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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構(gòu)成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料過氧化氫被認為是半導體工業(yè)的關鍵化學品。半導體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1,S(2或SPM)在其配方中包括過氧化氫。所述浴從硅表面去除顆粒、有機和金屬污染物,避免了由污染引起的電不可操作性和少數(shù)載流子壽命的降低。為了避免因鍍液本身造成的污染,所有成分都需要極高的純度,因此必須嚴格控制這些化學物質(zhì)中的雜質(zhì)濃度。半導體設備和材料國際(SEMI)組織是一個全球性的行業(yè)協(xié)會,為微電子、顯示和光伏產(chǎn)業(yè)的制造供應鏈提供服務。該組織促進該領域全球最受尊重的技術標準的發(fā)展。在所有受管制的主題中,有些涉及工藝化學品,并指出要被接受為電子化學品。對于過氧化氫的特殊情況,SEMI (30文件是適用的[3],其中六個不同的電子等級被定義為允許的最大污染物濃度的函數(shù),如表1所示。盡管通常商業(yè)化等級的過氧化氫水溶液已經(jīng)通過傳統(tǒng)的純化技術(L-L萃取、吸附、膜技術、蒸餾...)為了降低雜質(zhì)水平[4],用于電子設備的過氧化氫要求污染物含量非常低。因此,需要超純工藝從標準級產(chǎn)品中達到電子級要求。雖然過氧化氫超純化的技術可行性已經(jīng)很好地解決了,因為不同電子等級的商業(yè)化已經(jīng)證明了這一點,但是還找不到提示工藝基礎的科學論文。因此,專利成為唯一可用的書目來源。作為過去二十年文獻綜述...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 24
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掃碼添加微信,獲取相關半導體資料引言本文描述了用于III族氮化物半導體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強化學氣相沉積來沉積二氧化硅,以產(chǎn)生硬掩模。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案,隨后在氫氟酸中進行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH/IPA溶液進行濕法蝕刻以產(chǎn)生硅鰭。使用原子力顯微鏡和掃描電子顯微鏡來確定形貌,包括鰭之間區(qū)域的表面粗糙度和硅的蝕刻速率。 介紹硅蝕刻在圖案從光掩模轉(zhuǎn)移到襯底之后,下一步是蝕刻襯底,以獲得與抗蝕劑上完全相同的圖案。硅蝕刻有兩種分類標準。一種是基于蝕刻形狀;另一種是基于蝕刻技術。蝕刻后的硅的形狀可以是圓形的,也可以是尖角形的,分別稱為各向同性蝕刻和各向同性蝕刻。對于IC制造,最常用的蝕刻技術包括濕法蝕刻、等離子體蝕刻和反應離子蝕刻,其中大多數(shù)可用于硅蝕刻。 各向異性蝕刻和各向同性蝕刻各向同性蝕刻是一種非定向移除部分基板的蝕刻方法(圖2.1 (a)),從而產(chǎn)生圓角。相反,各向異性蝕刻意味著每個晶體取向具有不同的蝕刻速率,因此拐角是尖銳的(圖2.1 (b)、(c))。(100)取向硅的各向異性蝕刻形狀是底角為54.74°的等腰形狀(圖2.1 (...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 23
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發(fā)布時間: 2022 - 03 - 23
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料半導體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是,硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染,空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力,這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面,給半導體制造行業(yè)帶來了許多令人頭痛的問題。為了正常工作,硅晶片必須完全沒有任何污染物。然而,去除這些污染物并不是最簡單的任務,因為硅晶片非常易碎。因此,半導體制造企業(yè)必須堅持精心制定的清潔計劃,確保晶圓表面恢復到清潔狀態(tài),同時保持最小的損壞風險。為了最有效地清洗硅片,硅酮制造商推薦以下清洗步驟:第一步:溶劑清洗半導體制造企業(yè)使用溶劑成功去除硅片表面的油和有機殘留物。雖然溶劑確實能去除這些污染物,但溶劑本身也會在晶片表面留下殘留物。由于這個原因,實施了雙溶劑方法以確保晶片回到無污染狀態(tài)。溶劑清洗方法概述如下:·準備兩個浴槽,一個玻璃容器裝有丙酮,另一個裝有甲醇。