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發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設備-華林科納（江蘇）CSE 傳統的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應的基板上。  更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網126xa.cn；現在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產量大，效率高設備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點： 干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（126xa.cn），現在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術，一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術，即在被刻蝕的區(qū)域內，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡合物，利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
設備名稱：高溫磷酸清洗機設備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據實際工藝時間可調清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結構機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調式地腳，可高低調整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質為PP管排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置：      ●設有EMO(急停裝置)，       ●強電弱點隔離      ●設備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內臺面布置圖：各槽工藝參數
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設備-華林科納（江蘇）CSE   晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設備針對這些應用研發(fā)和生產的，對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。 設備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設備應用領域：半導體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產品名稱：芯片鍍金設備 2. 產品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統，內置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統，流量可調。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺，風量可調。 16. 活化腐蝕系統。 17. 三級清洗系統。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網w...
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06
異質結高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設備—華林科納CSE 設備用途： 對高效太陽能電池異質結電池片進行制絨、清洗設備工藝流程：l  H2O2工藝：SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干l  O3工藝：預清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干技術特點：l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時l  結構布局緊湊合理并且采用雙層槽結構，設備占地空間小l  先進的400片結構，有效提高設備工藝產能l  工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結合，有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l  補配液采用槽內與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測，以及可調節(jié)氣閥控流結構，有效保證初配時間和微量精補配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級，避免材料使用雜質析出l  采用最新低溫烘干技術，保證槽內潔凈度和溫度控制精度技術參數：l  設備尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime：≥95%l  破片率：≤0.05%l  MTTR：4hl  MTBF：450hl  產能：6000pcs/hl  功率消耗：398KW更多異質結高效電池制絨清洗相關設備，可以關注網址：http://126xa.cn，熱線：400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機系統應用于各種清洗和干燥工藝設備名稱華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機優(yōu)    