掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料標準的半導體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導體制造的傳統(tǒng)封裝工藝中，襯底（晶圓）被研磨到指定的厚度，然后進行芯片分離（劃片、切割工藝）。 工藝流程1：各設備加工（單機）（每一步均由獨立設備執(zhí)行）保護膠帶（背面研磨用BG膠帶）層壓在晶圓表面的電路上，晶圓背面研磨至指定厚度，然后從晶圓表面去除保護膠帶。接下來，將切割膠帶（用于切割）安裝到晶圓背面，并將晶圓從表面切割成芯片。切割膠帶可防止芯片在切割后飛散。工藝流程 2：部分使用在線設備進行加工 &#...
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太陽能因其可再生與清潔環(huán)保等特性被廣泛關注，太陽能電池片生產(chǎn)廠家也越來越多。太陽能電池工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電于轉(zhuǎn)換反應，根據(jù)所用材料的不同，太陽能電池可分為：硅基太陽能電池和薄膜電池，但由于其光能轉(zhuǎn)換效率的參差不齊，很多電池片廠家都在積極尋找新的高效電池材料及制作工藝，今天華林科納CSE的技術工程師也給大家講講硅基太陽能電池。一、硅太陽能電池1．硅太陽能電池工作原理與結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)電的原理主要是半導體的光電效應，一般的半導體主要結(jié)構(gòu)如下：圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。當硅晶體中摻入其他的雜質(zhì)，如硼、磷等，當摻入硼時，硅晶體中就會存在著一個空穴，它的形成可以參照下圖：圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因為硼原子周圍只有3個電子，所以就會產(chǎn)生入圖所示的藍色的空穴，這個空穴因為沒有電子而變得很不穩(wěn)定，容易吸收電子而中和，形成P（positive）型半導體。 同樣，摻入磷原子以后，因為磷原子有五個電子，所以就會有一個電子變得非常活躍，形成N（negative）型半導體。黃色的為磷原子核，紅色的為多余的電子。如下圖。 P型半導體中含有較多的空穴，而N型半導體中含有較多的電子，這樣，當P型和N型半導體結(jié)合在一起時，就會在接觸面形成電勢差，這就是...
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1/我國絕緣雙極性晶體管（IGBT）首次出口海外市場近日，中車株洲電力機車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品，成功中標印度機車市場，將用于該國電力貨運重載機車改造升級項目，這是該產(chǎn)品首次出口海外。 2/看好智能汽車發(fā)展,促成最大半導體收購案誕生據(jù)《華爾街日報》稱,高通周四斥資390億美元收購恩智浦半導體公司(NXP Semiconductors NV),這是半導體行業(yè)有史以來最大的收購案,也是整個科技行業(yè)歷史上第二大交易案 3/兩岸半導體競合大打擦邊球戰(zhàn)術 LCD驅(qū)動IC供應鏈轉(zhuǎn)移中大陸投資半導體產(chǎn)業(yè)幾乎已經(jīng)勢不可擋，清華紫光集團原本預計投資臺系IC封測大廠的硅品、力成、南茂，但業(yè)界認為，基本上隨著臺灣政策將半導體產(chǎn)業(yè)視為具有戰(zhàn)略高度產(chǎn)業(yè)，“以拖待變”戰(zhàn)術使得紫光集團不得其門而入。然而，隨著與大陸競合多空不一的爭論持續(xù)，全球晶圓代工龍頭臺積電仍不改其于南京設立12吋晶圓廠的計劃并已經(jīng)進行，使得臺灣半導體業(yè)界也深知不與大陸合作，幾乎是逆勢而行。 