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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言過氧化氫是一種綠色氧化劑,本文概述了其在水中和氧氣中分解的爆炸式增長,其全球使用量已從過去三十年的0.5百萬工業(yè)使用量和三十年前每年百萬噸的狀態(tài)上升到工業(yè)制造領域的450萬噸,2014年每年的重要細節(jié)仍在攀升。與傳統(tǒng)的汽車氧化工業(yè)和民用部門相比,氧氣和氫氣的不同用途決定了直接生產的可行性。 實驗 全世界所有商業(yè)生產的H2O2都來自蒽醌AO工藝。其原料是氫氣、蒽醌和空氣,氫氣是通過甲烷的蒸汽重整就地制造的,而空氣是免費的。因此,現代技術采用不需要過濾的固定床反應器,而不是裝備有過濾器的老式淤漿型加氫反應器;產物混合物容易從固定床加氫催化劑中分離出來,以便在AO步驟中用壓縮空氣充氣。為了提取有機相中存在的H2O2,將軟化水添加到高( 30 m)液-液萃取塔的頂部,以確保水與工作解決方案。水在穿孔塔板上沿塔向下流動,同時工作溶液被泵入塔中。H2O2隨后通過蒸餾(用蒸汽,過氧化物不與水形成共沸混合物,并且可以通過蒸餾完全分離)純化和濃縮至不同的商業(yè)等級,通常高達70 %,之后通過加入穩(wěn)定劑穩(wěn)定濃縮產品,防止不希望的分解,然后泵入產品儲罐。包括均勻的4納米金屬合金納米顆粒(圖2)。 圖2一個原因可能是直接合成只能用昂貴的過量純O2來實現,而不能用自由獲得的空氣。此外,反應壓力通常比AO工藝中通常采用的壓力高得多。因為氧氣的價格非常高...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 02
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言目前,193納米光刻的K1遠低于0.4,顯著增加了整個光刻工藝的工藝復雜性和成本。ITRS要求32 nm和22 nm節(jié)點分別實現1.7 nm和1.2 nm的LWR (3s),劑量靈敏度為(5至15) mJ/cm2。為了理解劑量靈敏度、LWR和分辨率之間的權衡,需要使用模型EUV光致抗蝕劑系統(tǒng)研究潛像形成和顯影圖像的組合效應。以前對這種模型光致抗蝕劑聚合物中酸擴散的研究表明,去保護分布的空間范圍隨著劑量或酸濃度的增加而增加,但即使不使用堿猝滅劑2,3,它也能自限于光致抗蝕劑的未曝光區(qū)域。我們研究了PAG負載和顯影劑強度對EUV圖案保真度的影響。 實驗 使用的模型光致抗蝕劑是聚(羥基苯乙烯-丙烯酸共叔丁酯)(P(HOSt-co-tBA))(數均相對摩爾質量(Mn) = 11,459 g/mol,多分散指數(PDI) = 1.83,含有49摩爾%的HOSt和51摩爾%的tBA(杜邦電子聚合物)。該模型光致抗蝕劑和顯影劑溶液中不含其他添加劑,因此可以對PAG加載和顯影劑強度的影響進行受控研究。當提到PAG載荷(或濃度)時,從這一點開始,它將被暗示為質量百分比。對于對比曲線表征,SEMATECH-North Albany抗蝕劑測試中心Exitech MET與相同的PAB和PEB一起用作模式研究。在所有晶片上的EUV曝光之后,立即在90℃下進行...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言氧化鋅(ZnO) 壓敏電阻, 電子照相感光劑 不僅僅是作為氣體傳感器等的電子陶瓷材料, 其C軸取向膜, 表面彈性波元件等1)的音響裝置, 也可用于光波導等2)的光學器件。另外, 通過摻雜Al等3價元素,有望應用于透明導電膜。當薄膜作為半導體及透明電極材料使用時, 微細加工是必不可少的, 一般進行蝕刻。蝕刻有干法蝕刻3)和濕法蝕刻2種。干法蝕刻的方法是通過濺射進行物理蝕刻。 通過等離子中生成的激發(fā)活性物質進行化學蝕刻,這種蝕刻法是目前半導體加工的主流。 