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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備-華林科納(江蘇)CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線(xiàn)鍵合等封裝工序。但無(wú)論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線(xiàn)扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個(gè)引出端的液晶顯示器(LCD)驅(qū)動(dòng)電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線(xiàn)電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線(xiàn)越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點(diǎn),例如金凸點(diǎn)、焊料凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn),然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢(xún)400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍?cè)O(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)0513- 87733829可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動(dòng),浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達(dá)到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動(dòng)片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時(shí)間可以調(diào)整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡(luò)合物,利用這個(gè)性質(zhì)可以很容易通過(guò)光刻工藝實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線(xiàn)孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為一步光刻,只有少部分品種還分步光刻,比如2XN003,2XN004,2XN013,2XP013等...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱(chēng):高溫磷酸清洗機(jī)設(shè)備型號(hào):CSE-SZ2011-16整機(jī)尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據(jù)實(shí)際工藝時(shí)間可調(diào)清洗量:批量清洗時(shí),采用提籃裝片,單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機(jī)殼,優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機(jī)臺(tái)底部:廢液排放管路,防漏液盤(pán)結(jié)構(gòu)機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過(guò)可調(diào)式地腳,可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸型照明臺(tái)面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺(tái)面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護(hù)裝置:      ●設(shè)有EMO(急停裝置),       ●強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤(pán)傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤(pán)內(nèi)臺(tái)面布置圖:各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-華林科納(江蘇)CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納(江蘇)的晶圓電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的,對(duì)所有客戶(hù)提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類(lèi),適合不同客戶(hù)的需求。 設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應(yīng)用:電鍍、電鑄工藝類(lèi)型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(tái)(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設(shè)備功能和特點(diǎn)(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產(chǎn)品名稱(chēng):芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計(jì) 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過(guò)濾出系統(tǒng),流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專(zhuān)用陰陽(yáng)極 11. 陰極擺動(dòng)裝置,頻率可調(diào)。 12. 陽(yáng)極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N(xiāo)2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺(tái),風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級(jí)清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無(wú)氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)w...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 04 - 06
異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途: 對(duì)高效太陽(yáng)能電池異質(zhì)結(jié)電池片進(jìn)行制絨、清洗設(shè)備工藝流程:l  H2O2工藝:SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l  O3工藝:預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點(diǎn):l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)l  結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu),設(shè)備占地空間小l  先進(jìn)的400片結(jié)構(gòu),有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l  工藝槽體采用“定排定補(bǔ)”模式和“時(shí)間補(bǔ)液”模式相結(jié)合,有效延長(zhǎng)藥液使用壽命和減少換液周期l  補(bǔ)配液采用槽內(nèi)與補(bǔ)液罐雙磁致伸縮流量計(jì)線(xiàn)性檢測(cè),以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu),有效保證初配時(shí)間和微量精補(bǔ)配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級(jí),避免材料使用雜質(zhì)析出l  采用最新低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù):l  設(shè)備尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  產(chǎn)能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備,可以關(guān)注網(wǎng)址:http://126xa.cn,熱線(xiàn):400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱(chēng)華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機(jī)優(yōu)    點(diǎn) 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單臺(tái)獨(dú)立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設(shè)備帶有滾輪可移動(dòng) 優(yōu)越的可靠性 獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃 可選內(nèi)置電阻率檢測(cè)傳感器來(lái)控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個(gè)菜單,每個(gè)菜單可有10步 多等級(jí)用戶(hù)密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測(cè)裝置 機(jī)械手自動(dòng)加載 可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單臺(tái)獨(dú)立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設(shè)計(jì)的花籃設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 0513-87733829;更多的單腔立式甩干機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8798096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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一、概述:  電子工業(yè)清洗是一個(gè)很廣的概念,包括任何與去除污染物有關(guān)的工藝,但針對(duì)不同的對(duì)象,清洗的方法有很大的區(qū)別。