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推薦產品 / 產品中心
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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【華林科納(江蘇)CSE--導讀】SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast),指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示,在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產線當中,有30座晶圓設備支出超過5億美元。SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)發(fā)布最新“全球晶圓廠預測報告”(World Fab Forecast),指出全球晶圓廠設備支出再次刷新紀錄。報告顯示,在所有SEMI追蹤的296座前端晶圓廠房與生產線當中,有30座晶圓設備支出超過5億美元。2017年晶圓設備支出(含全新與整新)預計將成長37%,創(chuàng)下550億美元的最新年度支出紀錄。SEMI同時也預測2018年晶圓設備支出成長率將再度攀升5%,同時也將再次寫下580億美元的新紀錄。SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示,先前最高的支出紀錄是2011年創(chuàng)下的400億美元。按目前情勢來看,2017年支出預估將比該數(shù)字高出大約150億美元。若依2017年各地區(qū)支出金額來看,全球最高的是韓國,從2016年的85億美元成長至2017年的195億美元,高達130%的年成長率。根據(jù)全球晶圓廠預測報告,2018年韓國依然將是全球晶圓設備支出最強勁的地區(qū),而中國也將晉升至第二名,達到125億美元(年成長率66%)。此外,美洲、日本、歐洲/中東等地預料也將達到二位數(shù)成長,其他地區(qū)則將繼續(xù)維持在10%以下...
發(fā)布時間: 2017 - 09 - 28
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【華林科納-CSE導讀】“在新需求驅動下,國產半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?!?月26日,在南京開幕的2017中國集成電路產業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上,北方華創(chuàng)(28.94 +1.51%,診股)總裁趙晉榮表示?!霸谛滦枨篁寗酉?,國產半導體裝備(制造業(yè))正進入黃金發(fā)展期?!?月26日,在南京開幕的2017中國集成電路產業(yè)發(fā)展研討會暨第十二屆中國集成電路制造年會上,北方華創(chuàng)(28.94 +1.51%,診股)總裁趙晉榮表示。據(jù)統(tǒng)計,至2020年,全球計劃新建的晶圓廠項目中,有逾四成將落戶中國,帶來巨大投資機會。移動互聯(lián)網催發(fā)了芯片市場的持續(xù)增長,新建晶圓廠的熱潮正在給半導體設備制造商,尤其是國內制造商帶來新機遇。資料顯示,新建一條年產5萬片的最先進12英寸晶圓生產線需投資450億元,其中設備投資占75%以上。據(jù)統(tǒng)計,到2020年,全球將新建62座晶圓廠,其中26座落戶中國,占比高達42%,這給國內半導體裝備制造商帶來了機遇?!暗?020年,僅芯片前端設備的市場規(guī)模就將達到300億美元至400億美元。”中微半導體董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯預計,中微半導體從事的刻蝕和化學薄膜設備將有良好的市場前景?!拔覀兘y(tǒng)計,2016年到2020年,國內共有998億美元總投資,半導體設備投資為748億美元。其中,等離子體刻蝕設備投資大約為134.7億美元,中微的刻蝕機可以分得相當大的...
發(fā)布時間: 2017 - 09 - 27
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LED 芯片是一種將直接電能轉化為光能的半導體器件,是現(xiàn)代信息產業(yè)的核心器件。隨著我國科學技術的不斷進步與微電子設備研制的發(fā)展,國內從事芯片設計制造企業(yè)也逐漸增長到幾百家,但是他們普遍自主知識產權及自主創(chuàng)新設計制造水平不高。LED 芯片制造及高端  封裝技術是技術密集型產業(yè),其發(fā)展水平離不開高端工藝與硬件設備。近年來國內微電子設備產業(yè)急速擴張,而支撐其技術引領的高端設備卻嚴重缺乏,發(fā)展瓶頸逐漸成形。目前產業(yè)高端設備依然依賴國外進口,亟需開發(fā)研制自己的高端設備。LED 封裝就是在保證其芯片無損以及高光取出效率的前提下將外部引線與內部芯片電極相互連接。在整個LED 產業(yè)鏈當中,封裝技術是產業(yè)與市場的連接紐帶,而在 LED 芯片制造和高端封裝過程當中去膠這一工藝過程起著非常重要的作用。1 當前面向 LED 芯片制造和封裝去膠設備現(xiàn)狀  隨著科學技術水平的不斷發(fā)展,集成電路技術現(xiàn)已主要通過凸點封裝模式來大幅提升封裝密度與效率。凸點封裝技術包括了膜沉積、光照、去膠等多項半導體芯片制備技術?,F(xiàn)代高端封裝工藝一般面向 300 mm 晶圓、65 nm 及以下極大規(guī)模集成電路封裝需求,開發(fā)凸點個數(shù)3000 以上、間距 20...