根據缺乏揮發(fā)性的物質的不同,也存在不可能進行蝕刻的情況。因此,在本報告中,我們注意到ZnO與乙酰丙酮的反應,嘗試了用有機溶劑的蝕刻。另外,從蝕刻速度和溫度的倒數中,可以求出蝕刻的活化能,由于活化能是絕對量,因此被認為是可以相互比較的ZnO膜的新的評價方法。另外,不僅可以用乙酰丙酮蝕刻可以在多方面利用的氧化鋅膜,而且可以從蝕刻處理液中回收作為CVD用原料的乙酰丙酮鋅,可以實現對地球環(huán)境友好的再循環(huán)。 實驗ZnO膜的合成中,使用了不使用真空裝置的開放型熱CVD裝置5)和R.F.磁控濺射裝置(日電阿內爾瓦制造,SPF―332)。作為制作膜的評價,使用觸針式表面粗糙度形狀測量機(東京精密,Surfcom 550A)測量膜厚,求出膜的減量。另外,表面組織用掃描電子顯微鏡(JEOL; 通過JSM,...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言氧化鋅具有寬帶隙,提供電子由于是通過添加而顯示出優(yōu)良的電學及光學特性的物質,因此被廣泛使用。由于可以比較容易地制備均勻性優(yōu)良的薄膜,因此特別用于制作需要均質、大面積氧化鋅薄膜的透明電極。最近,隨著以VLSI為代表的半導體元件開發(fā)的急劇進步,以吸收低電壓電子電路中的浪涌為目的的低電壓用壓敏電阻的開發(fā)迫在眉睫。在3-10V左右的低電壓下,為了在電壓和電流的關系中表現出較大的非線性,在使用以往使用的氧化鋅粒子(10―20″m)時,需要制作出能夠保持與該粒子大小大致相同厚度的燒成體。目前,正在嘗試將使用刮刀法制作的生片進行多重積層化的方法,但由于電壓―電流(VJ)特性中的非線性系數值較小,還存在許多技術問題。在本研究中,作為液相法制作氧化鋅薄膜相關研究的一環(huán),在含有鋅和鐠的溶液上浸涂基板,之后通過燒制,調制添加鐠的氧化鋅薄膜。特別是在本報告中,在詳細敘述薄膜前驅體溶液的調制法的同時,將所得薄膜的結晶粒徑及壓敏電阻特性與液相沉淀法和固相法調制的試料進行了比較研究,現將其結果進行報告。 實驗在調節(jié)前驅體溶液時,作為Zn源的醋酸鋅二水和物(試劑特級)杏, 作為添加劑的Pr源,使用氧化鐠(信越化學試劑特級)。 另外作為溶劑使用了特級乙醇。并且前驅體溶液的穩(wěn)定化, 以及作為粘度調整的成膜助劑, 單乙醇胺, 使用烯醇胺及三乙醇胺(各Nakarai Te...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言為了LSI的小型·高性能化, 為了實現高精度的基板表面粗糙度,在制造工序中推進了微細且多層布線化。 要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP(Chemical Mechanical Polishing)工程。 工藝后晶圓上殘留納米粒子,成為產生缺陷產品的原因拋光后的清洗之一是利用軟PVA(Polyvinyl Alcohol)刷直接接觸清洗晶圓。 通過具有內部孔和結構凹凸的刷子的機械旋轉運動和供給的藥液流動,附著在表面的納米粒子從晶圓上脫離[3]。在清洗過程中,觀察表面上的拋光納米粒子的清洗現象。 闡明機制, 對于更有效的納米粒子清洗是必不可少的。在本研究中使用漸逝光的PVA刷的氮化膜上的納米二氧化硅粒子接觸清洗現象的觀察中,PVA刷與基板表面接觸使粒子從表面脫離時,由于PVA刷的散射光明亮,所以很難觀察與納米二氧化硅粒子的相互行為。因此,在本稿中,通過使用與PVA刷不同波長的熒光特殊納米二氧化硅粒子,識別藍色散射光的PVA刷和紅色熒光的納米二氧化硅粒子,觀察表面附近的接觸清洗現象,因此進行報告。 實驗圖1顯示了PVA刷的接觸擦洗。通過向晶圓表面的PVA刷旋轉接觸和藥液供給的并用,使附著在基板上的100 nm以下的二氧化硅研磨粒子脫離。由于該納米尺度現象在距離表面數百nm的范圍內高度發(fā)生,本研究中如圖2所示,通過使用僅...