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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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半導體濕法清洗專家華林科納介紹硅片清洗機的相關(guān)工藝1、硅片清洗機概述   硅片清洗機廣泛應用于光伏,電子等行業(yè)硅片清洗;由于硅片在運輸過程中會有所污染,表面潔凈度不是很高,對即將進行的腐蝕與刻蝕產(chǎn)生很大的影響,所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污,然后溶解氧化膜,因為氧化層是“沾污陷進”,會引起外延缺陷;再去除顆粒、金屬等,同時使硅片的表面鈍化。  目前多采用傳統(tǒng)的RCA清洗方法,不僅可以去除硅片表面的金屬、有機物等,還可以去除小顆粒等污染物。2、清洗工藝  RCA清洗法  RCA清洗法又稱工業(yè)標準濕法清洗工藝,是由美國無線電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀60年代提出后,由此得名。  RCA濕法清洗由兩種不同的化學溶液組成,  SPM具有很高的金屬氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能將有機物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機沾污和部分金屬,當沾污特別嚴重時,難以去除干凈。  DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同時抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬,也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時,硅片...
發(fā)布時間: 2017 - 01 - 06
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華力微基于SONOS的55納米閃存試產(chǎn)日前,賽普拉斯與華力微共同宣布,基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產(chǎn)權(quán)相結(jié)合,為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術(shù)進行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn),針對藍牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優(yōu)化,使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用的理想選擇。2017年下半年,華力的客戶即可采用該技術(shù)和設計IP進行全面量產(chǎn)。高性能氧化銥/鉑納米錐復合鍍層提高神經(jīng)電極電刺激性能近日,中國科學院深圳先進技術(shù)研究院醫(yī)工所微納中心研究員吳天準及其研究團隊成功研發(fā)出一種具有納米結(jié)構(gòu)的高性能氧化銥/鉑納米錐復合鍍層。這種高性能復合鍍層有效解決了隨著電極陣列化和集成化帶來的高電化學阻抗、低電荷存儲能力及低電荷注入能力的問題,并顯著提高了神經(jīng)電極的電刺激性能。相關(guān)研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes(《鉑納米錐上電沉積氧化銥在改善神經(jīng)刺激電極中的應用》)已在線發(fā)表于電化學期刊ElectrochimicaActa。同時該工作的階段性成果被IEEE NEMS 201...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 17
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半導體加工中的刻蝕技術(shù)包括濕法化學刻蝕 (Wet Chemical Etching),等離子刻蝕(Plasma Etching),反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching)和離子研 磨(Ion Milling)。與其它刻蝕技術(shù)相比,濕法化學刻蝕工藝的主 要優(yōu)點是成本低,對硅片上器件幾乎無損害,高選 擇比。缺點是各向異性差,工藝控制性(對溫度敏 感)差,微顆??刂撇?,化學品處理費用高,由于氣 泡等因素很難使用于小的圖形。 半導體工業(yè)中的濕法刻蝕工藝,主要使用酸 液去除金屬、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等離子刻蝕,在刻蝕速率和經(jīng)濟性上要高于后者,但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性,在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者,所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大,對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比,避免了在同一槽內(nèi)批處理時硅片之間的互相污 染,潔凈度好,且單片處理速度更快,對刻蝕圖形的 精度控制也好于后者。 濕法刻蝕供酸管路系統(tǒng)的主體為主循環(huán)回 路,并有其它輔助的管路用于化學液補充或廢液子刻蝕,在刻蝕速率和經(jīng)濟性上要高于后者,但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性,在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者,所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大,對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統(tǒng)槽式處理方法相 比,避免了在同一槽...
