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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料介紹晶圓表面污染,尤其是顆粒污染物,自半導體行業(yè)誕生以來一直是主要問題之一。完全加工的硅晶片的良率與晶片的缺陷密度成反比。降低缺陷密度的一種方法是使用有效的清潔技術來有效去除顆粒污染物。由于顆粒和基板之間的強靜電力,小顆粒特別難以從晶片上去除。因此,迫切需要找到一種有效的方法來有效地去除晶片上的顆粒,并且不會損壞晶片?,F(xiàn)代晶圓制造設施使用嚴格的污染控制協(xié)議,包括使用潔凈室防護服、乳膠手套和高度凈化的通風系統(tǒng)。結合這些協(xié)議,現(xiàn)代制造設施使用各種清潔晶片的方法,通常涉及加壓水噴射擦洗、旋轉晶片洗滌器、濕化學浴和沖洗以及類似系統(tǒng)。然而,這些工藝容易損壞晶片。此外,化學過程具有與使用化學品相關的固有危險,例如硫酸、氫氧化銨和異丙醇。......結論      已經提出了一種使用超聲波頻率范圍內的聲能清潔硅晶片的新穎而有效的技術。這種新方法已經證明,可以使用超聲波能量從裸硅晶片表面有效去除各種尺寸的顆粒。   略 本文簡述了半導體晶圓,污染物顆粒,造型等問題 文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要      在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時,需要對化學蝕刻劑有基本的了解,以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正磷酸濃度從50%到 95%(v/v)s多磷酸濃度從50%到5%的變化的敏感性(v/v),氯化鐵(III)濃度為10-40g/L,溶解鋁濃度為0.0-5.0g/L。 得出的結論是,正磷酸、多磷酸、氯化鐵蝕刻劑系統(tǒng)允許蝕刻 劑制備和電路處理的合理變化,而不會顯著影響蝕刻的純鋁電 路的線寬減小和邊緣質量。      在所研究的范圍內,在正磷酸濃度為75%至95%和氯化鐵濃度 為10g/LB寸,可獲得最佳的圖案清晰度和線寬減小。為了保持這種最佳狀態(tài),需要溫度控制和對蝕刻產物積累的密切監(jiān)控,建立了原子吸收分光光度法測定溶解鋁濃度的方法。      未來的工作將包括評估溴化鐵、硫酸化鐵和過渡金屬氧化物鹽,如鎳、鈷、錳、釕和鋨,作為氧化鐵的可能代替品。其他研究將集中在蝕刻反應的分析特征上。 介紹      在印刷電路工業(yè)中,化學蝕刻長期以來一直是在金屬膜中產生精確圖案的公認方法。蝕刻結合目前的光刻技術,提供了亞微米線分辨率。盡管隨...
發(fā)布時間: 2021 - 10 - 22
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掃碼添加微信,獲取更多相關濕法資料1.刻蝕速率刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示, 刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。 為了高的產量, 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設備中, 這是一個很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設備變量決定, 如被刻蝕材料類型、 蝕機的結構配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設置。 2.刻蝕剖面刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。 有兩種基本的刻蝕剖面: 各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和垂直方向) 以相同的刻蝕速率進行刻蝕, 導致被刻蝕材料在掩膜下面產生鉆蝕面形成的,這帶來不希望的線寬損失。 濕法化學腐蝕本質上是各向同性的,因而濕法腐蝕不用于亞微米器件制作中的選擇性圖形刻蝕。一些干法等離子體系統(tǒng)也能進行各向同性刻蝕。 由于后續(xù)上藝步驟或者被刻蝕材料的特殊需要, 也自一些要用到各向同性腐蝕的地方。3.刻蝕偏差刻蝕偏差是指刻蝕以后線寬或關鍵尺寸間距的變化。它通常是由于橫向鉆蝕引起的, 但也能由刻蝕剖面引起。 當刻蝕中要去除掩膜下過量的材料時, 會引起被刻蝕材料的上表面向光刻膠邊緣凹進去, 這樣就會產生橫向鉆蝕。4.選擇比選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少。 它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料平版印刷術被定義為“一種從已經準備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法,以便油墨僅粘附在將要印刷的設計上”。