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背景技術(shù)隨者數(shù)碼相機(jī)、攝像頭等高科技產(chǎn)品的普及，光學(xué)鏡片在各個(gè)領(lǐng)域都得到了迅速的發(fā)展。光學(xué)鏡片是精密的部件，故在光學(xué)鏡片的加工制造過(guò)程中，有一個(gè)很重要的環(huán)節(jié)就是對(duì)鏡片進(jìn)行清洗的工藝，其直接影響到制成鏡片的質(zhì)量。常規(guī)的工藝主要包括清洗液清洗、清水清洗等步驟，其清洗效果還有待提高。因此提供一種工藝簡(jiǎn)單、清洗效果好的光學(xué)鏡片中片的清洗方法是本發(fā)明所要解決的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種工藝簡(jiǎn)單、清洗效果好的光學(xué)鏡片中片的清洗方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：提供了一種光學(xué)鏡片中片的清洗方法，其特征在于：包括以下步驟：（1）將所要清洗的光學(xué)鏡片中片浸泡入清水中，超聲波振蕩3-5min；（2）將經(jīng)過(guò)步驟（1）處理的光學(xué)鏡片中片浸泡入含有溶劑的溶液中，超聲波振蕩0.5-1min；（3）將經(jīng)過(guò)步驟（2）處理的光學(xué)鏡片中片浸泡入清洗液中，超聲波振蕩5-10min；（4）將經(jīng)過(guò)步驟（3）處理的光學(xué)鏡片中片浸泡入天然植物膠溶液中，超聲波振蕩2-5min；所述天然植物膠為瓜爾膠、香豆膠、羧甲基羅望子膠、羧甲基決明子的一種；所述天然植物膠溶液的濃度為0.5-2wt%；（5）將經(jīng)過(guò)步驟（4）處理的光學(xué)鏡片中片用清水洗凈；（6）將洗凈的光學(xué)鏡片中片放入烘干設(shè)備中烘干；（7）在密封干燥器中冷卻至常溫即可。作為一種優(yōu)選方案，所述步驟（1）中的清水的溫度控制在35-45℃。作為一種優(yōu)...
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1、研磨后的清洗研磨是光學(xué)玻璃生產(chǎn)中決定其加工效率和表面質(zhì)量（外觀和精度）的重要工序。研磨工序中的主要污染物為研磨粉和瀝青，少數(shù)企業(yè)的加工過(guò)程中會(huì)有漆片。其中研磨粉的型號(hào)各異，一般是以二氧化鈰為主的堿金屬氧化物。根據(jù)鏡片的材質(zhì)及研磨精度不同，選擇不同型號(hào)的研磨粉。在研磨過(guò)程中使用的瀝青是起保護(hù)作用的，以防止拋光完的鏡面被劃傷或腐蝕。研磨后的清洗設(shè)備大致分為兩種：一種主要使用有機(jī)溶劑清洗劑，另一種主要使用半水基清洗劑。(1)有機(jī)溶劑清洗采用的清洗流程如下：有機(jī)溶劑清洗劑（超聲波）-水基清洗劑（超聲波）-市水漂洗-純水漂洗-IPA（異丙醇）脫水-IPA慢拉干燥。有機(jī)溶劑清洗劑的主要用途是清洗瀝青及漆片。以前的溶劑清洗劑多采用三氯乙烷或三氯乙烯。由于三氯乙烷屬ODS（消耗臭氧層物質(zhì)）產(chǎn)品，目前處于強(qiáng)制淘汰階段；而長(zhǎng)期使用三氯乙烯易導(dǎo)致職業(yè)病，而且由于三氯乙烯很不穩(wěn)定，容易水解呈酸性，因此會(huì)腐蝕鏡片及設(shè)備。對(duì)此，國(guó)內(nèi)的清洗劑廠家研制生產(chǎn)了非ODS溶劑型系列清洗劑，可用于清洗光學(xué)玻璃；并且該系列產(chǎn)品具備不同的物化指標(biāo)，可有效滿足不同設(shè)備及工藝條件的要求。比如在少數(shù)企業(yè)的生產(chǎn)過(guò)程中，鏡片表面有一層很難處理的漆片，要求使用具備特殊溶解性的有機(jī)溶劑；部分企業(yè)的清洗設(shè)備的溶劑清洗槽冷凝管較少，自由程很短，要求使用揮發(fā)較慢的有機(jī)溶劑；另一部分企業(yè)則相反，要求使用揮發(fā)較快的有機(jī)溶劑等。水基清洗劑的主要用...
