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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料殘留物清除 殘留物去除通常發(fā)生在蝕刻或注入步驟之后。由于光致抗蝕劑是一種含有長鏈聚合物的有機材料,當(dāng)沒有其他物質(zhì)存在時,氧化很容易,聚合物從表面的去除也就完成了。然而,當(dāng)存在來自先前處理的殘留物時,必須在晶片被送至下一步驟之前將其去除。殘渣去除的難度取決于之前的處理;抗蝕劑的烘焙通過耗盡溶劑使其硬化,紫外(UV)曝光使抗蝕劑交聯(lián)(參考),蝕刻耗盡抗蝕劑的溶劑并蝕刻抗蝕劑,同時在表面上沉積聚合物(參考),離子注入使抗蝕劑交聯(lián)并脫氫,在抗蝕劑的外表面附近產(chǎn)生“外殼”。殘余物必須被去除,并且通常與光致抗蝕劑掩模的等離子體剝離相結(jié)合。殘余物既含有有機(通常含氟)材料,也含有無機(通常含硅)材料。例如,在蝕刻柵極疊層之后,除了保留在蝕刻區(qū)域中的不想要的柵極氧化物之外,通常使用一系列SPM和HF來去除蝕刻和剝離殘留物。 預(yù)氧化清洗由于在器件制造區(qū)域發(fā)現(xiàn)的大氣污染,有機薄膜薄層存在于晶片表面。有機蒸汽會從聚合物部件中釋放出來,例如晶片載體和建筑材料。雖然這些污染水平很低,但是晶片接受的處理對這些低水平很敏感,例如,在熱處理之前必須清潔表面。在許多制造領(lǐng)域,SPM清洗步驟是RCA預(yù)熱清洗過程的一部分。 SPM后沖洗和干燥 粘性SPM很難從晶圓表面去除,需要大量沖洗。表面的吸濕硫殘留物會吸收水分并產(chǎn)生顆粒缺陷。有效的沖洗對于防...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料介紹硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。下表中顯示了SPM的一些常見清潔和表面處理順序: 清潔步驟化學(xué)藥品典型序列光刻膠剝離抗蝕劑剝離后清洗H2SO4:H2O2H2SO4:H2O2SPMSPM抗蝕劑剝離后清洗殘留物清除H2SO4 : H2O2NH4OH:H2O2:H2OSPMSC-1殘留物清除高頻:H2OH2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2ODHFSPMSC-1殘留物清除H2SO4:H2O2NH4OH:H2O2:H2OHF:NH4F:H2OSPMSC-1NOE預(yù)氧化清洗H2SO4:H2O2高頻:H2ONH4OH:H2O2:H2O鹽酸:H2O2:H2OSPMDHFSC-1SC-2 抗蝕劑剝離和抗蝕劑剝離后清潔抗蝕劑剝離包括去除應(yīng)用于晶片的所有光致抗蝕劑,用于光刻描繪步驟。剝離步驟可以在接受反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝、濕法蝕刻工藝、離子注入工藝或金屬沉積剝離工藝之后進行。正性光致抗蝕劑通常由酚醛清漆或磷(苯基氧基苯乙烯)樹脂與光活性化合物組成,溶劑用于制造粘性液體,該液體在晶片表面上旋轉(zhuǎn),而負性光致抗蝕劑通常由聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯)(參考)組成,具有類似于正光致抗蝕劑的添加劑。這些化合物由碳氫化合物組成,還有其他元素,或者作為樹脂或添加劑分子的一部分,或者作為雜質(zhì)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料今天,硅晶片有多種用途,尤其是隨著我們作為一個技術(shù)世界不斷發(fā)展,但有不同類型的晶片和晶片工藝可以滿足特定產(chǎn)品的 特殊需求。例如,雙面拋光晶片在尺寸至關(guān)重要的情況下非常有用。為什么要拋光晶圓?  晶圓拋光已成為晶圓制造過程中非常重要的一部分,因為近年來對晶圓比以往任何時候都更薄的需求急劇增加。您最初可能會假設(shè)使物體更平坦會自動使其更脆,但硅晶片不一定是這種情況。事實上,拋光可以使它們更堅固,更靈活。這是由于去除了可以削弱硅的污染物。 在拋光完成之前 , 由于 復(fù)雜的制造工藝,特別是晶片研磨方法,晶片的表面下通常會有一些 損壞 。 幸運的是,這可以通過拋光輕松解決。無論是只關(guān)注一側(cè)還是兩側(cè),質(zhì)量都會大大提高。 與其他晶圓相比有什么 不同?  您會問,這些晶圓與其他晶圓究竟 有何不同?典型地,晶片只用一個拋光側(cè)上形成,但顧名思義,雙面拋光的晶片 有 完成在兩側(cè)上的過程中, 制作 更薄的晶片,真正需要使用的空間最小量的情況。    