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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國(guó)家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號(hào):CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測(cè) / 操作每個(gè)槽前上方對(duì)應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國(guó)進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺(tái)面板為德國(guó)10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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半導(dǎo)體清洗工藝 ——  RCA濕法清洗工藝↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 12 - 25
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 光刻是如何進(jìn)行的(下)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 光刻是如何進(jìn)行的(中)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 光刻是如何進(jìn)行的(上)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)(下)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)(中)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)(上)↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途在半導(dǎo)體制造中,許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù),用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜,其作用是:在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板遮蓋,繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域?!?#160; 掩膜通常在光罩上形成圖形的基本步驟和硅片相似,一般來說光罩的制作分為數(shù)據(jù)處理部分和工藝制造部分?!?#160; 光掩膜制作流程1、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換:將如GDSII版圖格式分層,運(yùn)算,格式轉(zhuǎn)換為光刻設(shè)備所知的數(shù)據(jù)形式;2、圖形產(chǎn)生:通過電子束或激光進(jìn)行圖形曝光;3、光阻顯影:曝光多余圖形, 以便進(jìn)行蝕刻;4、鉻層刻蝕對(duì)鉻層進(jìn)行刻蝕, 保留圖形;5、去除光阻去除多余光刻膠;6、尺寸測(cè)量測(cè)量關(guān)鍵尺寸和檢測(cè)圖形定位;7、初始清洗清洗并檢測(cè)作為準(zhǔn)備;8、缺陷檢測(cè)檢測(cè)針孔或殘余未蝕刻盡的圖形;9、缺陷補(bǔ)償對(duì)缺陷進(jìn)行修補(bǔ);10、再次清洗清洗為加保護(hù)膜版作準(zhǔn)備;11、加保護(hù)膜保護(hù)膜加在主體之上, 這防止灰塵的吸附及傷害;12、最后檢查對(duì)光掩膜作最后檢測(cè)工作, 以確保光罩的正確。延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 12 - 03
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半導(dǎo)體制造工藝 —— 硅片的生產(chǎn)過程↑  此文件僅供參考學(xué)習(xí),勿用于商業(yè)用途單晶硅片制備階段,需要將硅單晶棒加工成具有高面型精度和表面質(zhì)量的原始硅片或光片,為IC前半制程中的光刻等工序準(zhǔn)備平坦化超光滑無損傷的襯底表面。對(duì)直徑Φ≤ 200mm的硅片,傳統(tǒng)的硅片加工工藝流程為:?jiǎn)尉L(zhǎng)→切斷→外徑滾磨→切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→包裝。↑  硅片加工工藝流程延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 11 - 26
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華林科納生產(chǎn)的清洗機(jī)中,QDR 快排沖洗槽是不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圓表面微粒雜質(zhì)和殘留化學(xué)藥液,使晶圓表面潔凈。QDR 是晶圓濕法清洗中最重要的一個(gè)清洗工藝模塊,主要由噴淋槽、溢流槽、勻流板、快排汽缸體、噴嘴噴管、管路和管件等組成?!?QDR 示意圖槽體由進(jìn)口 NPP 板材焊接加工而成,由安裝在槽體底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及頂部左右兩側(cè)的 DI 水噴嘴實(shí)現(xiàn)槽體的快速注入與排放,有氮?dú)夤呐莨δ堋T谝缌髋欧趴诎惭b有 DIW 電阻率檢測(cè)儀,可對(duì)沖洗溢流的水質(zhì)適時(shí)檢控。一、噴淋管路上噴淋管路共有兩路, 形成相互交叉噴淋,但去離子水不宜直接噴淋沖洗晶圓表面,因晶圓在水蝕作用下直接噴淋晶圓表面,易產(chǎn)生微粒污泥而污染晶圓表面,因此,在去離子水的噴淋過程中,需要對(duì)沖洗水壓、水量、方向和角度作出調(diào)整測(cè)試,以達(dá)到微粒污染少的最佳效果。 良好的噴嘴所噴淋范圍涵蓋全部晶圓及片盒; 而不良的噴淋沖洗形狀,沒有涵蓋全部晶圓及片盒, 未被噴淋沖洗的死角地帶,微粒、雜質(zhì)及化學(xué)藥液殘留含量仍然很高,而達(dá)不到良好的清洗效果。二、氮?dú)夤呐萆蠂娏芡瑫r(shí), 下噴淋管路由底部?jī)蓚?cè)不斷進(jìn)水,而后由內(nèi)槽上沿四周溢出,這樣,每個(gè)晶圓片縫、各處邊角的去離子水都能連續(xù)得到更新。 同時(shí),純凈氮?dú)庥上聡娏芄苈愤M(jìn)入槽體。 氮?dú)夤呐萦幸韵聨讉€(gè)作用:(1)增加了去離子水的沖刷力,對(duì)槽體本身有很好的自清洗作用;(2)晶圓在水...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 11 - 20
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濕法腐蝕是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)加工中不可或缺的工藝,是利用化學(xué)反應(yīng)腐蝕特定區(qū)域的硅進(jìn)行刻蝕,其中,SiO2的腐蝕是用HF來實(shí)現(xiàn)的,藥液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蝕速度快,因而均使用 NH4F(氟化銨)作為緩沖劑來減慢腐蝕速度。普通叫做緩沖腐蝕。此種工藝在常溫下進(jìn)行,而根據(jù)我國(guó)南北方生產(chǎn)的需要為了維持常溫,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加熱器,以防止反應(yīng)結(jié)晶;而在南方則需加入冷卻盤管,以適當(dāng)控制溫度。一般工藝槽體材質(zhì)選用 PVDF 材質(zhì)。除此之外,管路中還需接入泵來提供藥液的循環(huán)動(dòng)力。由于隔膜泵在連續(xù)不間斷工作時(shí)膜片使用壽命較短,更換膜片頻繁,目前這種應(yīng)用方式逐漸被風(fēng)囊泵所取代。因此藥液的循環(huán)過濾:由風(fēng)囊泵、過濾器、循環(huán)溢流槽、閥門、管件等組成藥液的循環(huán)系統(tǒng)。實(shí)現(xiàn)藥液的循環(huán)過濾,保證工藝槽藥液溫度和濃度的均勻性。↑ 二氧化硅腐蝕的循環(huán)管路示意圖近幾年來,伴隨著硅片的大直徑化,器件結(jié)構(gòu)的超微小化、高集成化,華林科納適應(yīng)著時(shí)代的發(fā)展,在不斷的競(jìng)爭(zhēng)中,有廣泛的市場(chǎng)前景和發(fā)展空間。延展閱讀★華林科納公司簡(jiǎn)介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 11 - 19
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