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蝕刻是從材料表面去除材料的過(guò)程。蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻）。涉及使用液體化學(xué)藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻。在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來(lái)去除襯底材料。干蝕刻會(huì)產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物，這些產(chǎn)物應(yīng)擴(kuò)散到大量氣體中并通過(guò)真空系統(tǒng)排出。干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學(xué)反應(yīng)（通過(guò)使用反應(yīng)性等離子體或氣體），物理去除（通常通過(guò)動(dòng)量傳遞）以及化學(xué)反應(yīng)和物理去除的組合。另一方面，濕蝕刻僅是化學(xué)過(guò)程。干法刻蝕（等離子刻蝕）和濕法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn) 濕法刻蝕工藝的優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單，刻蝕速率高，選擇性高。但是，有許多缺點(diǎn)。濕蝕刻通常是各向同性的，這導(dǎo)致蝕刻劑化學(xué)物質(zhì)去除了掩膜材料下方的基板材料。濕蝕刻還需要大量的蝕刻劑化學(xué)物質(zhì)，因?yàn)榛撞牧媳仨毐晃g刻劑化學(xué)物質(zhì)覆蓋。此外，必須一致地替換蝕刻劑化學(xué)物質(zhì)，以保持相同的初始蝕刻速率。結(jié)果，與濕蝕刻有關(guān)的化學(xué)和處理成本非常高。干蝕刻的一些優(yōu)點(diǎn)是其自動(dòng)化能力和減少的材料消耗。與濕法蝕刻相比，干法蝕刻（例如，等離子蝕刻）的成本更低。純化學(xué)干法蝕刻的一個(gè)例子是等離子體蝕刻。純化學(xué)蝕刻技術(shù)（特別是等離子蝕刻工藝）的缺點(diǎn)是它們不具有較高的各向異性，因?yàn)榉磻?yīng)物質(zhì)可以在任何方向上反應(yīng)并且可以從掩膜材料下方進(jìn)入。各向異性是指僅在一個(gè)方向上進(jìn)行蝕刻。當(dāng)只需要在垂直方向上去除材料時(shí)，此屬性很有用，因?yàn)椴粫?huì)去...
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SiO2膜在微技術(shù)中具有兩個(gè)主要作用：作為介電層或作為摻雜/蝕刻掩模。在這兩種情況下，通常都需要圖案化。當(dāng)在高溫烘箱中通過(guò)硅襯底的氧化獲得時(shí)，SiO2被稱為“熱”。否則，它可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）作為附加層而獲得，不需要硅襯底。氧化物厚度通常在100 nm和1000 nm之間（即分別為1000Å和10000Å，這是在薄膜技術(shù)中仍非常流行的埃單位的使用）。它可以容易地用對(duì)硅的影響可以忽略不計(jì)的化學(xué)物質(zhì)蝕刻。而且，許多硅蝕刻劑不影響氧化物。這種可能性被廣泛用于所有基于硅的微技術(shù)中。如果氧化物用作硅加工的高溫掩模，則必須預(yù)先在低溫下使用基于抗蝕劑的微光刻工藝對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖。當(dāng)必須在硅上進(jìn)行室溫工藝時(shí)，可以避免使用氧化物掩膜，因?yàn)榭刮g劑可以直接充當(dāng)硅的掩膜。但是，有些化學(xué)物質(zhì)可以輕松蝕刻抗蝕劑和硅。典型的例子是硅的各向異性蝕刻，通常在KOH（氫氧化鉀）中進(jìn)行。在這種情況下，稀釋的KOH也是用于正性抗蝕劑的典型顯影液。因此，蝕刻過(guò)程應(yīng)以黃光進(jìn)行，抗蝕劑對(duì)此不敏感。這是不切實(shí)際的。但是即使如此，由于對(duì)于硅的可接受的蝕刻速率需要濃縮的KOH，因此再次不能使用抗蝕劑，因?yàn)槲唇?jīng)稀釋的KOH會(huì)去除抗蝕劑，即使它沒(méi)有被曝光。SiO2的一種非常“選擇性”的化學(xué)物質(zhì)（即根本不腐蝕硅）是氫氟酸（HF）。如果直接使用，則這種蝕刻劑對(duì)氧化物具有過(guò)快和過(guò)強(qiáng)的作用，使得底切和線寬控制非常困難。...
