作氣體BCl3,氣體流量30~100sccm,工作氣壓1~10Pa,刻蝕時(shí)間3~10min。 圖1PEPP-300型等離子體刻蝕/聚合復(fù)合加工系統(tǒng)照片2等離子體刻蝕結(jié)果:試驗(yàn)研究的Er3+摻雜Al2O3/SiO2/Si平面光波導(dǎo)薄膜,通過熱氧化法在Si(100)基片表面制備SiO2薄膜,再采用溶膠—凝膠法在SiO2/Si表面提拉制備Er3+摻雜Al2O3薄膜。Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波導(dǎo)薄膜制備工藝詳見參考文獻(xiàn)[6]。圖2給出了制備的Er3+:Al2O3/SiO2/Si平面光波導(dǎo)薄膜的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。Si(100)基片上生長的SiO2層厚約為2.5m,提拉獲得的Er3+摻雜Al2O3薄膜約為2m。Er3+摻雜Al2O3薄膜致密、連續(xù)地覆蓋于氧...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 04 - 12
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自動(dòng)爐管清洗機(jī)  圖1 圖2  圖3  圖4 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的供液原理示意圖;圖2是圖1中的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是圖1中的儲(chǔ)液裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是圖2清洗裝置中的旋轉(zhuǎn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中:1、儲(chǔ)液裝置       2、清洗裝置            3、供液管路4、廢液回收管路   5、氣控隔膜閥          6、供液泵7、氣動(dòng)閥         8、廢液排放管          9、液位傳感器10、控制系統(tǒng)      11、液位傳感器      &#...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 04 - 12
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制酸干吸的工藝過程。(1)干燥塔將凈化后的SO2煙氣給予干燥,干燥后的SO2煙氣進(jìn)入轉(zhuǎn)化器將其轉(zhuǎn)化為SO3;(2)因?yàn)闈釮2SO4有吸收水分這一特性;利用這個(gè)原理,干燥塔吸收煙氣中的水分,從而使得干燥循環(huán)槽H2SO4的濃度降低,干燥循環(huán)槽H2SO4的數(shù)量增加、液位升高;(3)通過干燥循環(huán)槽到中間吸收循環(huán)槽竄酸閥和中間吸收循環(huán)槽到干燥循環(huán)槽竄酸閥,保持干燥循環(huán)槽H2SO4濃度和平衡干燥循環(huán)槽H2SO4液位;若生產(chǎn)93%H2SO4,可將放酸閥打開,將干燥循環(huán)槽中高于循環(huán)槽設(shè)定點(diǎn)的H2SO4放入計(jì)量槽;若生產(chǎn)98%H2SO4,用干燥循環(huán)槽到中間吸收循環(huán)槽竄酸閥和中間吸收循環(huán)槽到干燥循環(huán)槽竄酸閥,保持中間吸收循環(huán)槽濃度、控制干燥循環(huán)槽液位;(4)中間吸收循環(huán)槽是將轉(zhuǎn)化器一次轉(zhuǎn)化后的SO3煙氣用濃H2SO4給予吸收;因此,中間吸收循環(huán)槽H2SO4的濃度在逐漸升高,液位同時(shí)也在升高;如要保持中間吸收循環(huán)槽H2SO4的濃度,用干燥循環(huán)槽的相對(duì)低濃度的H2SO4和給中間吸收循環(huán)槽加水的方法才能使中間吸收循環(huán)槽H2SO4的濃度保持;如果生產(chǎn)98%H2SO4,打開中間吸收循環(huán)槽放酸閥將中間吸收循環(huán)槽內(nèi)的98%H2SO4放入計(jì)量槽,保持中間吸收循環(huán)槽液位,用干燥循環(huán)槽到中間吸收循環(huán)槽竄酸閥和中間吸收循環(huán)槽H2SO4濃度調(diào)節(jié)閥保持濃度;;如果生產(chǎn)93%H2SO4,則用中間吸收循環(huán)槽H2SO4來調(diào)節(jié)干燥循環(huán)...