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言隨著對世界能源環(huán)境問題的關注增加,對可再生能源太陽能發(fā)電的期待也越來越高。 在停滯的世界經濟中,太陽能電池相關產業(yè)備受關注。 作為太陽能電池的評價基準,不僅是制造成本,效率和可靠性(耐久性)也是重點。 綜合判斷,也有預測稱,如果晶體基板的供給體制完備,晶體硅太陽能電池的優(yōu)勢不會輕易崩潰。 晶體硅系太陽能電池已經有很長的實績,看起來在技術上已經完成,但是通過基板的薄膜化實現的低成本·省資源化、表面反射率降低以及p/n結形成法的改善帶來的效率提高等改良現在也在穩(wěn)步進行。 實驗通過濕法工藝對太陽能電池用硅進行表面處理,并通過降低表面反射率來提高高效晶體硅太陽能電池的效率。 為了解決這樣的問題,即在400-1100 nm波長范圍內,原始硅平坦襯底的反射率非常高,平均約為40%,因此,由于反射而產生大的損失。 為了解決在應用于太陽能電池時的工藝成本問題,盡管可以通過施加折射率不同的多層膜涂層(例如光學部件)來降低反射率。 在這種情況下,采用了在硅表面上施加粗糙形狀并施加單層涂層(例如氮化硅膜和二氧化鈦膜)的技術。 采用凹凸結構的面,具有光限制效果,稱為紋理面。 在單晶硅的情況下,由于(111)面是化學穩(wěn)定的,因此通過利用該面容易通過化學處理暴露的事實來獲得紋理面。 具體地,通過將(100)面的硅晶片浸入堿性液體中,形成由(111)面...
發(fā)布時間: 2021 - 12 - 01
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言作為光學部件的鏡頭,由于其光學特性,有各種各樣的硝種,被認為是不可能用水清洗的,同時,由于其量產化的計劃,無論如何都必須自動化,與大型照相機制造商共同研究,試制了光學鏡頭的超聲波自動清洗裝置,才確立了量產化。之后,鏡頭的自動清洗裝置大量銷售,并且通過清洗系統(tǒng)的改良、機構的簡化、洗滌劑的開發(fā)、振動器的改良等,一直延續(xù)到現在。 實驗就像光學透鏡一樣, 液晶玻璃, 磁盤, 磁磁頭 光掩膜等表面拋光的零部件的清洗, 已經有人說,如果不使用超聲波清洗,就無法得到清潔面。當然, 超聲波清洗不是全部,與其他清洗方法的組合,洗滌劑的選擇,清洗系統(tǒng)的構成,干燥系統(tǒng)的構成等都是重要的因素,不要忘記。在原理上被認為是理所當然的。使用單一共振頻率的振子強制制造駐波, 相反,我們需要做的是, 如何使安裝有振動器的面有效地進行活塞運動。當然, 洗滌物, 如果進行機械性的搖擺運動,就會橫穿氣蝕發(fā)生區(qū), 反而可以期待同樣的洗凈效果。因此,與以往的使用空化的洗滌的想法不同。像這樣,超聲波洗滌有各種系統(tǒng)的組合方法,如果頻率、振動器輸入等不設定適當的值,洗滌物就無法洗滌,反而會造成損傷,因此必須十分注意這些系統(tǒng)的選定。因此,本公司一旦有洗滌委托,就會請教其前工序,即附著了什么樣的污物,經過什么樣的工序附著了污物,根據這些來決定洗滌系統(tǒng)。然后,進行實驗,判斷洗滌結果,進入...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言作為半導體器件和MEMS微加工技術基礎的光刻技術中,顯影和清洗等濕法工藝是必不可少的。在本稿中,介紹了能夠定量評價超臨界CO2處理對微細光刻膠圖案―基板間的粘接強度帶來的影響的、用于微小結構材料的粘接強度試驗法。 并且,實際利用該試驗法,測量在不同的超臨界CO2處理條件下制作的微細光刻膠圖案的粘附強度,通過超臨界處理條件提高粘附強度的定量性證明了這一點。  實驗該微細加工技術還應用于Micro―electro―mechanical system(MEMS)器件的微機械元件的制造。 MEMS器件是指在基板上集成由數~數百微米尺寸的部件構成的微機械元件和電子電路。 圖1顯示的是一般的半導體·MEMS微加工技術的示意圖。 