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目前,在國(guó)內(nèi)外半一導(dǎo)體器件制造工藝中,用等離子去膠工藝代替常規(guī)化學(xué)溶劑去膠及高溫氧氣去膠已獲得顯著效果,越來(lái)越引起半導(dǎo)體器件制造者的重視。由于該工藝操作簡(jiǎn)便、成本低、可節(jié)約大量的化學(xué)試劑、對(duì)器件參數(shù)無(wú)影響、去膠效果好。在集成電路多層布線工藝中用高溫氧氣去膠常使一次布線鋁層由于四百多度高溫氧化發(fā)黃,而影響與二次布線鋁層的歐姆接觸,若用發(fā)煙硝酸去膠后擦片又常使鋁層擦傷而降低了二次布線的合格率。采用等離子去膠則可大大減少鋁層表面的擦傷,不氧化,無(wú)底膜,保證二次布線的歐姆接觸,提高了多層布線的合格率。為大面積集成電路的發(fā)展提供了很好的前景。一、等離子體及產(chǎn)生等離子體的方法作為物質(zhì)的第四態(tài),高度電離的氣體叫做等離子體。等離子體具有導(dǎo)電性。從產(chǎn)生方法不同又可分為高溫等離子體及低溫等離子體兩種。高溫等離子體如氫彈的爆炸,火花放電及太陽(yáng)表面的高溫都能使氣體電離成為等離子體,這種方法產(chǎn)生的等離子體,溫度能達(dá)到幾千度到幾十萬(wàn)度,稱為高溫等離子體去膠工藝使用的是低溫等離子體,其作用原理是低壓氣體在電場(chǎng)力的作用下發(fā)生電離在電離過(guò)程中,低壓氣體中殘存的少量自由電子在電場(chǎng)力作用下,向正電極運(yùn)動(dòng),由于低壓氣體密度小,自由電子的平均自由程較大,在與氣體分子的兩次碰撞之間能夠獲得很高的能量,這種高能量的自由電子撞擊氣體分子,使它離解成電離子和自由電子,這些氣體部分分子電離后又有更多的自由電子撞擊氣體分子,因此離子數(shù)...
