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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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中國有意在半導體行業(yè)成為全球領導者。為實現(xiàn)這一目標,中國正在尋求國外資金的投資。在美國萬般阻撓中國稱霸下一代技術野心之背景下,這一亞洲大國的新舉措著實出乎人意料。部分是為了減少對國外技術的過分依賴,中國政府成立了一個基金,目標融資2000億元人民幣(約合317億美元)來支持從處理器設計商到設備制造者等一系列國內企業(yè)。中國科技行業(yè)監(jiān)管機構本周三表示,“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司”(業(yè)內簡稱“大基金”)將接受國外的投資。“該國家基金第二階段的主要目標仍然是融資。我們歡迎國外企業(yè)的加入?!惫I(yè)和信息化部(工信部)總工程師兼發(fā)言人陳因解釋道。最近全球兩大經(jīng)濟體——美國和中國——之間的紛爭核心所在便是半導體。兩國糾紛不僅使得關稅高漲,也使得中國在美國企業(yè)的投資減少,并給中國從第五代無線通訊到人工智能等的科技發(fā)展帶來重擊。美國政府正在考慮動用1977年法律。根據(jù)這項法律,唐納德·特朗普總統(tǒng)或可宣布進入國家緊急狀態(tài),以便阻止交易和沒收資產(chǎn)。隨著美國將中興通訊列入黑名單七年,北京再一次猛然意識到中國迫切需要減少自己對美國技術的依賴。針對中興的舉措反而刺激了中國現(xiàn)有的計劃——在未來十年內投資1500億美元,逐步搶占芯片設計和制造領域的領先地位。美國高管和官員們曾多次提醒,中國的這一野心或可損害美國利益。目前,中國每年的半導體進口額約為2000億美元——差不多和石油進口額齊平。中國...
發(fā)布時間: 2018 - 04 - 26
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近日,常州集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項目正式簽約落戶武進國家高新區(qū),計劃聚集全球一流的算法、芯片、固件、軟件、測試、工藝等研發(fā)團隊入駐。市委書記汪泉出席并講話。據(jù)了解,該項目總投資100億元,總規(guī)劃面積約500畝。湖南國科控股有限公司將在武進國家高新區(qū)組建系列芯片研發(fā)公司,主要從事驅動芯片、可信計算、國密安全、多媒體芯片、通訊、人工智能等芯片設計業(yè)務。同時,在國家大基金對常州集成電路產(chǎn)業(yè)的支持下,國科控股將引進其投資、參股的芯片公司或生態(tài)企業(yè),牽頭成立可信計算聯(lián)合實驗室和院士工作站,聯(lián)合有關單位成立數(shù)字版權保護(DRM)研發(fā)、測試中心,打造4K內容管理和運營服務產(chǎn)業(yè)基地。汪泉在致辭中表示,集成電路是新一代信息技術產(chǎn)業(yè)的核心,是新時期推進經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性、先導性產(chǎn)業(yè)。目前,常州正在推進智慧城市、智能制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展,而集成電路是智慧城市和智能制造的大腦。我國在集成電路產(chǎn)業(yè)領域和歐美等發(fā)達國家存在較大差距,必須加快推進國內在集成電路領域的自主創(chuàng)新和自主產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。汪泉說,作為國家信息技術產(chǎn)業(yè)布局的集成電路設計企業(yè),國科承擔了眾多國家重點科研項目,填補了眾多研發(fā)空白。企業(yè)此次在武進布局集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)園,是加快集成電路生態(tài)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大舉措,為國家發(fā)展戰(zhàn)略作出貢獻。對常州、武進而言,可以彌補在集成電路領域的發(fā)展短板,有助于地方拓展延伸集成電路的完整產(chǎn)業(yè)鏈,形成常武地區(qū)新的發(fā)...
