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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料一般的光致抗蝕劑有各種各樣的報告,但是與現(xiàn)在在第一線使用的光致抗蝕劑相比,還沒有開發(fā)出特別優(yōu)秀的光致抗蝕劑。另一方面,從使用方面來看,光致抗蝕劑的條件越來越嚴格。要得到滿足所有這些條件的光致抗蝕劑是很困難的,在現(xiàn)狀下,根據(jù)目的進行細節(jié)的改良并使用。光致抗蝕劑的種類、應用面有很多,下面就最近用于半導體·集成電路制作的光致抗蝕劑的化學性質(zhì)及其周邊進行解說。半導體·集成電路以超高頻晶體管、高密度、超高密度存儲器為首,應用光刻法制作的工序也變得復雜化。首先,作為基本的掩模制作變得困難,為了制作硬掩模,對光致抗蝕劑的條件當然也很嚴格。另外,晶圓工序中使用的光致抗蝕劑為了提高解像力,也要制作薄膜。 對于不產(chǎn)生漏孔、解像力、斷片的提高、粘著力、顯影性等,要求更加優(yōu)越,要求更加具體和嚴格的條件。除了以上的技術方面以外,石油產(chǎn)品的價格上漲還波及到光致抗蝕劑、其附屬品、光伏工藝上的輔助材料的成本上升,除了這個的吸收對策以外,公害、防災等的對策,或者IC自由化對策和周圍都在朝著困難的方向發(fā)展,今后才是真正的關鍵時刻,我們也希望在光致抗蝕劑材料及其周圍,雖然是微薄的力量,但也能起到一定的作用。由于醌疊氮化物正型光致抗蝕劑可以容易地獲得高分辨率,因此它將作為獲得精細圖案的有力手段被廣泛使用。然而,在引入晶片工藝時,必須注意以下幾點:在微細圖案的蝕刻中,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 04
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言半導體設備消耗大量的水,其中大部分用于在清洗過程中沖洗晶圓。為了優(yōu)化用水,需要對沖洗過程中對晶片清潔度進行實時和現(xiàn)場監(jiān)測。然而,沒有任何現(xiàn)有技術是實時的。本文提出了一種能夠?qū)崟r和現(xiàn)場測量晶片上殘留污染的無源無線傳感系統(tǒng)。 實驗此前,我們開發(fā)了一種微加工的電化學殘留物傳感器(ECRS)來監(jiān)測晶片的清潔度。該傳感器是一個微加工的電阻率傳感器。它的特點是一個覆蓋電極的介電層,這區(qū)別于傳統(tǒng)的帶有裸電極的微加工電阻率傳感器。ECRS采用厚覆蓋的電介質(zhì)層,測量高縱橫比微特征內(nèi)流體的阻抗,以模擬圖案晶片的清潔度,ECRS需要互補的電路來讀取和分析。由于電線、連接器和電池不能在半導體制造過程中使用的清潔化學物質(zhì)中存活下來,因此最好采用無線、無源(遠程供電)和集成的監(jiān)控系統(tǒng)。在這項工作中,我們提出了一個原型系統(tǒng),它擴展了RFID技術來讀出ECRS數(shù)據(jù),它允許實時、就位、被動和無線監(jiān)測晶片的清潔度。這種新工具可能為新的沖洗配方提供低資源使用和顯著節(jié)省成本的半導體設施。 圖2 ECRS的沖洗輪廓和沖洗質(zhì)量評價 圖2顯示出了相應雜質(zhì)的特征阻抗曲線,使用ECRS的濃度,當雜質(zhì)濃度低于10–6mol/m2時,評估“晶圓清潔”阻抗高于200 k2。基于沖洗曲線,可以優(yōu)化沖洗配方,并且可以分配定制的閾值阻抗以精確確定沖洗終點。在我們的...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本研究首次建立了適用于非中心擺動噴嘴的清洗刻蝕旋轉(zhuǎn)計算模型,用于評估旋轉(zhuǎn)晶片上HF水溶液對二氧化硅薄膜的刻蝕速率。通過與不同噴嘴擺動寬度下的測量結(jié)果進行比較,驗證了該模型。 實驗圖1顯示了本次研究中使用的單晶片濕法蝕刻機。這種蝕刻機有一個直徑200毫米的晶片,在一個圓柱形容器中以100-1400轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)。