掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料用單晶片處理器選擇性濕蝕刻磷酸中的 Si3N4/SiO2 的設(shè)計(jì)在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o(wú)污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率等優(yōu)點(diǎn)。然而，在去除氮化硅的過(guò)程中，不僅是磷酸消耗的成本問(wèn)題，還有蝕刻速率、均勻性和選擇性等工藝性能，是使該工藝難以切換到單晶圓類型的障礙。從長(zhǎng)凳類型。在這里，我們提出了一種新穎的設(shè)計(jì)，它引入了一個(gè)上晶圓加熱板來(lái)保持磷酸蝕刻劑的高溫，以克服單晶圓處理器在氮化物方面存在的蝕刻速率低、均勻性差和選擇性低的常見(jiàn)問(wèn)題。剝離過(guò)程。在這項(xiàng)工作中，研究了單晶片處理器中的操作變量（如轉(zhuǎn)速、熔池時(shí)間和溫度）對(duì)蝕刻速率、均勻性和選擇性的交互影響，以深入了解該過(guò)程。蝕刻選擇性明顯從約降低。100 到60 當(dāng) H3PO4 溫度從 144°C 增加到 154°C 而引入加熱板已被證明可以顯著提高蝕刻選擇性。在半導(dǎo)體制造中，氮化硅 (Si3N4) 和二氧化硅 (SiO2) 是最典型和廣泛使用的介電材料，用作硬掩模、犧牲層、注入間隔物或應(yīng)力誘導(dǎo)膜。 氮化硅通?？梢酝ㄟ^(guò)各種方法去除，例如干法蝕刻、HF、BOE（緩沖氧化物蝕刻）等。 然而，氮化硅對(duì)磷酸介質(zhì)中的氧化物的高蝕刻選擇性使得氧化硅充當(dāng)蝕刻停止層，以保護(hù)下層膜或結(jié)構(gòu)免受氮化膜條帶產(chǎn)生的損壞。多年來(lái)，在批...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料離子注入主要用于超大規(guī)模集成電路工藝中的硅摻雜。離子注入提供了一種可以精確控制注入摻雜劑劑量的技術(shù)。在離子注入中，離子束以通常大于 50 eV 的能量朝著目標(biāo)加速。離子束可以聚焦，也可以相對(duì)于晶片表面傾斜。通過(guò)使用適當(dāng)?shù)难诒尾牧希梢栽诰系膮^(qū)域上選擇性地施加離子注入。在擴(kuò)散過(guò)程中，掩模必須承受高溫。然而，在離子注入工藝中，晶片不是有意加熱的。對(duì)于中等劑量，晶片的溫度不會(huì)顯著增加到室溫以上。因此可以使用光刻膠來(lái)掩蔽離子注入。離子能量可以在幾百個(gè) eV 到 MeV 的范圍內(nèi)。在晶體硅晶格中，將原子從其晶格位置移出并產(chǎn)生穩(wěn)定的空位 - 間隙對(duì)所需的能量為 15 eV。這意味著每個(gè)注入的離子都會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)造成損害。因此，注入的硅不是很有用。通常，必須對(duì)損壞進(jìn)行退火處理，并在注入后通過(guò)高溫?zé)崽幚砑せ钭⑷氲膿诫s劑。這也允許我們?cè)谝欢ǔ潭壬蠈㈦x子注入到掩膜之下。離子注入的這些特性使得該工藝最適合在 VLSI 工藝中進(jìn)行摻雜。離子注入用于超大規(guī)模集成電路技術(shù)中的場(chǎng)截止摻雜、阱摻雜、反擊穿摻雜、閾值電壓控制、源/漏擴(kuò)展摻雜、暈圈摻雜和深源/漏摻雜。SRIM 是一種蒙特卡羅模擬程序，用于計(jì)算非晶材料中加速離子的軌跡。 略幻燈片的圖顯示了什么 ？ &#...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料缺陷掃描檢查 在開(kāi)始生產(chǎn)之前，裸晶圓在晶圓制造商處要檢驗(yàn)合格合格，并在半導(dǎo)體工廠接收后再次要檢驗(yàn)合格。只有最無(wú)缺陷的晶圓才用于生產(chǎn)，它們的生產(chǎn)前缺陷圖允許制造商跟蹤可能導(dǎo)致芯片功能不佳的區(qū)域。裸晶片或非圖案化晶片也在經(jīng)受被動(dòng)或主動(dòng)處理環(huán)境之前和之后被測(cè)量，以確定來(lái)自給定處理工具的粒子貢獻(xiàn)的基線。圖1:旋轉(zhuǎn)非圖案化晶片上的缺陷檢測(cè)(左)以及暗場(chǎng)和亮場(chǎng)圖像照明中鏡面反射的使用(右) 器件制造商使用光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)來(lái)檢查晶片和掩模上的顆粒和其他類型的缺陷，并確定這些缺陷在晶片上的X-Y網(wǎng)格中的位置。