在半導體器件制造中,石頭是硅片,而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果,從而產生所需的特征。因為用于器件制造的光刻涉及使用光學曝光來創(chuàng)建圖案,所以半導體光刻通常被稱為“光刻”。與已經討論的檢查和計量技術一樣,光刻是圖案化的選擇技術,因為它是光學的,因此能夠實現(xiàn)小特征和高晶片產量。這與直接書寫和壓印等其他技術形成對比。光刻的基本原理圖1示出了用于定義淺溝槽隔離特征的典型光刻工藝。這一過程包括以下步驟:1. 基板清潔和準備2. 形成熱氧化層,并在干凈的襯底上沉積一層氮化硅3. 沉積碳硬掩模,然后沉積一層抗反射材料4. 沉積一層光刻膠5. 預烘焙光刻膠6. 對準襯底/光刻膠和掩模版,使用紫外輻射和4x-5x成像曝光光刻膠。重復步驟和掃描7. 曝光后烘焙8. 在光致抗蝕劑中顯影圖案,并硬烘焙以去除剩余的溶劑9. 執(zhí)行蝕刻以打開電介質抗反射涂層(DARC)和硬掩模圖案,并去除光致抗蝕劑和DARC10. 執(zhí)行蝕刻以在襯底中打開溝槽并去除硬掩模11. 清潔表面          ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應用;軟烤;掩模對準;曝光和顯影;和硬烤。晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用在第一步中,晶片被化學清洗以去除表面上的顆粒物質以及任何有機、離子和金屬雜質的痕跡。清洗后,用作阻擋層的二氧化硅沉積在晶片表面。在二氧化硅層形成之后,光致抗蝕劑被施加到晶片的表面。硅片的高速離心旋轉是集成電路制造中應用光刻膠涂層的標準方法。這種技術被稱為“旋涂”,在晶片表面產生一層薄而均勻的光刻膠。正性和負性光刻膠光刻膠有兩種:正片和負片。對于正性抗蝕劑,抗蝕劑在要去除底層材料的地方用紫外光曝光。在這些抗蝕劑中,暴露于紫外光會改變抗蝕劑的化學結構,從而使其在顯影劑中更易溶解。然后曝光的抗蝕劑被顯影液洗掉,留下裸露的底層材料窗口。換句話說,“無論什么節(jié)目,都會去。因此,掩模包含要保留在晶片上的圖案的精確拷貝。消極抵抗的行為正好相反。暴露在紫外光下會導致負性抗蝕劑聚合,并且更難溶解。因此,負性抗蝕劑在其被曝光的任何地方都保留在表面上,并且顯影劑溶液僅去除未曝光的部分。因此,用于負性光致抗蝕劑的掩模包含待轉印圖案的反轉(或照相“負片”)。下圖顯示了使用正性和負性抗蝕劑產生的圖案差異。 負抗蝕劑在集成電路加工的早期歷史中很流行,但是正抗蝕劑逐漸變得更廣泛使用,因為它們?yōu)樾缀翁?..
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料標準的半導體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底(晶圓)表面形成電路的工藝,稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程,稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導體制造的傳統(tǒng)封裝工藝中,襯底(晶圓)被研磨到指定的厚度,然后進行芯片分離(劃片、切割工藝)。 工藝流程1:各設備加工(單機)(每一步均由獨立設備執(zhí)行)保護膠帶(背面研磨用BG膠帶)層壓在晶圓表面的電路上,晶圓背面研磨至指定厚度,然后從晶圓表面去除保護膠帶。接下來,將切割膠帶(用于切割)安裝到晶圓背面,并將晶圓從表面切割成芯片。切割膠帶可防止芯片在切割后飛散。工藝流程 2:部分使用在線設備進行加工                                                                                &#...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料在不斷推動制造更小、更薄和更密集的芯片封裝的過程中,半導體行業(yè)更加關注將具有不同功能的單獨制造的組件集成到系統(tǒng)級封裝 (SIP) 中。這種被稱為異構集成 (HI) 的方法現(xiàn)在推動了行業(yè)的發(fā)展路線圖。SIP可在緊湊的外形尺寸內實現(xiàn)組件之間的高能效、高帶寬連接,并提供增強的功能和改進的操作特性。這使它們成為消費和通信設備等應用的理想選擇。優(yōu)化SIP以用于這些需要更小、更快和消耗更少功率的高需求終端產品意味著使用背面研磨使它們盡可能薄。減薄晶圓需要解決和減輕完整性問題。芯片貼膜 (DAF) 已成為必不可少的用于晶圓制備和引線鍵合單芯片和多芯片堆疊解決方案的分割。應用于晶圓背面的高粘性 DAF 可用作芯片的粘合材料和支撐膜。晶圓分割完成后,受DAF保護的芯片會從支撐帶上取下并放置在基板上。然后以傾斜/偏移模式垂直堆疊多個管芯,并且管芯在邊緣進行引線鍵合。圖 1 顯示了使用金剛石填充 DAF 創(chuàng)建的具有七個芯片層的堆疊芯片器件的示例橫截面。