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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設(shè)有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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目前在半導體工業(yè)生產(chǎn)中,普遍采用RCA清洗技術(shù)清洗拋光硅片,今天我們介紹一種溶浸式濕法化學清洗,串聯(lián)的SC1和兆聲去除顆粒,含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜,最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發(fā)的特性,取代硅片表面的具有較高表面張力的水分,然后用熱N2吹干,達到徹底干燥硅片水膜的目的。此種干燥工藝比傳統(tǒng)的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務(wù)的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過程中易產(chǎn)生邊緣目檢缺陷的缺點。針對這點,我們在生產(chǎn)中總結(jié)了一下經(jīng)驗,并通過控制將此缺陷降到可控范圍內(nèi)。1、硅片進入IPA干燥腔后,通過片盒支架的特殊設(shè)計,使拋光面自動與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面,有利于均勻的干燥。2、PFA片盒作為硅片的載體,由于材料微觀多孔的特性,經(jīng)過反復烘干,孔被放大,加上長時間的化學溶浸,少量化學物質(zhì)吸附在PFA的孔內(nèi),烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷,因此定期處理PFA片盒是很必要的。作為濕制程設(shè)備專業(yè)制造商,華林科納(江蘇)半導體設(shè)備有限公司對IPA干燥系統(tǒng)有豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和產(chǎn)線使用驗證,為硅片的清洗、干燥提供有效的保障。 更多清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,18913575037
發(fā)布時間: 2019 - 06 - 26
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在光學冷加工中,超聲波清洗是如何實現(xiàn)洗凈目的的呢?一般來說,清洗工藝主要以干燥的方式命名,如 IPA 工藝,是指利用 IPA(異丙醇)蒸汽進行脫水干燥的清洗工藝,純水工藝是指利用熱純水慢提拉或冷純水甩干的方式進行干燥的清洗工藝。當然,還有其他的命名方式。經(jīng)過不斷的變化、發(fā)展,光學冷加工中的清洗工藝主要以 IPA 工藝和純水工藝為主?! PA干燥  IPA 工藝包括四個流程:洗滌、漂洗、脫水、干燥。    因為洗滌過程分溶劑清洗和水基清洗,所以有不同的工藝:有先進行溶劑清洗、溶劑蒸汽干燥再進行水基清洗;也有先進行溶劑清洗,再用乳化劑溶解溶劑,再進行水基清洗的。顯然,后者在流程上更流暢、緊湊,對設(shè)備要求也簡單。經(jīng)過洗滌后的鏡片表面不會有結(jié)合牢固的污垢,僅可能有一些清洗劑和松散污垢的混合物?!   ∥覀冎?,無機光學玻璃是一種過冷的熔融態(tài)物質(zhì),沒有固定的分子結(jié)構(gòu),它的結(jié)構(gòu)式可描述為二氧化硅和某些金屬氧化物形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其骨架結(jié)構(gòu)為鍵能很大的硅氧共價鍵,外圍是鍵能小、易斷裂的氧與金屬離子形成的離子鍵。在洗滌時,由于超聲場和化學洗劑的共同作用,某些硅氧鍵含量少或者外圍鍵能特別小的的材料易于在清洗過程中發(fā)生變化而導致洗滌效果不良。所以,選擇性能溫和的洗劑、合適的洗劑濃度、溫度、超聲功率、洗滌時間對保證鏡片的清洗質(zhì)量十分重要?!   ±昧魉畬⑾礈旌箸R片表面的洗劑和污物溶解、排除的過程稱為漂...
發(fā)布時間: 2019 - 06 - 11
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近年來衍射光柵技術(shù)、全息術(shù)、傅里葉光學和計算全息等技術(shù)推動了衍射光學理論的發(fā)展,特別是在衍射光學器件方面的研究已經(jīng)達到了實用化的水平。衍射光學器件的特點DOE的特點則是具有高衍射效率、獨特的色散性能、更多的設(shè)計自由度、寬廣的材料可選性,并具有特殊的光學性能,因此DOE成為實現(xiàn)離軸照明的理想元件。一般用于光刻系統(tǒng)離軸照明的DOE,其子單元個數(shù)需衍射的概念光沿著直線傳播,當光穿過一個小孔或經(jīng)過一個輪廓分明的邊緣時,沿小孔邊緣產(chǎn)生了干涉圖形,結(jié)果得到了一個模糊的圖像,而不是希望出現(xiàn)在光和陰影之間的清晰邊緣,光看上去沿狹縫邊緣彎曲了。這種現(xiàn)象被稱做衍射。衍射光學器件的主要應(yīng)用1.光束整形(1)平頂光束整形“ Top-Hat ”或“ Flat-Top ”光束整形是衍射光學器件(DOE),用于將近高斯入射激光束轉(zhuǎn)換為圓形,矩形,正方形,線形或均勻強度(平坦)點或在特定工作平面中具有鋒利邊緣的其他形狀。頂帽(平頂)光束整形器的典型應(yīng)用包括:激光燒蝕,激光焊接,激光穿孔,激光劃線,醫(yī)療和美學激光應(yīng)用。(2)光束擴散器/光束勻質(zhì)器英文名為BeamHomogenizer / Optical Diffuser,使用勻化鏡能把單模或多模的準直輸入光束,轉(zhuǎn)換為能量分布高度均勻的光斑。光斑的波長和形狀輪廓都可自定義,形狀一般為圓形、正方形、直線、長方形、六邊形、橢圓形等任意形狀。光束均化鏡在許多需要明確定義光...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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一、無源晶振與有源晶振的對比1. 