半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)（中）↑ 此文件僅供參考學(xué)習(xí)，勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)（上）↑ 此文件僅供參考學(xué)習(xí)，勿用于商業(yè)用途在半導(dǎo)體制造中，許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù)，用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜，其作用是：在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域。↑ 掩膜通常在光罩上形成圖形的基本步驟和硅片相似，一般來說光罩的制作分為數(shù)據(jù)處理部分和工藝制造部分?！?#160; 光掩膜制作流程1、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換：將如GDSII版圖格式分層，運(yùn)算，格式轉(zhuǎn)換為光刻設(shè)備所知的數(shù)據(jù)形式；2、圖形產(chǎn)生：通過電子束或激光進(jìn)行圖形曝光；3、光阻顯影：曝光多余圖形, 以便進(jìn)行蝕刻；4、鉻層刻蝕對(duì)鉻層進(jìn)行刻蝕, 保留圖形；5、去除光阻去除多余光刻膠；6、尺寸測(cè)量測(cè)量關(guān)鍵尺寸和檢測(cè)圖形定位；7、初始清洗清洗并檢測(cè)作為準(zhǔn)備；8、缺陷檢測(cè)檢測(cè)針孔或殘余未蝕刻盡的圖形；9、缺陷補(bǔ)償對(duì)缺陷進(jìn)行修補(bǔ)；10、再次清洗清洗為加保護(hù)膜版作準(zhǔn)備；11、加保護(hù)膜保護(hù)膜加在主體之上, 這防止灰塵的吸附及傷害；12、最后檢查對(duì)光掩膜作最后檢測(cè)工作, 以確保光罩的正確。延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 硅片的生產(chǎn)過程↑ 此文件僅供參考學(xué)習(xí)，勿用于商業(yè)用途單晶硅片制備階段，需要將硅單晶棒加工成具有高面型精度和表面質(zhì)量的原始硅片或光片，為IC前半制程中的光刻等工序準(zhǔn)備平坦化超光滑無損傷的襯底表面。對(duì)直徑Φ≤ 200mm的硅片，傳統(tǒng)的硅片加工工藝流程為：?jiǎn)尉L(zhǎng)→切斷→外徑滾磨→切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→包裝。↑ 硅片加工工藝流程延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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華林科納生產(chǎn)的清洗機(jī)中，QDR 快排沖洗槽是不可缺少的一部分，它主要用于去除晶圓表面微粒雜質(zhì)和殘留化學(xué)藥液，使晶圓表面潔凈。QDR 是晶圓濕法清洗中最重要的一個(gè)清洗工藝模塊，主要由噴淋槽、溢流槽、勻流板、快排汽缸體、噴嘴噴管、管路和管件等組成?！?QDR 示意圖槽體由進(jìn)口 NPP 板材焊接加工而成，由安裝在槽體底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及頂部左右兩側(cè)的 DI 水噴嘴實(shí)現(xiàn)槽體的快速注入與排放，有氮?dú)夤呐莨δ堋Ｔ谝缌髋欧趴诎惭b有 DIW 電阻率檢測(cè)儀，可對(duì)沖洗溢流的水質(zhì)適時(shí)檢控。一、噴淋管路上噴淋管路共有兩路， 形成相互交叉噴淋，但去離子水不宜直接噴淋沖洗晶圓表面，因晶圓在水蝕作用下直接噴淋晶圓表面，易產(chǎn)生微粒污泥而污染晶圓表面，因此，在去離子水的噴淋過程中，需要對(duì)沖洗水壓、水量、方向和角度作出調(diào)整測(cè)試，以達(dá)到微粒污染少的最佳效果。 良好的噴嘴所噴淋范圍涵蓋全部晶圓及片盒； 而不良的噴淋沖洗形狀，沒有涵蓋全部晶圓及片盒， 未被噴淋沖洗的死角地帶，微粒、雜質(zhì)及化學(xué)藥液殘留含量仍然很高，而達(dá)不到良好的清洗效果。二、氮?dú)夤呐萆蠂娏芡瑫r(shí)， 下噴淋管路由底部?jī)蓚?cè)不斷進(jìn)水，而后由內(nèi)槽上沿四周溢出，這樣，每個(gè)晶圓片縫、各處邊角的去離子水都能連續(xù)得到更新。 同時(shí)，純凈氮?dú)庥上聡娏芄苈愤M(jìn)入槽體。 氮?dú)夤呐萦幸韵聨讉€(gè)作用：（1）增加了去離子水的沖刷力，對(duì)槽體本身有很好的自清洗作用；（2）晶圓在水...
