![半導(dǎo)體謹(jǐn)防資源錯(cuò)配]( "半導(dǎo)體謹(jǐn)防資源錯(cuò)配")
集成電路產(chǎn)業(yè)大多環(huán)節(jié)需要十年以上的積累方顯成效，涌入的資金并不能在短期內(nèi)全面提升行業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，相反，越來越多的企業(yè)開始感受到資本“過熱”帶來的煎熬。在“風(fēng)口”上站了接近三年之后，中國集成電路產(chǎn)業(yè)依然受資本熱捧。并且，中興事件之后，越來越多的地方政府、社會(huì)資本介入集成電路產(chǎn)業(yè)。2018年兩會(huì)之后，國內(nèi)提出發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的主要城市已經(jīng)達(dá)到30個(gè)，其中多地政府成立了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金，預(yù)計(jì)募集基金規(guī)模已經(jīng)超過3000億元。但是，集成電路產(chǎn)業(yè)大多環(huán)節(jié)需要十年以上的積累方顯成效，涌入的資金并不能在短期內(nèi)全面提升行業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，相反，越來越多的企業(yè)開始感受到資本“過熱”帶來的煎熬。“很多新公司成立、有積累的公司也要擴(kuò)張，高價(jià)挖人隨處可見?！痹诮照匍_的2018集微半導(dǎo)體峰會(huì)上，多家集成電路企業(yè)人士告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，“突然之間就感受到了人才成本的快速上漲，尤其是關(guān)鍵人才，都在搶。大陸半導(dǎo)體的人才成本已經(jīng)超過了臺(tái)灣地區(qū)，而上海半導(dǎo)體人才的薪水已經(jīng)快逼近硅谷?！遍L(zhǎng)期的落后使得中國集成電路一直維持著相對(duì)分散的格局，產(chǎn)業(yè)集中度遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于美國、中國臺(tái)灣地區(qū)。引導(dǎo)人才、資本、技術(shù)、市場(chǎng)份額向優(yōu)勢(shì)企業(yè)集中是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路，但現(xiàn)在，陸續(xù)涌入但相對(duì)分散的資本已經(jīng)漸漸偏離了主航道?！耙缓宥稀钡馁Y源錯(cuò)配根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2017年，中國前十大集成電路設(shè)計(jì)公司總收入...
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新華社北京9月6日電（記者胡喆）記者從科技部公布的信息了解到，近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。項(xiàng)目重點(diǎn)圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)中的關(guān)鍵材料、關(guān)鍵器件以及關(guān)鍵工藝進(jìn)行研究，開發(fā)出基于新型基板的第三代半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)智能家居演示系統(tǒng)的試制。專家介紹，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。據(jù)悉，項(xiàng)目為滿足對(duì)應(yīng)高性能封裝和低成本消費(fèi)級(jí)封裝的需求，研制出高帶寬氮化鎵發(fā)光器件及基于發(fā)光器件的可見光通信技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)智能家居演示系統(tǒng)的試制；開展第三代半導(dǎo)體封裝和系統(tǒng)可靠性研究，形成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范；制備出高性能碳化硅基氮化鎵器件。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破，自主發(fā)展出相關(guān)材料與器件的關(guān)鍵技術(shù)，有助于支撐我國在節(jié)能減排、現(xiàn)代信息工程、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。