發(fā)布時(shí)間: 2021 - 04 - 12
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1設(shè)備的清洗工藝:全自動(dòng)硅片清洗機(jī)主要以超聲波清洗為主,以鼓泡和拋動(dòng)清洗等工藝為輔助手段。利用超聲波滲透力強(qiáng)的機(jī)械振動(dòng)沖擊硅片表面并結(jié)合清洗劑的化學(xué)去污作用達(dá)到對(duì)硅片的清洗,清洗作用力均勻,清洗潔凈度高,清洗效果好,可有效去除硅片表面的雜質(zhì)。工藝流程:上料(浸泡)→超聲清洗(擺動(dòng)+加熱+鼓泡)→超聲堿洗(擺動(dòng)+加熱)→超聲漂洗(擺動(dòng)+加熱)→慢拉脫水槽(加熱)→烘干→下料(手動(dòng))對(duì)工藝過程所作的調(diào)整是多種多樣的,其中包括機(jī)械手傳送的速度、超聲清洗的時(shí)間、氮?dú)夤呐莸臍怏w流量、拋動(dòng)系統(tǒng)的頻率、溶劑的溫度、烘干系統(tǒng)的溫度等、超聲漂洗用水的流量等。對(duì)于客戶來講,主要應(yīng)考慮設(shè)備生產(chǎn)硅片的能力,保證能滿足生產(chǎn)要求;同時(shí)應(yīng)降低能耗,在保證硅片清洗干凈和烘干的前提下,通過溫控系統(tǒng)調(diào)整溶劑和漂洗水的溫度,以及烘干的溫度和時(shí)間。2設(shè)備整體結(jié)構(gòu):上料臺(tái)全自動(dòng)硅片清洗機(jī)是按照一定的工藝要求,由機(jī)架、懸臂機(jī)械手、上料臺(tái)、各種超聲清洗槽、拋動(dòng)機(jī)構(gòu)、慢提拉系統(tǒng)、烘干系統(tǒng)、抽風(fēng)系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、電控系統(tǒng)等構(gòu)成一個(gè)多功能的完整設(shè)備。該設(shè)備適用的硅片規(guī)格:125mm×125mm,156mm×156mm。如圖1所示。2.1機(jī)架和槽體的設(shè)計(jì):考慮到太陽能硅片清洗時(shí)所用的溶劑為堿溶液,為了提高設(shè)備的耐腐蝕性,槽體所用的材質(zhì)為優(yōu)質(zhì)不銹鋼。機(jī)架的整體材質(zhì)為碳鋼,并用瓷白色PP板進(jìn)行包覆,不僅滿足了設(shè)備的強(qiáng)度要...
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1 水下激光傳輸特性:圖1是純凈水對(duì)不同波長激光吸收的曲線[9]。橫坐標(biāo)為激光的波長,縱坐標(biāo)為吸收長度,吸收長度即激光被完全吸收所穿過的溶液長度。 當(dāng)激光射入水中時(shí),水會(huì)吸收一部分激光而造成其能量的衰減,這可以由Lambert-Beer定律計(jì)算得到[10]:Ix(λ)=I0(λ)exp[-μ(λ)x](1)式中,I0(λ)為傳輸前的激光初始輻照度,Ix(λ)為在液體中傳輸路程為x后的激光輻照度;μ(λ)為光束衰減系數(shù),表示激光傳輸1m距離后能量衰減的對(duì)數(shù)值(自然對(duì)數(shù)),單位是m-1。Δ=1/μ(λ),Δ為激光在溶液中的吸收長度,即激光被完全吸收穿過的溶液長度,則Beer-Lambert法則還可寫為: (2)由(2)式可以方便地估算出不同水深激光的衰減比例。從圖1中可以看出,對(duì)不同波長的激光,水的吸收長度Δ不同。對(duì)355nm紫外光的吸收長度約為5m,本文中采用的水深為5mm,此時(shí)紫外激光被吸收了約0.1%。相對(duì)于其它多數(shù)波長水對(duì)紫外激光的吸收率較小,因此紫外激光較適合做水下激光加工的光源。2 實(shí)驗(yàn)研究2.1 實(shí)驗(yàn)材料和設(shè)備實(shí)驗(yàn)中采用的激光加工設(shè)備為多功能紫外激光微加工系統(tǒng)。紫外激光加工系統(tǒng)主要由激光器、冷卻系統(tǒng)、紫外光學(xué)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、CCD定位系統(tǒng)和機(jī)械系統(tǒng)構(gòu)成。激光器是美國OPTOWAVE(光波)公司的AWave355系列355nm三倍頻全固態(tài)調(diào)Q紫外激光器,...