點 清洗系統應用于各種清洗和干燥工藝 不同配置（可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔） 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設備帶有滾輪可移動 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標準的高邊和低邊花籃 可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面： 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單，每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設計的花籃設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 126xa.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（126xa.cn），現在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
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國內EDA軟件、集成無源器件IPD和系統級封裝領域的領先供應商，芯和半導體于近日宣布：基于中芯集成電路（寧波）有限公司（以下簡稱“中芯寧波”）自主開發(fā)的高性能體聲波諧振器技術以及全套晶圓級加工與封裝工藝技術，芯和半導體的首款自主設計和開發(fā)的高頻段體聲波濾波器產品正式發(fā)布，并已向本土無線終端客戶送樣，進入系統客戶的驗證和測試階段，預計第三季度進入批量生產和供貨。市場隨著5G商用的啟動，射頻前端市場將通過更多額外頻段的載波聚合和MIMO技術，迎來新一波年均8%以上的高速增長。濾波器在全球射頻前端市場中占最大份額，其出貨量將會從2018年的530億顆增長到2025年的約1000億顆，年增長率接近兩位數。目前國內濾波器市場主要為國外廠商所壟斷，行業(yè)急需國內供應商的突圍。產品本濾波器為一款低插損、高抑制WiFi2.4GHz帶通濾波器，封裝尺寸僅為1.1mm×0.9mm×0.6mm ，完全兼容當前主流1109 的WiFi帶通濾波器尺寸。產品性能媲美同類國際領先產品，可滿足智能手機、無線終端、便攜路由器、無線模組等多種系統應用需求。根據規(guī)劃，芯和半導體在今年還將聯合中芯寧波陸續(xù)發(fā)布包括B40、N41、B41、B7等在內的其他國內緊缺的中高頻段射頻濾波器、雙工器和耦合器等產品。芯和半導體高級副總裁代文亮博士表示：“我們很高興看到中芯寧波與芯和半導體的成功合作，開發(fā)出具有競爭力的...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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新冠病毒的來臨，讓全社會嚴陣以待。全球不斷攀升的確診人數對半導體市場和供應鏈都造成了一定壓力。然而壓力面前，具有前瞻性的企業(yè)卻不懼疫情影響，逆勢而上，增資提產，為今后長期的發(fā)展提前做好準備。這些消息釋放出來也極大地提振了全行業(yè)的士氣。形勢嚴峻新冠病毒向行業(yè)施壓2019年，全球半導體行業(yè)進入下行周期，智能手機、PC、筆記本電腦等需求放緩導致了半導體市場的下滑。專家原本預測2020年半導體或將重回上升軌道，5G的部署與AI的需求將成為推動半導體行業(yè)復蘇的強勁動力。然而，新型冠狀病毒肺炎疫情的突然發(fā)生，為半導體行業(yè)回暖帶來不確定性。集邦咨詢認為，疫情擴大使得未來終端需求能見度降低，尤以專注于智能手機與消費性電子領域的IC設計業(yè)，2020年第二季度營收可能受到較大影響。集邦咨詢修改了2020年第一季度智能手機生產總數的預估，下調至2.75億只，較去年同期衰退約12%，為近5年來新低。疫情帶來壓力的同時，也推動人們對網絡通信給予更多的依賴與重視。市場重新評估數據中心、人工智能的價值。一大批人工智能、5G芯片企業(yè)產品加速落地。研究機構預計，2020年我國人工智能市場將再續(xù)輝煌，市場規(guī)模將達到42.5億美元，預計年增長率約為51.5%。而在5G通信方面，華為中國運營商業(yè)務部副總裁楊濤預測，到2023年，與5G相關的半導體收入將達到208億美元以上。雖然疫情的爆發(fā)帶給半導體產業(yè)些許沖擊，然5G與A...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 21
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據中國臺灣媒體報道，韓國產業(yè)通商資源部昨（20）日宣布，韓國化學大廠SKC目前正對用于半導體制程的光罩基板(Mask Blank)的試作樣品展開測試，預計2020年下半年正式展開量產。據報導，韓國的半導體制造中，其光罩基板約90%依賴日本供應，同時光罩基板也是韓國大量進口自日本的20種高科技材料之一，韓國政府希望在20種主要材料、零件、設備，能脫離對日貨的倚賴，而光罩基板就名列其中。資料顯示，SKC與SK海力士同屬于SK集團旗下，自1976年成立以來，在韓國最早開發(fā)及生產了不計其數的薄膜、化學、材料領域的產品，其核心部門為薄膜和化學部門。自2018年開始，SKC已投入430億韓元(約3500萬美元)用于建設光罩基板廠，并于2019年建成，SKC不僅計劃在2020年內開始光罩基板的量產，同時也計劃在2021年量產更高端的產品。2019年7月，日本經濟產業(yè)省宣布，將對用于智能手機及電視機的半導體等制造過程中需要的三種材料加強對韓國的出口管制，這三種材料分別為用于半導體清洗的氟化氫、用于智能手機顯示屏等的氟化聚酰亞胺，以及涂覆在半導體基板上的感光劑“光刻膠”。對此，韓國也出臺了相關措施以應對日本針對韓國的出口管制措施。如提出了100大核心戰(zhàn)略產品國產化計劃，將投入7.8萬億韓元的研發(fā)費用，在1至5年內實現核心戰(zhàn)略產品國產化，而韓國企業(yè)也在加速在該領域的國產化。2019年，外媒曾報道，SK...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 21