發(fā)布時間: 2018 - 04 - 23
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[關鍵詞:半導體設備]半導體設備商應用材料(Applied Materials)日前宣布,材料工程獲得技術突破,能在大數(shù)據(jù)與人工智能(AI)時代加速芯片效能。應用材料表示,20 年來首樁晶體管接點與導線的重大金屬材料變革,能解除 7 納米及以下晶圓工藝主要的效能瓶頸,由于鎢(W)在晶體管接點的電性表現(xiàn)與銅(Cu)的局部終端金屬導線工藝都已逼近物理極限,成為 FinFET 無法完全發(fā)揮效能的瓶頸,因此芯片設計者在 7 納米以下能以鈷(Co)金屬取代鎢與銅,藉以增進 15% 芯片效能。目前中國半導體設備以蝕刻、薄膜及 CMP 發(fā)展腳步最快,此部分將以打入主流廠商產(chǎn)線、取得認證并藉此建立量產(chǎn)數(shù)據(jù)為目標,朝向打入先進工藝的前段晶體管工藝之遠期目標相當明確,然而相較國際主流半導體設備廠商的技術水平,中國半導體設備廠商仍是追隨者角色,因此鈷取代鎢和銅的趨勢確立,將影響中國半導體設備廠商尤其是蝕刻、薄膜及 CMP 的研究發(fā)展方向。 (出自:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院)更多半導體設備相關新聞可以關注華林科納(江蘇)半導體設備公司 126xa.cn 18913575037
發(fā)布時間: 2018 - 07 - 03
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近日,華潤微電子(重慶)有限公司揭牌暨戰(zhàn)略合作備忘錄簽約活動在西永微電園舉行。現(xiàn)場,華潤微電子控股有限公司、重慶市經(jīng)信委、重慶西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)開發(fā)有限公司簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,三方將致力于將華潤微電子(重慶)有限公司打造為全國最大的功率半導體基地,促進重慶市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 據(jù)悉,華潤微電子控股有限公司是國內唯一純國資、全產(chǎn)業(yè)鏈,并實現(xiàn)產(chǎn)品設計自主、制造過程可控的微電子企業(yè)。隨著央企間產(chǎn)業(yè)重組整合全面展開,去年11月6日,經(jīng)國務院國資委批復,同意將中航航空電子系統(tǒng)有限責任公司所持中航(重慶)微電子有限公司股權,劃轉給華潤微電子控股有限公司。在此背景下,去年12月28日,華潤微電子(重慶)有限公司正式揭牌成立。據(jù)悉,本次整合在中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上創(chuàng)造了三項第一:央企間微電子業(yè)務的第一次重組;國內半導體產(chǎn)業(yè)關鍵戰(zhàn)略資源(8英寸晶圓生產(chǎn)線)的第一次整合;國內分立器件產(chǎn)品和業(yè)務規(guī)模最大的一次整合。整合后,華潤微電子控股有限公司的功率器件業(yè)務將占國內市場份額的6.5%。根據(jù)簽約,華潤微電子(重慶)有限公司成立后,將設立國家級功率半導體研發(fā)中心、建設國內最大的功率半導體制造中心,同時完善上下游產(chǎn)業(yè)鏈等。協(xié)議的簽署,不僅能將晶圓制造升級擴產(chǎn),還將帶來從原材料制造、IC設計到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈條,帶動重慶集成電路產(chǎn)業(yè)基地升級。 (出自:重慶日報)更多半導體、集成電路、MEMS器件等...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 11
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2018年內存更加供不應求 降價已無可能據(jù)集邦咨詢(TrendForce)公布的最新調查報告,進入第四季度后,三星、SK海力士、美光這三大DRAM顆粒巨頭都已經(jīng)基本規(guī)劃好了明年的路線圖,資本支出都趨于保守,意味著大規(guī)模產(chǎn)能擴張已經(jīng)不可能,甚至制程工藝前進的腳步也會緩慢下來。畢竟,商人都是以賺錢為目的的,DRAM大廠明年的首要目標就是獲得持續(xù)而且穩(wěn)定的利潤,價格則要至少維持在今年下半年的水平。集邦咨詢估計,2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供應增幅只會有大約19.6%,是近幾年的一個地點,而市場需求增幅將有20.6%,也就是說整個市場供需關系會更加緊張。從需求端看,勢頭強勁的主要是手機內存容量提升,以及服務器/數(shù)據(jù)中心的巨大缺口,而供給端方面,產(chǎn)能吃緊自然需要新建工廠,但建設一座300毫米晶圓廠至少一年,再加上設備投入和調試,即便現(xiàn)在行動,效果出來也要到2019年了。關鍵是,2018年三大廠商的晶圓產(chǎn)能增幅預計只有區(qū)區(qū)5-7%,主要來自現(xiàn)有產(chǎn)能的重新分配和制造工藝的升級。具體廠商方面,三星電子的產(chǎn)能增加空間很有限,目前月均DRAM晶圓產(chǎn)能平均為39萬塊,而能擴充的工廠只有Line 17和一部分Line 15,因此三星計劃在韓國京畿道平澤市新建第二座300毫米DRAM晶圓廠。SK海力士同樣受困于產(chǎn)能不足:M10工廠較老無法轉入18nm,改而做代工去了;M14工廠規(guī)格高于最初計劃,預計年底可達8萬...