來源：新華網(wǎng)延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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今年是集成電路（IC）發(fā)明60周年，過去60年來，裝載著IC的電腦、筆電、手機(jī)與網(wǎng)路，讓資訊運(yùn)算能力大幅提升，也大大改變了人類的生活模式。人類生活模式的改變，特別是溝通與接收訊息方式，又進(jìn)一步迫使IC運(yùn)算能力必須相對(duì)提升。集成電路的發(fā)展速度飛快，20多年前，一顆IC的尺寸是1微米，幾乎是現(xiàn)今的100倍，儲(chǔ)存容量相差達(dá)萬倍以上。過去，一臺(tái)電腦幾乎要一個(gè)房間才能容納得下，如今，一支小小手機(jī)上的芯片功能就已超越過去電腦的運(yùn)算能力。雖然每隔1～1．5年，半導(dǎo)體芯片功能可強(qiáng)大兩倍的摩爾定律，在未來十年內(nèi)仍然有效，不過，也有很多人擔(dān)心盡頭即將到來。當(dāng)傳統(tǒng)硅芯片透過曝光、顯影等制程技術(shù)而來到極限時(shí)，下一步，人類該如何讓半導(dǎo)體芯片功能繼續(xù)強(qiáng)大呢？透過異構(gòu)整合技術(shù)的非傳統(tǒng)芯片，成了市場(chǎng)開始思考的解決出路。異構(gòu)整合，指的是將不同芯片透過封裝或其他技術(shù)放在一起，使芯片功能更強(qiáng)大。不只符合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)縮小體積的追求，將不同功能的IC透過封裝與半導(dǎo)體制程，整合到另外一片硅晶圓或其他半導(dǎo)體材料上，可提高設(shè)計(jì)開發(fā)的效率，還能突破硅物理限制，將硅材料應(yīng)用到不同領(lǐng)域。例如，過去存儲(chǔ)器與中央處理器的芯片是分開的，如今，兩者整合已成為趨勢(shì)。不僅如此，包括把傳感器與非硅材如LED或通訊芯片等結(jié)合在一起，也是現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的熱門方向。一般說來，異質(zhì)整合具備兩大優(yōu)勢(shì)：第一，在進(jìn)行IC設(shè)計(jì)時(shí)，不需要把所有功能設(shè)計(jì)在同一個(gè)芯片上...
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2017年以來，受存儲(chǔ)器價(jià)格上漲等因素支撐，全球半導(dǎo)體經(jīng)歷了一輪高增長(zhǎng)的景氣周期。可是，進(jìn)入2018年下半年業(yè)界對(duì)市場(chǎng)的未來走勢(shì)開始出現(xiàn)分歧，部分業(yè)者謹(jǐn)慎看待后市，半導(dǎo)體市場(chǎng)2018年下半年及2019年恐將面臨減速，甚至是遇上“亂流”。景氣周期峰值已過，下半年將減速?2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)21.6%，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4122億美元，成為近段時(shí)期少見的高增長(zhǎng)。受此趨勢(shì)帶動(dòng)，今年年初之際，各個(gè)分析機(jī)構(gòu)對(duì)于2018年市況均給予了相對(duì)樂觀的預(yù)測(cè)：IC Insights預(yù)測(cè)，2018年全球半導(dǎo)體銷售收入可達(dá)5091億美元，同比增長(zhǎng)14.00%;Gartner預(yù)測(cè)，銷售收入4510億美元，同比增長(zhǎng)7.6%;SIA預(yù)測(cè)，銷售收入4634億美元，同比增長(zhǎng)12.4%。而2018年上半年的走勢(shì)也大體印證了這一判斷。根據(jù)SIA公布的數(shù)字，受益于DRAM價(jià)格繼續(xù)維持相對(duì)高位，2018年第二季度全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到1179億美元，同比增長(zhǎng)20.4%，較2018年第一季度環(huán)比增長(zhǎng)6.00%。然而進(jìn)入下半年后，業(yè)界對(duì)市場(chǎng)未來走勢(shì)開始出現(xiàn)不同聲音。摩根士丹利在報(bào)告中警告，芯片廠商的庫存逼近十年的最高水平，行業(yè)已出現(xiàn)過熱跡象。設(shè)備業(yè)是半導(dǎo)體業(yè)的“晴雨表”。全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備公司應(yīng)用材料公司股價(jià)由2018年3月時(shí)的62美元，至8月時(shí)為43美元，下跌近30%，表明公司今年的業(yè)績(jī)不容樂觀。SEMI公布的最新Bil...