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“芯片之城”地標產業(yè)來了！日前，江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標產業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群，新區(qū)管委會副主任陳潺嵋，東南大學首席教授、南京集成電路產業(yè)服務中心主任時龍興，金雨茂物投資管理股份有限公司董事長段小光， 南京中安半導體責任有限公司董事長曾安，江蘇超芯星半導體有限公司董事長劉欣宇出席活動?；顒又校拘前雽w項目和中安半導體項目與新區(qū)簽約，未來都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據了解，江蘇超芯星半導體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產業(yè)化，是國內領先的碳化硅材料供應商，碳化硅作為三代半導體材料，將在軌道交通、5G、新能源汽車等領域有廣泛的應用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴徑晶體，實現厚度突破，屬于技術領先的三代半產品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動上市計劃，項目規(guī)劃三年實現6英寸碳化硅襯底年產3萬片，未來還將在SiC襯底產品的基礎上，將進一步研發(fā)SiC切磨拋工藝，打造國內SiC行業(yè)標桿企業(yè)。另外，中安半導體作為先進的半導體材料檢測設備研發(fā)商，擁有國內領先的檢測設備研發(fā)能力。項目團隊擁有硅片檢測核心技術，并且具備工程應用、生產管理以及銷售服務等各方面的管理經驗以及多年所累積的市場資源。此次項目主要是開發(fā)半導體硅片平整度和三維形貌檢測設備，從事開發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測設備，目前已獲得金茂資本首期風險投資，未來將通過開發(fā)擁有獨立知...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 20
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近幾年，在政策和市場雙輪驅動下，骨干企業(yè)加大了工藝研發(fā)和技改投入力度，生產工藝水平不斷進步，高效電池技術不斷發(fā)展?！　?018年，各種電池技術平均轉換效率方面，規(guī)?；a的多晶黑硅電池的平均轉換效率達到19.2%，使用PERC電池技術的單晶和多晶黑硅電池效率提升至21.8%和20.3%，較2017年分別提升0.5個百分點和0.3個百分點，N型PERT單晶電池平均轉換效率已經達到21.5%。雙面N型PERT電池和異質結（HJT）電池已進入量產，并且會成為未來發(fā)展的主要方向之一。下表給出了2018-2025年不同類型電池轉換效率變化趨勢?！　?018年，各種電池技術市場占比方面，BSF電池（常規(guī)電池及多晶黑硅電池結構）仍占據大部分市場份額，但相比2017年83%的占比已下降了23個百分點，隨著新技術的發(fā)展其占比將逐年減少；PERC電池是當前產能最大的高效電池，2018年市場份額占比大幅增加，達到33.5%左右，預計明年PERC電池市場占比將反超BSF電池，成為市場占比最高的電池種類。雙面N型PERT電池、背接觸（IBC）電池、異質結（HJT）電池等新型高效電池市場份額將逐步提高，其中N-PERT電池未來將成為市場占比第二的電池種類。下圖給出了2018-2025年不同電池技術市場占比的變化趨勢?！　】v觀未來光伏市場發(fā)展，隨著高效電池技術的逐步成熟、成本的逐步下降，產品市場需求將繼續(xù)擴大，...
發(fā)布時間: 2019 - 04 - 30
瀏覽次數：132
作為我市集成電路產業(yè)“一園三基地”的重點園區(qū)，“芯港小鎮(zhèn)”再次迎來重大發(fā)展機遇。11月2日上午，中芯寧波200毫米特種工藝（晶圓/芯片）N1產線正式投產，小鎮(zhèn)內中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子也將正式動工。自2017年開園以來，“芯港小鎮(zhèn)”已簽約落戶14個集成電路企業(yè)項目，總投資200億元?！?一批集成電路龍頭企業(yè)在我市加速集聚寧波瞄準集成電路發(fā)展機遇，搶項目、爭創(chuàng)新、擴規(guī)模，全市集成電路產業(yè)發(fā)展進入新拐點，一批支撐項目開工投產，取得明顯效益。數據顯示，2018年前三季度，我市集成電路及相關產業(yè)完成工業(yè)總產值127.6億元，同比增長9.8%；實現利潤13.36億元；實現利稅16.48億元。60余個項目落戶 “芯光”照亮創(chuàng)業(yè)路“目前，我們的設備正準備打包發(fā)往國內，如果一切順利，預計2019年9月可實現量產?！痹诮张e行的中國半導體材料和零部件創(chuàng)新發(fā)展大會上，已在國外生活、工作30余年的華菲難掩回國創(chuàng)業(yè)的激動之情。2018年3月，看好寧波集成電路產業(yè)發(fā)展前景與氛圍的華菲來到故土，并在余姚成立了寧波華芯電子科技有限公司。華菲說，在國內，小于100微米的高端半導體焊球以及高可靠性焊球的制造技術仍屬空白。如果在甬發(fā)展順利，她將加大投資，將研發(fā)及生產的觸角伸至更多集成電路領域?！靶靖坌℃?zhèn)”開園未滿一年，便吸引了中科院寧波微電子應用研究院、集成電路材料和零部件聯盟寧波產業(yè)促進中心等兩個技術...