發(fā)布時間: 2017 - 10 - 23
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2017年全球晶圓代工市場規(guī)模將達550億美元 關鍵詞:晶圓、晶圓硅片清洗機晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。據(jù)了解,截止2016年12月,全球折合成8寸晶圓的產(chǎn)能為每月1711.4萬片;其中中國大陸全球市場占有率接近11%,相比2015年上升了1.1個百分點,僅次于臺灣、韓國、日本和北美。臺灣、韓國、日本是主要的晶圓產(chǎn)地,晶圓產(chǎn)能占全球晶圓產(chǎn)能的59.3%。臺灣、韓國、日本是主要的晶圓產(chǎn)地,占比達59.30%,而大陸產(chǎn)能占比為10.80%。而華林科納(江蘇)CSE一直致力于開發(fā)生產(chǎn)半導體晶圓清洗設備,其制造的晶圓硅片清洗機、甩干機、單片清洗機等設備廣受業(yè)界好評。從供給端來看,2016年中國地區(qū)晶圓制造產(chǎn)能僅占全球10.8%,而消費市場占全球33%,中國半導體市場供需關系嚴重失衡。另據(jù)了解,2016年全球晶圓代工工廠營業(yè)收入前十排名分別是臺積電、格羅方德、聯(lián)華電子、中芯國際、力晶半導體、TowerJazz、世界先進、華虹宏力、Dongbu HiTek和X-Fab。其中,前四大晶圓代工廠為臺積電、格羅方德、...
發(fā)布時間: 2017 - 10 - 09
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【華林科納(江蘇)CSE-導讀】“在新需求驅動下,國產(chǎn)半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?!苯眨谀暇╅_幕的2017中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上,北方華創(chuàng)總裁趙晉榮表示。據(jù)統(tǒng)計,至2020年,全球計劃新建的晶圓廠項目中,有逾四成將落戶中國,帶來巨大投資機會。本文關鍵詞:半導體裝備; 集成電路; 晶圓廠; 移動互聯(lián)網(wǎng)催發(fā)了芯片市場的持續(xù)增長,新建晶圓廠的熱潮正在給半導體設備制造商,尤其是國內制造商帶來新機遇。資料顯示,新建一條年產(chǎn)5萬片的最先進12英寸晶圓生產(chǎn)線需投資450億元,其中設備投資占75%以上。據(jù)統(tǒng)計,到2020年,全球將新建62座晶圓廠,其中26座落戶中國,占比高達42%,這給國內半導體裝備制造商帶來了機遇。 “到2020年,僅芯片前端設備的市場規(guī)模就將達到300億美元至400億美元?!敝形雽w董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯預計,中微半導體從事的刻蝕和化學薄膜設備將有良好的市場前景?!拔覀兘y(tǒng)計,2016年到2020年,國內共有998億美元總投資,半導體設備投資為748億美元。其中,等離子體刻蝕設備投資大約為134.7億美元,中微的刻蝕機可以分得相當大的份額?!?#160;另據(jù)趙晉榮介紹,北方華創(chuàng)的半導體裝備包括14納米邏輯工藝裝備解決方案、8/12英寸先進封裝工藝裝備解決方案、6/8英寸微機電系統(tǒng)(MEMS)/化...
