設(shè)備概述華林科納CSE硅片有機(jī)清洗機(jī)，設(shè)備設(shè)計(jì)由華林科納聘請的從事半導(dǎo)體生產(chǎn)的專家親自指導(dǎo)，采用國際先進(jìn)的生產(chǎn)加工工藝，在超凈廠房組裝測試，有可靠的質(zhì)量保障。設(shè)備由不銹鋼骨架，外包10mm厚瓷白防火PP板，潔凈美觀，耐腐蝕。電控面板置于機(jī)臺上方，方便操作，并有防腐蝕保護(hù)，具有嚴(yán)格的安全防護(hù)措置。此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要是浸泡式清洗腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風(fēng)系統(tǒng)，電控及操作臺等部分組成，腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠。適用于4、6、8英寸硅片的清洗處理，腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠。設(shè)備結(jié)構(gòu) ※ 此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風(fēng)系統(tǒng),機(jī)械臂，電控及操作臺等部分組成; ※ 設(shè)備工藝流程:根據(jù)設(shè)備所放場地布置要求(與客戶溝通確定),設(shè)備左進(jìn)右出，經(jīng)手動放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI沖水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料臺，工藝處理合格后經(jīng)操作人員手動下料; ※ 安全門：進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動門（左右、上下推拉式），防止有毒氣體揮發(fā)到室內(nèi)，保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康； ※ ...
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2016
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化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（化學(xué)機(jī)器磨光， CMP）兼具有研磨性物質(zhì)的機(jī)械式研磨與酸堿溶液的化學(xué)式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達(dá)到全面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進(jìn)行。 在CMP制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動晶圓旋轉(zhuǎn)，至于研磨墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。在進(jìn)行研磨時，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會被置于晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。
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半導(dǎo)體晶圓在晶圓廠的時間通常有80%以上花費(fèi)在等待、運(yùn)輸與儲存方面。在這些長時間的非處理時期，潔凈室空氣、結(jié)構(gòu)材料和/或先前處理工序可能會對晶圓表面造成分子級污染。隨著關(guān)鍵尺寸的持續(xù)縮小以及新技術(shù)/材料/處理方法的推出，設(shè)備對空氣分子污染物(AMC)已經(jīng)變得更加敏感。惰性氣體相對安定 氮?dú)鈨艋尚聦?#160; 惰性氣體凈化是一種提供化學(xué)潔凈與穩(wěn)定晶圓環(huán)境的技術(shù)。這種技術(shù)尤其有助于去除來自先前處理工序的逸散/殘留氣體，特別是腐蝕性氣體。氧化、接觸形式、酸蝕刻以及光刻都是首先需要這種技術(shù)能力的處理方法。銅互連與低-K電介質(zhì)的面世進(jìn)一步推動了這種需求。氧氣與濕氣的存在能夠影響自然氧化層的發(fā)展，減少硅化物的厚度，進(jìn)而提高表面電阻，生成微粒、引起腐蝕，并加速化學(xué)污染。 由于其高反應(yīng)性以及和鄰近水分子和/或其它化學(xué)物類形成氫鍵的可能性，濕氣比氧氣和大部分其它化學(xué)物類更難從晶圓環(huán)境中清除。惰性氣體微環(huán)境也許是晶圓儲存與運(yùn)輸?shù)睦硐胄徒鉀Q方案，能夠?yàn)閷ρ鯕饧皾駳饷舾械漠a(chǎn)品或工序提供保護(hù)。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang發(fā)現(xiàn)持續(xù)用氮?dú)膺M(jìn)行晶圓盒凈化能夠長期顯著減少硅表面的自然氧化層...