發(fā)布時間: 2018 - 11 - 05
瀏覽次數：267
硅晶圓大廠合晶今(26)日舉行鄭州新廠啟用典禮，第一階段為月產能20萬片的8吋產能，明年正式量產后，全年產值可望達5億人民幣，第二階段則規(guī)畫12吋產能20萬片、磊晶產能7萬片，部分資金已到位，待兩階段產能均啟用后，年產值可望上看20億人民幣。合晶今日舉行啟用典禮，鄭州合晶為合晶與鄭州空港經濟綜合實驗區(qū)合資成立，為鄭州地方政府取得的首個半導體投資案，其中，合晶持股約6成，雙方合資投資額共12億人民幣，第一階段為一條月產能20萬片的8吋產線，12月開始送樣，合晶鄭州董事長劉蘇生表示，明年正式量產后，全年產值可望達5億人民幣。在第一階段鄭州8 吋廠啟用后，合晶第二階段計劃透過具有磊晶生產能力的12 吋廠，擴大產業(yè)布局。合晶12 吋廠也將采取合資形式，董事長焦平海就提到，「跨足12 吋是必然的」。據悉，12吋廠資金預計投入45億人民幣，目前部分資金已到位，月產能規(guī)劃為12吋產能20萬片、磊晶產能7萬片，最快可望于2020年量產，劉蘇生表示，待兩階段產能均到位后，年產值可望上看20億人民幣。目前合晶臺灣楊梅廠為6 吋重摻硅晶圓產能，月產能為33 萬片；龍?zhí)稄S為8 吋硅晶圓產能，將由目前的30 萬片逐月增加至年底的32 萬片。在中國的產能部分，揚州廠主力為8 吋以下單晶晶棒；上海晶盟磊晶廠將在明年農歷年前，月產能達20 萬片。合晶總經理陳春霖表示，第一期產能預計12 月初送樣客戶端認證，認證時...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 29
瀏覽次數：162
隨著移動通信、高性能計算、汽車電子和物聯網等產業(yè)發(fā)展對半導體器件需求量的增加，其基礎材料硅片的需求將繼續(xù)增長?！?硅片需求繼續(xù)增長SEMI最近（2018年10月16日）對2018至2021年全球硅晶圓片出貨量進行預測，2018年硅晶圓片出貨量將超過2017年創(chuàng)下歷史最高市場紀錄，并將持續(xù)到2021年。2018年至2021年全球硅片市場需求量顯示，2018年硅拋光片和外延片出貨量為12445百萬平方英寸，同比增長7.1%；2019年市場需求為13090百萬平方英寸，同比增長5.2%；2020年市場需求為13440百萬平方英寸，同比增長2.7%；2021年市場需求為13778百萬平方英寸，同比增長2.5%。↑ 全球12英寸硅晶圓需求強勁從技術和成本的角度看，硅片尺寸越大則每片硅片上可以制造的芯片數量就越多，從而制造成本就越低。因此，硅片尺寸的擴大和芯片制程的減小是集成電路行業(yè)技術進步的兩條主線。目前，市場主流硅片出貨已經集中在8英寸、12英寸等大尺寸硅片上。而大尺寸硅片生產是我國集成電路發(fā)展最薄弱的環(huán)節(jié)。目前，中國12英寸大硅片幾乎100%依賴進口，8英寸硅片90%依賴進口。近幾年，隨著國家、地方、社會資本對半導體行業(yè)的大力投資，加上硅材料市場向好，投向硅片的資本越來越多。據不完全統計，國內硅材料企業(yè)已經投入和未來幾年計劃投入的總投資已超過700億元人民幣。中國12英寸硅片的國產化，將...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 22