在層壓到 DAF 上之前,將硅晶片減薄至 200 微米,并使用雙軸切割鋸對經過 DAF 處理的器件晶片上的芯片進行分割,如圖 2 所示。圖 1:具有高導熱性 DAF 的 7 芯片堆疊。圖 2:用于晶圓切割的雙主軸鋸盡管焊膏會釋氣、空洞并滲入其他區(qū)域,但 DAF 很容易控制。它不僅可以保持模具的鋒利邊緣和形狀,還可以保持模具...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法相關資料摘要硅晶片是制造集成電路 (IC) 使用最廣泛的基板。IC的質量直接取決于硅片的質量。制造高質量的硅片需要一系列的工藝。同時雙面研磨 (SDSG) 是平整線鋸晶片的工藝之一。本文回顧了有關硅片 SDSG 的文獻,包括歷史、機器開發(fā)(包括機器配置、驅動和支持系統(tǒng)以及控制系統(tǒng))和工藝建模(包括磨痕和晶圓形狀)。它還討論了未來研究的一些可能的主題。 關鍵詞:研磨;加工; 造型; 半導體材料;硅片;同時雙面磨削 介紹集成電路 (IC) 廣泛用于計算機系統(tǒng)、電信、汽車、消費電子、工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)以及國防系統(tǒng)等應用中。超過 90% 的 IC 構建在硅片上. 全球每年生產約 1.5 億片不同尺寸的硅片. 2004年,全球硅片和半導體器件產生的收入為73億美元[3] 和 2130 億美元, 分別。作為平整硅片的工藝之一,同步雙面研磨 (SDSG) 具有巨大的潛力以低成本滿足對高質量硅片的需求。本文回顧了有關 SDSG 的文獻。在介紹部分之后,第 2 部分簡要回顧了當前可用的壓平硅晶片的工藝、每種工藝的優(yōu)缺點以及 SDSG 的建議應用。第 3 節(jié)總結了 SDSG 的簡要歷史。第 4 節(jié)介紹了 SDSG 的機器開發(fā),包括機器配置、驅動和支持系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)。過程建模SDSG 將在第 5 節(jié)中介紹。最后一節(jié)討論了 SDSG 未來研究的一...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要按照典型的雙大馬士革工藝一步一步地識別晶圓斜面、背面和隔離區(qū)的銅(Cu)污染。 物理氣相沉積系統(tǒng)的屏蔽環(huán)不能有效地保護隔離區(qū)和斜面。 此外,銅可能溶解和積聚在用于介質后蝕刻清潔的溶劑中。 溶解的銅原子則可能  再沉積在晶圓表面。 此外,粗糙的后側面比光滑的前側面更容易捕獲銅原子。 如果背面表面沒有SiO2膜,用稀HF進行化學機械拋光清洗后,不能去除背面表面的Cu。 提出了一種優(yōu)化的單片自旋腐蝕工藝。 以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比為0.5:3:1:0.5時,蝕刻劑性能最佳。 實驗表明,在很短的時間內,10 s的后側清洗可以完全去除后側表面、斜面和2mm隔離區(qū)的銅。 提出了一種“晶圓漂移”方法,解決了由于蝕刻殘余而導致的邊緣引腳附近的針痕問題。 優(yōu)化后的清洗工藝比以往報道的清洗工藝時間更短,清洗效率更高。  隨著集成電路處理技術的進步,特征尺寸不斷縮小。 由于器件性能和電路密度的提高而縮短。  通道長度和更小的器件幾何形狀,由于金屬線更細更長和它們之間的空間更窄,多電平互連的電阻和電容都增加了。 銅(Cop- per, Cu)因其低電性而被認為是鋁互連材料中最合適的替代材料...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料 各向同性和各向異性:當材料受到液體或蒸汽蝕刻劑的侵蝕時,它會被各向同性(在所有方向上均勻)或各向異性蝕刻(在垂直方向上均勻)去除。各向同性蝕刻和各向異性蝕刻之間的區(qū)別如圖 1 所示。濕蝕刻的材料去除速率通常比許多干蝕刻工藝的速率快,并且很容易通過改變溫度或活性物質的濃度來改變。 濕蝕刻同義詞: 化學蝕刻、液體蝕刻 定義:濕蝕刻是一種材料去除工藝,它使用液體化學品或蝕刻劑從晶片上去除材料。特定的圖案由晶圓上的掩模定義。不受掩模保護的材料會被液體化學品蝕刻掉。在先前的制造步驟中使用光刻在晶片上沉積和圖案化這些掩模。[2] 濕法蝕刻工藝涉及消耗原始反應物并產生新反應物的多個化學反應。濕蝕刻工藝可以通過三個基本步驟來描述。(1) 液體蝕刻劑擴散到要去除的結構。(2)液體蝕刻劑與被蝕刻掉的材料之間的反應。通常會發(fā)生還原氧化(氧化還原)反應。該反應需要材料的氧化,然后溶解氧化的材料。(3)反應中副產物從反應表面擴散。 各向異性濕蝕刻 略 各向同性濕法蝕刻:  略 干蝕刻:     略同義詞:等離子蝕刻、氣體蝕刻、物理干蝕刻、化學干蝕刻、物理化學蝕刻反應離子蝕刻:  略  ...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 10
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