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濕法腐蝕是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)加工中不可或缺的工藝，是利用化學(xué)反應(yīng)腐蝕特定區(qū)域的硅進(jìn)行刻蝕，其中，SiO2的腐蝕是用HF來實(shí)現(xiàn)的，藥液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蝕速度快，因而均使用 NH4F（氟化銨）作為緩沖劑來減慢腐蝕速度。普通叫做緩沖腐蝕。此種工藝在常溫下進(jìn)行，而根據(jù)我國(guó)南北方生產(chǎn)的需要為了維持常溫，在北方，往往要配合小功率（200~300 W）的投入式加熱器，以防止反應(yīng)結(jié)晶；而在南方則需加入冷卻盤管，以適當(dāng)控制溫度。一般工藝槽體材質(zhì)選用 PVDF 材質(zhì)。除此之外，管路中還需接入泵來提供藥液的循環(huán)動(dòng)力。由于隔膜泵在連續(xù)不間斷工作時(shí)膜片使用壽命較短，更換膜片頻繁，目前這種應(yīng)用方式逐漸被風(fēng)囊泵所取代。因此藥液的循環(huán)過濾：由風(fēng)囊泵、過濾器、循環(huán)溢流槽、閥門、管件等組成藥液的循環(huán)系統(tǒng)。實(shí)現(xiàn)藥液的循環(huán)過濾，保證工藝槽藥液溫度和濃度的均勻性。↑ 二氧化硅腐蝕的循環(huán)管路示意圖近幾年來，伴隨著硅片的大直徑化，器件結(jié)構(gòu)的超微小化、高集成化，華林科納適應(yīng)著時(shí)代的發(fā)展，在不斷的競(jìng)爭(zhēng)中，有廣泛的市場(chǎng)前景和發(fā)展空間。延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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華林科納研發(fā)的單片清洗設(shè)備已升級(jí)為單腔多層的機(jī)臺(tái)類型，可以支持多種溶液在一個(gè)反應(yīng)腔里相繼進(jìn)行腐蝕清洗工作。該設(shè)備里配有承接晶片的承片臺(tái)，它載著硅片變換不同的高度。在不同高度處，會(huì)有不同的溶液噴到正在旋轉(zhuǎn)的晶片表面，完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收區(qū)域，酸液即可被循環(huán)使用?！?單腔多層腔體結(jié)構(gòu)示意圖延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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旋轉(zhuǎn)噴淋清洗是浸入型清洗的變型。系統(tǒng)中一般包括自動(dòng)配液系統(tǒng)、清洗腔體、廢液回收系統(tǒng)。噴淋清洗在一個(gè)密封的工作腔內(nèi)一次完成化學(xué)清洗、去離子水沖洗、旋轉(zhuǎn)甩干等過程，減少了在每一步清洗過程中由于人為操作因素造成的影響。在噴淋清洗中由于旋轉(zhuǎn)和噴淋的效果，使得硅片表面的溶液更加均勻，同時(shí)，接觸到硅片表面的溶液永遠(yuǎn)是新鮮的，這樣就可以做到通過工藝時(shí)間設(shè)置，精確控制硅片的清洗腐蝕效果，實(shí)現(xiàn)很好的一致性。密封的工作腔可以隔絕化學(xué)液的揮發(fā)，減少溶液的損耗以及溶液蒸氣對(duì)人體和環(huán)境的危害。各系統(tǒng)分別貯于不同的化學(xué)試劑，在使用時(shí)到達(dá)噴口之前才混合，使其保持新鮮，以發(fā)揮最大的潛力，這樣在清洗時(shí)會(huì)反應(yīng)最快。