目前在電子工業(yè)中已廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法,從運(yùn)行方式來(lái)看,大致可分為兩種:濕法清洗和干法清洗。濕法清洗已經(jīng)在電子工業(yè)生產(chǎn)中廣泛應(yīng)用,清洗主要依靠物理和化學(xué)(溶劑)的作用,如在化學(xué)活性劑吸附、浸透、溶解、離散作用下輔以超聲波、噴淋、旋轉(zhuǎn)、沸騰、蒸氣、搖動(dòng)等物理作用下去除污漬,這些方法清洗作用和應(yīng)用范圍各有不同,清洗效果也有一定差別。CFC清洗在過(guò)去的清洗工藝中,從清洗效力及后續(xù)工序上都占有很重要的地位,但由于其損耗大氣臭氧層,而被限制使用。對(duì)于替代工藝,在清洗過(guò)程中,不可避免的存在需后續(xù)工序的烘干(ODS類(lèi)清洗不需烘干,但污染大氣臭氧層,目前限制使用)及廢水處理,人員勞動(dòng)保護(hù)方面的較高投入,特別是在電子組裝技術(shù),精密機(jī)械制造的進(jìn)一步發(fā)展,對(duì)清洗技術(shù)提出越來(lái)越高的要求。環(huán)境污染控制也使得濕法清洗的費(fèi)用日益增加。相對(duì)而言,干法清洗在這些方面有較大優(yōu)勢(shì),特別是以等離子清洗技術(shù)為主的清洗技術(shù)已逐步在半導(dǎo)體、電子組裝、精密機(jī)械等行業(yè)開(kāi)始應(yīng)用。因此,有必要了解等離子清洗的機(jī)理及其應(yīng)用工藝。二、等離子體清洗機(jī)理  等離子體是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進(jìn)分子、光子以及中性粒子組成。是物質(zhì)的第四態(tài)?! ⊥ǔG闆r下,人們普遍認(rèn)為的物質(zhì)有三態(tài):固態(tài)、液態(tài)...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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一般來(lái)說(shuō):用于清洗的超聲波,其頻率應(yīng)在20KHz~80KHz之間,頻率低噪音大,換能器的體積也偏大,高頻率的超聲波通常被應(yīng)用于探傷,醫(yī)療診斷和超聲波加濕。超聲波設(shè)備概述       一定頻率范圍內(nèi)的超聲波作用于液體介質(zhì)內(nèi)可起到清洗工件的作用。這一清洗技術(shù)自問(wèn)世以來(lái),受到了各行各業(yè)的普遍關(guān)注。超聲波清洗機(jī)的運(yùn)用極大地提高了工作效率和清洗精度,以往清洗死角、盲孔和難以觸及的藏污納垢之處一直使人們備感頭痛,新技術(shù)的開(kāi)發(fā)和運(yùn)用使這一工作變得輕而易舉。近年來(lái),隨著電子技術(shù)的日新月異,超聲波清洗機(jī)也同我們?nèi)粘I铍x不開(kāi)的收音機(jī)一樣,經(jīng)過(guò)了幾代的演變,技術(shù)更加先進(jìn),效果更加顯著,同樣,它的價(jià)格也越來(lái)越多的被社會(huì)所接受,在各行各業(yè)中逐漸被廣泛運(yùn)用。超聲波清洗設(shè)備主要由以下組件構(gòu)成:    1、清洗槽:盛放待洗工件,不銹鋼制成,可安裝加熱及控溫裝置。    2、換能器(超聲波發(fā)生器):將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,壓電陶瓷換能器,頻率、功率視具體機(jī)型。    3、電源:為換能器提供所需電能,逆變電源,進(jìn)口IGBT元件,安裝過(guò)流保護(hù)線(xiàn)路。    換能器將高頻電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能之后,會(huì)產(chǎn)生振幅極小的高頻震動(dòng)并傳播到清洗槽內(nèi)的溶液...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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芯片清洗用超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn)           1、無(wú)需酸堿再生:在混床中樹(shù)脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生,而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護(hù)了環(huán)境。           2、連續(xù)、簡(jiǎn)單的操作:在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化,使操作過(guò)程變得復(fù)雜,而EDI的產(chǎn)水過(guò)程是穩(wěn)定的連續(xù)的,產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的,沒(méi)有復(fù)雜的操作程序,操作大大簡(jiǎn)便化。           3、降低了安裝的要求:EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比,有較不的體積,它采用積木式結(jié)構(gòu),可依據(jù)場(chǎng)地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設(shè)計(jì),使EDI在生產(chǎn)工作時(shí)能方便維護(hù)。  芯片清洗用超純水設(shè)備的工藝流程           1、采用離子交換方式,其流程如下:原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。  &...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學(xué)兩種過(guò)程平衡的結(jié)果。在半導(dǎo)體刻蝕工藝中,存在著兩個(gè)極端:離子銑是一種純物理刻蝕,可以做到各向異性刻蝕,但不能進(jìn)行選擇性刻蝕;而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對(duì)這兩種極端過(guò)程進(jìn)行折中,得到目前廣泛應(yīng)用的一些干法刻蝕技術(shù)。例如;反應(yīng)離子刻蝕(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等離子體刻蝕(HDP)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點(diǎn)。反應(yīng)離子刻蝕通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前,RIE已成為VLSI工藝中用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)。      干法刻蝕借助等離子體中,產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常,氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù),二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過(guò)刻蝕,或者是形成了圖形線(xiàn)條,如多晶硅條、鋁條等,或者是裸露了硅本體,為將來(lái)的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理  硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后,其表面已受到嚴(yán)重沾污,一般講硅片表面沾污大致可分在三類(lèi):  A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污: 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用,結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除?! . 顆粒沾污:運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒,利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。  C. 金屬離子沾污:必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污,硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類(lèi):     a. 一類(lèi)是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。     b. 另一類(lèi)是帶正電的金屬離子得到電子后面附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。    硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污,一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污。     a. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。      b. 用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子(如H+)來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子,使之溶解于清洗液中?!?#160;   c. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗,以排除溶液中的金屬離子。  自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用,1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝,近幾年來(lái)以RCA...
