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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統,獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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單晶硅片從切片到拋光清洗的工藝流程一、硅片生產主要制造流程如下: 切片→倒角→磨片→磨檢→CP→CVD→ML→最終洗凈→終檢→倉入 二、硅片生產制造流程作業(yè)實習 1. 硅棒粘接:用粘接劑對硅棒和碳板進行粘接,以利于牢固的固定在切割機上和方位角的確定。 2. 切片(Slice):主要利用內圓切割機或線切割機進行切割,以獲得達到其加工要求的厚度,X、Y方向角,曲翹度的薄硅片。 3. 面方位測定:利用X射線光機對所加工出的硅片或線切割前要加工的硅棒測定其X、Y方位角,以保證所加工的硅片的X、Y方位角符合產品加工要求。 4. 倒角前清洗:主要利用熱堿溶液和超聲波對已切成的硅片進行表面清洗,以去除硅片表面的粘接劑、有機物和硅粉等。 5. 倒角(BV):利用不同的砥石形狀和粒度來加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等,以減少后續(xù)加工過程中可能產生的崩邊、晶格缺陷、處延生長和涂膠工藝中所造成的表面層的厚度不均勻分布。 6. 厚度分類:為后續(xù)的磨片加工工藝提供厚度相對均勻的硅片分類,防止磨片中的厚度不均勻所造成的碎片等。 7. 磨片(Lapping):去除切片過程中所產生的切痕和表面損傷層,同時獲得厚度均勻一致的硅片。 8.&#...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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本文介紹了玻璃微加工的工藝,包括噴砂,濕法蝕刻,反應離子蝕刻(RIE)和玻璃回流技術。根據實驗介紹并討論了每種方法的優(yōu)缺點。噴砂和濕法蝕刻技術是簡單的工藝,但是在小而高縱橫比的結構中卻面臨困難。演示了噴砂處理過的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蝕刻深度約為150 µm。通過濕蝕刻工藝觀察到具有蝕刻深度和側面約20μm的Tempax玻璃結構。這項工作最重要的方面是開發(fā)RIE和玻璃回流焊技術。這些方法的當前挑戰(zhàn)在此得到解決。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通過RIE技術獲得了直徑為1μm的玻璃柱,縱橫比為2μm,蝕刻深度為10μm的高深寬比為10的玻璃。通過玻璃回流技術成功地演示了嵌入在Tempax玻璃內部的貫穿硅晶片互連。研究了玻璃回流到大腔體(大于100μm),微溝槽(0.8μm寬溝槽)和微毛細管(直徑1μm)的情況。進行了工藝流程的其他優(yōu)化,以使玻璃滲透到微型圖案中。并研究了微毛細管(直徑為1μm)。進行了工藝流程的其他優(yōu)化,以使玻璃滲透到微型圖案中。并研究了微毛細管(直徑為1μm)。進行了工藝流程的其他優(yōu)化,以使玻璃滲透到微型圖案中。關鍵詞:玻璃微加工,濕法蝕刻,噴砂,反應離子蝕刻,玻璃回流工藝去:1.簡介由于玻璃的優(yōu)異材料性能,包括透明度,機械強度,和介電性能,該玻璃已經被廣泛用于微納米機械系統[ 1,2 ],微納米流體裝置[ 3,4 ]...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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用于制造微電子器件的薄膜都是使用某種沉積技術形成的,該術語是指在基板上形成沉積物。在半導體器件制造中,以下沉積技術(及其常用的縮寫)為: 低壓化學氣相沉積-LPCVD等離子體增強化學氣相沉積-PECVD低于大氣壓的化學氣相沉積-SACVD大氣壓化學氣相沉積-APCVD原子層沉積-ALD物理氣相沉積-PVD超高真空化學氣相沉積-UHV-CVD類金剛石碳-DLC商業(yè)電影-CF外延沉積-Epi化學氣相沉積和薄膜形成化學氣相沉積法可以定義為其中通過氣相吸附的前體的表面介導反應在基材上形成固體薄膜的任何方法。