拋光晶圓的優(yōu)勢   雙面拋光晶片更 明顯的優(yōu)勢之一是增加了平...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。            隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計師和制造商正在尋找改進和更智能的方法來構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導(dǎo)體不同于普通的硅半導(dǎo)體。當(dāng)使用動力電子設(shè)備和電力系統(tǒng)時,它表現(xiàn)出有限的導(dǎo)熱性、在某些應(yīng)用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而,它也有好處。以下是碳化硅供電半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢:  1.碳化硅可以在更高的溫度下運行全球?qū)﹄娮赢a(chǎn)品日益增長的需求推動了對不同類型設(shè)備在不斷變化或惡劣的條件(如更高的溫度)下運行的需求。碳化硅半導(dǎo)體可以在200“℃或更高的溫度下工作,因為其導(dǎo)熱性比標(biāo)準(zhǔn)硅好三倍。但應(yīng)該理解的是,大多數(shù)商業(yè)級半導(dǎo)體的推薦溫度額定值為 175C。更高的額定溫度可最大限度地降低系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性,增強可靠性,并降低制造商的成本。系統(tǒng)設(shè)計人員可以在Sic半導(dǎo)體的幫助下使用越來越少的電容器和存儲電感器,從而降低電氣系統(tǒng)的總體成本。 2.碳化硅可以承受更高的電壓與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料當(dāng)今半導(dǎo)體制造中最熱門的趨勢之一是晶圓級封裝 (WLP)。根據(jù)Allied Market Research 的數(shù)據(jù),到 2022 年,全球 WLP 市場規(guī)模預(yù)計將達到 78 億美元,2016 年至 2022 年的復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 21.5%。廣義上講,WLP 包含不同的集成方法,例如扇入和扇出,以及從 2D 和 2.5D 到 3D IC 甚至納米 WLP 的一系列封裝類型。它還包括互連工藝,如凸塊、硅通孔 (TSV) 和混合鍵合。WLP 是異構(gòu)集成 (HI) 的基石,這是半導(dǎo)體制造的另一個主要趨勢。許多人認為 HI 是在功率、性能、面積和成本 (PPAC) 方面擴展摩爾定律的途徑。HI 包括晶圓級系統(tǒng)級封裝 (SiP) 架構(gòu)、2.5 內(nèi)插器、3D 集成電路 (IC) 堆棧,以及最近的小芯片架構(gòu)。是什么推動了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的 WLP 趨勢?       正如大流行向我們展示的那樣,世界比以往任何時候都更加依賴數(shù)字技術(shù)。不僅如此,我們還希望能夠通過手掌來管理我們的生活。我們使用移動設(shè)備進行通信、開展業(yè)務(wù)、購物、監(jiān)控我們的健康和我們的家庭等等。異構(gòu)集成 WLP 使將 5G、人工智能 (AI)、內(nèi)存、電源、傳感器等打包到這些工具中成為可能。        這推動了...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 12
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料有許多晶片清潔技術(shù)或步驟用于確保半導(dǎo)體晶片在經(jīng)歷晶片制造過程時始終沒有污染物和異物。不同的污染物具有不同的特性,因此對從晶片上去除的要求也不同。以下是晶圓清洗常用方法的一些示例。    光刻膠剝離,或簡稱“光刻膠剝離”,是從晶片上去除不需要的光刻膠層。其目的是盡快從晶片上去除光刻膠材料,而不會讓光刻膠下的任何表面材料受到所用化學(xué)品的侵蝕??刮g劑剝離可分為:1)有機剝離;2)無機剝離;3) 干法剝離。    有機剝離 使用有機剝離劑,有機剝離劑是破壞抗蝕劑層結(jié)構(gòu)的化學(xué)品。