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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質要求,酸堿管路材質為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        在半導體制造業(yè),大量(美國500億加侖)  超純水(UPW)是用來沖洗的晶片經(jīng)過濕化學處理,去除表面的離子污染物。 偉大的關注的是污染物在狹窄的(幾十納米),高縱橫比(5:1到20:1)  特征(溝槽、通道和接觸孔)。 國際技術路線圖半導體(ITRS)規(guī)定離子污染水平要降到~以下 1010個原子/平方厘米。 了解漂洗過程中的瓶頸將使節(jié)約沖洗用水。在COMSOL平臺上開發(fā)了一個綜合的過程模型初步預測了帶圖案SiO2襯底上窄結構的漂洗動力學摘要選用清潔。 該模型考慮了各種質量輸送的影響機制,包括對流和擴散/擴散,同時發(fā)生具有各種表面現(xiàn)象,如雜質的吸附和解吸。體塊和表面帶電物種的影響,以及它們的感應電影響運輸和表面相互作用的領域,已經(jīng)被處理。 建模結果表明,脫附率對漂洗效果有很大影響吸附污染物,污染物的傳質從特征口到體積液體,溝槽縱橫比。檢測沖洗終點是另一種節(jié)約用水的方法濕處理后漂洗。 電化學阻抗的適用性用光譜法(EIS)監(jiān)測含銅和不含銅HF處理的硅的漂洗情況探討了污染物。 在第一項研究中,影響表面狀態(tài)的性質(研究了硅帶、耗盡或積累對洗滌速率的影響。 實驗結果表明,硅的狀態(tài)直接影響漂洗動力學離子...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多濕法相關資料摘要研究了在半導體制造中的濕清潔過程中使用酸和堿溶液從硅片表面去除顆粒。它有 實驗證明,堿性溶液優(yōu)于酸性溶液對顆粒去除效率的影響。探討了堿性溶液中顆粒的去除機理確認如下:解決方案蝕刻晶圓表面舉起粒子,然后粒子被電排斥從晶圓片表面。 這是通過實驗確定的需要0.25 nm/min或更多的刻蝕速率才能提升顆粒吸附在晶圓表面。 的腐蝕速率當混合比為0.05:1:5 (NH40H: H2O2: HzO)時,NH40H- hzoz - hz0溶液為0.3 nm/min。 這種混合比,晶圓片的表面光滑度保持在 最初的水平。 因此,可以將NH40H- hzoz - hz0溶液中NH40H的含量降低到常規(guī)溶液的1 /20的水平。另外,已經(jīng)證實,當pH值  NH40H-Hz0z-Hz0溶液變高,聚苯乙烯乳液球體和天然有機粒子被它們氧化表面變成凝膠,形狀改變。 結果表明,顆粒去除效率降低通過氧化有機粒子。有機物的氧化 NH40HHzO2-Hz0溶液中NH40H含量高于0.1:1:s (pH大于9.1)時,顆粒顯著增加。這些實驗結果表明,混合比NH40H-HzO2-H20溶液應設為0.05:1:5。 這混合比例對保持兩種顆粒的去除是有效的硅片的效率和表面光潔度。   本文還講述了...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 18
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料介紹         提高成品率是集成電路制造中面臨的最大挑戰(zhàn)。  最初,過程集中在用一個屈服模(即一個模)生產(chǎn)晶圓片根據(jù)IC規(guī)范工作的。 一旦獲得產(chǎn)量穩(wěn)步增加。 成品率的限制因素通常是晶圓片污染 在工廠。 這在現(xiàn)在變得更加重要,因為設備的尺寸目前在nm范圍內。 潔凈室技術被設計成 減少這種污染。 圖1顯示了兩個粒子的例子晶片。 兩條金屬線之間的微粒會引起短路信號。 圖2顯示了引起的兩種類型缺陷的SEM圖像。   圖1:晶圓片表面(a)金屬線與(b)之間的缺陷         表面缺陷可以影響新層的生長,而缺陷之間金屬線會導致短路。 表面上的顆粒會引起誤差通過干擾掩模過程進行光刻。 作為設備維  收縮,這些缺陷顆粒的最小尺寸也會收縮。 ......        本文講述了污染物類型,潔凈室設計,晶圓片表面清潔等問題文章全部詳情,請加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要        硅主導半導體行業(yè)是有充分理由的。 一個因素是穩(wěn)定,容易形成,絕緣氧化物,這有助于高性能 并允許實際處理。 這些美德如何才能作為新的美德繼續(xù)存在對完整性、特征尺寸的小型化和其他方面提出了要求 尺寸,以及對加工和制造方法的限制? 這些需求使得識別、量化和預測控制增長的關鍵變得至關重要以及原子尺度上的缺陷過程。