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![SEMI：最新半導(dǎo)體設(shè)備出貨報(bào)告]( "SEMI：最新半導(dǎo)體設(shè)備出貨報(bào)告")
晶圓代工業(yè)者陸續(xù)釋出今年第3季旺季不旺訊息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）公布最新半導(dǎo)體設(shè)備出貨報(bào)告，6月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額為24．8億美元，比5月下滑8％，雖比去年同期成長(zhǎng)8．1％，卻是今年首見出貨下滑，反映半導(dǎo)體廠下半年資本支出趨保守。SEMI表示，整體來看今年每月出貨金額仍優(yōu)于去年同期，還是對(duì)今年半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣表示樂觀。整體銷售還將增長(zhǎng)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）日前發(fā)布年中預(yù)測(cè)報(bào)告，表示2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額將成長(zhǎng)10．8％，達(dá) 627億美元，超越去年所創(chuàng)下566億美元的歷史高點(diǎn)。2019年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售金額可望續(xù)創(chuàng)新高，預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)7．7％，達(dá)到676億美元。SEMI年中預(yù)測(cè)報(bào)告指出，2018年“晶圓處理設(shè)備”預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)11．7％，達(dá)到508億美元。“其他前端設(shè)備”，包括晶圓廠設(shè)備、晶圓制造，以及光罩／倍縮光罩設(shè)備，預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)12．3％，達(dá)到28億美元。2018年“封裝設(shè)備”預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)8．0％，達(dá)到42億美元，“半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備”今年預(yù)計(jì)成長(zhǎng)3．5％，達(dá)到49億美元。以各區(qū)域市場(chǎng)來看，2018年韓國將連續(xù)第二年蟬聯(lián)全球最大設(shè)備市場(chǎng)，中國今年首次位居第二，臺(tái)灣第三。在成長(zhǎng)率部分，SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，中國市場(chǎng)在外資企業(yè)的積極投資下，今年的成長(zhǎng)幅度最大（43．5％），其次分別為日本（32．1％）、東南亞（19．3％）、歐洲（11．6％）、北美...
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上一期給大家講解了關(guān)于半導(dǎo)體硅片清洗設(shè)備及裝置，接下來我相信大家也很想了解一下關(guān)于，半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)清洗設(shè)備的主要部件的設(shè)計(jì)：晶圓清洗主要去除吸附在晶圓表面的各種雜質(zhì)粒子，如微粒、有機(jī)物、無機(jī)金屬離子等，使晶圓的表面潔凈度達(dá)到 ULSI 工藝要求。 濕法晶圓清洗的原理是使用各種化學(xué)藥液與晶圓表面各種雜質(zhì)粒子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成溶于水的物質(zhì)，再用高純水沖洗，依次去除晶圓表面各雜質(zhì)。一、加熱酸槽設(shè)計(jì)在半導(dǎo)體清洗工藝中，有些化學(xué)試劑在處理晶圓時(shí)，對(duì)溫度有要求，通常，需要進(jìn)行加熱，如SC1、SC2 在 RAC 清洗工藝中就要求溫度在 70~80 ℃ 。我們?cè)谶x擇這些加熱酸槽材質(zhì)時(shí)，一般選用石英材質(zhì)。加熱酸槽一般由石英槽體、加熱器、液位保護(hù)裝置、溫度檢測(cè)裝置、排放裝置及電氣控制裝置等主要部分組成。由于我們所設(shè)計(jì)的加熱器是內(nèi)置投放式，故對(duì)所選加熱器的要求比較高，不僅能耐酸，而且還要求能耐高溫。 我們所選加熱器所有的加熱絲及其導(dǎo)線都是用 PFA 包裹起來的， 而且外包的 PFA 材質(zhì)十分潔凈，不會(huì)對(duì)酸液有所污染。 加熱器的加熱功率根據(jù)槽體的容積選取。由于加熱器是置于槽體底部，所以，液位保護(hù)裝置優(yōu)為重要。 液位保護(hù)裝置主要用于檢測(cè)石英槽內(nèi)是否有酸液，防止加熱器在沒有酸液的情況下工作而發(fā)生危險(xiǎn)。 溫度檢測(cè)裝置主要用于檢測(cè)石英槽內(nèi)酸液的溫度， 將檢測(cè)的溫度信號(hào)反饋給溫度器，由溫控器實(shí)現(xiàn)溫度控制。...