無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號,自身無法振蕩起來,無源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法。無源晶振沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據(jù)起振電路來決定的,同樣的晶振可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體,這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。2. 有源晶振有4只引腳,是一個完整的振蕩器,里面除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復雜的配置電路。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大,但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的,體積和晶體相當,有的甚至比許多晶體還要小。二、無源晶振與有源晶振的優(yōu)缺點無源晶振相對于晶振而言其缺陷是信號質(zhì)量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。相對于無源晶體,有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的,需要選擇好合適輸出電平,靈活性較差,...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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微納光學是目前新型光電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向,在光通信、光互聯(lián)、光存儲、半導體器件等諸多領(lǐng)域,發(fā)揮了巨大的作用。微納光學的結(jié)構(gòu)技術(shù)是指通過將微納光學結(jié)構(gòu)引入到相關(guān)的材料中,制成新型光學功能器件。微納光學就是利用微結(jié)構(gòu)材料作為光學元件的光學分支。它的結(jié)構(gòu)的設(shè)計和制造是微納光學技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵性問題,所以微納光學成為了新型光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵性突破。它的主要優(yōu)點就是能在局域電磁相互作用的基礎(chǔ)上實現(xiàn)許多全新的功能,成為21世紀國家不可或缺的關(guān)鍵科學和技術(shù)。微納光學現(xiàn)有技術(shù)與特點微納光學制造技術(shù)以LIGA工藝為基礎(chǔ),主要經(jīng)過光刻、電鑄制模和微納米壓印三個主要工藝步驟。(1)光刻光刻是半導體技術(shù)中晶圓制造的關(guān)鍵工藝,通過表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去,在晶圓表面留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上??上攵?,半導體清洗設(shè)備就發(fā)揮了非常大的作用。國內(nèi)也是有多家濕法清洗設(shè)備廠商,其中熟知的華林科納就是一家濕制程設(shè)備專業(yè)制造商,主要從事半導體濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。目前光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級,已從常規(guī)光學技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù);成為一種精密的微細加工技術(shù)。微納光學制造技術(shù)采用光刻技術(shù)在激光原版上形成具有微納尺寸的細微結(jié)構(gòu),即...
發(fā)布時間: 2020 - 04 - 29
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在許多大學、研究所,研究員在實驗室做實驗時,往往需要配比很多不同類型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機液,人工配液時接觸,不僅存在安全隱患,還經(jīng)常存在配液比例不準確,效率低下的問題。同時,由于人工反復不斷的配比,人在疲倦的時候容易出錯,還易造成藥液的浪費?! ∪A林科納公司設(shè)計的CSE-LIQOUR-II自動配液機,專為解決以上問題而研發(fā),可以適用于各類化學生物制藥工藝實驗室,是用來滿足藥液自動配比的設(shè)備,通過稱重、流量計準確計量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送,配液精確度能夠達到2‰?! ≡撆湟簷C由配液控制單元與配液稱量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區(qū)域、外接原液桶裝置與計算控比裝置組成,通過操作區(qū)域輸入化學藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量,經(jīng)過計算控比裝置的精確計算,將幾種藥液進行混合配比,從而實現(xiàn)藥液的精確配比。同時,配有精確的配液稱量單元,最高配液分辨率可達到0.01g。除了可以用量杯進行大規(guī)格的調(diào)制之外,還可以配備標準試管支架,以用來固定試管,進行精確地試管配比?! ≡撆湟簷C能夠達到高精準、高效率的配液,并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能,保證操作者安全;通過計算控比單元與機臺界面自動化,實現(xiàn)自動控制操作的運轉(zhuǎn);接觸部分與絕大多數(shù)化學品(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液;氨水N...