·將丙酮容器放在加熱板上,將丙酮加熱至不超過55°c的溫度。·一旦變暖,將硅片浸泡在丙酮浴中10分鐘。·丙酮浴完成后,取出硅片并將其放入甲醇容器中5分鐘。·時間一到,將晶片從甲醇中取出,在去離子水中沖洗。·用氮氣吹干硅片。 第二步:清潔RCA-1通過混合5份去離子水和1份氫氧化銨(27%)開始準備RCA槽。將RCA容器放在加熱板上,將...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言與硅器件、電路和系統(tǒng)相關的研究和制造通常依賴于硅晶片的濕化學蝕刻。深度蝕刻和微加工、成型和清洗需要使用液體溶液溶解硅。此外,濕化學通常用于單晶硅材料中的缺陷描繪。本文綜述了工程師們使用的典型濕化學配方。盡可能多的來源已被用來提出一個蝕刻劑和工藝的簡明清單。 晶圓清洗通常使用一系列化學物質(zhì)來清洗硅晶片。該序列首先由RCA實驗室開發(fā),因此通常被稱為RCA過程。這種化學順序不會侵蝕硅材料,而是選擇性地去除殘留在晶片表面的有機和無機污染物。以下是典型的RCA流程;在整個工業(yè)中,對順序和化學比例的排序有許多變化。一般清洗:一般清洗是通過使用硫酸和過氧化氫的混合物來完成的。混合這些化學物質(zhì)是危險的,會產(chǎn)生極高的熱量。這種工業(yè)標準的清洗去除了晶片上的有機和無機污染物。建議清洗2-10分鐘。清潔步驟后,需要在去離子水中進行強力沖洗。·顆粒去除:在5∶1∶1的去離子水∶氫氧化銨∶過氧化氫混合物中的兆頻超聲波清洗(約70 ℃)將從晶片上去除二氧化硅和硅顆粒,以及去除某些有機和金屬表面污染物。建議清洗2-10分鐘。清潔步驟后,需要在去離子水中進行強力沖洗。·氧化物去除:在1:20的HF:DI水中浸泡15-60秒將去除晶片表面的自然氧化物層和氧化物中的任何污染物。HF極其危險,必須小心處理。清潔步驟后,需要在去離子水中進行強力沖洗。&#...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言本文主要闡述在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素,并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性,這種預涂處理還改變了,使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比,反應限制蝕刻更加各向同性;輪廓中都具有正錐度方向,但錐角不相同。改變后的剖面使我們能夠使用5200的蒸發(fā)金屬,不經(jīng)平面化,生產(chǎn)出具有5×5 m發(fā)射極的完全可探測的HBT。 介紹光致抗蝕劑粘附在濕法蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學器件的產(chǎn)量中起著關鍵作用。有許多因素會導致光致抗蝕劑粘附到半導體襯底上。然而,公開文獻中關于砷化鎵的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)預處理可能對GaAs無效。此外,GaAs的表面很難控制,可能對看似微小的工藝條件很敏感,例如用水沖洗晶片的時間長度。據(jù)我們所知,只有一篇參考文獻引用了在GaAs上使用預涂自然氧化物蝕刻來提高粘附性。該參考研究表明,基于水滴接觸角實驗,預涂處理是有前途的,并且在光致抗蝕劑顯影步驟之后驗證了粘附性。沒有參考文獻引用在濕法蝕刻過程中使用預涂處理進行粘合也不影響對濕法蝕刻輪廓的觀察效果,這通常歸因于蝕刻劑的GaAs晶體結(jié)構(gòu)...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 21
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的,但是在剝離過程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題,以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。 基本原理圖124顯示了過程se-中的基本差異,通過蝕刻構(gòu)造薄膜時的順序(左欄-umn)和提升關閉(右欄)。對于蝕刻工藝,光致抗蝕劑處理是在先前施加的涂層上進行的,而在剝離工藝中,涂層被施加到現(xiàn)有的涂層上光刻膠結(jié)構(gòu)。隨后的實際剝離去除了抗蝕劑結(jié)構(gòu)和沉積的材料同時通過抗蝕劑掩模的開口直接施加到襯底上的材料根據(jù)需要保留在那里。如圖所示,用于抗蝕劑處理的光掩模必須倒置或交替使用當在蝕刻和剝離工藝之間改變時,光刻膠的正性和負性處理。 圖124 通過蝕刻工藝(左)和剝離工藝(右)構(gòu)造(例如金屬)層的基本工藝順序 與蝕刻工藝相比的優(yōu)點和缺點只有當阻止了抗蝕劑側(cè)壁的涂覆時,剝離過程才實現(xiàn)可再現(xiàn)的限定結(jié)構(gòu),這在各向同性濺射工藝中是不可能的。對于諸如金或氮化硅的一些材料,由于施加到其上的抗蝕劑掩模的粘附性差,濕法化學蝕刻是有問題的,因此干法蝕刻或剝離是合理的替代方案。如果所需的化學物質(zhì)不能用于例如工作,則濕法化學蝕刻工藝不適用安全原因。如果由于涂覆過程及其持續(xù)時間而對襯底有很高的加熱,剝離過程是關鍵的...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 21