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理   硅片經(jīng)過(guò)不同工序加工后,其表面已受到嚴(yán)重沾污,一般講硅片表面沾污大致可分在三類(lèi):   A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污: 可通過(guò)有機(jī)試劑的溶解作用,結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái) 去除。   B. 顆粒沾污:運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒,利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。   C. 金屬離子沾污:必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污,硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類(lèi):   a. 一類(lèi)是沾污離子或原子通過(guò)吸附分散附著在硅片表面。   b. 另一類(lèi)是帶正電的金屬離子得到電子后面附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。     硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污,一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污:   A. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。   B. 用無(wú)害的小直徑強(qiáng)正離子(如H+)來(lái)替代吸附在硅片表面的金屬離子,使之溶解于清洗液中。   C. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗,以排除溶液...
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1. 觸摸屏應(yīng)用場(chǎng)合及特點(diǎn)  1.1觸摸屏應(yīng)用場(chǎng)合       觸摸屏應(yīng)用范圍十分廣闊,不僅在工業(yè)控制,在其它領(lǐng)域如電信、稅務(wù)、銀行、電力、醫(yī)院、商場(chǎng)的業(yè)務(wù)查詢(xún);機(jī)場(chǎng)、火車(chē)站、地鐵自動(dòng)購(gòu)票;以及辦公、軍事指揮、電子游戲、點(diǎn)歌點(diǎn)菜、多媒體教學(xué)、房地產(chǎn)預(yù)售;電梯按鈕、旋轉(zhuǎn)門(mén)控制等都獲得廣泛應(yīng)用,在手機(jī)、ipad上應(yīng)用最普遍。       工業(yè)用觸摸屏是與PLC配套使用的設(shè)備,是替代傳統(tǒng)機(jī)械按鈕和指示燈的智能化顯示終端。用觸摸屏上的圖符替代機(jī)械按鈕,可以避免觸點(diǎn)抖動(dòng),機(jī)械老化,接觸不良,提高系統(tǒng)可靠性。還可通過(guò)設(shè)置參數(shù),顯示數(shù)據(jù),以曲線(xiàn)或動(dòng)畫(huà)等形式描繪和監(jiān)控多種被控設(shè)備的工作狀態(tài)和運(yùn)行參數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的自動(dòng)控制。       當(dāng)前在一些控制要求較高、參數(shù)變化多、硬件接線(xiàn)有變化場(chǎng)合,觸摸屏與PLC組合控制形式已占主導(dǎo)地位。   1.2 觸摸屏基本工作原理       觸摸屏設(shè)備由觸摸檢測(cè)裝置和觸摸屏控制器構(gòu)成,其中觸摸檢測(cè)裝置安裝在顯示屏幕前面,用于檢測(cè)觸摸面上用戶(hù)觸摸點(diǎn)的位置,并將檢...
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日前,在Sematech表面預(yù)處理和清洗會(huì)議(SPCC, Austin, Texas)上,F(xiàn)SI International(Chaska, Minn.)公布了濕法清洗方法的新進(jìn)展,可以在清洗碳化的光刻膠時(shí)保持超淺結(jié)(USJ)。       與瓦立安半導(dǎo)體設(shè)備公司(Varian Semiconductor Equipment)展開(kāi)合作,兩家公司研究了等離子浸沒(méi)式離子注入摻雜(PLAD)、毫秒退火和全濕法光刻膠剝離技術(shù),以從結(jié)區(qū)去除極少量摻雜的硅。清洗工藝將注入蒸汽引入了硫酸和雙氧水的混合液(SPM)中,從而把注入后晶圓光刻膠清洗的時(shí)間縮短到5分鐘。       FSI的首席技術(shù)官(CTO)Jeff Butterbaugh面對(duì)SPCC的100多名觀眾說(shuō),明年先進(jìn)邏輯器件預(yù)期達(dá)到       碳化已經(jīng)變成去除注入后光刻膠的最大清洗挑戰(zhàn)。無(wú)定形碳是“最困難的挑戰(zhàn),”Butterbaugh說(shuō),并補(bǔ)充“任何正在開(kāi)發(fā)注入后光刻膠去除工藝的人,都必須確保去掉光刻膠,尤其是在邊緣部分。你必須要移出所有的殘余光刻膠?!?#160;      去除碳化的光刻膠,使得FSI的化...
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