發(fā)布時間: 2019 - 06 - 28
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TFT-LCD的制造過程此文件僅供參考學習,勿用于商業(yè)用途一、Array制程薄膜黃光蝕刻剝膜二、Cell制程配向膜印刷密封膠涂布噴淋間隔物注入液晶密封組合偏光片貼附三、Module制程COG制程軟性電路板壓合印刷電路板壓合背光模組組裝老化測試
發(fā)布時間: 2019 - 02 - 12
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低通濾波器低通濾波器(英語:Low-pass filter)容許低頻信號通過,但減弱(或減少)頻率高于截止頻率的信號的通過。對于不同濾波器而言,每個頻率的信號的減弱程度不同。當使用在音頻應(yīng)用時,它有時被稱為高頻剪切濾波器,或高音消除濾波器。高通濾波器則相反,而帶通濾波器則是高通濾波器同低通濾波器的組合。低通濾波器概念有許多不同的形式,其中包括電子線路(如音頻設(shè)備中使用的hiss濾波器、平滑數(shù)據(jù)的數(shù)字算法、音障(acoustic barriers)、圖像模糊處理等等)。低通濾波器在信號處理中的作用等同于其它領(lǐng)域如金融領(lǐng)域中移動平均數(shù)(moving average)所起的作用;這兩個工具都通過剔除短期波動、保留長期發(fā)展趨勢提供了信號的平滑形式。低通濾波器實例一個固體屏障就是一個聲波的低通濾波器。當另外一個房間中播放音樂時,很容易聽到音樂的低音,但是高音部分大部分被過濾掉了。類似的情況是一輛小汽車中播放非常大的音樂聲,在另外一個車中的人聽來卻是低音節(jié)拍,因為這時封閉的汽車和空氣間隔起到了低通濾波器的作用,減弱了所有的高音。電子低通濾波器用來驅(qū)動重低音喇叭(subwoofer)和其它類型的擴音器、并且阻塞它們不能有效傳播的高音節(jié)拍。無線電發(fā)射機使用低通濾波器阻塞可能引起與其它通信發(fā)生干擾的諧波發(fā)射。DSL分離器使用低通和高通濾波器分離共享使用雙絞線的DSL和POTS信號。低通濾波器也在如R...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 30
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線性濾波器線性濾波器用于時變輸入信號的線性運算(en:linear operator)。線性濾波器在電子學和數(shù)字信號處理中應(yīng)用非常普遍(參見電子濾波器中的文章),它們也用于機械工程和其它技術(shù)領(lǐng)域。線性濾波器經(jīng)常用于剔除輸入信號中不想要的頻率或者從許多頻率中選擇一個想要的頻率。濾波器和濾波器技術(shù)類型非常廣泛,這篇文章將給出一個總的描述。不論它們是電子的、電力的還是機械的,也不論它們的頻率范圍或者時間尺度有多大,線性濾波器的數(shù)學理論都是通用的。按照傳遞函數(shù)分類:脈沖響應(yīng)線性濾波器可以分為兩類:無限脈沖響應(yīng)(IIR)和有限脈沖響應(yīng)(FIR)濾波器。通常,一個窄(compact)頻率響應(yīng)的濾波器有無限脈沖響應(yīng),一個窄脈沖響應(yīng)的濾波器有無限頻率響應(yīng)。直到,人們才能夠?qū)崿F(xiàn)模擬IIR濾波器,但是,如模擬延時線(en:analog delay line)和數(shù)字濾波器這樣的技術(shù)都已經(jīng)實現(xiàn)了FIR濾波器。頻率響應(yīng)幾種常見的線性濾波器:● 允許低頻率通過的低通濾波器。● 允許高頻率通過的高通濾波器?!?#160;允許一定范圍頻率通過的帶通濾波器?!?#160;阻止一定范圍頻率通過并且允許其它頻率通過的帶阻濾波器?!?#160;允許所有頻率通過、僅僅改變相位關(guān)系的全通濾波器?!?#160;阻止一個狹窄頻率范圍通過的特殊帶阻濾波器陷波濾波器(en:notch filter)?!?#160...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 30
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單晶硅片加工工藝主要為:切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗等。切斷:是指在晶體生長完成后, 沿垂直與晶體生長的方向切去晶體硅頭尾無用的部分,即頭部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圓切割機進行切割。 外圓切割機刀片邊緣為金剛石涂層。這種切割機的刀片厚,速度快,操作方便;但是刀縫寬,浪費材料,而且硅片表面機械損傷嚴重。目前,也有使用帶式切割機來割斷晶體硅的,尤其適用于大直徑的單晶硅。外徑滾圓:在直拉單晶硅中,由于晶體生長方時的熱振動,熱沖擊等原因,晶體表面都不是非常平滑的,也就是說整根單晶硅的直徑有一定偏差起伏;而且晶體生長完成后的單晶硅棒表面存在扁平的棱線,需要進一步加工,使得整根單晶硅棒的直徑達到統(tǒng)一,以便于在后續(xù)的材料和加工工藝中操作。切片:在單晶硅滾圓工序完成后,需要對單晶硅棒切片。太陽電池用單晶硅在切片時,對硅片的晶向,平行度和翹曲度等參數(shù)要求不高,只需對硅片的厚度進行控制。倒角:將單晶硅棒切割成晶片,晶片銳利邊需要休整成圓弧形,主要防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。研磨:切片后,在硅片的表面產(chǎn)生線痕,需要通過研磨除去切片所造成的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶硅的翹曲度、平坦度與平行度,達到一個拋光處理的過程規(guī)格。腐蝕、清洗:切片后,硅片表面有機械損傷層,近表面晶體的晶格不完整,而且硅片表面有金屬粒子等雜質(zhì)污染。因此,一般切片后,在制備太陽能電池前,需要...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 29
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