4/華嶺股份:國內(nèi)集成電路第三方測試龍頭IC產(chǎn)業(yè)鏈帶動測試服務需求,獨立測試企業(yè)應運而生:IC測試主要是對芯片、電路產(chǎn)品的功能、性能測試,最近幾年IC封裝測試業(yè)依然保持著每年10%左右的穩(wěn)步增長態(tài)勢,IC封測業(yè)仍是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中占比最大的環(huán)節(jié),比重穩(wěn)定在40%左右。同時IC制造業(yè)和設計業(yè)開...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料在不斷推動制造更小、更薄和更密集的芯片封裝的過程中，半導體行業(yè)更加關注將具有不同功能的單獨制造的組件集成到系統(tǒng)級封裝 (SIP) 中。這種被稱為異構(gòu)集成 (HI) 的方法現(xiàn)在推動了行業(yè)的發(fā)展路線圖。SIP可在緊湊的外形尺寸內(nèi)實現(xiàn)組件之間的高能效、高帶寬連接，并提供增強的功能和改進的操作特性。這使它們成為消費和通信設備等應用的理想選擇。優(yōu)化SIP以用于這些需要更小、更快和消耗更少功率的高需求終端產(chǎn)品意味著使用背面研磨使它們盡可能薄。減薄晶圓需要解決和減輕完整性問題。芯片貼膜 (DAF) 已成為必不可少的用于晶圓制備和引線鍵合單芯片和多芯片堆疊解決方案的分割。應用于晶圓背面的高粘性 DAF 可用作芯片的粘合材料和支撐膜。晶圓分割完成后，受DAF保護的芯片會從支撐帶上取下并放置在基板上。然后以傾斜/偏移模式垂直堆疊多個管芯，并且管芯在邊緣進行引線鍵合。圖 1 顯示了使用金剛石填充 DAF 創(chuàng)建的具有七個芯片層的堆疊芯片器件的示例橫截面。在層壓到 DAF 上之前，將硅晶片減薄至 200 微米，并使用雙軸切割鋸對經(jīng)過 DAF 處理的器件晶片上的芯片進行分割，如圖 2 所示。圖 1：具有高導熱性 DAF 的 7 芯片堆疊。圖 2：用于晶圓切割的雙主軸鋸盡管焊膏會釋氣、空洞并滲入其他區(qū)域，但 DAF 很容易控制。它不僅可以保持模具的鋒利邊緣和形狀，還可以保持模具...
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通過結(jié)合3D全息光刻和2D光刻技術，美國伊利諾伊大學厄巴納—香檳分校的科學家日前開發(fā)出一種適用于大規(guī)模集成電路的高性能3D微電池。研究人員稱，這種微型高能電池具有極其優(yōu)異的性能和可擴展性，為人們提供了無限的想象空間，有望讓很多設備小型化應用成為現(xiàn)實。相關論文發(fā)表在美國《國家科學院學報》上。負責此項研究的伊利諾伊大學材料與工程學教授保羅·布勞恩說，由于小型化儲能技術一直以來都是一個難題，微型設備通常都由片外電池或電源提供能源。其難點主要在于3D電極，這種電極十分復雜，在普通電池上實現(xiàn)的難度都比較大，更不用說片上集成。新技術成功突破了難關，讓很多重要的應用成為了可能。論文第一作者、伊利諾伊大學材料與工程學院研究生寧海龍（音譯）稱，他們采用了一種能夠與現(xiàn)有微電子制造高度兼容的技術，開發(fā)出這種微型3D鋰離子電池。在制造電極時，他們先用3D全息光刻技術來界定電極的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，再用2D光刻技術塑造電極的外部形狀。借助3D全息光刻技術，研究人員通過光束創(chuàng)建出完美的三維結(jié)構(gòu)，讓這種微型電池獲得了性能優(yōu)異的多孔電極，有助于電池內(nèi)部電子和離子的快速傳導。這種方法的顯著優(yōu)勢在于，能讓人們對與電池能量、功率密切相關的參數(shù)進行靈活的調(diào)整，如電極的大小、形狀、表面積、孔隙率和彎曲狀態(tài)等。這為下一代芯片儲能設備的設計制造鋪平了道路。雖然3D全息光刻技術需要對光束進行十分精確的控制，但最近的技術進步已經(jīng)大...