發(fā)布時間: 2017 - 02 - 09
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最新新聞匯總1.先進半導體委任CEO洪沨為執(zhí)行董事;2.浙江金瑞泓全面建成8英寸硅片規(guī)模化生產線;3.藍思周群飛:3D曲面玻璃放量增長機會來臨;4.侵權門再添一員!三星Gear VR涉嫌盜用專利;5.三星大規(guī)模擴增產線 面板、半導體設備廠商喜獲訂單;6.可撓式OLED面板市場規(guī)模將超越硬式OLED 蒸鍍設備廠受惠最多 1.先進半導體委任CEO洪沨為執(zhí)行董事;先進半導體發(fā)布公告,于2017年5月16日舉行的公司周年股東大會批準委任洪沨為第五屆董事會執(zhí)行董事,任期由2017年5月16日至2019年3月1日。洪沨博士自 2017 年 2 月 6 日起被委任為公司首席執(zhí)行官。根據(jù)洪沨博士與該公司簽定首席執(zhí)行官之委任的合同,期限自 2017 年 2 月 6 日至 2020 年 2 月 5 日。根據(jù)該合同,洪將獲得每年幣 2,112,768 元人民幣的薪水,按每月幣 176,064 元人民幣的數(shù)額支付。洪博士亦能獲得由董事會決定高達幣 683,838 元人民幣的年度變動工資,以及獎金,該部分乃基于洪博士的表現(xiàn)由該公司支付。此外,洪博士亦能獲得每年最高不超過 500,000 元人民幣的住房補貼及子女教育補貼。洪沨博士,1960年生于上海,美國國籍。于1983年獲得復旦大學物理學士學位,于1986年獲得復旦大學電子工程碩士學位,于1993年獲得美國北卡羅萊納州立大學材料科學與工程博士學位...
發(fā)布時間: 2017 - 05 - 18
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藍寶石晶片表面凈化技術研究  隨著光電子領域對氮化鎵 (GaN)基發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光性能要求不斷提高 , 從而對金屬有機化學氣相沉積法 (MOCVD)生長 G aN 的藍寶石 (α-A l2O3 )襯底晶片的表面質量要求越來越嚴, 這主要是因為藍寶石襯底晶片拋光表面的雜質沾污會嚴重影響 LED的質量和成品率 ,對于開盒即用 (是經清洗封裝后的晶片, 從片盒里取出后即可以投入到MOCVD生長爐中直接使用而不需要額外的清洗)的 2英寸藍寶石襯底晶片,影響 G aN 生長的臨界顆粒尺寸為 0. 3μm,拋光片表面大于 0. 2 μm 的顆粒數(shù)應小于 20個 /片。在目前的 LED生產中, 仍有 50%以上的廢品是由于表面污染引起的, 由于在襯底晶片生產中 , 幾乎每道工序都有清洗問題, 所以藍寶石晶片清洗的好壞對 LED 的發(fā)光性能有嚴重的影響 , 處理不當, 可能使全部藍寶石晶片報廢, 做不出 LED 管子來, 或者制造出來的 LED性能低劣、穩(wěn)定性和可靠性很差。因此弄清楚藍寶石晶片清洗的方法和原理 ,不管是對從事藍寶石晶片加工還是 LED 生產的人來說都具有十分重要的工程意義。  以下主要針對藍寶石晶片的凈化原理 、凈化工藝、凈化效果等方面技術問題進行了研究 , 提出了能夠滿足 G aN 生長要求的藍寶石晶片的凈化工藝和清洗液的配方 。...
