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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      在未來幾代器件中,去除光刻膠和殘留物變得非常關鍵。在前端線( FEOL)后離子注入(源極/漏極、擴展),使用PR來阻斷部分 電路導致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線(BEOL)蝕刻中,除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。介紹      光致抗蝕劑用于保護晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學物質、離子注入等影響。工藝完成后,需要選擇性去除光刻膠并清潔表面,確保表面無殘留物和顆粒。使用濕化學物質,如熱 SPM、有機溶劑或使用干等離子體“ 灰化”,原則上可以去除抗蝕劑。然而,抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學改性,并且適種改性可以顯著降低剝離速率。   圖1所示  當pet被光刻阻保護時(不按比例),選擇性結植入到fet的示意圖    圖2  x.裸硅襯底上KrF抗蝕線的掃描電鏡顯微圖(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蝕變薄,模糊,結痂。     當前的方法        為了達到足夠,從而達到可接受的低周期時間,以及良好的殘留去除,腐蝕等離子體str...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料導言:薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。其中包括用于射頻識別系統(tǒng)的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉移之外,垂直系統(tǒng)集成和微機電系統(tǒng)器件中的新概念要求晶片厚度減薄到小于150米。機械研磨是最常見的晶圓減薄技術,因為其減薄速率高。商業(yè)上可獲得的研磨系統(tǒng)通常使用兩步工藝,首先以非常高的速率(5 m/sec)進行粗研磨,然后以降低的速率進行后續(xù)的細研磨工藝。實驗性:實驗是在SSEC 3300系統(tǒng)上進行的。在蝕刻過程中,有許多工藝參數可以改變。為了這個研究的目的,使用了單一的蝕刻化學物質。溫度、流速、分配曲線、旋轉速度和室排氣是可以通過工藝步驟編程的參數。我們希望關注對工藝影響最大的工具參數,因此選擇了溫度、旋轉速度和流速。所使用的化學物質是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物,并且作為旋蝕刻劑在市場上可以買到?;瘜W物質的再循環(huán)使用SSEC的開放式或封閉式收集環(huán)技術進行。圖1:蝕刻過程中的SSEC收集環(huán)和液流分配采用JMP軟件進行三因素三水平的Box-Behnken響應面試驗設計。測量的響應是蝕刻速率、TTV和表面粗糙度   略結果    略文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      研究了在半導體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結果表明,堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中,顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒,然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。介紹       由于半導體器件正在追求更高水平的集成度和更高分辨率的模式,ET清潔技術對于重新移動硅片表面的污染物仍然至關重要。 在1970年提出的RCA清洗工藝作為一種濕式清洗技術在世界各地仍在使用,以去除晶圓表面的污染物。 雖然RCA凈化過程中,NH4OH-H2O2-H2O溶液對顆粒的去除效果非常好,但其顆粒去除機理尚不完全清楚。實驗        采用五英寸CZ(1,0,0)晶片進行粒子吸附實驗。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中從晶圓表面去除。 然后將晶片浸泡在含有顆粒的各種溶液中10分鐘,然后沖洗和干燥。 天然氧化物在晶圓表面形成后,再在0.5%的HF溶液中移動,然后清洗和干燥。結果與討論 圖2所示 pH對Fe2O3離子氧化粒的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 24