用于非圖案化晶片上的缺陷檢測(cè)的基本原理相對(duì)簡(jiǎn)單。激光束在旋轉(zhuǎn)的晶片表面上徑向掃描，以確保光束投射到晶片表面的所有部分上。激光從表面反射，就像從鏡子反射一樣，如圖1所示。這種反射被稱為鏡面反射。當(dāng)激光束遇到晶片表面上的顆粒或其他缺陷時(shí)，缺陷散射一部分激光。根據(jù)照明布置，散射光可以被直接檢測(cè)(暗場(chǎng)照明)或作為反射光束中強(qiáng)度的損失(亮場(chǎng)照明)。晶片的旋轉(zhuǎn)位置和光束的徑向位置限定了晶片表面上缺陷的位置。在晶圓檢測(cè)工具中，使用光電倍增管或電荷耦合器件以電子方式記錄光強(qiáng)度，并生成晶圓表面的散射或反射強(qiáng)度圖，如圖2所示。該圖提供了有關(guān)缺陷大小和位置的信息，以及由于顆粒污染等問(wèn)題造成的晶片表面狀況的信息。這種方法需要對(duì)晶片臺(tái)和光學(xué)元...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 設(shè)備在整個(gè)制造過(guò)程中需要使用不同的材料達(dá)到不同的清潔水平，因此提供多種清潔選項(xiàng)以達(dá)到所需的清潔水平以確保良好的設(shè)備和高產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。表面活化是與清潔相關(guān)的一個(gè)重要過(guò)程，它為下一個(gè)工藝步驟調(diào)節(jié)和準(zhǔn)備表面，確保良好的附著力，從而產(chǎn)生高質(zhì)量的模具。 圖1 可能存在于硅晶片上的表面污染物 在晶片進(jìn)入制造過(guò)程之前，必須清潔其表面以去除任何粘附顆粒和有機(jī)/無(wú)機(jī)雜質(zhì)。硅原生氧化物也需要去除。不斷縮小的設(shè)備設(shè)計(jì)規(guī)則使得清潔技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)可接受的產(chǎn)品產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。在現(xiàn)代設(shè)備制造中，晶圓清洗程序可以占整個(gè)制造過(guò)程中步驟的 30% -到40%。晶圓清洗在半導(dǎo)體行業(yè)有著悠久的發(fā)展歷史。晶片表面上的污染物可能以吸附離子和元素、薄膜、離散顆粒、微粒（顆粒簇）和吸附氣體的形式存在。圖 ...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 通過(guò)使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異性蝕刻，并且可以產(chǎn)生具有精確尺寸的直邊。在每種情況下，控制蝕刻浴溫度和蝕刻劑濃度對(duì)于成功創(chuàng)建微結(jié)構(gòu)和后續(xù)批次的可重復(fù)性至關(guān)重要。 1.各向同性和各向異性蝕刻有何不同 硅片具有單晶晶格結(jié)構(gòu)，在各個(gè)方向重復(fù)，但各個(gè)方向的密度不同。垂直平面包含與對(duì)角平面不同數(shù)量的硅原子。這意味著使用某些蝕刻劑的蝕刻在具有更多原子的方向上較慢，而在具有較少原子的方向上進(jìn)行得更快。 用于各向同性蝕刻的蝕刻劑，如氫氟酸，在所有方向上以相同的速度蝕刻，與硅原子密度無(wú)關(guān)。對(duì)于用于各向異性蝕刻的蝕刻劑，例如氫氧化鉀 (KOH)，蝕刻速度取決于晶格平面中硅原子的數(shù)量，因此取決于不同平面的方向。 各向異性蝕刻速度的差異允許更好地控制蝕刻到硅晶片中的形狀。通過(guò)硅晶片的相應(yīng)取向，可以定時(shí)蝕刻以產(chǎn)生直邊或成角度的邊和尖角?？梢詼p少掩模下的蝕刻。 2.如何在半導(dǎo)體制造中使用各向同性和各向異性蝕刻 各向同性蝕刻比各向異性蝕刻更難控制，但速度更快。在硅晶片制造的初始階段，大型特征被蝕刻到硅中。在制造的這個(gè)階段，蝕刻速度對(duì)設(shè)施吞吐量很重要。各向同性蝕刻用于快速創(chuàng)建這些...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義，其創(chuàng)建過(guò)程在光刻中有詳細(xì)描述。一旦掩模就位，就可以通過(guò)濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護(hù)的材料。從歷史上看，濕化學(xué)方法在用于圖案定義的蝕刻中發(fā)揮了重要作用，隨著器件特征尺寸的減小，表面形貌變得更加關(guān)鍵，濕化學(xué)蝕刻讓位于干蝕刻技術(shù)。