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1、研磨后的清洗研磨是光學(xué)玻璃生產(chǎn)中決定其加工效率和表面質(zhì)量（外觀和精度）的重要工序。研磨工序中的主要污染物為研磨粉和瀝青，少數(shù)企業(yè)的加工過程中會有漆片。其中研磨粉的型號各異，一般是以二氧化鈰為主的堿金屬氧化物。根據(jù)鏡片的材質(zhì)及研磨精度不同，選擇不同型號的研磨粉。在研磨過程中使用的瀝青是起保護(hù)作用的，以防止拋光完的鏡面被劃傷或腐蝕。研磨后的清洗設(shè)備大致分為兩種：一種主要使用有機(jī)溶劑清洗劑，另一種主要使用半水基清洗劑。（1）有機(jī)溶劑清洗采用的清洗流程如下：有機(jī)溶劑清洗劑（超聲波）-水基清洗劑（超聲波）-市水漂洗-純水漂洗-IPA（異丙醇）脫水-IPA慢拉干燥。有機(jī)溶劑清洗劑的主要用途是清洗瀝青及漆片。以前的溶劑清洗劑多采用三氯乙烷或三氯乙烯。由于三氯乙烷屬ODS（消耗臭氧層物質(zhì)）產(chǎn)品，目前處于強(qiáng)制淘汰階段；而長期使用三氯乙烯易導(dǎo)致職業(yè)病，而且由于三氯乙烯很不穩(wěn)定，容易水解呈酸性，因此會腐蝕鏡片及設(shè)備。對此，國內(nèi)的清洗劑廠家研制生產(chǎn)了非ODS溶劑型系列清洗劑，可用于清洗光學(xué)玻璃；并且該系列產(chǎn)品具備不同的物化指標(biāo)，可有效滿足不同設(shè)備及工藝條件的要求。比如在少數(shù)企業(yè)的生產(chǎn)過程中，鏡片表面有一層很難處理的漆片，要求使用具備特殊溶解性的有機(jī)溶劑；部分企業(yè)的清洗設(shè)備的溶劑清洗槽冷凝管較少，自由程很短，要求使用揮發(fā)較慢的有機(jī)溶劑；另一部分企業(yè)則相反，要求使用揮發(fā)較快的有機(jī)溶劑等。水基清洗劑的主要用...
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自從激光和光纖發(fā)明以后，光的應(yīng)用層出不窮，而且隨著技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用范圍在越來越寬。目前大致分為幾大類應(yīng)用：第一個應(yīng)用是傳統(tǒng)的工業(yè)激光加工。我們熟知的是其廣泛用于消費(fèi)電子的各類加工，未來在向高功率和精細(xì)化加工的方向發(fā)展，高功率的光纖激光器甚至可以替代原來的機(jī)床切割鋼板，紫外激光器可以加工柔性O(shè)LED等精密昂貴的材料；第二個應(yīng)用是光通信市場。光通信市場又可以細(xì)分為電信市場和數(shù)據(jù)中心市場，通信技術(shù)的每一次革命都帶動了光通信向更大流量更高速率的方向前進(jìn)，而數(shù)據(jù)中心更是隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)不斷擴(kuò)容；第三個應(yīng)用是消費(fèi)電子。以蘋果手機(jī)搭載的前置人臉識別攝像頭為代表，未來除了人臉識別攝像頭模塊會在支付或者安防等其他場景不斷滲透外，后置的TOF攝像頭能為物體提供3D的圖像；第四個應(yīng)用是醫(yī)療，有我們平常接觸的光子嫩膚、飛秒激光去除近視眼等技術(shù)為人類帶來了福音；第五個應(yīng)用是激光雷達(dá)。在自動駕駛中激光雷達(dá)用于探測周圍事物，產(chǎn)生點(diǎn)云數(shù)據(jù)把信息回傳到自動駕駛大腦做出決策；最后還有一個應(yīng)用是國防軍工，有一些激光制導(dǎo)導(dǎo)彈和激光炮等新型武器。 分析整個光產(chǎn)業(yè)鏈，中國有龐大的下游市場，消費(fèi)電子的生產(chǎn)制造集中在中國，華為、中興是世界領(lǐng)先的光通信設(shè)備商；我們在中游也有大族激光這樣優(yōu)秀的設(shè)備集成商，有中際旭創(chuàng)這樣優(yōu)秀的光模塊提供商；唯獨(dú)在上游光芯片領(lǐng)域，我們的國產(chǎn)化率相當(dāng)?shù)?。筆者統(tǒng)計(jì)了一下目前國內(nèi)傳輸速率在25Gb/...