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半導體設備的國產(chǎn)化為什么這么難？！從成本構(gòu)成來看，國產(chǎn)設備企業(yè)和國外企業(yè)相差不大，如關鍵零部件都是采購而來，人員和管理費用也相仿，但是實際上，產(chǎn)業(yè)大環(huán)境卻十分不同。比方說，同是采購零部件，我國企業(yè)因為是進口，所以要承擔稅費，而且有些零部件訂貨需要出口許可證;因為訂貨量相對小很多，采購價格高;產(chǎn)業(yè)配套條件不同，如實現(xiàn)某些設計驗證國內(nèi)企業(yè)要花更高的成本;缺乏人才等。 國產(chǎn)設備的設計水平和國際水平相差并不大，嚴格來說，真正的差距在于，一般國產(chǎn)半導體設備尚處在樣機階段就交給客戶，穩(wěn)定度不夠，這就會導致經(jīng)常down機。 就單單從我們?nèi)A林科納而言，一臺全自動清洗機，選材基本是和國外大廠一樣的，國外進口的零部件還需要承受高額稅費，訂貨量小，價格昂貴，就加工成本來說，絕不低于國外的一線廠家。 國內(nèi)與國外設備的差異無非兩個方面，工藝精度及穩(wěn)定度，然而精度及穩(wěn)定度的實現(xiàn)必須依靠無數(shù)次的實驗校準，整套的量測儀器，直接影響的又是成本及交期。往往采購國內(nèi)設備的廠家都是抱著國內(nèi)設備就該便宜的心態(tài)，價格壓得低的不能再低，交期催的急得不能再急，售后要求高的不能再高，他們不知道我們的利潤除去硬成本和軟成本還剩多少，這就引發(fā)了國內(nèi)設備制造屆的惡性價格戰(zhàn)，有些小廠家為了生存，選用低廉的材料，粗糙的加工工藝，省去了研發(fā)調(diào)試環(huán)節(jié)，他們打贏了價格戰(zhàn)，確輸了國產(chǎn)的名聲。 長此以往，國內(nèi)設...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法相關資料摘要硅晶片是制造集成電路 (IC) 使用最廣泛的基板。IC的質(zhì)量直接取決于硅片的質(zhì)量。制造高質(zhì)量的硅片需要一系列的工藝。同時雙面研磨 (SDSG) 是平整線鋸晶片的工藝之一。本文回顧了有關硅片 SDSG 的文獻，包括歷史、機器開發(fā)（包括機器配置、驅(qū)動和支持系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)）和工藝建模（包括磨痕和晶圓形狀）。它還討論了未來研究的一些可能的主題。 關鍵詞：研磨；加工; 造型; 半導體材料；硅片；同時雙面磨削 介紹集成電路 (IC) 廣泛用于計算機系統(tǒng)、電信、汽車、消費電子、工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)以及國防系統(tǒng)等應用中。超過 90% 的 IC 構(gòu)建在硅片上. 全球每年生產(chǎn)約 1.5 億片不同尺寸的硅片. 2004年，全球硅片和半導體器件產(chǎn)生的收入為73億美元[3] 和 2130 億美元， 分別。作為平整硅片的工藝之一，同步雙面研磨 (SDSG) 具有巨大的潛力以低成本滿足對高質(zhì)量硅片的需求。本文回顧了有關 SDSG 的文獻。在介紹部分之后，第 2 部分簡要回顧了當前可用的壓平硅晶片的工藝、每種工藝的優(yōu)缺點以及 SDSG 的建議應用。第 3 節(jié)總結(jié)了 SDSG 的簡要歷史。第 4 節(jié)介紹了 SDSG 的機器開發(fā)，包括機器配置、驅(qū)動和支持系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)。過程建模SDSG 將在第 5 節(jié)中介紹。最后一節(jié)討論了 SDSG 未來研究的一...