圖1左圖是作為半導體器件制造基礎的二維微細加工技術,利用光刻法,在通過旋涂等在基板上薄薄涂布的感光性光刻膠膜上,利用紫外線、電子束等對微細圖案進行曝光、顯影,從而在基板上用高分子光刻膠薄膜制作超微細圖案的技術。 通過利用該微細抗蝕劑圖案作為掩模對基板上的薄膜進行蝕刻,或者利用該微細抗蝕劑圖案作為模具進行氣相沉積、電鍍等,在基板上制作高密度集成電路。在MEMS器件中,通過組合該二維光刻法和三維微加工雙方的微細加工技術并反復實施,同時進行超微細電子電路和微小機械要素的制造、組裝。如前項所述,由于急劇的高集成化,光刻...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 30
瀏覽次數:31
掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      近年來,由于用于經濟和社會活動的信息量急劇增加,特別是對信息電子設備的高性能和小型化的強烈要求,為了實現這些要求,開發(fā)了制造半導體元件的各種技術。 其技術趨勢,主要可以梳理為“大口徑化”和“精細化”。 也就是說,通過使元件的結構更精細來提高集成度,從而實現小型化和高性能,并且通過擴大作為主要材料的硅晶片的直徑來實現有效的生產。  實驗在作為一種化學氣相沉積(CVD)方法的硅外延薄膜的生長中,由于使用氣流,因此可以通過將表面化學反應與質量守恒方程、動量守恒方程、能量守恒方程、化學物種守恒方程和理想氣體狀態(tài)方程相關聯(lián)來進行數值計算,從而預測生長速率和膜厚分布。通過將氣體入口的詳細形狀包括在計算中,可以預測膜厚分布的精細特征(谷)的形成。 在生長中,通過使用膦氣體和二硼氧化物氣體將磷和硼混合到薄膜中來調節(jié)電阻率,并且如果摻雜劑的濃度被認為是一種組成,則可以通過確定摻雜劑的沉積速率與總沉積速率的比率來預測摻雜劑的濃度,同時考慮主原料氣體和摻雜劑氣體之間的表面化學反應的競爭。由于通過使用生長裝置的具體結構計算傳輸現象和化學反應,可以在實際水平上預測外延生長速度,因此可以在預測最終結果的同時設計生長裝置。 如果在有機分子粘附的情況下形成氧化膜,則氧化膜的絕緣性降低,并且當想要限制電子時,電子泄漏。 為了...
發(fā)布時間: 2021 - 11 - 30
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言      為了闡明半導體制造業(yè)中用于沖洗和干燥過程的馬蘭戈尼干燥過程中硅片上液滴干燥行為的機理,利用CCD相機研究了液滴在有機氣體溶解過程中的干燥時間。用微光學濃度傳感器測量了液滴中有機成分的濃度。此外,還分析了由相平衡得到的評價干燥時間和濃度的數值方法。兩者在質量上都很一致。最后,通過數值分析,提出了降低水印、有機和水濃度的指南。 實驗      如圖1所示,通過這樣做,在晶圓和純水的界面上形成的彎月面尖端的薄膜部分,有機物成分濃度比其根部部分高,使薄膜部分的表面張力更低。結果,在彎月面的根部部分之間產生表面張力梯度,通過Marangoni力將彎月面吸引到根部部分,即促進排水。      在本研究中,在馬蘭戈尼干燥方面, 在明確晶圓上殘留的液膜、液滴的干燥機理的同時,通過它以得到降低水印的指針為目的。為此,本論文進行了以下的討論。液滴的IPA濃度和干燥時間,由于實際的干燥是在室溫下進行的,所以即使除去溫度的影響,干燥氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度(相對濕度)也是密切相關的。在此,首先,通過模擬晶圓上殘留液滴的干燥的實驗裝置,通過CCD攝像機的觀察和獨自的濃度測量探針,分別明確了氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度(相對濕度)對干燥時間的影響,...
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