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目前,在國內(nèi)外半一導(dǎo)體器件制造工藝中,用等離子去膠工藝代替常規(guī)化學(xué)溶劑去膠及高溫氧氣去膠已獲得顯著效果,越來越引起半導(dǎo)體器件制造者的重視。由于該工藝操作簡便、成本低、可節(jié)約大量的化學(xué)試劑、對器件參數(shù)無影響、去膠效果好。在集成電路多層布線工藝中用高溫氧氣去膠常使一次布線鋁層由于四百多度高溫氧化發(fā)黃,而影響與二次布線鋁層的歐姆接觸,若用發(fā)煙硝酸去膠后擦片又常使鋁層擦傷而降低了二次布線的合格率。·采用等離子去膠則可大大減少鋁層表面的擦傷,不氧化,無底膜,保證二次布線的歐姆接觸,提高了多層布線的合格率。為大面積集成電路的發(fā)展提供了很好的前景。一 、 等離子體及產(chǎn)生等離子體的方法作為物質(zhì)的第四態(tài)，高度電離的氣體叫做等離子體。等離子體具有導(dǎo)電性。從產(chǎn)生方法不同又可分為高溫等離子體及低溫等離子體兩種。高溫等離子體如氫彈的爆炸，火花放電及太陽表面的高溫都能使氣體電離成為等離子體，這種方法產(chǎn)生的等離子體，溫度能達(dá)到幾千度到幾十萬度，稱為高溫等離子體。去膠工藝使用的是低溫等離子體，其作用原理是低壓氣體在電場力的作用下發(fā)生電離。在電離過程中，低壓氣體中殘存的少量自由電子在電場力作用下，向正電極運(yùn)動，由于低壓氣體密度小，自由電子的平均自由程較大，在與氣體分子的兩次碰撞之間能夠獲得很高的能量，這種高能量的自由電子撞擊氣體分子，使它離解成電離子和自由電子，這些氣體部分分子電離后又有更多的自由電子撞擊...
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為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。濕蝕刻這是最簡單的蝕刻技術(shù)。它所需要的只是一個裝有液體溶液的容器，該溶液會溶解所討論的物質(zhì)。不幸的是，由于通常需要掩模來選擇性地蝕刻材料，因此存在復(fù)雜性。必須找到一種掩模，該掩模不會溶解或至少比被圖案化的材料腐蝕得慢得多。其次，某些單晶材料，例如硅，在某些化學(xué)藥品中表現(xiàn)出各向異性刻蝕。與各向同性蝕刻相反，各向異性蝕刻是指材料在不同方向上的蝕刻速率不同。典型的例子是晶面?zhèn)缺?，?dāng)在諸如氫氧化鉀（KOH）的化學(xué)物質(zhì)中蝕刻硅晶片中的孔時出現(xiàn)。結(jié)果是形成了金字塔形的孔，而不是帶有各向同性蝕刻劑的帶有圓形側(cè)壁的孔。下圖說明了各向異性和各向同性濕法蝕刻的原理。什么時候要使用濕蝕刻？這是一項(xiàng)簡單的技術(shù)，如果您可以找到適合您的應(yīng)用的蝕刻劑和掩膜材料的組合，將會獲得良好的效果。濕蝕刻對于蝕刻基板上的薄膜非常有效，也可以用于蝕刻基板本身。基板蝕刻的問題在于各向同性工藝將導(dǎo)致掩模層的底切與蝕刻深度相同的距離。各向異性工藝允許蝕刻在襯底中的某些晶體平面上停止，但仍會導(dǎo)致空間損失，因?yàn)楫?dāng)蝕刻孔或腔時，這些平面不能垂直于表面。如果這對您有限制，則應(yīng)考慮對基板進(jìn)行干法蝕刻。然而，如...