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要  單片SPM系統(tǒng)使用了大量的化學物質,同時滿足28nm以下的清潔規(guī)格。 本文描述了在集成系統(tǒng)Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統(tǒng)和單晶片清洗,結果達到了技術規(guī)范,使用了不到單晶片系統(tǒng)中使用的80%的SPM化學物質。介紹  采用干法和濕法相結合的方法開發(fā)了傳統(tǒng)的有機光刻膠條工藝。 然而,基于反應性等離子體灰化的干燥處理也存在一些問題,如等離子體損傷、抗爆裂、不完全去除抗蝕劑,以及副產品再沉積,需要后續(xù)進行濕剝離/清洗。 為了避免等離子體問題,采用了以硫酸和過氧化氫水溶液(SPM在80℃-150℃)等酸性化學物質為基礎的濕汽提工藝。  圖1:Ultra C太浩清洗系統(tǒng)的簡化裝置。 圖2:使用超音波裝置或氮氣噴霧裝置的單片清洗裝置   圖3:獨立工作臺、獨立單晶片和Ultra-C Tahoe整體清洗性能對比文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料加速        除了旋轉速度外,加速度也會影響涂膜的性能。由于樹脂在旋轉周期的第一部分開始干燥,因此準確控制加速度非常重要。在某些過程中,樹脂中 50% 的溶劑會在過程的最初幾秒鐘內蒸發(fā)掉。      加速在圖案化基材的涂層特性中也起著重要作用。在許多情況下,基材會保留先前工藝的地形特征;因此,重要的是在這些特征上和通過這些特征均勻地涂覆樹脂。雖然旋轉過程通常會向樹脂提供徑向(向外)力,但加速有助于樹脂在形貌周圍的分散,否則可能會遮擋部分基板與流體。Cee ® 微調器可編程,最大加速度為 30,000 rpm/秒(空載)。排煙      樹脂的干燥速率由流體的特性以及旋轉過程中基材周圍的空氣決定。眾所周知,空氣溫度和濕度等因素在決定涂膜性能方面起著重要作用。在旋轉過程中,將基板本身上方的氣流和相關湍流最小化或至少保持恒定也非常重要。      所有 Cee ® 旋涂機均采用“封閉碗”設計。雖然實際上不是一個密閉的環(huán)境,但排氣蓋在旋轉過程中只允許最少的排氣。結合位于旋轉卡盤下方的底部排氣口,排氣蓋成為系統(tǒng)的一部分,以最大限度地減少不必要的隨機湍流。...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料旋涂概述      旋涂作為一種應用薄膜的方法已經使用了幾十年。典型的工藝包括將一小塊流體材料沉積到基板的中心,然后高速旋轉基板。向心加速度將導致樹脂在基材上擴散,留下材料薄膜。最終薄膜厚度將取決于流體材料特性(粘度、干燥速率、固體百分比、表面張力等)和旋轉工藝參數(轉速、加速度和排煙)。旋涂中最重要的因素之一是可重復性,因為定義旋涂工藝的參數的細微變化會導致涂層膜的劇烈變化 旋涂工藝說明      典型的旋涂工藝包括將樹脂流體沉積到基材表面上的分配步驟、使流體變稀的高速旋涂步驟以及從所得薄膜中去除多余溶劑的干燥步驟。兩種常見的分配方法是靜態(tài)分配和動態(tài)分配。       靜態(tài)點膠只是在基材中心或附近沉積一小滴液體。根據流體的粘度和要涂覆的基材的尺寸,這可以在 1 到 10 cc 的范圍內。更高的粘度和/或更大的基材通常需要更大的水坑以確保在高速旋轉步驟中完全覆蓋基材。動態(tài)點膠是在基材低速轉動時進行點膠的過程。在該工藝步驟中,通常使用大約 500 rpm 的速度。這用于將流體散布在基材上,并且可以減少樹脂材料的浪費,因為通常不需要沉積那么多來潤濕基材的整個表面。      在分配步驟之后,通常會加速到相對較高的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料在微電子和機械元件中,各種金屬因其各自的電、光、化學或機械特性而被使用。鋁、鉻、金和銅等元素也可以是濕化學結構,它們特別常見。本章描述了用不同的蝕刻混合物蝕刻這些金屬的具體方法,以及用于蝕刻的抗蝕劑掩模的處理方法。本章中所有標有星號(*)的物質是指最后一節(jié)中列出的相應物質的常用濃度。 鋁的蝕刻鋁的性能及應用領域鋁的密度為2.7 g/cm3,因此屬于輕金屬。其晶體結構為立方面心型。由于鋁的高導電性,它被用作微電子學中的導體,在微電子學中,鋁經常與銅形成合金以防止電遷移,或者與硅形成合金以防止(消耗硅的)鋁硅合金的形成。標準電位為-1.66伏,鋁不屬于貴金屬。然而,非常薄(幾納米)的Al2O 3膜的形成使得它在許多物質中非常惰性。鋁蝕刻劑典型的鋁蝕刻劑包含1 - 5 %的硝酸*(用于鋁氧化)、65 - 80 %的H3PO 4*用于蝕刻天然氧化鋁以及由硝酸、乙酸穩(wěn)定地新形成的氧化物,以改善蝕刻溶液對襯底的潤濕,以及用于硝酸和水的緩沖,以在給定溫度下調節(jié)蝕刻速率。