發(fā)布時間: 2017 - 01 - 04
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中芯國際今年總銷售增長率上看20%,其中先進制程產(chǎn)能擴產(chǎn)與28納米工藝放量成長,將是主要兩大驅(qū)動力。中芯國際也將在13日舉辦專題技術(shù)研討會,全面對客戶展現(xiàn)先進工藝制程與物聯(lián)網(wǎng)平臺的完整布局。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?! ≈行緡H日前預估,2017年相較2016年增長率將上看20%,盡管2017年上半年正在經(jīng)歷季節(jié)性調(diào)整,但是中芯國際對于下半年業(yè)績抱持樂觀展望,很可能展現(xiàn)“先蹲后跳”的實力?! ∑渲?,沖刺28納米最先進制程工藝的布局,進展最快的就是中芯國際。根據(jù)統(tǒng)計,2016年中芯國際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%,與28納米制程市占率分別為66.7%、16.1%與8.4%的前三大純晶圓代工廠商臺積電、格羅方德、聯(lián)電仍保持較大的差距?! 《?8納米將是2017年中芯主要成長動能之一,預期2017年底28納米以下制程工藝將占公司營收比重達到7%-9%。并將在2017年底28納米季度營收占比接近10%?! ”M管中芯國際的28納米制程工藝已在此前量產(chǎn),但從產(chǎn)品規(guī)格來看,多偏向中低端的28納米Ploy/SiON技術(shù),對于高端的28納米HKMG制程工藝涉足并不深,今年能否在HKMG制程工藝如期放量成長,乃外界觀察指標之一。       今年中芯國際在先進工藝平臺有幾個重點,一是28納米放量成長,二是14納米起步開始有營收貢獻,三是7納...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 13
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濕刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學反應將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。(1) 特點:適應性強,表面均勻性好、對硅片損傷少,幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。(2) 缺點:圖形刻蝕保真想過不理想,刻蝕圖形的最小線難以掌控。(3) 植入廣告??!該公司在這濕蝕刻方面比較優(yōu)越!?。。?!蘇州華林科納,成立于2008年3月,總投資4500萬元;目前已形成濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號的產(chǎn)品; 廣泛應用于大規(guī)模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽能電池等領域。 干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面薄膜反應,形成揮發(fā)性物質(zhì),或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。(1) 特點:能實現(xiàn)各向異性刻蝕,從而保證細小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。(2) 缺點:造價高。 從所產(chǎn)生通道截面形狀分類,刻蝕又可分為兩類:各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。(1) 各向同性刻蝕:刻蝕劑從基片表面向下腐蝕的速率與在其他各方向大致相同,這種刻蝕成為各向同性刻蝕。例如含氫氟酸的溶液刻蝕玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向異性刻蝕:刻蝕劑在某一方向的刻蝕速率遠大于其他方向時,就是各向異性刻蝕。例如用氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬的氫氧化物或季銨鹽刻蝕硅片時是各向異性的更多的半導體材料工藝設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華...
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 28
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單片清洗機在安裝調(diào)試的過程中,會遇到一些常見問題,華林科納CSE的安裝技術(shù)工程師也整理了如下注意事項,可供大家參考:機械部分1.設備結(jié)構(gòu)主要分為:設備殼體,中間選轉(zhuǎn)部分,四周擺臂部分,后部滾刷部分,設備管路系統(tǒng),供酸系統(tǒng);2.中間選轉(zhuǎn)部分在安裝時,要保證安裝完成后,中間旋轉(zhuǎn)部分的高度可以調(diào)節(jié),真空壓力要保證好,防止旋轉(zhuǎn)時及進行滾刷時把片子轉(zhuǎn)飛掉,在腐蝕清洗時,要保證有一定的轉(zhuǎn)速,藥液從片著四周出去,防止污染片子背面;3.四周擺臂機構(gòu),根據(jù)工藝要求每個擺臂上面的藥液和噴頭也不一樣,工藝制作時,根據(jù)藥液來選擇擺臂,擺臂設計時,因為有些藥液有溫度要求,擺臂應該藥液預熱或者預冷位置,讓藥液進行預熱或者預冷,同時不會噴到片子上面,擺臂還有擺動噴灑藥液的供液,擺動的幅度和擺動的范圍都是要可以調(diào)整的;4.后部滾刷部分,在整個機構(gòu)組裝安裝完成之后,擺動的高度也是可以進行上下調(diào)整的,滾刷伸出和縮回的距離也應該可以進行設定,因為滾刷的材料是PVA的,用之前是進行真空包裝,安裝之后,要每隔10秒滾刷進行滾動,滾動同時上面要進行噴水,不然滾刷就會變硬;5.旋轉(zhuǎn),擺動,滾刷,根據(jù)工藝的不同,可以進行選擇,然后進行不同的組合。電器部分1.在制作程序時,有要求設定參數(shù)時,都應該設有該參數(shù)的最大值和最小值,讓用戶在范圍內(nèi)進行設定,防止發(fā)生錯誤;2.因為單片機的藥液溫度要求較高,所以制作程序時要考慮藥液預熱和預冷的...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 02