CVD工藝的反應性使其與物理工藝(如PVD中采用的蒸發(fā)和濺射)區(qū)別開來。術語“表面介導的”是指固體膜是由在基材表面發(fā)生的異質反應形成的。有關其他信息,請參見 化學氣相沉積物理。 圖1顯示了有助于理解CVD反應器中不同過程的示意圖。化學氣相沉積過程可分為多個離散步驟:首先,必須將前體化學物質送入CVD反應器。一旦進入反應器,通常必須通過流體傳輸和擴散的組合將前體分子傳輸到基底表面。一旦在表面上,前體分子必須保持足夠長的時間才能反應。反應發(fā)生后,產物薄膜原子必須保留在表面上,而副產物分子必須從基材表面解吸,從而為更多的傳入前體分子騰出空間。典型的CVD工藝薄膜CVD工藝生產的典型薄膜包括: 外延硅外延化合物半導體多晶硅介電薄膜二氧化硅(包括P和B摻雜的氧化物)氧...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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半導體蝕刻 在半導體器件的制造中,蝕刻是指將選擇性地從襯底上的薄膜中去除材料的技術(在其表面上有或沒有先有結構),并通過這種去除在襯底上形成該材料的圖案。該圖案由耐蝕刻工藝的掩模限定,該掩模的產生在光刻中詳細描述。一旦放置好掩模,就可以通過濕化學或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護的材料。圖1顯示了此過程的示意圖。從歷史上看,直到VLSI和ULSI技術問世之前,濕式化學方法在蝕刻圖案定義中都起著重要作用。但是,隨著器件特征尺寸的減小和表面形貌的日益嚴格,濕法化學蝕刻逐漸取代了干法蝕刻技術。這種變化主要是由于濕法刻蝕的各向同性。如圖2所示,濕法蝕刻會沿所有方向去除材料,這會導致由掩模定義的特征尺寸與在基板上復制的特征尺寸之間存在差異。與較大的特征尺寸相比,VLSI和ULSI設計要求掩模與圖形特征尺寸相關性要精確得多。此外,先進設備中的長寬比(深度與寬度之比)增加了,要達到這些比例,就需要具有使用定向蝕刻技術各向異性地蝕刻材料的能力。圖3提供了有助于理解各向同性與各向異性特征生成和方向蝕刻的示意圖。濕法蝕刻在先進工藝中的最終應用受到了打擊,這可能是因為許多用于設備制造的較新材料沒有可用于蝕刻的易濕化學物質。這些問題相結合,使?jié)穹ㄎg刻技術幾乎只能用于清潔而不是蝕刻應用中。只有具有相對較大特征尺寸的設備(例如某些MEMS結構)才繼續(xù)采用濕法進行蝕刻。在下面詳細討論了表面清潔 各向異性...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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批量微加工主條目:批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個厚度用于構建微機械結構。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進行密封。批量微機械加工對于實現高性能的壓力傳感器和加速度計至關重要,而這種壓力傳感器和加速度計在1980年代和90年代改變了傳感器行業(yè)。表面微加工主條目:表面微加工表面微加工使用沉積在基材表面上的層作為結構材料,而不是使用基材本身。[23]表面微機械加工創(chuàng)建于1980年代后期,旨在使硅的微機械加工與平面集成電路技術更加兼容,其目標是在同一硅晶片上結合MEMS和集成電路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅層,該多晶硅層被圖案化為可移動的機械結構,并通過犧牲性蝕刻下面的氧化物層來釋放。叉指式梳狀電極用于產生平面內力并以電容方式檢測平面內運動。這種MEMS范例使制造低成本的加速度計成為可能適用于例如汽車安全氣囊系統和其他性能低和/或高g-范圍就足夠的應用。ADI公司是表面微加工工業(yè)化的先驅,并實現了MEMS與集成電路的集成。熱氧化主條目:熱氧化為了控制微米級和納米級部件的尺寸,經常使用所謂的無蝕刻工藝。如Deal-Grove模型所述,這種制造MEMS的方法主要依賴于硅的氧化。熱氧化工藝用于通過高精度尺寸控制生產各種硅結構。包括光頻率梳[24]和硅MEMS壓力傳感器[25]在內的設備已經通過使用熱氧化...