增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）便攜式和可穿戴設(shè)備的市場(chǎng)正在迅速增長(zhǎng)。在各種硬件實(shí)現(xiàn)形式中，帶透明眼鏡的頭戴式顯示器（HMD）或近眼顯示器（NED）可提供最有效和身臨其境的AR體驗(yàn)。由于其輕薄的特性，光波導(dǎo)被認(rèn)為是消費(fèi)級(jí)增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）眼鏡的無(wú)與倫比的選擇，但由于其價(jià)格高昂和技術(shù)壁壘，它仍然被禁止。隨著諸如Hololens II和Magic Leap One之類(lèi)的主流AR可穿戴設(shè)備采用波導(dǎo)解決方案并展示了其批量生產(chǎn)能力，以及最近披露的針對(duì)AR光模塊制造商DigiLens，NedAR和LingXi的融資新聞，波導(dǎo)已成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。 AR玻璃行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題。光波導(dǎo)在AR NED系統(tǒng)中如何工作？所謂的“陣列波導(dǎo)”，“幾何波導(dǎo)”，“衍射波導(dǎo)”，“全息波導(dǎo)”和“體積波導(dǎo)”之間是什么關(guān)系？波導(dǎo)是如何在使AR玻璃行業(yè)發(fā)生革命的過(guò)程中開(kāi)發(fā)的？1.光波導(dǎo)—隨需應(yīng)變光學(xué)系統(tǒng)通常由用于VR和AR近眼顯示器（NED）的微型顯示器和成像光學(xué)系統(tǒng)組成。微型顯示器可以像微型OLED或時(shí)尚的微型LED面板一樣主動(dòng)提供圖像，也可以通過(guò)在基于液晶的顯示器（包括透射型LCD和反射型LCOS），數(shù)字微鏡器件（DMD）和激光上間接照明來(lái)間接提供圖像光束掃描儀（LBS）均由微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）啟用。與VR相似，顯示像素被成像到一定距離并形成虛擬圖像以投射到人眼。與VR不同，AR NED需要“透視”功能，以便眼睛能夠同時(shí)查看現(xiàn)實(shí)世界。成...
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多晶酸制絨原理多晶硅絨面制備方法多晶硅表面由于存在多種晶向，不如（100）晶向的單晶硅那樣能利用各向異性化學(xué)腐蝕得到理想的絨面結(jié)構(gòu)，因而對(duì)于多晶硅片，目前主要采用各向同性的酸腐方法來(lái)制備絨面。主要方法:是利用硝酸和氫氟酸、去離子水來(lái)配制酸性腐蝕液。對(duì)于多晶硅片進(jìn)行各向同性腐蝕，在硅片表面形成蜂窩狀的絨面結(jié)構(gòu)，從而提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)溶液對(duì)硅的各向同性腐蝕特性，在硅片表面進(jìn)行織構(gòu)化處理而形成絨面。1.第一步:硅的氧化硝酸和氫氟酸的混合液可以起到很好的腐蝕作用，硝酸的作用是使單質(zhì)硅氧化為二氧化硅，其反應(yīng)為:3Si+4HNO3===3SiO2+2HO2+4NO2.第二步:二氧化硅的溶解二氧化硅生成以后，很快與氫氟酸反應(yīng) SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四氟化硅是氣體) SiF4+2HF=H2SiF6總反應(yīng): SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O終反應(yīng)掉的硅以六氟硅酸的形式進(jìn)入溶液并溶于水。這樣，二氧化硅被溶解之后，硅又重新露出來(lái)，一步、二步的反應(yīng)不斷重復(fù)，硅片就可以被持續(xù)的腐蝕下去。單晶絨面圖片多晶絨面圖片 單晶硅制絨液體的組成和作用制絨溶液主要是由堿性物質(zhì)（NaOH、KOH、Na2CO3等）及添加劑（硅酸鈉、酒精或異丙醇）組成的混合溶液。堿性物質(zhì)發(fā)生電離或者水解出OH離子與硅發(fā)生反應(yīng)，從而形成絨面。堿的適宜濃度為5%以下。酒精或異丙醇有三個(gè)作用：a、協(xié)助...