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![第三代半導(dǎo)體器件制備發(fā)展迅速 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨升級(jí)]( "第三代半導(dǎo)體器件制備發(fā)展迅速 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨升級(jí)")
我國是全球第二大經(jīng)濟(jì)體，經(jīng)濟(jì)發(fā)展已經(jīng)邁上高質(zhì)量發(fā)展階段。提高關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新能力，關(guān)乎經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展和國家民族未來。中興事件的興起，中美貿(mào)易事件的發(fā)酵，反面折射出了半導(dǎo)體等核心零部件技術(shù)的薄弱，一時(shí)引起了社會(huì)尤其中國科技界的深思。要想擺脫“卡脖子”的殘酷命運(yùn)，我國高端核心技術(shù)的發(fā)展還需要更多自主創(chuàng)新。材料強(qiáng)國是科技強(qiáng)國的基礎(chǔ)，第三代半導(dǎo)體材料扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的角色，也正日益成為國際、國內(nèi)科技和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心領(lǐng)域之一。基于高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，第三代半導(dǎo)體材料更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。在移動(dòng)通訊、能源互聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、以至國防軍備等產(chǎn)業(yè)，日逐成為美、歐、日各國競(jìng)相布局的重要領(lǐng)域。目前，我國第三代半導(dǎo)體已列入2030年國家新材料重大項(xiàng)目七大方向之一，正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。打破壟斷、提高國產(chǎn)化率生產(chǎn)，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備自主可控。為此，《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》、《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》、《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》、《半導(dǎo)體管特性圖示儀校準(zhǔn)儀校準(zhǔn)規(guī)范》、《半導(dǎo)體照明設(shè)備和系統(tǒng)的光輻射安全測(cè)試方法》等國家政策、方法標(biāo)準(zhǔn)密集發(fā)布，在促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面成效顯著。近日，863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目通過驗(yàn)收。項(xiàng)目開發(fā)出基于新型基板的第三代半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)；開展第三代半導(dǎo)體封裝...
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![政策大力支持半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展 提高國產(chǎn)化率迫在眉睫]( "政策大力支持半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展 提高國產(chǎn)化率迫在眉睫")
國產(chǎn)化率低、政策大力支持發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備鏈?zhǔn)侵伟雽?dǎo)體行業(yè)的上游基礎(chǔ)子產(chǎn)業(yè)，投資價(jià)值巨大，按生產(chǎn)工藝流程可分為前段硅片制備、中段晶圓加工、后段封裝測(cè)試。硅片制備需要設(shè)備為減薄機(jī)、單晶爐、研磨機(jī)等；晶圓加工環(huán)節(jié)則需要熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、清洗設(shè)備等；在封裝測(cè)試環(huán)節(jié)需要切割機(jī)、裝片機(jī)、鍵合機(jī)、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等設(shè)備；此外，還需要潔凈室等設(shè)備作為輔助設(shè)備。從品類上看，半導(dǎo)體設(shè)備則可分為晶圓處理設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備和其他設(shè)備，其他設(shè)備包括硅片制造設(shè)備、潔靜設(shè)備、光罩等。這些設(shè)備分別對(duì)應(yīng)集成電路制造、封裝、測(cè)試和硅片制造等工序，分別用在集成電路生產(chǎn)工藝的不同工序里。由于國際巨頭壟斷著全球高端設(shè)備市場(chǎng)，目前，我國半導(dǎo)體設(shè)備普遍國產(chǎn)化率很低，如光刻機(jī)、離子注入設(shè)備、氧化擴(kuò)散設(shè)備國產(chǎn)化率均低于10%，刻蝕機(jī)約10%，CVD/PVD設(shè)備約10%-15%，封測(cè)設(shè)備國產(chǎn)化率普遍小于20%。為此，打破壟斷、提高國產(chǎn)化率是當(dāng)務(wù)之急，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備自主可控。在此背景下，國家產(chǎn)業(yè)政策大力支持，出臺(tái)了02專項(xiàng)，即國家“極大規(guī)模集成電路制:造技術(shù)及成套工藝”項(xiàng)目，在“十二五”期間著重進(jìn)行了45-22納米關(guān)鍵制造裝備攻關(guān)，開發(fā)32-22納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝、90-65納米特色工藝，開展22-14納米前瞻性研究，形成65-45納米裝備、材料、工藝配...