這種轉(zhuǎn)變主要是由于濕蝕刻的各向同性。濕法蝕刻會(huì)在所有方向產(chǎn)生材料去除，如圖2所示，這導(dǎo)致掩模定義的特征尺寸與基板上復(fù)制的特征尺寸之間存在差異。此外，先進(jìn)設(shè)備中的縱橫比（深度與寬度之比）增加，實(shí)現(xiàn)這些比例需要使用定向蝕刻技術(shù)對(duì)材料進(jìn)行各向異性蝕刻。圖3提供了一個(gè)示意圖，有助于理解各向同性與各向異性特征生成和定向蝕刻。對(duì)濕法蝕刻在高級(jí)加工中的效用的最后打擊可能是這樣一個(gè)事實(shí)，即許多用于器件制造的新材料沒(méi)有可用于蝕刻的濕法化學(xué)物質(zhì)。這些問(wèn)題結(jié)合在一起使?jié)裎g刻技術(shù)幾乎只用于清潔而不是蝕刻應(yīng)用。只有特征尺寸相對(duì)較大的器件才繼續(xù)采用濕法蝕刻。表面清潔已在 各向異性特征生成和定向蝕刻。對(duì)濕法蝕刻在高級(jí)加工中的效用的最后打擊可能是這樣一個(gè)事實(shí)，即許多用于器件制造的新材料沒(méi)有可用于蝕刻的濕法化學(xué)物質(zhì)。這些問(wèn)題結(jié)合在一起使?jié)裎g刻技術(shù)幾乎只用于清潔而不是蝕刻應(yīng)用。只有特征尺寸相...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 半導(dǎo)體器件制造可能是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。通常，完成一個(gè)制造周期可能需要長(zhǎng)達(dá)八周的時(shí)間。在此過(guò)程中，使用由可靠工作的高質(zhì)量的濕法設(shè)備至關(guān)重要。這是確保所涉及的每個(gè)制造過(guò)程都符合重要的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)所必需的。 您如何選擇合適的濕法設(shè)備制造商來(lái)滿足您的所有工藝要求？您需要考慮以下幾個(gè)方面： 1.確認(rèn)直接滿足您需求的濕臺(tái)設(shè)備制造商您可能需要考慮以下方面：您需要全自動(dòng)化、半自動(dòng)化還是手動(dòng)控制？全自動(dòng)工作站在所有流程步驟中都使用機(jī)器人技術(shù)，通常用于優(yōu)化開(kāi)發(fā)良好的流程。半自動(dòng)化工作站使用機(jī)器人技術(shù)進(jìn)行一些操作步驟的一些操作。手動(dòng)濕臺(tái)站是最便宜的選擇，通常在開(kāi)發(fā)需要手動(dòng)交互且不使用任何機(jī)器人進(jìn)行自動(dòng)化的新工藝時(shí)使用；使用兼容的材料很重要。您需要考慮工程師將使用濕式工作臺(tái)進(jìn)行什么樣的工藝，并確定必須使用哪種材質(zhì)的材料；考慮將在濕工作臺(tái)中使用的化學(xué)品類型，需要什么材質(zhì)的材料；該濕法設(shè)備制造商應(yīng)提供的設(shè)備是否符合所有消防安全和電氣安全規(guī)范等等。 2.選擇交鑰匙解決方案濕臺(tái)制造商應(yīng)該是擁有廣泛產(chǎn)品線的一站式出口。他們應(yīng)該提供完整的、完全集成的系統(tǒng)。您應(yīng)該選擇一個(gè)完整的交鑰匙解決方案。您應(yīng)該從供應(yīng)商處訂購(gòu)半導(dǎo)體濕法設(shè)備，該供應(yīng)商不僅為您提供所需的濕法設(shè)備，還包括完整安裝、售后服務(wù)、技術(shù)支持和保修支持。 3.看名聲和歷史尋找一家在產(chǎn)品...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料濕法處理是半導(dǎo)體制造的一個(gè)重要方面，負(fù)責(zé)清潔晶圓材料。半導(dǎo)體的進(jìn)步正在改變垂直行業(yè)。然而，制造高質(zhì)量的半導(dǎo)體芯片并非易事。半導(dǎo)體制造是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，必須非常小心地完成。例如，半導(dǎo)體制造的靈敏度可以根據(jù)輕微的誤差會(huì)顯著影響半導(dǎo)體器件的效率這事實(shí)來(lái)確定。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體在大多數(shù)生產(chǎn)過(guò)程中都需要一個(gè)純凈或無(wú)污染的空間。濕法處理是半導(dǎo)體制造的另一個(gè)關(guān)鍵部分，用于蝕刻和清潔晶片。半導(dǎo)體制造商利用溫法加工來(lái)制造純晶圓。