發(fā)布時間: 2017 - 09 - 29
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【華林科納(江蘇)CSE--導讀】SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast),指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示,在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產(chǎn)線當中,有30座晶圓設備支出超過5億美元。SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast),指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示,在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產(chǎn)線當中,有30座晶圓設備支出超過5億美元。2017年晶圓設備支出(含全新與整新)預計將成長37%,創(chuàng)下550億美元的最新年度支出紀錄。SEMI同時也預測2018年晶圓設備支出成長率將再度攀升5%,同時也將再次寫下580億美元的新紀錄。SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示,先前最高的支出紀錄是2011年創(chuàng)下的400億美元。按目前情勢來看,2017年支出預估將比該數(shù)字高出大約150億美元。若依2017年各地區(qū)支出金額來看,全球最高的是韓國,從2016年的85億美元成長至2017年的195億美元,高達130%的年成長率。根據(jù)全球晶圓廠預測報告,2018年韓國依然將是全球晶圓設備支出最強勁的地區(qū),而中國也將晉升至第二名,達到125億美元(年成長率66%)。此外,美洲、日本、歐洲/中東等地預料也將達到二位數(shù)成長,其他地區(qū)則將繼續(xù)維持在10%以下...
發(fā)布時間: 2017 - 09 - 28
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【華林科納-CSE導讀】“在新需求驅動下,國產(chǎn)半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?!?月26日,在南京開幕的2017中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上,北方華創(chuàng)(28.94 +1.51%,診股)總裁趙晉榮表示?!霸谛滦枨篁寗酉?,國產(chǎn)半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?!?月26日,在南京開幕的2017中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上,北方華創(chuàng)(28.94 +1.51%,診股)總裁趙晉榮表示。據(jù)統(tǒng)計,至2020年,全球計劃新建的晶圓廠項目中,有逾四成將落戶中國,帶來巨大投資機會。移動互聯(lián)網(wǎng)催發(fā)了芯片市場的持續(xù)增長,新建晶圓廠的熱潮正在給半導體設備制造商,尤其是國內制造商帶來新機遇。資料顯示,新建一條年產(chǎn)5萬片的最先進12英寸晶圓生產(chǎn)線需投資450億元,其中設備投資占75%以上。據(jù)統(tǒng)計,到2020年,全球將新建62座晶圓廠,其中26座落戶中國,占比高達42%,這給國內半導體裝備制造商帶來了機遇?!暗?020年,僅芯片前端設備的市場規(guī)模就將達到300億美元至400億美元?!敝形雽w董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯預計,中微半導體從事的刻蝕和化學薄膜設備將有良好的市場前景?!拔覀兘y(tǒng)計,2016年到2020年,國內共有998億美元總投資,半導體設備投資為748億美元。其中,等離子體刻蝕設備投資大約為134.7億美元,中微的刻蝕機可以分得相當大的...
發(fā)布時間: 2017 - 09 - 27
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最新新聞匯總1.先進半導體委任CEO洪沨為執(zhí)行董事;2.浙江金瑞泓全面建成8英寸硅片規(guī)?;a(chǎn)線;3.藍思周群飛:3D曲面玻璃放量增長機會來臨;4.侵權門再添一員!三星Gear VR涉嫌盜用專利;5.三星大規(guī)模擴增產(chǎn)線 面板、半導體設備廠商喜獲訂單;6.可撓式OLED面板市場規(guī)模將超越硬式OLED 蒸鍍設備廠受惠最多 1.先進半導體委任CEO洪沨為執(zhí)行董事;先進半導體發(fā)布公告,于2017年5月16日舉行的公司周年股東大會批準委任洪沨為第五屆董事會執(zhí)行董事,任期由2017年5月16日至2019年3月1日。洪沨博士自 2017 年 2 月 6 日起被委任為公司首席執(zhí)行官。根據(jù)洪沨博士與該公司簽定首席執(zhí)行官之委任的合同,期限自 2017 年 2 月 6 日至 2020 年 2 月 5 日。根據(jù)該合同,洪將獲得每年幣 2,112,768 元人民幣的薪水,按每月幣 176,064 元人民幣的數(shù)額支付。洪博士亦能獲得由董事會決定高達幣 683,838 元人民幣的年度變動工資,以及獎金,該部分乃基于洪博士的表現(xiàn)由該公司支付。此外,洪博士亦能獲得每年最高不超過 500,000 元人民幣的住房補貼及子女教育補貼。洪沨博士,1960年生于上海,美國國籍。于1983年獲得復旦大學物理學士學位,于1986年獲得復旦大學電子工程碩士學位,于1993年獲得美國北卡羅萊納州立大學材料科學與工程博士學位...
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