用N2噴時(shí)使液體通過很小的噴口，使其形成很細(xì)的霧狀，至硅片表面達(dá)到更好的清洗目的。此方法適用于除去氧化膜或有機(jī)物。因?yàn)榛瘜W(xué)物質(zhì)在硅片表面停留的時(shí)間比較短，對(duì)反應(yīng)需要一定時(shí)間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學(xué)試劑很少，對(duì)控制成本及環(huán)境保護(hù)有利。延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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![寧波“芯”力量加速崛起]( "寧波“芯”力量加速崛起")
作為我市集成電路產(chǎn)業(yè)“一園三基地”的重點(diǎn)園區(qū)，“芯港小鎮(zhèn)”再次迎來重大發(fā)展機(jī)遇。11月2日上午，中芯寧波200毫米特種工藝（晶圓/芯片）N1產(chǎn)線正式投產(chǎn)，小鎮(zhèn)內(nèi)中芯寧波N2項(xiàng)目、南大光電與安集微電子也將正式動(dòng)工。自2017年開園以來，“芯港小鎮(zhèn)”已簽約落戶14個(gè)集成電路企業(yè)項(xiàng)目，總投資200億元?！?一批集成電路龍頭企業(yè)在我市加速集聚寧波瞄準(zhǔn)集成電路發(fā)展機(jī)遇，搶項(xiàng)目、爭(zhēng)創(chuàng)新、擴(kuò)規(guī)模，全市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入新拐點(diǎn)，一批支撐項(xiàng)目開工投產(chǎn)，取得明顯效益。數(shù)據(jù)顯示，2018年前三季度，我市集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值127.6億元，同比增長(zhǎng)9.8%；實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)13.36億元；實(shí)現(xiàn)利稅16.48億元。60余個(gè)項(xiàng)目落戶 “芯光”照亮創(chuàng)業(yè)路“目前，我們的設(shè)備正準(zhǔn)備打包發(fā)往國(guó)內(nèi)，如果一切順利，預(yù)計(jì)2019年9月可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！痹诮张e行的中國(guó)半導(dǎo)體材料和零部件創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)上，已在國(guó)外生活、工作30余年的華菲難掩回國(guó)創(chuàng)業(yè)的激動(dòng)之情。2018年3月，看好寧波集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景與氛圍的華菲來到故土，并在余姚成立了寧波華芯電子科技有限公司。華菲說，在國(guó)內(nèi)，小于100微米的高端半導(dǎo)體焊球以及高可靠性焊球的制造技術(shù)仍屬空白。如果在甬發(fā)展順利，她將加大投資，將研發(fā)及生產(chǎn)的觸角伸至更多集成電路領(lǐng)域?！靶靖坌℃?zhèn)”開園未滿一年，便吸引了中科院寧波微電子應(yīng)用研究院、集成電路材料和零部件聯(lián)盟寧波產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心等兩個(gè)技術(shù)...