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衍射光學(xué)是基于光的衍射原理，利用計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)衍射圖，并通過(guò)微電子加工技術(shù)在光學(xué)材料只做表面浮雕的元件，由于衍射光學(xué)元件及其靈活的控制波前，集多功能與一體和可復(fù)制的優(yōu)良特性視光學(xué)系統(tǒng)及器件向輕型化，微型化和集成化發(fā)展。到了90年代至今，衍射光學(xué)元件的研究已成為光學(xué)界的前沿工作。隨著衍射光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，大面積衍射元件的需求越來(lái)越多。濕法刻蝕技術(shù)是低成本制作特征尺寸及寬深比較大衍射光學(xué)元件較好的方法之一，特別在解決大口徑元件的刻蝕均勻性方面具有很大優(yōu)勢(shì)。衍射光學(xué)自身具有許多優(yōu)點(diǎn)使得它廣泛地應(yīng)用于各種光學(xué)系統(tǒng)或微光機(jī)電系統(tǒng)中，各種衍射光學(xué)元件目前已成為光通訊和光互聯(lián)中的關(guān)鍵元件，對(duì)它們的性能分析和設(shè)計(jì)具有重要的理論意義和應(yīng)用價(jià)值。與傳統(tǒng)折反射光學(xué)元件比較，衍射光學(xué)元件（DOE）的光學(xué)處理功能非常靈活。DOE可以在極小的體積內(nèi)，集成多種光學(xué)功能于一體，產(chǎn)生傳統(tǒng)光學(xué)難以實(shí)現(xiàn)的各種光場(chǎng)分布。針對(duì)衍射光學(xué)元件的濕法刻蝕工藝，華林科納研究了濕法刻蝕的化學(xué)機(jī)理，摸索了相關(guān)的規(guī)律，得到了有效控制刻蝕速率的方法，不同腐蝕條件下所對(duì)應(yīng)的刻蝕速率。為基于工藝條件的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法提供依據(jù)，得到了制作工藝中的加工依據(jù)。公司具備獨(dú)立的設(shè)計(jì)、制造及應(yīng)用技術(shù)，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供從咨詢(xún)、設(shè)計(jì)、到制造的專(zhuān)業(yè)化、定制化整體解決方案。
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濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過(guò)化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。濕法腐蝕工藝由于其低成本，高產(chǎn)出，高可靠性以及其優(yōu)良的選擇比是其優(yōu)點(diǎn)而仍被廣泛接受和使用。華林科納經(jīng)過(guò)多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)的不斷改良，使得我們的設(shè)備在工藝路徑及技術(shù)要求上得到穩(wěn)步的提高，濕法腐蝕設(shè)備正朝著以下方向發(fā)展：a.自動(dòng)化b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態(tài)下的重復(fù)性，以幫助工藝工程師提供更良好的控制，阻止人為因素的影響。c.點(diǎn)控制過(guò)濾控制，以減小腐蝕過(guò)程中缺陷的產(chǎn)生d.自動(dòng)噴淋設(shè)備的開(kāi)發(fā)。所有這些，都使?jié)穹ǜg有一個(gè)更美好的前景。濕法腐蝕機(jī)理濕法腐蝕的產(chǎn)生一般可分為3步：1:反應(yīng)物（指化學(xué)藥劑）擴(kuò)散到反應(yīng)表面2:實(shí)際反應(yīng)（化學(xué)反應(yīng)）3:反應(yīng)生成物通過(guò)擴(kuò)散脫離反應(yīng)表面在實(shí)際應(yīng)用中，濕法腐蝕通常用來(lái)在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形，光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區(qū)域防止被腐蝕液腐蝕掉，而光刻版在腐蝕后常被去掉，因此在線(xiàn)擇濕法腐蝕工藝時(shí)，必須線(xiàn)擇腐蝕液，合適的形成版的材料（光刻膠）必須具有良好的抗腐蝕能力，良好的完整覆蓋特性，光刻膠常被用來(lái)作為版層材料，但有時(shí)邊緣的黏附性差，常采用HMDS以增強(qiáng)其黏附性濕法腐蝕反應(yīng)時(shí)可能存在多種反應(yīng)機(jī)理，許多反應(yīng)...
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RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。CSE華林科納RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，是去除硅片表面各類(lèi)玷污的有效方法，所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統(tǒng)。該清洗系統(tǒng)主要包括以下幾種藥液：（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的...