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1.清洗機(jī)概述在發(fā)動(dòng)機(jī)的生產(chǎn)線上,清洗機(jī)是非常重要的輔機(jī)設(shè)備,主要的功能就是清洗發(fā)動(dòng)機(jī)的每個(gè)零部件。清洗機(jī)分為三種,通常分為中間清洗機(jī)、CMM清洗機(jī)以及最終清洗機(jī)。著重分析發(fā)動(dòng)機(jī)的缸體缸蓋的最終清洗機(jī)的相關(guān)功能以及作用。下圖為一種缸體缸蓋清洗機(jī)和工序節(jié)拍:2.缸體缸蓋最終清洗機(jī)各個(gè)工位的功能及作用2.1浪涌清洗工位工件通過機(jī)動(dòng)滾道進(jìn)入到本工位的浪涌水箱中,有到位裝置被設(shè)置在輸送裝置上,對(duì)工件的是否到位進(jìn)行檢測,同時(shí)發(fā)令,停止?jié)L道的輸送,關(guān)閉浪涌水箱的插門。有浪涌儲(chǔ)水箱被配備在這個(gè)工位當(dāng)中,打開浪涌清洗泵電磁閥之后,供水到浪涌水箱內(nèi),在供水工作完畢之后減速機(jī)驅(qū)動(dòng)鼓輪回轉(zhuǎn)裝置就會(huì)旋轉(zhuǎn)工件270度,固定攪水噴嘴就會(huì)噴水,通過膠水噴嘴以及工件旋轉(zhuǎn)的攪水,就會(huì)讓水紊流和翻騰,就可以利用涮洗功能對(duì)工件的內(nèi)表面以及水道腔進(jìn)行清洗;在完成清洗之后,將排水插門打開,進(jìn)行防水,對(duì)工件不斷進(jìn)行倒水操作,這樣就能夠讓下一個(gè)工位的吹干工作更加方便的進(jìn)行,然后打開出料插門,輸送工件到下一個(gè)工位上。2.2升降清洗工位在工件完成浪涌清洗工位的清洗之后,就會(huì)進(jìn)入到升降清洗工位當(dāng)中,到位檢測開關(guān)檢測到工件之后就會(huì)停止?jié)L道,同時(shí)伸出止回器,根據(jù)PLC的指令讓噴嘴和水箱進(jìn)行有規(guī)律的升降運(yùn)動(dòng),清洗工件三面的表面和孔隙。為了讓清洗效果能夠得到保證,水箱會(huì)不斷的上升和下降來進(jìn)行清洗的工作。在這樣的工作循環(huán)過幾次之后,就會(huì)停止水...
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引線鍵合工藝MEMS芯片的引線鍵合的主要技術(shù)仍然采用IC芯片的引線鍵合技術(shù),其主要技術(shù)有兩種,即熱壓鍵合和熱超聲鍵合。引線鍵合基本要求有:(1)首先要對(duì)焊盤進(jìn)行等離子清洗;(2)注意焊盤的大小,選擇合適的引線直徑;(3)鍵合時(shí)要選好鍵合點(diǎn)的位置;(4)鍵合時(shí)要注意鍵合時(shí)成球的形狀和鍵合強(qiáng)度;(5)鍵合時(shí)要調(diào)整好鍵合引線的高度和跳線的成線弧度。 常用的引線鍵合設(shè)備有熱壓鍵合、超聲鍵合和熱超聲鍵合。 (1)熱壓鍵合法:熱壓鍵合法的機(jī)制是低溫?cái)U(kuò)散和塑性流動(dòng)(PlasticFlow)的結(jié)合,使原子發(fā)生接觸,導(dǎo)致固體擴(kuò)散鍵合。鍵合時(shí)承受壓力的部位,在一定的時(shí)間、溫度和壓力的周期中,接觸的表面就會(huì)發(fā)生塑性變形(PlasticDeformation)和擴(kuò)散。塑性變形是破壞任何接觸表面所必需的,這樣才能使金屬的表面之間融合。在鍵合中,焊絲的變形就是塑性流動(dòng)。該方法主要用于金絲鍵合。(2)超聲鍵合法:焊絲超聲鍵合是塑性流動(dòng)與摩擦的結(jié)合。通過石英晶體或磁力控制,把摩擦的動(dòng)作傳送到一個(gè)金屬傳感器(Metal“HORN”)上。當(dāng)石英晶體上通電時(shí),金屬傳感器就會(huì)伸延;當(dāng)斷開電壓時(shí),傳感器就會(huì)相應(yīng)收縮。這些動(dòng)作通過超聲發(fā)生器發(fā)生,振幅一般在4-5個(gè)微米。在傳感器的末端裝上焊具,當(dāng)焊具隨著傳感器伸縮前后振動(dòng)時(shí),焊絲就在鍵合點(diǎn)上摩擦,通過由上而下的壓力發(fā)生塑性變形。大部分塑性變形在鍵合點(diǎn)承受超...
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