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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自1954年實用的太陽電池問世以來晶體硅太陽電池一直在世界光伏市場居統治地位占太陽電池總產量的80%~90%。其中多晶硅太陽電池以其高性價比的優(yōu)勢得到了迅速的發(fā)展市場占有率已達50%以上。但是多晶硅太陽電池的效率總體上沒有單晶硅太陽電池的高。這主要是由于兩個原因一方面單晶硅材料本身的有效少數載流子壽命比多晶硅材料的高另一方面單晶硅太陽電池表面的陷光效果要優(yōu)于多晶硅。因此要減少光的反射提高多晶硅電池轉換效率縮小多晶硅與單晶硅太陽電池之間效率上的差距最常用的工藝方法是在多晶硅表面采用絨面技術。對于單晶硅來說采用堿溶液的各向異性腐蝕即可以在其(100)面得到理想的絨面結構而多晶硅由于存在多種不同晶向采用上面的方法無法作出均勻的絨面也不能有效降低多晶硅的反射率。目前多晶硅絨面技術主要有機械刻槽、激光刻槽、等離子刻蝕(RIE)和各向同性酸腐蝕。機械刻槽的工藝方法要求硅片厚度在200μm以上因為刻槽的深度一般在50μm的量級上,所以對硅片的厚度要求很高而這樣的技術會增加成本。等離子刻蝕制備出硅片表面陷光效果是非常好的但它需要相對復雜的處理工序和昂貴的加工系統。在硅片表面織構的制作過程中可能會引入機械應力和損傷在后處理中形成缺陷。而各向同性酸腐蝕技術可以比較容易地整合到當前的太陽電池處理工序中應用起來基本上是成本最低的在大規(guī)模工業(yè)化生產中,各向同性酸腐蝕是目前廣泛應用的多晶硅太陽電池絨面技...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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MEMS的制造是從半導體器件制造中的工藝技術發(fā)展而來的,即基本技術是材料層的沉積,通過光刻和蝕刻以形成所需形狀的圖案。[12]硅硅是用于制造現代工業(yè)中消費電子產品中使用的大多數集成電路的材料。的規(guī)模經濟,價廉高品質的材料容易得到,并能力納入電子功能化妝硅為各種各樣的MEMS應用具有吸引力。硅還具有通過其材料特性帶來的顯著優(yōu)勢。以單晶形式,硅是一種幾乎完美的胡克材料,這意味著當它彎曲時,幾乎沒有滯后,因此幾乎沒有能量耗散。除了實現高度可重復的運動外,這還使硅非??煽浚驗樗鼛缀鯖]有疲勞并且使用壽命可以達到數十億至數萬億次,而不會中斷。特別是在微電子學和MEMS領域,基于硅的半導體納米結構越來越重要。通過硅的熱氧化制造的硅納米線在電化學轉化和存儲方面,包括納米線電池和光伏系統,引起了人們的進一步關注。聚合物即使電子工業(yè)為硅工業(yè)提供了規(guī)模經濟,但結晶硅仍然是一種復雜且生產相對昂貴的材料。另一方面,可以大量生產具有多種材料特性的聚合物。MEMS器件可以由聚合物通過注塑,壓紋或立體平版印刷等工藝制成,特別適合微流體應用,例如一次性血液檢測盒。金屬金屬也可以用于制造MEMS元件。盡管金屬在機械性能方面不具備硅所顯示的某些優(yōu)勢,但在其限制范圍內使用時,金屬可以表現出很高的可靠性。可以通過電鍍,蒸發(fā)和濺射工藝沉積金屬。常用的金屬包括金,鎳,鋁,銅,鉻,鈦,鎢,鉑和銀。陶瓷由于材料特性的有利組合,硅...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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沉積過程MEMS處理的基本要素之一是能夠沉積厚度在1微米到100微米之間的材料薄膜。盡管膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米,但NEMS的過程是相同的。沉積方法有兩種,如下。物理沉積物理氣相沉積(“ PVD”)包括將材料從靶材上去除并沉積在表面上的過程。這樣做的技術包括濺射過程,在該過程中,離子束將原子從靶標中釋放出來,使它們移動通過中間空間并沉積在所需的基板上;然后進行蒸發(fā),在蒸發(fā)過程中,可以使用以下方法之一從靶標中蒸發(fā)掉材料真空系統中的熱量(熱蒸發(fā))或電子束(電子束蒸發(fā))?;瘜W沉積化學沉積技術包括化學氣相沉積(CVD),其中源氣流在基板上反應以生長所需的材料??