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刻蝕是把進(jìn)行光刻前所淀積的薄膜中未被光 刻膠覆蓋的部分用化學(xué)或物理的方式去除，用以完成掩模圖像的轉(zhuǎn)移。刻蝕是半導(dǎo)體器件和集成 電路的基本制造工藝，分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 濕法刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的 化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的方法；干法刻 蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面 薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面 使之被腐蝕的工藝。雖然濕法刻蝕在保證細(xì)小圖 形轉(zhuǎn)移后的保真性方面不如干法刻蝕，但由于生 產(chǎn)成本低、產(chǎn)能高、適應(yīng)性強(qiáng)、表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少、其優(yōu)良的選擇比在去氧化硅、去除殘留 物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕等方面有著廣 泛的應(yīng)用。濕法刻蝕的特點(diǎn)是：反應(yīng)生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質(zhì)，否則會(huì)造成反應(yīng)物沉 淀，影響刻蝕的正常進(jìn)行；濕法刻蝕一般為各向同性，即水平方向和垂直方向的速率是相同的，這樣會(huì)導(dǎo)致側(cè)向出現(xiàn)腐蝕。因此，刻蝕后得到的圖形結(jié)構(gòu)不是理想的垂直墻；濕法刻蝕過(guò)程常伴有放熱和放氣現(xiàn)象，影響刻蝕速率，使得刻蝕效 果變差。 提高濕法設(shè)備刻蝕均勻性的方法 刻蝕均勻性是一種衡量刻蝕工藝在晶片內(nèi)及晶片之間刻蝕一致性的參數(shù)，是保證芯片產(chǎn)品質(zhì) 量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。刻蝕速率和刻蝕剖面與圖形 尺寸及密度是影響刻蝕均勻性的原因，刻蝕均勻性與選擇比有密切的關(guān)系，非均勻性刻蝕會(huì)產(chǎn)生額外的過(guò)刻蝕?？涛g溶液的溫度控制 刻蝕溶液溫度是硅濕...
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超聲波清洗技術(shù)的基本原理，大致可以認(rèn)為是利用超聲場(chǎng)產(chǎn)生的巨大作用力，在洗滌介質(zhì)的配合下，促使物質(zhì)發(fā)生一系列物理、化學(xué)變化以達(dá)到清洗目的的方法。當(dāng)高于音波（28～ 40KHz）的高頻振動(dòng)傳給清洗介質(zhì)后，液體介質(zhì)在高頻振動(dòng)下產(chǎn)生近乎真空的空腔泡，空腔泡在相互間的碰撞、合并、消亡的過(guò)程中，可使液體局部瞬間產(chǎn)生幾千大氣壓的壓強(qiáng)，如此大的壓強(qiáng)使得周?chē)奈镔|(zhì)發(fā)生一系列物理、化學(xué)變化。這種作用稱(chēng)為“空化作用”： 1. 空化作用可使物質(zhì)分子的化池鍵斷裂，引起各種物理變化（溶解、吸附、乳化、分散）和化學(xué)變化（氧化、還原、分解、化合）等；2. 當(dāng)空腔泡的固有頻率和超聲頻率相等時(shí)，可產(chǎn)生共振，共振的空腔泡內(nèi)聚集了大量的熱能， 這種熱能足以使周?chē)镔|(zhì)化學(xué)鍵斷裂而引起物理、化學(xué)變化。3. 當(dāng)空腔泡形成時(shí)，兩泡壁間因產(chǎn)生極大的電位差而引起放電，致使腔內(nèi)氣泡活化進(jìn)而引起周?chē)镔|(zhì)的活化，從而使物質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化。 超聲場(chǎng)為清洗提供了巨大的能量，但還需化學(xué)洗劑作為介質(zhì)。一般將化學(xué)洗劑分為兩類(lèi)，一類(lèi)是有機(jī)溶劑，主要是根據(jù)相似相溶的化學(xué)原理，對(duì)有機(jī)物如：黏結(jié)劑（瀝青、松香等）、保護(hù)性材料（瀝青、樹(shù)脂等）、磨邊潤(rùn)滑油進(jìn)行溶解。在光學(xué)洗凈中，最初用三氯乙烯、芳香烴、氟里昂等作為清洗劑，這類(lèi)物質(zhì)雖然溶解性強(qiáng)，但有的易揮發(fā)，毒性大，有的對(duì)大氣臭氧層有破壞作用，被逐步禁用?，F(xiàn)...
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![RCA清洗機(jī)CSE]( "RCA清洗機(jī)CSE")
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件和集成電路內(nèi)各元件及連線(xiàn)越來(lái)越細(xì)微，因此制造過(guò)程中，塵粒、金屬等的污染，對(duì)晶片內(nèi)電路功能的損壞影響越來(lái)越大。因此在制作過(guò)程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造工藝過(guò)程中均需要對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗，以有效地使用化學(xué)藥液清除殘留在硅片表面上的各種雜質(zhì)。硅片是半導(dǎo)體器件和集成電路中使用最廣泛的基底材料，對(duì)其表面的清洗是整個(gè)硅片制造工藝中極為重要的環(huán)節(jié)之一。半導(dǎo)體領(lǐng)域中的濕法清洗技術(shù)是伴隨設(shè)備的微小化及對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量要求的不斷提高而提高的，是以RCA清洗技術(shù)為基本的框架，經(jīng)過(guò)多年的不斷發(fā)展形成。華林科納是一家濕制程設(shè)備公司，是國(guó)內(nèi)最早致力于研究濕法設(shè)備的企業(yè)，多年來(lái)與國(guó)內(nèi)眾多半導(dǎo)體企業(yè)合作，研制開(kāi)發(fā)適合的半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備。一、設(shè)備概況華林科納研發(fā)的RCA濕法清洗機(jī)，可按照需求定制為不同的尺寸大小?？蛇m用于硅晶片2-12inch。二、適用領(lǐng)域半導(dǎo)體、液晶、MEMS等三、設(shè)備用途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備四、設(shè)備配置設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠(chǎng)務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。五、主體構(gòu)造特點(diǎn)1、設(shè)備為半敞開(kāi)式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤(pán)采用德國(guó)產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中2、主體：設(shè)備為半敞開(kāi)式，主體使用進(jìn)口WP...