理論與新實驗的結合(同位素方法、電子方法) 噪聲、自旋共振、脈沖激光原子探針等解吸方法,特別是掃描隧道顯微鏡或原子力顯微鏡)提供了工具他對模型的影響剛剛得到認可。 我們討論電流硅氧化的統(tǒng)一模型,超越了傳統(tǒng)的描述的動力學和橢偏數(shù)據(jù),明確地解決問題提出同位素實驗。 這個框架仍然是Deal-Grove模式提供了一種現(xiàn)象學來描述行為的主要機制給出了一個基礎,從這個基礎可以對實質性的偏差進行描述在這個模型中,生長受到擴散和界面反應的限制 系列。 與Deal-Grove的差異僅對第一批投資者最為顯著幾十個氧化物原子層,這對超薄的氧化物層至關重要現(xiàn)在要求。 幾個重要的特征出現(xiàn)了。 首先是壓力的作用和應力松弛。 其次是最接近硅的氧化物的性質進一步分析了其缺陷及其與非晶化學計量氧化物的區(qū)別輸出,無論是在組成...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料摘要  硅是制造眾多半導體材料中最有趣和最有用的材料  半導體器件。 在半導體器件制造中,各種加工步驟都落了下來  分為四大類,即沉積、去除、模塑和改性  電氣性能。 在每一個步驟中,晶圓清洗是最主要和最基本的步驟發(fā)展以半導體為基礎的電子器件。 清洗過程就是去除不改變或損壞晶圓表面或基片的化學和顆粒雜質。本文對硅片清洗過程進行了分類綜述。 一些基本的簡要介紹了潔凈室的概念。   關鍵詞:半導體制造,硅片,硅片清洗,潔凈室   介紹  半導體是一種固體物質,兩者之間有導電性,絕緣體和導體的定義半導體的性質。材料的關鍵在于它可以被摻雜雜質改變了它的電子以一種可控的方式,硅是最常用的半導體材料。生長,外套,否則轉移材料到晶圓上。 移除是任何過程比如蝕刻和化學機械平化(CMP)去除材料從晶片。 模式是關于塑造或沉積材料的改變一般稱為平版印刷。最后,電氣改造 性質是通過摻雜雜質來完成的半導體材料。目的晶圓清洗過程[1-10]是去除化學物質和顆粒  沒有改變或損壞的雜質晶片表面或基片。對晶片進行預擴散清洗清潔的意思是創(chuàng)造一個表面不含金屬、微粒和有機物污染物、金屬離子去除干凈 即去除...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      讓我們面對現(xiàn)實:在選擇用于構建功率半導體的襯底材料時,硅 (Si) 與碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等新興化合物半導體無法匹敵。由于它們的基本材料特性,這些化合物半導體可以完成硅無法做到的事情。      直到最近,Si還是性價比最高的半導體材料,足以滿足功率半導體器件的需求。然而,電動和混合動力汽車 (EV/HEV)、用于移動設備和 EV 的快速充電設備以及 5G 網(wǎng)絡等新興應用需要在更高頻率下運行、可以處理更高電壓、更導熱并且可以承受的功率設備溫度范圍更廣。      這就是為什么想要處于技術領先地位的制造商正在投資使用化合物半導體制造設備的原因。事實上,分析師預測到 2027 年全球化合物半導體市場將達到 2129 億美元,從 2020 年到 2027 年的復合年增長率為 11.1%。預計在此期間僅 SiC 市場將達到 18 億美元,而 GaN 市場預計將增長到 2026 年價值 249 億美元??紤]到這一點,我們認為現(xiàn)在可能是回顧是什么讓化合物半導體如此特別以及如何克服一些工藝挑戰(zhàn)的好時機。化合物半導體:基礎知識     簡單地說,化合物半導體由兩種或多種元素構成,而硅半導體由單一元素構成。它們通...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料      鈦長期以來一直是牙種植體材料的標準載體。然而,在考慮長期和短期影響種植牙成功的因素時,最關鍵的因素之一無疑是種植體的表面。為什么種植牙表面很重要      乍一看,鈦似乎是牙科植入材料的奇怪選擇。盡管鈦具有高強度、良好的生物相容性、低毒性和高耐腐蝕性,但純鈦具有高反應性。然而,當它與氧氣相互作用時,會形成氧化鈦 (TiO2) 表面層,穩(wěn)定表面并允許發(fā)生骨整合。      表面對骨整合的愈合時間以及最終種植體治療的成功具有重要作用。它是唯一暴露于周圍口腔環(huán)境的種植體部分,其化學、物理、機械和地形表面特征對于最大限度地提高成功骨整合的可能性至關重要。 圖 1 掃描電子顯微鏡圖像顯示陽極氧化 TiUnite? 植入物表面有密集的血液凝固。血液凝固是種植體周圍骨愈合的第一步;強烈的初始反應表明該陽極氧化表面具有骨傳導性。種植體表面改性的發(fā)展      今天,有各種各樣的鈦牙種植體表面。多年前的初始種植體具有光滑的翻轉表面,正如他所描述的,它們需要三到六個月的愈合時間才能成功進行種植體裝載。      