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我們研究材料的紅外光學(xué)特性的主要工具是紅外光譜。例如，我們?cè)噲D闡明納米結(jié)構(gòu)對(duì)III型氮化物材料中光學(xué)躍遷和電子傳輸?shù)挠绊憽p少氮化物紅外光電器件中內(nèi)置極化場(chǎng)的影響的重要且?guī)缀跷刺剿鞯耐緩绞窃贕aN的非極性方向（例如m平面）上使用異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該圖顯示了在c面GaN（極性方向）和m面GaN（非極性方向）上具有AlGaN勢(shì)壘的兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的GaN QW的能帶結(jié)構(gòu)之間的比較。對(duì)于m面取向的GaN，極化矢量位于垂直于生長(zhǎng)方向的平面上，因此異質(zhì)結(jié)處沒(méi)有極化不連續(xù)性。除了簡(jiǎn)化平坦頻帶條件下的器件建模外，非極性GaN上結(jié)構(gòu)的一些直接優(yōu)勢(shì)還包括改進(jìn)的光學(xué)偶極矩陣元素，隱式吸收以及對(duì)高能級(jí)能量的限制。我們最近首次能夠觀察到在Kyma Tech的m平面獨(dú)立式GaN襯底上生長(zhǎng)的AlGaN / GaN超晶格中的近紅外吸收。這些結(jié)果對(duì)于未來(lái)的非極性氮化物器件是最有希望的。我們最近首次能夠觀察到在Kyma Tech的m平面獨(dú)立式GaN襯底上生長(zhǎng)的AlGaN / GaN超晶格中的近紅外吸收。這些結(jié)果對(duì)于未來(lái)的非極性氮化物器件是最有希望的。我們最近首次能夠觀察到在Kyma Tech的m平面獨(dú)立式GaN襯底上生長(zhǎng)的AlGaN / GaN超晶格中的近紅外吸收。這些結(jié)果對(duì)于未來(lái)的非極性氮化物器件最有希望。
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隨著科技的發(fā)展，在當(dāng)前社會(huì)中，大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體器件等得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，對(duì)其可靠性、電能性等性能的要求也越來(lái)越高。因此，半導(dǎo)體單晶拋光片的表面潔凈程度就顯得更為重要。因此，在半導(dǎo)體單晶拋光片的清洗過(guò)程中，要想得到更為良好的拋光片質(zhì)量，不能僅僅對(duì)拋光片表面的污染物進(jìn)行清除。在實(shí)際清洗過(guò)程當(dāng)中，除了拋光片表面的污垢以外，表面粗糙度、氧化膜厚度、表面化學(xué)態(tài)等都是應(yīng)當(dāng)關(guān)注的問(wèn)題。1半導(dǎo)體單晶拋光片的清洗在當(dāng)前的世界范圍內(nèi)，對(duì)于半導(dǎo)體單晶拋光片的清洗工藝來(lái)說(shuō)，硅單晶拋光片的清洗工藝相對(duì)較為成熟，普遍采用的是美國(guó)無(wú)線電公司的RCA清洗法。而對(duì)于砷化鎵、鍺等半導(dǎo)體單晶拋光片來(lái)說(shuō)，其清洗工藝仍然較為保密，相關(guān)的研究也不夠成熟。因此，應(yīng)當(dāng)結(jié)合半導(dǎo)體單晶拋光片的清洗工藝實(shí)例進(jìn)行分析，探尋清洗半導(dǎo)體材料拋光片的關(guān)鍵性技術(shù)，從而對(duì)硅、砷化鎵、鍺等半導(dǎo)體材料拋光片的清洗工藝和技術(shù)水平提高提供借鑒和參考。在清洗半導(dǎo)體單晶拋光片的過(guò)程中，由于半導(dǎo)體材料的性質(zhì)、數(shù)量、氧化物種類等方面的不同，也存在著一定的差異。例如，在硅單晶拋光片的清洗工藝中，先用稀氟氫酸進(jìn)行清洗，然后再用氫氧化銨和雙氧水的混合液進(jìn)行清洗，最后用鹽酸和雙氧水的混合溶液進(jìn)行清洗[1]。在砷化鎵拋光片清洗工藝中，先使用氫氧化鉀溶液進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行紫外光照射和臭氧清洗，最后采用酸性活性劑進(jìn)行清洗。在鍺單晶拋光片的清洗工藝中，先用濃硫酸進(jìn)行清...