發(fā)布時間: 2017 - 01 - 19
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導讀: 目前全球硅晶圓已集中在前五大供貨商手中,包括信越半導體、勝高、臺灣的環(huán)球晶、德國的Silitronic、南韓LG等,全球市占率達92%,其中勝高是臺積電最大供貨商,其次是信越,但信越全球市占高達27%,略高于勝高的26%,預料在二大硅晶圓廠下半年采取溫和漲價下...全球前二大半導體硅晶圓廠信越半導體和日本勝高(SUMCO)達成默契,下半年硅晶圓漲幅僅一成,遠低于市場傳言的三成,跌破市場眼鏡。此外,勝高也與臺積電議定四年的供應長約,約定漲幅不會超過四成,凸顯面臨硅晶圓供不應求的情況,全球市占超過五成的日本二大半導體硅晶圓廠決定維持溫和調漲,不希望急漲讓部分停產的小廠死灰復燃。這也是硅晶圓在連二季大漲后,主要供應大廠在價格策略踩煞車,對近期市場傳出下半年再漲三成,且明年再漲一倍的傳言,澆了一盆冷水。臺積電最大硅晶圓供貨商日本勝高,證實對臺積電硅晶圓供應價格不會如外傳般狂飆,而會采取溫和且保證長期供應穩(wěn)定,不會恣意漲價。半導體業(yè)者表示,全球硅晶圓過去因長期處于供過于求,不堪嚴重虧損,部分業(yè)者逐步停產或出售,例如環(huán)球晶近幾年就相繼收購日本CVS和美國的半導體硅晶圓廠。但前年半導體硅晶圓逐趨供需平穩(wěn),前年下半年一度試著漲價,但短暫調漲一季后就沉寂。去年下半年,市場擔心中國大陸晶圓廠產能開出后硅晶圓恐缺貨,因此大量屯積貨源,導致供需產生缺口,甚至連測試片都缺貨,導致今年首季主...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 25
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光刻版清洗設備工藝  光刻技術是大規(guī)模集成電路制造技術和微光學、微機械技術的先導和基礎,他決定了集成電路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物,這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年,國家將 LED照明列入為重點發(fā)展產業(yè),LED 行業(yè)迅猛發(fā)展。LED 制造過程中,具有光刻版的使用量多,使用頻繁的特點。大多生產廠家為了節(jié)省成本,主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設備達到較高的曝光精度,但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚,在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠,導致光刻膠粘附到光刻版表面(圖 1)。對于 IC 行業(yè),因為線條更細,精度要求更高,所以光刻版的潔凈程度更加重要。對于硅片清洗而言,其顆粒移除率(PRE)不需要達到 100%,但對于光刻版而言卻并非如此,其原因是對于產品良率而言,光刻版表面顆粒的影響更大,單晶圓缺陷只影響一個缺陷,而一個光刻版卻影響到每一個芯片[2,3]。由于零成像缺陷是可以實現(xiàn)的,工廠內生產的光刻版需要經常清洗。為了保證光刻版潔凈,必須定期對光刻版進行清洗,而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設備上的合理配置有著密切的聯(lián)系。1 光刻版清洗工藝1.1 光刻膠及其他有機污染物的去除對于光刻膠及其他有機污染物,比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除...