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鍺和鉛在元素周期表中是同屬一族的，后者在很早以前就被古代的人們發(fā)現(xiàn)并利用，但是鍺長時期以來卻沒有被工業(yè)規(guī)模的開采。原因并不是由于鍺在地殼中的含量少，而是因為它是地殼中最為分散的元素之一，含鍺的礦石是很少的。鍺是位于元素周期表(長式)中第4周期第ⅣA族的元素，原子序數(shù)為32。它的左邊是31號元素鎵(金屬)，右邊是33號元素砷(非金屬)，上面是14號元素硅(屬非金屬，可做半導體材料)，下面是50號元素錫(屬金屬元素，但金屬性較弱)，可見鍺處于金屬和非金屬交界處。因為它的質(zhì)地很脆但它的導電性很差，可是它又算不上良好的絕緣體。它介于兩者之間，物理學上稱它為半導體。鍺的電阻率處于硅和錫之間，鍺和硅一樣，能夠制成整流器，把交流電變?yōu)橹绷麟姟ｆN的半導體特性早在1915年就被科學家們發(fā)現(xiàn)了，但由于當時無線電技術剛發(fā)展，半導體材料僅用做收音機的檢波器而已；鍺的原料缺乏，提純困難；鍺制成的整流器性能不如電子管，所以鍺長期未受重視。到第二次世界大戰(zhàn)期間，雷達興起，電子管已不能滿足雷達的要求，人們通過研究發(fā)現(xiàn)鍺能很好地滿足這種要求，然而用鍺制得的電子元件性能總不穩(wěn)定，主要是微粒雜質(zhì)對半導體的性能影響較大，但隨著超純鍺的制得，鍺優(yōu)良的半導體特性就充分顯露出來。用鍺制成的整流器體積小、重量輕、壽命長、機械穩(wěn)定性良好，鍺成為電子工業(yè)的重要材料。近二三十年來，半導體工業(yè)發(fā)展很快。全球半導體市場容量大致以每5年翻一...
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電鍍是國民經(jīng)濟中不可缺少的行業(yè),但歷來也是重度污染行業(yè)。凸點電鍍是最近發(fā)展起來的新型電鍍技術,是將傳統(tǒng)電鍍技術應用于微電子微細加工領域的典型范例。近年來,蓬勃發(fā)展的MEMS電鍍以及超大規(guī)模集成電路銅布線電鍍等高新技術,代表電鍍這門古老的工業(yè)技術正迅速向高技術含量、高精度、高可靠性方向邁進。與傳統(tǒng)電鍍技術一樣,凸點電鍍過程也面臨非常嚴峻的環(huán)境問題,比如氰化物鍍金、含鉛電鍍、節(jié)能節(jié)水、三廢排放與處理等,一旦處理不好,將會對環(huán)境產(chǎn)生巨大危害。本文主要探討在芯片凸點電鍍過程中應用清潔生產(chǎn)技術的考慮和措施。芯片凸點的典型加工流程目前,比較典型的凸點制作工藝流程主要包括焊料凸點制作和金凸點制作。焊料凸點制作工藝流程:清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點→劃片分割→成品。金凸點制作工藝流程:清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→等離子清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。一般來說,凸點制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點工藝還使用金錫、錫、銀、銦、化學鍍鎳等鍍種。凸點電鍍配方及施鍍方式目前,凸點電鍍中會涉及氰化物電鍍、含鉛電鍍等問題。就施鍍方式而言,可能會涉及電鍍、化學鍍,以及物理沉積等。首先,...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要按照典型的雙大馬士革工藝一步一步地識別晶圓斜面、背面和隔離區(qū)的銅(Cu)污染。 物理氣相沉積系統(tǒng)的屏蔽環(huán)不能有效地保護隔離區(qū)和斜面。 此外，銅可能溶解和積聚在用于介質(zhì)后蝕刻清潔的溶劑中。 溶解的銅原子則可能 再沉積在晶圓表面。 此外，粗糙的后側(cè)面比光滑的前側(cè)面更容易捕獲銅原子。 如果背面表面沒有SiO2膜，用稀HF進行化學機械拋光清洗后，不能去除背面表面的Cu。 提出了一種優(yōu)化的單片自旋腐蝕工藝。 以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比為0.5:3:1:0.5時，蝕刻劑性能最佳。 實驗表明，在很短的時間內(nèi)，10 s的后側(cè)清洗可以完全去除后側(cè)表面、斜面和2mm隔離區(qū)的銅。 提出了一種“晶圓漂移”方法，解決了由于蝕刻殘余而導致的邊緣引腳附近的針痕問題。 優(yōu)化后的清洗工藝比以往報道的清洗工藝時間更短，清洗效率更高。 隨著集成電路處理技術的進步，特征尺寸不斷縮小。 由于器件性能和電路密度的提高而縮短。 通道長度和更小的器件幾何形狀，由于金屬線更細更長和它們之間的空間更窄，多電平互連的電阻和電容都增加了。 銅(Cop- per, Cu)因其低電性而被認為是鋁互連材料中最合適的替代材料...
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