梢愿鶕夹g的細節(jié)將其進一步分為幾類,例如LPCVD(低壓化學氣相沉積)和PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)。氧化膜也可以通過熱氧化技術來生長,其中(通常是硅)晶片暴露于氧氣和/或蒸汽中,以生長二氧化硅的薄表面層。圖案化MEMS中的圖案化是將圖案轉移到材料中。光刻術MEMS上下文中的光刻通常是通過選擇性地暴露于諸如光的輻射源而將圖案轉移到光敏材料中。光敏材料是當暴露于輻射源時其物理性質發(fā)生變化的材料。如果將光敏材料選擇性地暴露于輻射(例如,通過掩蓋一些輻射),則材料上輻射的圖案將轉移到已暴露的材料上,因為已暴露和未暴露區(qū)域的特性不同。然后可以去除或處理該暴露的區(qū)域,從而為下面的襯底提供掩模。光刻通常與金屬或其他薄膜沉積,濕...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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在光學冷加工中,鏡片的清洗主要是指鏡片拋光后殘余拋光液、黏結劑、保護性材料的清洗;鏡片磨邊后磨邊油、玻璃粉的清洗;鏡片鍍膜前手指印、口水圈以及各種附著物的清洗。傳統的清洗方法是利用擦拭材料(紗布、無塵紙)配合化學試劑(汽油、乙醇、丙酮、乙醚)采取浸泡、擦拭等手段進行手工清擦。這種方法費時費力,清潔度差,顯然不適應現代規(guī)?;墓鈱W冷加工行業(yè)。這迫使人們尋找一種機械化的清洗手段來代替。于是超聲波清洗技術逐步進入光學冷加工行業(yè)并大顯身手,進一步推動了光學冷加工業(yè)的發(fā)展。超聲波清洗技術的基本原理,大致可以認為是利用超聲場產生的巨大作用力,在洗滌介質的配合下,促使物質發(fā)生一系列物理、化學變化以達到清洗目的的方法。當高于音波(28~40KHz)的高頻振動傳給清洗介質后,液體介質在高頻振動下產生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互間的碰撞、合并、消亡的過程中,可使液體局部瞬間產生幾千大氣壓的壓強,如此大的壓強使得周圍的物質發(fā)生一系列物理、化學變化。這種作用稱為“空化作用”:1.空化作用可使物質分子的化池鍵斷裂,引起各種物理變化(溶解、吸附、乳化、分散)和化學變化(氧化、還原、分解、化合)等;2.當空腔泡的固有頻率和超聲頻率相等時,可產生共振,共振的空腔泡內聚集了大量的熱能,這種熱能足以使周圍物質化學鍵斷裂而引起物理、化學變化。3.當空腔泡形成時,兩泡壁間因產生極大的電位差而引起放電,致使腔內氣泡活化進...
發(fā)布時間: 2021 - 02 - 25
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有源區(qū)是硅片上做有源器件的區(qū)域,光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝,光刻主要包括表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序,刻蝕中常用的一種濕法腐蝕是BOE腐蝕,BOE腐蝕比干法刻蝕有諸多優(yōu)點,如設備成本低、單片成本低、生產效率高等。在現有的技術下,BOE腐蝕也存在很多不足,如腐蝕速率不穩(wěn)定、產品部分腐蝕不凈、部分區(qū)域染色、腐蝕后線寬尺寸偏差較大等。光刻BOE腐蝕質量與腐蝕液溫度、腐蝕運動方式、腐蝕液濃度密切相關。一般BOE腐蝕時,通過人工或自動上下提動片架或左右來回晃動片架,促進酸液與硅片表面二氧化硅反應,同時硅片表面生成一些小氣泡,這些氣泡會隔離酸液與二氧化硅接觸,阻止氧化層腐蝕,造成硅片圖形氧化層腐蝕不均勻或腐蝕不凈,特別在小尺寸芯片此類問題更為突出。如何在腐蝕過程中,消除這些氣泡成為業(yè)界難題。通常采用在槽內導入超聲波、酸液鼓泡等,增加了設備成本,但腐蝕效果仍不理想,為了解決這一問題,本發(fā)明提供了以下技術方案。現有技術中,在硅片有源區(qū)光刻工藝的刻蝕過程中,腐蝕液會與硅片反應生成氣泡,這些氣泡依附在硅片表面,將硅片與腐蝕液隔離,阻止氧化層的進一步腐蝕,容易造成硅片表面腐蝕不均勻或者腐蝕不凈。本發(fā)明的目的可以通過以下技術方案實現:一種BOE腐蝕的工藝方法,包括如下步驟:步驟一、將硅片清洗后加入烘箱中,在120℃,真空度-720...
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