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眾做周知，濕法腐蝕和濕法清洗在很早以前就已在半導(dǎo)體生產(chǎn)上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優(yōu)越的性能。伴隨IC集成度的提高，硅片表面的潔凈對(duì)于獲得IC器件高性能和高成品率至關(guān)重要，硅片清洗也顯得尤為重要。濕法腐蝕是一種半導(dǎo)體生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的工藝，由于其高產(chǎn)出，低成本，高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應(yīng)用。濕法腐蝕工藝濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過(guò)化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。根據(jù)所選擇的腐蝕劑，又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多，包括各種鹽類(lèi)(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否獲得高純?cè)噭约跋Ｍ苊饨饘匐x子的玷污這兩個(gè)因素的限制，因此廣泛采用HF—HNO3腐蝕系統(tǒng)。各向異性腐蝕是指對(duì)硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率?；谶@種腐蝕特性，可在硅襯底上加工出各種各樣的微結(jié)構(gòu)。各向異性腐蝕劑一般分為兩類(lèi)，一類(lèi)是有機(jī)腐蝕劑，包括EPW(乙二胺、鄰苯二酚和水)和聯(lián)胺等，另一類(lèi)是無(wú)機(jī)腐蝕劑，包括堿性腐蝕液，如KOH、NaOH、NH4OH等。就濕法和干法比較而言，濕法的腐蝕速率快、各向異性差、成本低，腐蝕厚度可以達(dá)到整個(gè)硅片的厚度，具有較高的機(jī)械靈敏度。但控制腐蝕厚度困難，且難以...
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在半導(dǎo)體行業(yè)中，用于硅晶圓片和碳化硅晶圓片批量生產(chǎn)的外延爐的內(nèi)腔因?yàn)槟透邷?、透光、無(wú)物質(zhì)沾污的需求，基本使用高純度石英材料制作，除了石英鐘罩作為密閉腔體內(nèi)用途外，為了保證晶體表面生長(zhǎng)的氣流均勻性和溫度一致性，另外還會(huì)在腔體內(nèi)放置各種形狀的石英件。石英件的表面在一定次數(shù)的外延過(guò)程后，表面會(huì)沉積多種殘留物質(zhì)。這些殘留物質(zhì)在設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)過(guò)程中定期清洗，否則會(huì)嚴(yán)重影響硅晶圓片和碳化硅晶圓片的外延層生長(zhǎng)質(zhì)量。華林科納是國(guó)內(nèi)最早致力于濕法設(shè)備的研制單位，多年來(lái)與眾多的半導(dǎo)體企業(yè)密切合作，研制開(kāi)發(fā)適合的半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備。關(guān)于鐘罩清洗機(jī)，其中又有臥式或立式的分別。下圖是一個(gè)臥式的鐘罩清洗機(jī)。它的優(yōu)點(diǎn)是：1.成熟專(zhuān)業(yè)的電氣設(shè)計(jì)，友好的人機(jī)交互界面，提供更好地操作體驗(yàn)；2.極高的生產(chǎn)效率；3.結(jié)合最先進(jìn)工藝技術(shù)，主體材質(zhì)的整潔可靠，槽體的個(gè)性化定制，輔助功能齊全；4.最佳的占地面積，節(jié)省空間；5.優(yōu)越的可靠性；6.獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu)；7.極其便于后期維修。它的特征是：1.可編制程序使得清洗管旋轉(zhuǎn)，清洗更均勻，更全面；2.配備的PVDF工藝槽，可耐一定濃度的酸堿；3.裝有清洗溶劑的儲(chǔ)備槽（根據(jù)使用化學(xué)品的數(shù)量）放置在工藝槽的后下方—直接注入且內(nèi)部進(jìn)行不斷循環(huán)，使得清洗更徹底；4.特別的噴淋嘴更益于石英管清洗；5.集成水槍和N2槍?zhuān)垣@得更好的清洗效果，6.單獨(dú)排液系統(tǒng)，將廢棄的藥液統(tǒng)一排放到固定的容器內(nèi)，...
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