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用于制造微電子器件的薄膜都是使用某種沉積技術(shù)形成的，該術(shù)語(yǔ)是指在基板上形成沉積物。在半導(dǎo)體器件制造中，以下沉積技術(shù)（及其常用的縮寫(xiě)）為： 低壓化學(xué)氣相沉積-LPCVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積-PECVD低于大氣壓的化學(xué)氣相沉積-SACVD大氣壓化學(xué)氣相沉積-APCVD原子層沉積-ALD物理氣相沉積-PVD超高真空化學(xué)氣相沉積-UHV-CVD類金剛石碳-DLC商業(yè)電影-CF外延沉積-Epi化學(xué)氣相沉積和薄膜形成化學(xué)氣相沉積法可以定義為其中通過(guò)氣相吸附的前體的表面介導(dǎo)反應(yīng)在基材上形成固體薄膜的任何方法。CVD工藝的反應(yīng)性使其與物理工藝（如PVD中采用的蒸發(fā)和濺射）區(qū)別開(kāi)來(lái)。術(shù)語(yǔ)“表面介導(dǎo)的”是指固體膜是由在基材表面發(fā)生的異質(zhì)反應(yīng)形成的。有關(guān)其他信息，請(qǐng)參見(jiàn) 化學(xué)氣相沉積物理。 圖1顯示了有助于理解CVD反應(yīng)器中不同過(guò)程的示意圖。化學(xué)氣相沉積過(guò)程可分為多個(gè)離散步驟：首先，必須將前體化學(xué)物質(zhì)送入CVD反應(yīng)器。一旦進(jìn)入反應(yīng)器，通常必須通過(guò)流體傳輸和擴(kuò)散的組合將前體分子傳輸?shù)交妆砻?。一旦在表面上，前體分子必須保持足夠長(zhǎng)的時(shí)間才能反應(yīng)。反應(yīng)發(fā)生后，產(chǎn)物薄膜原子必須保留在表面上，而副產(chǎn)物分子必須從基材表面解吸，從而為更多的傳入前體分子騰出空間。典型的CVD工藝薄膜CVD工藝生產(chǎn)的典型薄膜包括： 外延硅外延化合物半導(dǎo)體多晶硅介電薄膜二氧化硅（包括P和B摻雜的氧化物）氧...
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半導(dǎo)體蝕刻 在半導(dǎo)體器件的制造中，蝕刻是指將選擇性地從襯底上的薄膜中去除材料的技術(shù)（在其表面上有或沒(méi)有先有結(jié)構(gòu)），并通過(guò)這種去除在襯底上形成該材料的圖案。該圖案由耐蝕刻工藝的掩模限定，該掩模的產(chǎn)生在光刻中詳細(xì)描述。一旦放置好掩模，就可以通過(guò)濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。圖1顯示了此過(guò)程的示意圖。從歷史上看，直到VLSI和ULSI技術(shù)問(wèn)世之前，濕式化學(xué)方法在蝕刻圖案定義中都起著重要作用。但是，隨著器件特征尺寸的減小和表面形貌的日益嚴(yán)格，濕法化學(xué)蝕刻逐漸取代了干法蝕刻技術(shù)。這種變化主要是由于濕法刻蝕的各向同性。如圖2所示，濕法蝕刻會(huì)沿所有方向去除材料，這會(huì)導(dǎo)致由掩模定義的特征尺寸與在基板上復(fù)制的特征尺寸之間存在差異。與較大的特征尺寸相比，VLSI和ULSI設(shè)計(jì)要求掩模與圖形特征尺寸相關(guān)性要精確得多。此外，先進(jìn)設(shè)備中的長(zhǎng)寬比（深度與寬度之比）增加了，要達(dá)到這些比例，就需要具有使用定向蝕刻技術(shù)各向異性地蝕刻材料的能力。圖3提供了有助于理解各向同性與各向異性特征生成和方向蝕刻的示意圖。濕法蝕刻在先進(jìn)工藝中的最終應(yīng)用受到了打擊，這可能是因?yàn)樵S多用于設(shè)備制造的較新材料沒(méi)有可用于蝕刻的易濕化學(xué)物質(zhì)。這些問(wèn)題相結(jié)合，使?jié)穹ㄎg刻技術(shù)幾乎只能用于清潔而不是蝕刻應(yīng)用中。只有具有相對(duì)較大特征尺寸的設(shè)備（例如某些MEMS結(jié)構(gòu)）才繼續(xù)采用濕法進(jìn)行蝕刻。在下面詳細(xì)討論了表面清潔 各向異性...
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