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2017年，中國集成電路進口金額2600億美元，遠超石油進口額。2014年出臺《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》，并成立國家集成電路產業(yè)基金，體現了政策的高度重視。2017年，全球晶圓制造材料市場規(guī)模260億美元，其中硅片市場規(guī)模90億美元，占比近30%。政策的重視與市場需求，驅動了FAB與大硅片項目的投資布局。中國FAB工廠項目與列表如下目前中國大陸共計有27座12英寸晶圓廠，18座8英寸晶圓，其中有10座12英寸晶圓廠及6座8英寸晶圓廠處于建設當中。項目主要集中在北京、成都、重慶及江浙一帶。具體項目信息如下表所示：多數項目仍然在建設中，或處于初期產能爬升階段。在晶圓加工制程方面，中芯國際、華力微電子、武漢新芯、紫光集團以及國內三大存儲基地長江存儲、晉華集成、合肥長鑫正在進入國際先進制程，中國芯片自主制造已成進行時。大硅片需求旺盛，市場強勁增長待上表所有Fab廠投產后，將多出185萬片/月的12英寸晶圓加工產能及35萬片/月的8英寸晶圓加工產能，這對于上游原材料——硅片的供應提出了新的需求。而目前，全球硅片市場已經處于供不應求的狀態(tài)。國際硅片供片龍頭往往與晶圓加工大廠如臺積電、三星等建立著長期的供應關系。在全球8英寸硅片缺貨的背景下，中國自主新建的Fab廠恐怕難以與臺積電、三星、英特爾等大廠進行競爭，因此獲得國際硅片龍頭8英寸硅片的充足供應，可能會受到一定的局限。2012年至今，2...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 17
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在10月11日舉行的廣州2018小蠻腰科技大會上，中國芯片如何破局成為熱點話題之一。厚生利用投資創(chuàng)始合伙人兼總裁欒凌預測，中國半導體投資未來十年將增至10000億元。而深圳半導體協會秘書長常軍鋒提醒說，國內芯片投資要避免大而全、半途而廢、短期超越三大誤區(qū)。芯片投資將達萬億欒凌介紹說，半導體芯片短板已成為中國人工智能產業(yè)發(fā)展的挑戰(zhàn)之一。隨著互聯網、社交媒體、移動設備的大量普及，以及5G和物聯網的快速發(fā)展，市場對存儲芯片的需求增加，而人工智能芯片技術的高速迭代又催生出各類AI專用芯片。目前在集成電路領域，美國擁有英特爾、高通、德州儀器、博通、Nvidia、美光等半導體巨頭。2017年公開數據顯示，總部設在美國的半導體公司銷售額占了全球銷售份額的46%。中國代表性的半導體企業(yè)，正在奮起追趕。2000年成立的中芯國際，目前14納米制程已接近研發(fā)完成，距離2019年量產的目標似乎已經不遠，一旦實現目前由海外代工的部分產品將有望回歸國內代工。華為海思，2017年以47.15億美元的銷售額成為全球第七大芯片設計公司，增長率達到21%；海思的麒麟980芯片是全球首款7納米人工智能手機芯片，在AI運算能力上領先。在人工智能芯片領域，出現了寒武紀、深鑒科技、地平線多家芯片公司。如寒武紀今年6月完成數億美元B輪融資，投后估值25億美元；阿里巴巴成立平頭哥半導體有限公司，四個主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯...
發(fā)布時間: 2018 - 10 - 15
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