HF水溶液(3%)從垂直于晶片表面的4毫米直徑噴嘴以1升/分鐘的流速向下注射1分鐘。如圖1所示,這個噴嘴從-R位置擺動到+R位置。注射后,HF水溶液沿著旋轉(zhuǎn)的晶片表面從注射位置輸送到晶片邊緣,然后最終從晶片邊緣濺射到外部。 圖1因為本研究中使用的HF濃度非常低,所以在晶片表面引起的反應熱非常低。我們忽略了反應熱引起的溫度變化。這項研究中使用的硅片具有100納米厚的二氧化硅薄膜,是通過氧化形成的。在蝕刻之前和之后,使用橢圓儀測量二氧化硅膜的厚度,以便從差異獲得蝕刻速率。實驗獲得的蝕刻速率是溫度和HF及相關離子(如[H+]和[HF2-])濃度的函數(shù)。 結(jié)果和討論為了驗證化學反應模型,在使用中心噴嘴評估蝕刻速率行為之后,詳細研究了擺動噴嘴的運動。首先,當用于注射HF水溶液的噴嘴設置在旋轉(zhuǎn)晶片的中心時,評估蝕刻速率行為,通過測量和計算獲得的二氧化硅蝕刻速率的平均值分別由圖3中的黑圈和實線示出。每個值都被評估為晶片...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言半導體材料的光電化學在微電子技術的發(fā)展中發(fā)揮了重要作用。特別是集成電路技術中使用的許多工藝都是基于電化學原理。原位照明允許有效控制半導體與液體接觸時的電化學反應,在這種情況下指的是光電化學蝕刻。 實驗眾所周知,在氫氧化鉀溶液中對n-GaN進行PEC蝕刻可以去除高質(zhì)量的材料,并留下代表螺紋位錯的晶須或納米線。圖1顯示從PEC蝕刻的氮化鎵尾聲層拍攝的SEM圖像顯示了納米線在左下角前的分布,在右上角后它們被機械斷裂,sbd顯示了納米線堆之間的缺陷。PEC刻蝕氮化鎵層的形貌,在蝕刻表面上觀察到直徑約為50納米的納米線堆[參見圖1中圖像的左下方區(qū)域1(a)]。實際上,GaN晶須的形成及其沿表面的分布在很大程度上受電解液組成、紫外激發(fā)功率密度和攪拌條件的影響。根據(jù)先前的研究,通過PEC蝕刻形成的位錯是由氮化鎵中的穿透位錯的負電荷引起的,因此不能參與蝕刻過程。另一種解釋是,位錯代表電位降低的區(qū)域,光生空穴被排斥并被限制在周圍區(qū)域,刺激它們的溶解。除了位錯之外,生長樣品表面的缺陷被證明是耐光電化學侵蝕的。這種缺陷在PEC蝕刻過程中仍然存在,看起來像被納米疊層包圍的橋電線,見圖1(b)。我們的實驗證明了對PEC的高抗性,對氮化鎵層機械處理產(chǎn)生的任何表面缺陷進行蝕刻。特別是兩個木針被用來沿著氮化鎵表面亂涂亂畫,其中一個的末端顯示出三重分裂。令人驚訝的是...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文主要報道了ProTEK PSB在實際應用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發(fā)現(xiàn)了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側(cè)刻和有機溶劑或氧化灰難以去除引物。為了制造一個lsi集成的觸覺傳感器,我們使用了帶有低溫氧化物底層的ProTEK PSB。這種組合解決了ProTEK PSB的側(cè)面刻蝕問題和低溫氧化物的針孔問題,提供了可以在低溫下制備的實用堿性刻蝕掩膜。 實驗 首先,在Si基板上適量滴加底漆,在3000pm下旋轉(zhuǎn)涂布1分鐘。 涂布底漆后,使用熱板在110C下280°℃分鐘 用加熱1分鐘。 然后,滴下ProTEKPSB,與底漆相同,在3000 rpm下旋涂1分鐘。 涂上ProTEK PSB后,用熱板在110℃下加熱1分鐘加熱。加熱后,用I線以1000mJ/cm2的曝光量進行曝光。 曝光后,用熱板在110℃下加熱2分鐘。 影時,在乳酸乙酯中浸泡5分鐘,充分攪拌, 顯影后,用異丙醇( IPA )清洗,用旋轉(zhuǎn)干燥器干燥。 最后,用熱板在220C下加熱3分鐘使之硬化。 圖1如圖1所示可以形成4µm,5µm和10µm的線和空間,在這些臺階上測量的膜厚均為3µm。 