從那時起,牙種植體及其表面的設計隨著時間的推移經(jīng)常發(fā)生變化和演變,以改善骨整合和更好的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料還記得什么時候我們可以在星期天給手機充電,直到下周末才再考慮嗎?曾經(jīng)有一段時間,在購買手機時,電池壽命甚至不在前十名中。然而,如今,智能手機不斷被用于計算、游戲、視頻流和其他耗電的應用程序,因此電池壽命比以往任何時候都更加重要。經(jīng)典摩爾定律縮放曾經(jīng)用于同時改進芯片“PPAC”——功率、性能和面積/成本——但由于 2D 縮放已經(jīng)達到物理極限,情況不再如此。展望未來,PPAC 的改進將通過多種方法實現(xiàn),包括縮小晶體管的新方法。簡單地將晶體管做得更小已經(jīng)不夠了;我們還需要提高能效,以在小尺寸中提供最大性能。延長移動設備電池壽命的一種方法是確保晶體管在應該關閉的時候真正關閉。理想情況下,當晶體管處于“關閉”狀態(tài)時,不應有任何電流流過晶體管鰭通道和柵極。然而,在現(xiàn)實世界中,總會有少量電流通過溝道、結和柵極電介質泄漏(稱為 I off)。因此,制造商不斷努力將這些泄漏降至最低。傳統(tǒng)上,通過增加對門的控制來減少I off。FinFET 的創(chuàng)新就是一個很好的例子。在這個方案中,整個晶體管在垂直方向上被拉伸,使得溝道從襯底中凸起,柵極環(huán)繞鰭的三個側面。在特定的 2D 封裝中,柵極的較大接觸面積可以更好地控制漏電流。FinFET 的硅鰭片中的大部分驅動電流流向靠近材料表面而不是鰭片的中間,并且總電流幾乎與鰭片周長(有效溝道寬度)成正比。這意味著當...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料蝕刻對牙齒有什么影響?        正如您可能會在給光滑的木桌上涂上新顏色之前將清漆打磨掉一樣,蝕刻過程會使牙齒表面更粗糙,因此附著的牙科材料更安全。在顯微鏡下,蝕刻會溶解牙釉質和牙本質(牙齒的兩個外層)中的一些礦物質。這種穩(wěn)定的侵蝕會產(chǎn)生稱為“標記和隧道”的粗糙特征,可以更好地以化學方式吸收粘合樹脂并將其物理鎖定在牙釉質和牙本質表面上的位置。酸本身通常是一種 30% 到 40% 的磷酸凝膠,著色后使其在牙齒上可見。您的牙科專家會將凝膠留在您的牙齒表面約 15 到 30 秒,它產(chǎn)生的侵蝕使光滑的牙釉質表面呈現(xiàn)出冷淡的外觀。粘合材料用特定波長的特殊光“固化”。該過程的最后一步包括填充或粘合材料,以分層放置在粘合的頂部。每一層都會固化,直到您的牙科專家完成修復體的最終形狀。牙科中的酸蝕是將不同類型的修復體粘合到牙釉質或牙本質上的有效方法。牙齒上的有機和無機材料的“涂抹層”是由蛀牙準備產(chǎn)生的,它不是理想的粘合表面。由于需要“破壞”這個涂抹層,酸蝕刻始于 1970 年代和 1980 年代。酸蝕刻技術       根據(jù)您的牙科修復體的程序和大小,您的牙科專家可能會使用三種基本的蝕刻技術。牙冠或貼面的材料,如氧化鋯或瓷器,也可能影響牙醫(yī)使用的蝕刻技術。三種主要方法如下:...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 17
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掃碼添加微信,獲取更多半導體相關資料流程概覽      硅半導體器件加工的描述,可以是分立器件(僅包含一個有源器件的半導體,例如晶體管)或 IC(能夠執(zhí)行至少一個電子電路功能的單個半導體襯底內的有源和無源元件的互連陣列) ,涉及許多高度技術性和特定的操作。本說明的目的是提供基本框架和解釋,用于制造硅半導體器件的主要組件步驟以及相關的環(huán)境、健康和安全 (EHS) 問題。      IC 的制造涉及一系列過程,在電路完成之前,這些過程可能會重復多次。最流行的 IC 使用 6 個或更多掩膜來完成圖案化工藝,典型的是 10 到 24 個掩膜。微電路的制造始于直徑 4 至 12 英寸的超高純度硅晶片。完全純凈的硅幾乎是一種絕緣體,但某些雜質(稱為摻雜劑)以百萬分之 10 到 100 的量添加,使硅導電。      集成電路可以由數(shù)百萬個由摻雜硅制成的晶體管(還有二極管、電阻器和電容器)組成,所有晶體管都通過適當?shù)膶w模式連接,以創(chuàng)建計算機邏輯、存儲器或其他類型的電路。在一塊晶圓上可以制作數(shù)百個微電路。      六個主要的制造工藝步驟適用于所有硅半導體器件:氧化、光刻、蝕刻、摻雜、化學氣相沉積和金屬化。接下來是組裝、測試、標記、包裝和運輸。氧化 ...
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