半導(dǎo)體晶片的濕蝕刻和清潔仍然是創(chuàng)建精確設(shè)計(jì)格式的最有效方法。濕法加工的應(yīng)用需要根據(jù)最終產(chǎn)品所需的工程格式將抗性材料放置在半導(dǎo)體晶片的表面上。對(duì)于各種半導(dǎo)體，該格式負(fù)責(zé)創(chuàng)建連接節(jié)點(diǎn)的可視化路線圖。隨后將晶片浸入或暴露于液體或蒸氣中，這將去除暴露的晶片并留下沉積材料的形式。最后，在進(jìn)入半導(dǎo)體制造的下一階段之前，清潔晶片并檢查質(zhì)量。濕法加工也有各種工業(yè)應(yīng)用。各種多室清潔工具使用臭氧水作為晶片清潔材料。此類工具可能有多達(dá)十幾個(gè)以間歇方式運(yùn)行的獨(dú)立單晶片室。該工具可確保臭氧化晶片連續(xù)流向每個(gè)腔室，并在清潔過(guò)程不運(yùn)行時(shí)將流轉(zhuǎn)移到排水管。因此，濕法處理使這些工廠能夠以高效率運(yùn)行。濕法加工是半導(dǎo)體制造的一個(gè)關(guān)鍵方面，因?yàn)橹瞥善返某晒图兌纫约鞍雽?dǎo)體器件的效率都依賴于濕法加工。華林科納作為濕法設(shè)備專業(yè)制造商，具有超20年濕法設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)，擁有完整的濕法設(shè)...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料摘要紫外線臭氧和氧等離子體處理是清潔硅表面的兩種常用程序。通過(guò)這些方法清潔微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 隱藏表面的程度尚未得到充分記錄。為了探索和比較兩種清潔 MEMS 閉塞區(qū)域的方法的有效性，制造了由大型可移動(dòng)襟翼組成的設(shè)備以產(chǎn)生隱藏表面，其閉塞區(qū)域超過(guò)了 MEMS 設(shè)備中通常出現(xiàn)的縱橫比。定制翼片裝置中的翼片和基底之間的間隙被設(shè)計(jì)成在程度上是可變的。它們的內(nèi)部區(qū)域最初涂有化學(xué)吸附的單層膜，然后進(jìn)行清潔。這兩種技術(shù)都去除了暴露表面上的單層，并且在某種程度上都去除了存在于封閉表面上的單層。發(fā)現(xiàn)氧等離子體是一種比紫外線臭氧方法更有效的清潔閉塞表面的方法。但是，在縱橫比為 1700 的異常大的遮擋中，即使是氧等離子體也無(wú)法去除化學(xué)吸附單層的所有痕跡。 關(guān)鍵詞：清潔程序、FOTAS、有機(jī)單層涂層、氧等離子體、表面處理、TOF-SIMS、紫外線臭氧介紹 表面力對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 運(yùn)行的主要影響需要控制表面化學(xué)以控制和減輕這些力。清潔是表面化學(xué)控制的重要組成部分，因?yàn)榛瘜W(xué)吸附單層膜的附著依賴于所需涂層分子暴露于已知終止的表面 。例如，MEMS 制造工藝的變化會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)后表面化學(xué)成分的變化范圍很廣，而在設(shè)備存儲(chǔ)和/或操作期間通常會(huì)發(fā)生表面污染此外，物理吸附的碳?xì)浠衔锖退畬訒?huì)在真空和環(huán)境條件下冷凝到表面 ，并且它們通常無(wú)法通過(guò)簡(jiǎn)單地暴露在超高真空...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料介紹幾十年來(lái)，硅一直是半導(dǎo)體的選擇，用于制造電源晶體管。硅垢的物理限制迫使研究和采用新材料。在生產(chǎn)準(zhǔn)備的發(fā)展 ，III-V化合物半導(dǎo)體 ，氮化鎵(GaN)是硅的一個(gè)有吸引力的替代品。 優(yōu)勢(shì):更高的體積流動(dòng)性比硅，更高的通電流和更低的關(guān)電流，缺點(diǎn):GaN薄膜的外延生長(zhǎng)仍處于發(fā)展階段，需要進(jìn)一步的工作。項(xiàng)目工藝流程 制造的工藝流程 樣本采集 氮化鎵腐蝕理論 氮化鎵在ICP腐蝕劑中的腐蝕速率與偏壓的關(guān)系氮化鎵是一種堅(jiān)韌的蝕刻材料。 Ga和N 原子之間以離子形式結(jié)合因此它的鍵能比傳統(tǒng)Si或大多數(shù)其他iii - v材料堅(jiān)韌。臺(tái)面腐蝕: 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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