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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說(shuō)明2.1工藝說(shuō)明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說(shuō)明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國(guó)家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門(mén),操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門(mén):?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門(mén),隔離門(mén)采用透明PVC板制成,前門(mén)可以輕松開(kāi)合,在清洗過(guò)程中,隔離門(mén)關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門(mén)。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來(lái)保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過(guò)程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過(guò)程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過(guò)PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過(guò)對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號(hào):CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測(cè) / 操作每個(gè)槽前上方對(duì)應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國(guó)進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺(tái)面板為德國(guó)10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬(wàn)級(jí)凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤(pán)傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤(pán)內(nèi)排放管路加過(guò)濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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比如,用于三維IC的TSV刻蝕設(shè)備必須將刻蝕腔清洗步驟設(shè)計(jì)成常規(guī)清洗流程,是設(shè)備能夠在生產(chǎn)和清洗模式之間迅速轉(zhuǎn)換,使得腔室始終保持純凈狀態(tài),同時(shí)滿足高量產(chǎn)對(duì)速度、工藝可預(yù)見(jiàn)性和工藝重復(fù)的要求;這類刻蝕系統(tǒng)還必須具有單臺(tái)設(shè)備刻蝕所有材料的工藝處理能力,盡可能減小設(shè)備和設(shè)施的成本,消除工藝轉(zhuǎn)移和排隊(duì)造成的延遲,為客戶在產(chǎn)能和設(shè)備擁有成本方面提供競(jìng)爭(zhēng)力。另外,由于目前高端IC產(chǎn)品都使用300毫米晶圓,保證晶圓表面工藝處理的均勻性,TSV的刻蝕需要使用平面狀等離子源(Planar Plasma)。對(duì)于刻蝕工藝模式的選擇,業(yè)界目前仍在比較SSP(Steady State Processes)和RAP(Rapid Alternating Processes)技術(shù)。據(jù)了解,RAP刻蝕的選擇性(selectivity)很高,可以刻蝕縱寬比很大通孔,速度也快,但是表面粗糙度是個(gè)挑戰(zhàn);SSP工藝和常規(guī)的刻蝕接近,速度高而且制作的側(cè)壁光滑,不過(guò)Selectivity和Undercut的控制是難點(diǎn)。Steve認(rèn)為,對(duì)用戶來(lái)說(shuō)真正滿意的方案是,機(jī)臺(tái)能夠根據(jù)應(yīng)用的要求進(jìn)行工藝的選擇和整合,實(shí)現(xiàn)兩種模式的切換,整體控制刻蝕速度、selectivity、側(cè)壁光滑性和縱寬比。當(dāng)然,這需要大量的工藝知識(shí)積累,以及對(duì)所制造器件的了解。對(duì)量測(cè)提出新的要求可以預(yù)見(jiàn),TSV的特殊性還會(huì)給3D IC制造的檢測(cè)和量測(cè)帶來(lái)前所未有...
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