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硅晶圓大廠合晶今(26)日舉行鄭州新廠啟用典禮，第一階段為月產(chǎn)能20萬(wàn)片的8吋產(chǎn)能，明年正式量產(chǎn)后，全年產(chǎn)值可望達(dá)5億人民幣，第二階段則規(guī)畫12吋產(chǎn)能20萬(wàn)片、磊晶產(chǎn)能7萬(wàn)片，部分資金已到位，待兩階段產(chǎn)能均啟用后，年產(chǎn)值可望上看20億人民幣。合晶今日舉行啟用典禮，鄭州合晶為合晶與鄭州空港經(jīng)濟(jì)綜合實(shí)驗(yàn)區(qū)合資成立，為鄭州地方政府取得的首個(gè)半導(dǎo)體投資案，其中，合晶持股約6成，雙方合資投資額共12億人民幣，第一階段為一條月產(chǎn)能20萬(wàn)片的8吋產(chǎn)線，12月開始送樣，合晶鄭州董事長(zhǎng)劉蘇生表示，明年正式量產(chǎn)后，全年產(chǎn)值可望達(dá)5億人民幣。在第一階段鄭州8 吋廠啟用后，合晶第二階段計(jì)劃透過具有磊晶生產(chǎn)能力的12 吋廠，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)布局。合晶12 吋廠也將采取合資形式，董事長(zhǎng)焦平海就提到，「跨足12 吋是必然的」。據(jù)悉，12吋廠資金預(yù)計(jì)投入45億人民幣，目前部分資金已到位，月產(chǎn)能規(guī)劃為12吋產(chǎn)能20萬(wàn)片、磊晶產(chǎn)能7萬(wàn)片，最快可望于2020年量產(chǎn)，劉蘇生表示，待兩階段產(chǎn)能均到位后，年產(chǎn)值可望上看20億人民幣。目前合晶臺(tái)灣楊梅廠為6 吋重?fù)焦杈A產(chǎn)能，月產(chǎn)能為33 萬(wàn)片；龍?zhí)稄S為8 吋硅晶圓產(chǎn)能，將由目前的30 萬(wàn)片逐月增加至年底的32 萬(wàn)片。在中國(guó)的產(chǎn)能部分，揚(yáng)州廠主力為8 吋以下單晶晶棒；上海晶盟磊晶廠將在明年農(nóng)歷年前，月產(chǎn)能達(dá)20 萬(wàn)片。合晶總經(jīng)理陳春霖表示，第一期產(chǎn)能預(yù)計(jì)12 月初送樣客戶端認(rèn)證，認(rèn)證時(shí)...
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隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小，這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能，槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿足需求，單片式設(shè)備可以利用很少的藥液達(dá)到槽式工藝不能達(dá)到的水準(zhǔn)，因此單片式刻蝕、清洗設(shè)備開始在半導(dǎo)體制造過程中發(fā)揮越來越大的作用?！?單片式刻蝕清洗在全自動(dòng)單片清洗設(shè)備中，由于大而薄的硅片對(duì)夾緊力較為敏感，再加上硅片的翹曲率不同，因此對(duì)于硅片的抓取、傳輸提出了更高的要求。華林科納研發(fā)的全自動(dòng)單片式清洗設(shè)備采用伯努利非接觸式抓取，不接觸wafer，做到有效的傳送，確保不破片。什么是“伯努利原理”？丹尼爾·伯努利，是瑞士物理學(xué)家、數(shù)學(xué)家、醫(yī)學(xué)家，他是伯努利這個(gè)數(shù)學(xué)家族中最杰出的代表。伯努利成功的領(lǐng)域很廣，除流體動(dòng)力學(xué)這一主要領(lǐng)域外，還有天文測(cè)量、引力、行星的不規(guī)則軌道、磁學(xué)、海洋、潮汐等。伯努利在1726年首先提出：“在水流或氣流里，如果速度小，壓強(qiáng)就大；如果速度大，壓強(qiáng)就小”。我們稱之為“伯努利原理”。↑ 伯努利（Daniel Bernouli,1700～1782）小時(shí)候的課堂上，做過這樣的小實(shí)驗(yàn)。我們拿著兩張紙，往兩張紙中間吹氣，會(huì)發(fā)現(xiàn)紙不但不會(huì)向外飄去，反而會(huì)被一種力擠壓在了一起。因?yàn)閮蓮埣堉虚g的空氣被我們吹得流動(dòng)的速度快，壓力就小，而兩張紙外面的空氣沒有流動(dòng)，壓力就大，所以外面力量大的空氣就把兩張紙“壓”在了一起。這就是“伯...
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