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本項(xiàng)目采用以硫鐵礦為原料的接觸法硫酸生產(chǎn)工藝。它的主要工序包括硫鐵礦的焙燒、爐氣的凈化、氣體的干燥、二氧化硫的轉(zhuǎn)化和三氧化硫的吸收。基本工藝流程圖如下： 1-沸騰焙燒爐；2-空氣鼓風(fēng)機(jī)；3-廢熱鍋爐；4-旋風(fēng)除塵器；5-文氏管；6-泡沫塔；7-電除霧器；8-干燥塔；9-循環(huán)槽及酸泵；10-酸冷卻器；11-二氧化硫鼓風(fēng)機(jī)；12，13，15，16-氣體換熱器；14-轉(zhuǎn)化器；17-中間吸收塔；18-最終吸收塔；19-循環(huán)槽及酸泵；20-酸冷卻器經(jīng)過破碎和篩分的硫鐵礦或經(jīng)過干燥的硫鐵礦，送入沸騰焙燒爐l下部的沸騰床內(nèi)，與經(jīng)空氣鼓風(fēng)機(jī)2從爐底送人的空氣進(jìn)行焙燒反應(yīng)。生成的二氧化硫爐氣從沸騰爐頂部排出，進(jìn)入廢熱鍋爐3。礦渣則從沸騰床經(jīng)爐下部的排渣口排除。爐氣在廢熱鍋爐內(nèi)冷卻到約350C，用以生產(chǎn)3.82Mpa、450攝氏度的過熱蒸汽。主要的蒸汽蒸發(fā)管束設(shè)在廢熱鍋爐內(nèi)。裝設(shè)在焙燒爐沸騰床內(nèi)的冷卻管也作為廢熱鍋爐熱力系統(tǒng)的一部分，與鍋爐的汽包連接，用以回收部分焙燒反應(yīng)熱。從廢熱鍋爐出來的爐氣，還含有相當(dāng)數(shù)量的礦塵，經(jīng)旋風(fēng)除塵器4初步除塵后，進(jìn)入凈化系統(tǒng)。廢熱鍋爐、旋風(fēng)除塵器除下的礦塵，與沸騰焙燒爐排出的礦渣一起送往堆渣場，等待進(jìn)一步處理或出售。凈化系統(tǒng)包括文氏管5、泡沫塔6和電除霧器7。文氏管對爐氣進(jìn)行除塵和降溫，爐氣經(jīng)文氏管后，其中絕大部分礦塵被除去。泡沫塔對爐氣進(jìn)一步除塵、降溫。在文...
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比如，用于三維IC的TSV刻蝕設(shè)備必須將刻蝕腔清洗步驟設(shè)計(jì)成常規(guī)清洗流程，是設(shè)備能夠在生產(chǎn)和清洗模式之間迅速轉(zhuǎn)換，使得腔室始終保持純凈狀態(tài)，同時滿足高量產(chǎn)對速度、工藝可預(yù)見性和工藝重復(fù)的要求；這類刻蝕系統(tǒng)還必須具有單臺設(shè)備刻蝕所有材料的工藝處理能力，盡可能減小設(shè)備和設(shè)施的成本，消除工藝轉(zhuǎn)移和排隊(duì)造成的延遲，為客戶在產(chǎn)能和設(shè)備擁有成本方面提供競爭力。另外，由于目前高端IC產(chǎn)品都使用300毫米晶圓，保證晶圓表面工藝處理的均勻性，TSV的刻蝕需要使用平面狀等離子源（Planar Plasma）。對于刻蝕工藝模式的選擇，業(yè)界目前仍在比較SSP（Steady State Processes）和RAP（Rapid Alternating Processes）技術(shù)。據(jù)了解，RAP刻蝕的選擇性（selectivity）很高，可以刻蝕縱寬比很大通孔，速度也快，但是表面粗糙度是個挑戰(zhàn)；SSP工藝和常規(guī)的刻蝕接近，速度高而且制作的側(cè)壁光滑，不過Selectivity和Undercut的控制是難點(diǎn)。Steve認(rèn)為，對用戶來說真正滿意的方案是，機(jī)臺能夠根據(jù)應(yīng)用的要求進(jìn)行工藝的選擇和整合，實(shí)現(xiàn)兩種模式的切換，整體控制刻蝕速度、selectivity、側(cè)壁光滑性和縱寬比。當(dāng)然，這需要大量的工藝知識積累，以及對所制造器件的了解。對量測提出新的要求可以預(yù)見，TSV的特殊性還會給3D IC制造的檢測和量測帶來前所未有...
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