最廣泛使用的市售有機汽提劑曾經(jīng)是苯酚基有機汽提劑,但它們的適用期短和苯酚處理困難,使得低酚或無酚有機汽提劑成為當(dāng)今更受歡迎的選擇。  濕式無機剝離劑,也稱為氧化型剝離劑,用于 無機剝離,通常用于去除非金屬化晶圓上的光刻膠,以及后烘烤和其他難以去除的抗蝕劑。無機汽提劑是硫酸和氧化劑(如過硫酸銨)的溶液,加熱至約 125 攝氏度。干法剝離 涉及使用等離子蝕刻設(shè)備通過干法蝕刻去除光刻膠。與使用有機或無機剝離劑進行濕法蝕刻相比,它的優(yōu)勢包括更好的安全性、無金屬離子污染、減少污染問題以及更不易附著在下面的基板層。  化學(xué)去除薄膜污染物,污染材料的...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個前所未有的速度開發(fā)最強大芯片的機會。現(xiàn)在半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了大規(guī)模的改造,這可以歸因于技術(shù)的演進和熱情,以滿足不斷增加的市場預(yù)期。傳統(tǒng)上,芯片制造商依賴于在每個芯片的表面添加更多的晶體管。在當(dāng)今時代,實現(xiàn)這種發(fā)展變得越來越具有挑戰(zhàn)性。制造商正在關(guān)注稱為極紫外(EUV) 光刻的先進制造技術(shù)。EUV光刻可用于制造比以前更小規(guī)模的芯片。該技術(shù)可以導(dǎo)致微處理器的發(fā)展,其速度比目前最強大的芯片快十倍。EUV光刻的本質(zhì)也可以歸因于當(dāng)前芯片印刷技術(shù)的物理限制。EUV光刻技術(shù)可以使制造商打印寬度為01微米的電路,相當(dāng)于人類頭發(fā)寬度的1/1000。EUV光刻利用波長非常短的光來更快、更準(zhǔn)確地生成精細圖案。該技術(shù)可以生產(chǎn)更小尺寸的晶體管,使處理器和其他電子設(shè)備更強大、更便宜、更節(jié)能。EUV光刻的兩個關(guān)鍵市場包括用于智能手機和服務(wù)器的處理器,其中尺寸、功率和效率是必不可少的因素。盡管 EUV光刻技術(shù)前景廣闊,但這項技術(shù)的普及仍有一些障礙。其中之一是需要大功率光源,這是照亮光刻膠所必需的。然而,世界領(lǐng)先的公司正在投資這項技術(shù)。許多公司正在投資研發(fā),以實現(xiàn) EUV技術(shù)的更大進步。此類投資肯定會在未來提高半導(dǎo)體和電子產(chǎn)品的運營效率。 注意:此處包含的信息、建議和意見僅供參考,僅供您考慮,查詢和驗證,不以任何方式 保證任何材料在特定...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要半導(dǎo)體晶片在從裸硅晶片轉(zhuǎn)變?yōu)檠b有數(shù)百萬個晶體管電路的晶片之前,要經(jīng)過多種工藝。此類工藝包括物理或化學(xué)氣相沉積(PVD、CVD)、化學(xué)機械平面化 (CMP)、等離子蝕刻、快速熱處理 (RTP) 和光刻。隨著特征尺寸不斷縮小,過程控制在這些過程中的每一個中都扮演著越來越重要的角色?;谀P偷目刂品椒ㄊ菫橄冗M半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計商業(yè)控制器的有效手段。我們將概述先進控制在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用。根據(jù)我們的經(jīng)驗,控制設(shè)計的最佳模型大量借鑒了過程的物理學(xué)。這些模型用于特定控制應(yīng)用的方式取決于性能目標(biāo)。在某些情況下,例如 RTP 和光刻,閉環(huán)控制完全取決于系統(tǒng)具有非常好的物理模型。對于 CMP 等其他過程,物理模型必須與經(jīng)驗?zāi)P徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗?zāi)P?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運行控制器,或其組合。本文中介紹的三個案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先進控制在半導(dǎo)體行業(yè)的前沿應(yīng)用。對于 CMP 等其他過程,物理模型必須與經(jīng)驗?zāi)P徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗?zāi)P汀K玫亩嘧兞靠刂破骺梢允窃磺梆伔答伝蛑鸫芜\行控制器,或其組合。