鋁也可以用堿性液體蝕刻,例如。用稀釋的氫氧化鈉或氫氧化鉀。然而,光致抗蝕劑掩模不適合這種情況,因為相應的高酸堿度會在短時間內溶解抗蝕劑膜層,或者在交聯(lián)負性抗蝕劑的情況下會將其剝離。鋁蝕刻的均勻性 例如,當使用磷酸作為典型鋁蝕刻混合物的成分,溶解鋁表面存在的幾納米厚的天然氧化鋁...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料某些金屬的電鍍本章專門討論某些金屬的電鍍,由于其特殊的性質,這些金屬經常用于微電子學或微觀力學。對于每種金屬,解釋了可能的電解質以及電解質和電極中相應的電化學過程。 鍍金應用領域由于其非常高的耐腐蝕性、良好的導電性、低接觸電阻以及金的良好可焊性,金涂層在電子和電氣工程中得到廣泛應用。幾個100納米的典型層厚度(例如。作為焊接輔助)到一些微米被用作腐蝕保護。金的堿性氰化物沉積這里的電解質是基于劇毒的二氰基尿酸鉀(I) = K[Au(CN)2]。該溶液含有約68%的金,在水溶液中以鉀離子和[金(CN)2]離子解離。后者遷移到陽極并在那里離解成金+和(CN)離子。金離子遷移回陰極,在那里被中和并沉積在陰極上。使用的陽極是可溶性金或金銅電極,或不溶性鍍鉑鈦電極。 金的中性氰化物沉積這種電解質也基于二氰基尿酸鉀,但不含任何游離氰化物(無游離(CN)離子)。不溶性鍍鉑鈦電極用作陽極。 金的酸性氰化物沉積這里,二氰基尿酸鉀也是電解液中的金源,電解液中還含有鈷或鎳以及檸檬酸。結果,可以獲得有光澤的金層,該金層由于其相對大比例的有機成分而相對較硬,并且具有低延展性。陽極使用不溶性鍍鉑鈦或不銹鋼。 金的強酸性氰化物沉積為此,在強酸性溶液中也穩(wěn)定的三價四氰基尿酸鉀(III) = K [Au(CN)4]形成電解質的金屬供應。此外,...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料自動化半導體制造過程有其自身的一系列困難。隨著社會的不斷發(fā)展,半導體行業(yè)將面臨產品需求不斷增長的挑戰(zhàn)和機遇。隨著人工智能(AI)和物聯(lián)網(loT)的普及和智能手機行業(yè)和其他高科技業(yè)務的持續(xù)市場,半導體供應鏈將面臨壓力。持續(xù)的國際貿易緊張局勢將加劇這一問題。可能會推高半導體材料的成本并阻礙全球產業(yè)合作。為了滿足這些需求,需要新的解決方案。使用更可持續(xù)的程序來制造半導體設備以減少制造過程中的有害污染物排放以及在設備報廢時回收半導體材料的要求仍然是一個挑戰(zhàn)。 半導體行業(yè)的自動化問題半導體供應鏈需要精簡。目前,集成電路的生產可能需要長達六個月的時間,不包括芯片的封裝和交付給買方。因此,半導體企業(yè)的制造流程必須更加順暢和高效。自動化可以提供解決方案。另一方面,自動化半導體制造過程有其自身的一系列困難。讓我們看看自動化可以提供幫助的幾種方式。自動化提高投資回報率自動化作業(yè)和增強工藝可靠性可實現(xiàn)更出色,更一致的晶圓產量并減少材料浪費。根據這項研究,包括半導體制造商在內的100%的電子行業(yè)高管都希望在他們的制造過程中加入或正在實施人工智能,83%的人報告說,由于更好的良率預處理,投資回報率中等至可觀自動化提高了過程可靠性考慮到生產半導體器件所需的時間長度,制造過程中任何一點的停機都意味著經濟和材料損失。此外,人工操作會增加晶圓運輸過程中出現(xiàn)人為錯誤的可...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      本文測試了三種方法對超薄氧化層硅片表面的清潔和調節(jié)的適用性:兩種UV/O3源(汞蒸氣燈和高效準分子模塊)以及在HNO3中濕式化學氧化。研究表明,通過UV/O3(汞蒸氣燈)照射可以去除堿性變形過程中硅化和掩蔽表面所產生的有機殘留物。此外,使用UV/O3(準分子)和HNO3氧化物與Al2O3/SiNx或AlN/SiNx鈍化組合,可以改善鈍化質量和發(fā)射極飽和電流。介紹      隨著高效硅太陽能電池概念引入到工業(yè)生產中,在鈍化之前的表面清洗和調節(jié)變得越來越重要。硅襯底與鈍化層之間的界面質量對各種污染、缺陷、表面終止和充電非常敏感,具有重要的作用。實驗步驟和結果  圖1所示 汞蒸氣燈原理圖及反應機理(左),準分子體系原理圖及反應機理(右)去除有機殘留物 圖2所示 污染樣品的示意圖(a),清潔的紋理參考樣品的平板掃描無污染(B)和污染和UV/O3清潔樣品的參數變化(C-F) Pre-passivation調節(jié)  圖3 樣品制備示意圖(左);有/沒有超薄siox層作為預鈍化條件的樣品的發(fā)射極飽和電流密度(右) 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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