本研究使用表面形狀測量儀進行了膜厚測量, 在圖案化后,使用TMAH(25%,80°C)蝕刻Si,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言電化學技術一直被用于理解和提高各種濕式化學處理步驟的性能,如在集成電路(IC)制造中使用的蝕刻、清洗、鈍化和沖洗。本文的目的是提供幾個例子,說明如何使用電化學技術來探測濕法加工中的一些重要領域。 在電流產(chǎn)生的集成電路的制造中,大約三分之一的工藝步驟涉及濕式化學處理,如清洗、蝕刻、拋光和沖洗。許多這些步驟涉及導電材料與不同水平溶解氣體的水溶液之間的接觸,因此電化學現(xiàn)象可能在控制這些步驟的有效性方面發(fā)揮重要作用。  電化學效應:電化學增強最近被報道為大氣清洗。這種技術被稱為聲電化學技術,可用于在低超氣體功率密度(聲電化學技術已被用于清潔被硅顆粒污染的Ta表面。在本研究中,將~1.5~2V的陰極電位(相對于Ag/AgCl電極)應用于去離子水或氯化鉀溶液中,并暴露于0.93MHz聲場。首先獲得了樣品上幾個區(qū)域的顯微鏡圖像。(如圖7所示)  圖7清潔圖案(介電傳導)表面,即使在這項研究中沒有研究,使用這種技術是可能的。這是因為1MHz的共振氣泡半徑為~3微米,從技術上講,這種大小的氣泡可以在具有小線/空間(L/S)結(jié)構的表面上振蕩,甚至可以清洗介質(zhì)區(qū)域上的污染物。聲場溶液中瞬態(tài)空化的表征一直是半導體濕處理中的一個活躍領域。溶解氣體的類型和數(shù)量大大影響了瞬態(tài)空化行為,在含有不同類型溶解氣體的大氣輻照溶液中進行的高分辨率循環(huán)伏安法(C...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 03
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料前言砷化鎵GaAs(晶片)和氮化鎵的熱濕氧化是在N2作為主要氣體和H2O作為氧化劑進行的。采用x射線衍射、橢偏儀、光反射儀、顯微拉曼光譜、光學顯微鏡和原子力顯微鏡研究了材料的參數(shù)和表面形貌。缺少材料參數(shù)或材料參數(shù)范圍很廣,特別是折射率、介電常數(shù)及其對氧化物成分和結(jié)構的依賴性,構成了測量過程中的一些問題。砷化鎵氧化比氮化鎵氧化更難,尤其是來自HVPE的氮化鎵。 實驗砷化鎵和氮化鎵在一個三區(qū)耐電爐中通過使用支架被氧化。為了確定合適的參數(shù),改變了水源溫度和反應(氧化)區(qū)溫度。氣體流量和該過程中的時間也有所不同。得到的氧化鎵厚度從幾納米到數(shù)百納米。這些研究使用了MOVPE和HVPE在藍寶石基底上制造的砷化鎵晶圓和氮化鎵層。濕熱氧化反應動力學和反應結(jié)果取決于幾個參數(shù):區(qū)域反應溫度(a)、水源溫度(水泡器)(b)、主要輸送氣體(c)、通過水泡器(d)的輸送氣體、反應時間(e)和凝結(jié)氣體類型(f)。研究采用裸晶片或脫毛層晶片的砷化鎵,氧化溫度的范圍在483到526攝氏度之間。時間從60分鐘到300分鐘不等。典型的氮氣主流量分別為2800 sccm/min,通過水起泡器的典型流量分別為260和370sccm/min。使用了兩種氮化鎵樣品——藍寶石基質(zhì)上的氮化鎵脫毛層——MOVPE薄層和HVPE厚層。砷化鎵樣品的氧化溫度較高,分別為:755、795和82...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言用于光電子的半導體激光器等半導體光器件,多利用注入的少數(shù)載流子,而且其濃度在2×1018cm―3以上,處于相當高的水平。 在使用GaAs和InP等化合物的光學器件中,作為可靠性較高的加工法,濕法化學蝕刻依然被用于實際應用。對基于化學蝕刻的半導體光器件的微細加工,特別是激光諧振器的形成進行總結(jié),并介紹幾個具體例子。 實驗 首先,在表1中總結(jié)了光·電子設備所需的微細結(jié)構及其應用領域。 表1首先,在基板上或生長了2重異質(zhì)結(jié)構的晶圓上形成的脊和臺面,用于嵌入異質(zhì)(BH)激光器等,在FET的柵極制作中,寬度較窄的脊也很重要。 第二個,通道、溝槽、平臺,還是應用在折射率波導型半導體激光器上。 