本文中介紹的三個案例研究(RTP、CMP 和光刻)代表了先進控制在半導(dǎo)體行業(yè)的前沿應(yīng)用。對于 CMP 等其他過程,物理模型必須與經(jīng)驗?zāi)P徒Y(jié)合或完全是經(jīng)驗?zāi)P?。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運行控制器,或其組合。本文中介紹的三個案例...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料        硅基電子元件的開發(fā)與生產(chǎn)要求材料在所有階段的化學(xué)表征,從原材料,最后是成品。分析工作包括測定兩者的體積濃度和空間分布雜質(zhì)和攙雜劑的厚度和成分的測定沉積在硅等上的薄膜。現(xiàn)代要求的高可靠性半導(dǎo)體產(chǎn)品需要廣泛的控制程序。經(jīng)常必須測定極低濃度的雜質(zhì)。因此低檢測限和污染自由度是該標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵要求分析工作。需要和使用許多不同的分析技術(shù)。在這幾種核分析技術(shù)是很重要的。中子(NAA),帶電粒子活化分析(CPA)、核反應(yīng)分析(NRA)、瞬變伽馬活化分析(PGAA)和盧瑟福后向散射光譜學(xué)(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析問題是困難的和質(zhì)量要求高。常是非核的定量校準(zhǔn)技術(shù)是很困難的。很少,如果有的話,參考資料是公正的分析方法的準(zhǔn)確性存在控制。該局與國家標(biāo)準(zhǔn)局合作召開了會議這次顧問會議的目的如下。1. 概述分析化學(xué)的要求電子工業(yè)和所使用的分析技術(shù)。2. 探討核分析技術(shù)在這一領(lǐng)域的作用。3.討論國際組織質(zhì)量控制的必要性所用的分析方法。該報告包含三個報告討論分析的必要性硅電子化學(xué),分析技術(shù)的應(yīng)用和分析標(biāo)準(zhǔn),并對質(zhì)量需求的討論進行總結(jié)報告控制。對分析化學(xué)的需求硅電子科技。摘要        對原材料質(zhì)量控制的分析和缺陷特性的廣泛需求討論了硅器件制造的材料、工藝和環(huán)...
發(fā)布時間: 2021 - 08 - 11
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掃碼添加微信,獲取更多濕法工藝資料摘要在這項研究中,干膜光刻膠使用 UV 光刻進行圖案化,并優(yōu)化側(cè)壁輪廓以實現(xiàn)垂直側(cè)壁。干膜的側(cè)壁垂直度對于更好的圖案轉(zhuǎn)移非常重要。部分因子設(shè)計 (FFD) 方法用于確定側(cè)壁優(yōu)化的重要變量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善側(cè)壁垂直度方面不顯著。側(cè)壁角度范圍從 64 ± 5° 到 86 ± 5°。發(fā)現(xiàn)側(cè)壁斜率隨著曝光能量的降低而增加。光刻圖案化干膜的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等離子體和 CF4-O2 等離子體進行具有優(yōu)化側(cè)壁的干膜 RIE。全因子實驗設(shè)計用于確定影響過程的關(guān)鍵因素。氧氣流速和射頻功率是使用 CF4-O2 等離子體的干膜 RIE 的重要變量。蝕刻速率范圍從 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蝕刻速率隨著射頻功率和氧氣流速的增加而增加。發(fā)現(xiàn) RF 功率和時間對 Ar 等離子體很重要。制造的具有幾乎垂直側(cè)壁的干膜模具用于電鍍銅和 Ti 剝離應(yīng)用。使用部分因子設(shè)計優(yōu)化電鍍工藝。正如預(yù)期的那樣,發(fā)現(xiàn)電流密度和電鍍時間很重要。與較高的電流密度相比,較低的電流密度導(dǎo)致更光滑、細粒度的沉積物。然而,鍍液pH值對干膜的影響還有待研究。具有增加側(cè)壁斜率的干膜模具在電鍍銅和 Ti 剝離方面表現(xiàn)出更好的圖案轉(zhuǎn)移。 介紹光刻膠光刻膠是一種用于微電子行業(yè)的...
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