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料引言包括GaN和SiC在內(nèi)的寬帶隙半導體已被證明適用于高功率微波電子器件。AlGaN/GaN基本的研究結(jié)果令人印象深刻。雙極性器件由于其固有的更高功率密度和潛在的更高速度,對高功率電子器件也很有吸引力。然而,由于普通材料的活化能較大,已經(jīng)證明在GaN膜中實現(xiàn)高p型導電性非常困難。這導致GaN N-p-n異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBTs)中的基極電阻過大。在本文中,我們解決了基極電阻的來源,并提供了這個問題的實驗和理論解決方案。 介紹基極接觸電阻由于半導體的大功函數(shù)以及低的受主電離效率,難以實現(xiàn)與p-GaN的低電阻歐姆接觸。通常獲得10-3ω-cm2范圍內(nèi)的特定接觸電阻。最近,提出了一種新型的金屬-半導體接觸,即所謂的極化增強接觸。這一概念基于薄GaN基合金中存在的由極化效應產(chǎn)生的大內(nèi)部電場。在這種接觸中,極化感應電場增強了典型隧道接觸中空間電荷區(qū)的電場,導致空穴的隧穿距離更短,接觸電阻降低。圖1示意性地示出了這種效果。 圖1 a)傳統(tǒng)金屬/ p型半導體接觸和b)極化增強接觸的能帶圖我們考慮生長在AlGaN層上的GaN薄層的情況,其中GaN具有內(nèi)部極化效應產(chǎn)生的電場。假設金屬和GaN層之間有一個三角形勢壘,接觸電阻可以用解析方法計算,參數(shù)為GaN層厚度d、金屬-半導體勢壘高度φB和內(nèi)部電場強度e。圖2顯示了最小GaN層厚度與產(chǎn)生特定接...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多把半導體相關資料引言本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素,并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性,這種預涂處理還改變了GaAs,使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比,反應限制蝕刻更加各向同性;輪廓在都具有正錐度方向,但錐角不相同。改變后的剖面使我們能夠使用5200的蒸發(fā)金屬,不經(jīng)平面化,生產(chǎn)出具有5×5 m發(fā)射極的完全可探測的HBT。 介紹光致抗蝕劑粘附在濕法蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學器件的產(chǎn)量中起著關鍵作用。有許多因素會導致光致抗蝕劑粘附到半導體襯底上。然而,公開文獻中關于砷化鎵的信息非常少,硅常用的方法,如六甲基二硅氮烷(HMDS)預處理可能對GaAs無效。我們的歷史蝕刻工藝進行了兩個主要的工藝改變,首先,我們從Clariant AZ4330光刻膠切換到Shipley SPR220-3。我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn),后一種抗蝕劑具有更好的旋轉(zhuǎn)均勻性和分辨率,但是其對GaAs的粘附力略次于AZ4330。其次,我們將濕蝕刻從基于手動浸沒的工藝轉(zhuǎn)移到SSEC 3300噴霧蝕刻系統(tǒng)。雖然有可能產(chǎn)生更好的蝕刻均勻性和可重復性,但是噴霧蝕刻系統(tǒng)可能是對光致抗蝕劑粘附力...
發(fā)布時間: 2022 - 03 - 19
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來,與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機制相關的研究蓬勃發(fā)展,并為闡明顆粒粘附機制做了大量工作。大多數(shù)物質(zhì)在與溶液接觸時,會獲得表面電荷,膠體化學中就是這么說的。據(jù)認為,這種電荷是由固體表面電離、離子吸附到固體表面和離子溶解引起的。溶液中的帶電固體表面影響界面周圍區(qū)域的離子分布;與帶電固體表面符號相反的離子被拉向界面,而符號相同的離子被迫離開界面。這樣,在溶液中的帶          電界面形成雙電層,并隨后影響與晶片表面相關的顆粒吸附和去除。接下來,將簡要說明ζ電勢。如果一個固體浸入溶液中時,在固-液界面上存在雙電層。圖10.1顯示了一個固體—液體界面的結(jié)構(gòu)模型,它是基于斯特恩的理論,適用于帶正電荷的表面。在這個雙電層中,在幾乎是固體的部分,有一個吸收相反離子的斯特恩層。此外,擴散層存在于其外部。船尾層外側(cè)存在一個滑移面。這個滑移面的電勢稱為ζ電勢。滑移面位于液體中的某處,而不是正好在固-液相邊界。ζ電勢用于解釋顆粒對晶片表面的粘附和去除。圖10.2顯示了溶液中顆粒和晶片表面的示意圖。例如,由于吸收H”離子,推測兩個表面都帶正電。在...
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