如果具有這些形狀,在基板上進行晶體生長,核心層的厚度自然變?yōu)椴痪?,形成波導。 最初的形狀為脊或臺面,用于嵌入式異質(zhì)(BH)激光、光波導、FET等的通道形成等。  表2在表2 中對臺面蝕刻的例子進行總結(jié)的1~6,①和③中,如果在GaAs和InP的基板上形成的臺面上生長2重異質(zhì)結(jié)構,就會通過一次生長形成嵌入結(jié)構。 另外,在②和④中,在形成GaAs/GaAIAs和InP/GaInAsP的2重異質(zhì)結(jié)構后,通過臺面蝕刻向活性層下挖掘,然后從兩側(cè)生長嵌入層。 總之,臺面高度和寬度的控制是一個重要因素。表3中有通道、溝或露臺形成...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的,但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形,這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六邊形經(jīng)過高溫退火后,六邊形轉(zhuǎn)化為十二邊形,十二角形轉(zhuǎn)化為十八邊形。 1).不同邊緣方向的六邊形和十邊形的十二邊形在退火過程中經(jīng)歷了不同的轉(zhuǎn)變。 2).一條對應于一個{1-10x}面的邊顯示為一條直線,似乎是最可取的。與{11-2x}面對應的邊緣也出現(xiàn)在一個曲線特征中,這表明它是第二大首選。明顯的結(jié)構(密集),但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此,在考慮退火變換的情況下,需要在實際器件中設計形狀及其方向。我們報告了在SiC溝槽型MOSFET的制作中,通過SiH4/Ar和H2氣氛中的2階段高溫退火,可以改善溝槽形狀控制和蝕刻側(cè)壁的平滑性(6)。 研究過程中發(fā)現(xiàn)SiC表面形狀的變化具有晶面取向各向異性。 此次,我們調(diào)查了高溫退火引起的變形因蝕刻面積和形狀的不同而不同,以及退火形成的晶面方位的穩(wěn)定性。 實驗方法 對4H―SiC基板(n型,8°關斷,C面)進行清洗后,使用等離子CVD裝置成膜了厚度為2.5μm的SiO2膜。 使用一般的照相工藝,在直徑不同的圓形、6角形、12角形上對光刻膠進行了圖案化。 然后用抗蝕劑作為掩模,用干法蝕刻法蝕刻SiO2圖案化了。 干蝕刻是用C...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言概要掃描探針顯微系統(tǒng)( SPM )、電子背散射板( ebsd )、極化曲線測量晶體組織對硫酸-過氧化氫蝕刻引起的銅蝕刻速率的影響 接近{001}面的方位快,被蝕刻發(fā)現(xiàn)被凹陷后,{111}和{101}面附近的方位被緩慢蝕刻。 顯示出大蝕刻速率的多晶體銅,腐蝕電位高,局部陰極反應的極化小。 這表明,多晶體銅的蝕刻速率由各個晶面的過氧化氫還原反應速度的平均值決定。為了調(diào)查多晶體的蝕刻速率與晶體組織的關系,測量了軋制銅材、添加劑和成膜條件下晶體組織發(fā)生變化的電解鍍銅膜的蝕刻速率。 制作的試料的結(jié)晶組織用EBSD進行了分析。 進而,通過極化曲線的測量,考察了晶體組織的不同對蝕刻反應的影響。另外,作為緩和組織不同引起的蝕刻速率差、降低咬邊的方法,報告了向蝕刻液中添加1 -丙醇的影響。 實驗 以無氧銅板三菱伸銅制C1020為試料,作為預處理,以85%磷酸中的試料為陽極,通過極間電壓為2 V的恒壓電解進行電解研磨,在去除加工變質(zhì)層的同時使表面平滑。 之后,利用TSI公司制造的帶有EBSD系統(tǒng)的FE-SEM日本電子制造的JSM-7001FA,對各個晶粒的方位進行了鑒定。 該試料用SII納米技術制造的SPM Nano Cute,測量與EBSD測量同視野的SPM像,得到了試料表面的三維形狀像。 測量視野為50 m 50 m。 然后,用轉(zhuǎn)速設定為500 r...
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