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隨著集成電路制程工藝節(jié)點(diǎn)越來越先進(jìn)，對(duì)實(shí)際制造的幾個(gè)環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對(duì)雜質(zhì)含量越來越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會(huì)引入一些顆粒、有機(jī)物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進(jìn)行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。今天《半導(dǎo)體小課堂》帶大家細(xì)數(shù)一下，常用的四種半導(dǎo)體硅片清洗設(shè)備及裝置：1、浸入式濕法清洗槽濕法化學(xué)清洗系統(tǒng)既可以是浸入式的又可以是旋轉(zhuǎn)式的。一般設(shè)備主要包括一組濕法化學(xué)清洗槽和相應(yīng)的水槽，另外還可能配有甩干裝置。硅片放在一個(gè)清洗專用花籃中放人化學(xué)槽一段指定的時(shí)間，之后取出放人對(duì)應(yīng)的水槽中沖洗。對(duì)于清洗設(shè)備的設(shè)計(jì)來說，材料的選擇至關(guān)重要。使用時(shí)根據(jù)化學(xué)液的濃度、酸堿度、使用溫度等條件選擇相應(yīng)的槽體材料。從材質(zhì)上來說一般有NPP、PVDF、PrFE、石英玻璃等。例如：PVDF、IyIFE、石英玻璃等一般用在需加熱的強(qiáng)酸強(qiáng)堿清洗，其中石英玻璃不能用在HF清洗中，NPP一般用在常溫下的弱酸弱堿清洗。而常溫化學(xué)槽，一般為NPP材料?！鴪D1 石英加熱槽槽內(nèi)溶液可加熱到180℃甚至更高，它一般由石英內(nèi)槽、保溫層、塑料(PP)外槽組成。石英槽加熱可以通過粘貼加熱膜或者直接在石英玻璃上涂敷加熱材料實(shí)現(xiàn)。石英槽內(nèi)需...
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半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于產(chǎn)業(yè)鏈的上游，是推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料應(yīng)用于集成電路、LED等多個(gè)領(lǐng)域，其中以集成電路的占比和技術(shù)難度最高。一、半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造（前道，F(xiàn)ront-End）和封裝（后道，Back-End）測(cè)試，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱為中道（Middle-End）。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多，所以在制造過程中需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備和材料。在這里，我們以最為復(fù)雜的晶圓制造（前道）和傳統(tǒng)封裝（后道）工藝為例，說明制造過程的所需要的設(shè)備和材料?！呻娐樊a(chǎn)業(yè)鏈晶圓生產(chǎn)線可以分成7個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)域：擴(kuò)散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長(zhǎng)（Dielectric Deposition）、拋光（CMP）、金屬化（Metalization）。這7個(gè)主要的生產(chǎn)區(qū)和相關(guān)步驟以及測(cè)量等都是晶圓潔凈廠房進(jìn)行的。在這幾個(gè)生產(chǎn)區(qū)都放置有若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。例如在光刻區(qū)，除了光刻機(jī)之外，還會(huì)有配套的涂膠/顯影和測(cè)量設(shè)備?！冗M(jìn)封裝技術(shù)及中道（Middle-End）技術(shù)▲IC晶圓制造流程圖二、IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料▲傳統(tǒng)封裝工藝流程傳統(tǒng)封裝（后道）測(cè)...
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2018
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