發(fā)布時間: 2017 - 01 - 11
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導讀:國內近些年開始重視半導體投資,試圖減少對國外進口芯片的依賴,各地陸續(xù)上馬了芯片廠項目。不過據(jù)臺灣電子時報網站4月21日報道,最近多個項目的建設暫時擱置,可能和市場過熱有關。   國內近些年開始重視半導體投資,試圖減少對國外進口芯片的依賴,各地陸續(xù)上馬了芯片廠項目。不過據(jù)臺灣電子時報網站4月21日報道,最近多個項目的建設暫時擱置,可能和市場過熱有關。 根據(jù)國際半導體產業(yè)協(xié)會的消息,2017年,中國市場將會建成的芯片工廠數(shù)量為14家。到2018年,中國半導體行業(yè)設備投資將超過100億美元,成為全球第二大生產設備投資國?! ”娝苤氖?,半導體和芯片廠是一個投資密集型的產業(yè),建設一個工廠需要幾十億甚至是上百億美元的資金。之前,中國中央政府已經制定了鼓勵發(fā)展半導體產業(yè)的遠期計劃,而各地地方政府也正在積極引進項目,發(fā)展芯片制造業(yè)。  行業(yè)觀察人士指出,中國芯片廠建設出現(xiàn)熱潮,和地方政府的支持密切相關?! 〔贿^最近據(jù)行業(yè)人士觀察,中國的多家12英寸芯片廠建設項目,暫時擱置。在半導體行業(yè),12英寸指的是晶圓的直徑,晶圓面積越大,生產芯片的效率也就越高,意味著技術更加先進?! ?jù)消息人士稱,福建晉華集成電路公司計劃在臺灣臺南市建設芯片廠,而臺聯(lián)電為該公司進行的一些技術開發(fā)工作已經暫停。據(jù)悉,該公司計劃建設一座12英寸晶圓的芯片廠,主要生產內存芯片,使用臺聯(lián)電的技...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 24
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從半導體原材料到轉化為各式各樣的集成電路或者分立器件,其轉化過程利用了幾百種復雜程度不同的化學反應。毫無疑問,在半導體的制造工業(yè)中,需要大量的特殊材料和化學品。芯片制造首要是一種化學工藝,或者更準確地說,是一系列的化學 物理工藝過程,高達20%工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。  近年來光電與光伏半導體工業(yè)發(fā)展迅速,相關的制程越來越復雜,線寬越來越窄(已將進入納米級),工藝要求也越來越高,生產過程需要使用大量的化學藥品,而這些化學品都具有一定危險性和腐蝕性,稍有疏忽,就會造成人員傷亡和設備的損失,所以如何將這些化學品在保證品質的前提下安全輸送到制程設備并安全使用是至關重要的,同時如何將這些使用過的化學品合理地回收處理,也將是半導體產業(yè)工廠生產安全的重要問題,這些都對工廠各系統(tǒng)的持續(xù)無故障運行能力以及所提供的制程相關原料品質提出了更高的要求。在半導體產業(yè)化的生產中,化學液供應系統(tǒng)主要以中央供應系統(tǒng)為主,用量較少之化學液則采取人工供應方式。   中央化學液供應系統(tǒng)縮寫為CDS(Chemical Dispense Systerm)或者簡寫為BCD(Bulk Chemical Distribution),它是為生產線24h不間斷供應化學液的系統(tǒng)。一般使用CDS系統(tǒng)的化學液都有需求量大、危險性高的特點。 CDS系統(tǒng)上主要供應給以下的工藝步...
發(fā)布時間: 2017 - 01 - 10
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導讀: 近日,由沈陽拓荊科技有限公司建設的我國首個半導體薄膜設備生產基地在沈陽市渾南區(qū)落成投產。近日由沈陽拓荊科技有限公司建設的我國首個半導體薄膜設備生產基地在沈陽市渾南區(qū)落成投產。該基地一期可容納1000人規(guī)模的研發(fā)制造團隊,年產能可達100臺(套),實現(xiàn)產值15億元。全部達產后,年產能可達350臺(套)。我國是全球最大的電子制造國。IC即集成電路是電子設備中最重要的組成部分,承擔著運算和存儲的功能,是計算機、數(shù)字家電、通信等行業(yè)的“心臟”。據(jù)行業(yè)協(xié)會發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,去年,我國集成電路產業(yè)總營收達4335.5億元,同比增長20.1%。沈陽拓荊科技是由海外技術專家組建的高新技術企業(yè),創(chuàng)立于2010年4月。2015年,拓荊科技獲得國家集成電路產業(yè)投資基金(簡稱“國家大基金”)2.7億元戰(zhàn)略投資,是“國家大基金”在遼寧投資的第一家企業(yè)。同年,拓荊科技新廠區(qū)在沈陽市渾南區(qū)破土動工。新廠區(qū)占地面積5.2萬平方米,擁有先進的研發(fā)設備、場所及生產用十級、百級和千級無塵潔凈間,是我國首個半導體薄膜設備生產基地。此前,該技術一直被發(fā)達國家壟斷,設備進口嚴重受限,極大地制約了國產芯片產業(yè)發(fā)展。作為IC裝備核心裝備之一,該項目的建成一舉填補了國內空白,顯著提升了我國集成電路產業(yè)整體競爭力。拓荊科技的產品性能、指標達到國際一流設備水平,設備國產化率超過70%,產能是進口設備的1.1倍,成本卻比...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 18
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