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鳳凰科技訊 據(jù)The Investor網(wǎng)站北京時間4月12日報道,三星電子將從7月份開始運營位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠。新設施是全球規(guī)模最大的芯片工廠,占地289萬平方米。三星將在該工廠量產(chǎn)第四代3D NAND閃存芯片,該芯片垂直堆疊達到64層。據(jù)《首爾經(jīng)濟新聞》報道,三星已要求合作伙伴在5月底之前供應必要的芯片制造設備。消息稱,一開始,新工廠的產(chǎn)量將較為有限,需要幾年時間才能全面運轉(zhuǎn)。三星預計將于今年開始在這一芯片制造綜合體運營,但是尚未正式宣布具體時間表。新工廠從2015年開始建造,耗資15.6萬億韓元(約合136億美元)。平面和垂直NAND閃存芯片的總產(chǎn)能預計將達到每月45萬片晶圓,3D NAND閃存芯片將占據(jù)一半以上。三星目前是全球最大的NAND閃存芯片制造商。市場研究公司IHS Markit發(fā)布的報告顯示,三星去年在NAND閃存芯片市場的份額從2015年的32%增長到了36.1%。更多半導體相關(guān)新聞信息,可以關(guān)注華林科納(江蘇)CSE網(wǎng)站http://www.hlcas.com/
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 13
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華林科納主要通過偏心旋轉(zhuǎn)改善蝕刻均勻度以及斜度,通過精準的溫度控制及時間調(diào)節(jié)定位蝕刻深度更多的相關(guān)設備調(diào)試視頻可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(http://126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 02
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導讀: 去年,中國成功發(fā)射了全球第一顆量子通信衛(wèi)星,目前正在按照預期工作。在量子通信方面,中國已經(jīng)走在世界前列。傳統(tǒng)硅基半導體計算機的提升越來越困難,而量子計算機普遍被視為未來的新希望,尤其是美國正全力投入研發(fā),已經(jīng)有了不少成果。那么中國呢?其實也在悄然進行中。據(jù)中科院院長白春禮透露,中科院正在研制中國第一臺量子計算機,預計最近幾年就有望研制成功。白春禮表示,科學家已經(jīng)能夠?qū)瘟W雍土孔討B(tài)進行調(diào)控,量子通信、量子計算機等都將產(chǎn)生變革性的突破。那么,量子計算機到底有多厲害?白春禮舉了一個形象的例子:如果要求解一個億億億變量的方程組,如果用億億次的當今第一超級計算機天河二號計算,需要長達100年,而使用一臺萬億次的量子計算機計算,只需區(qū)區(qū)0.01秒。去年,中國成功發(fā)射了全球第一顆量子通信衛(wèi)星,目前正在按照預期工作。在量子通信方面,中國已經(jīng)走在世界前列。 更多半導體行業(yè)新聞可以關(guān)注華林科納(江蘇)網(wǎng)站:http://126xa.cn/
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 12
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導讀: 隨著聯(lián)電廈門子公司聯(lián)芯的 28 納米先進制程計劃在今年第二季正式量產(chǎn),TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,中國本土晶圓代工廠今年將沖刺在 28 納米最先進制程的布局,進度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子...隨著聯(lián)電廈門子公司聯(lián)芯的 28 納米先進制程計劃在今年第二季正式量產(chǎn),TrendForce 旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,中國本土晶圓代工廠今年將沖刺在 28 納米最先進制程的布局,進度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子,然而,隨著外資紛紛于中國大陸地區(qū)設立晶圓廠,本土晶圓代工廠面臨技術(shù)、人才、市場上的直接競爭壓力。拓墣指出,中國大陸地區(qū)純晶圓代工廠商目前最先進的量產(chǎn)制程為 28 納米,根據(jù)統(tǒng)計,中芯國際 28 納米晶圓產(chǎn)品 2016 年的年晶圓產(chǎn)能全球占比不足 1%,與 28 納米制程市占率分別為 66.7%、16.1% 與 8.4% 的前三大純晶圓代工廠商臺積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。不過,根據(jù)中芯國際季報顯示,2016 年第四季 28 納米營收占比達到 3.5%。中芯國際首席CEO邱慈云在 2 月 15 日的法說會上表示,28 納米以下制程會是 2017 年中芯的成長動能之一,預期 2017 年底 28 納米以下制程,將占公司營收比重達到 7%~9%。甫公布的中芯國際 2016 年業(yè)績報告中,也展望 2017 年底 28 納米...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 11
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