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外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。華林科納（江蘇）CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。華林科納（江蘇）CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ皆O(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system華林科納（江蘇）CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2'-12'；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ?#160;設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化...

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石英MEMS傳感器敏感芯片的工藝詳解

MEMS（Micro Electro mechanical System）即微機(jī)電系統(tǒng)，是指采用微機(jī)電加工技術(shù)按照功能要求在微米量級的芯片上集成機(jī)械零件、電子組件和傳感器執(zhí)行組件等而形成的一個獨(dú)立智能系統(tǒng)。由于單晶石英材料具有壓電效應(yīng)，且具有優(yōu)良的溫度、機(jī)械性能、高品質(zhì)因素等特性，采用單晶石英制作的石英 MEMS 加速度傳感器、壓力傳感器和石英 MEMS 陀螺儀等，具有高精度、高穩(wěn)定性、高分辨率等特點(diǎn)，在微型慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、姿態(tài)測量與控制、航空航天、汽車電子、儀器儀表等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，其加工工藝和設(shè)備制造技術(shù)研究對促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支持具有十分重要的意義。 1 石英 MEMS 傳感器敏感芯片結(jié)構(gòu)石英 MEMS 傳感器主要應(yīng)用于振動慣性器件，是通過振動原理測量運(yùn)動物體的各種運(yùn)動參數(shù)（包括角速度、角度、線加速度等）的慣性器件。石英 MEMS 振動慣性器件主要包括石英微機(jī)械振動陀螺、石英振梁加速度計(jì)等，其敏感結(jié)構(gòu)采用石英晶體，基于石英晶體壓電效應(yīng)原理、采用微電子加工工藝，是振動慣性技術(shù)與微機(jī)械加工技術(shù)的有機(jī)結(jié)合。石英微機(jī)械振動陀螺是一種音叉結(jié)構(gòu)的哥氏振動陀螺，是一種 MEMS 角速度傳感器。其敏感芯片結(jié)構(gòu)為雙端音叉結(jié)構(gòu)，包括驅(qū)動音叉、讀出音叉及支撐結(jié)構(gòu)。石英微機(jī)械振動陀螺工作原理及敏感芯片結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。驅(qū)動音叉被激勵以其自然頻率左右振動，當(dāng)石英 MEMS 陀螺繞其垂直軸...

發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06

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鎂合金醫(yī)療植入物的表面處理方法

論是醫(yī)學(xué)，還是航空航天，抑或是信息科技，在我們能夠想到的科技領(lǐng)域中，材料都扮演著極其重要的角色。材料的強(qiáng)度、柔韌度、耐腐蝕性、電子遷移率、比表面積等等各種物理、化學(xué)、電學(xué)性質(zhì)，默默影響著最終產(chǎn)品性能的實(shí)現(xiàn)或發(fā)揮，甚至起著決定勝負(fù)的作用。這也是為什么很多科學(xué)家在孜孜不倦地尋找更多新型材料，因?yàn)樾碌牟牧闲阅?，意味著全新的可能，為新技術(shù)的實(shí)現(xiàn)提供了嶄新舞臺。德國科學(xué)家正在研制一種由鎂制成的小型植入物和螺釘，具有足夠的機(jī)械穩(wěn)定性，并在人體內(nèi)的降解程度可控，不會導(dǎo)致人體組織損傷。在骨頭破裂的地方，醫(yī)生通常會用植入物來固定骨頭碎片，而選擇哪種植入物需要慎重考慮。鈦或鋼制螺釘和固定板在機(jī)械、化學(xué)性能上非常穩(wěn)定，但如果要拆卸就必須再次手術(shù)；有機(jī)材料植入物，則可能會慢慢溶解，還存在強(qiáng)度不足、溶解物對人體有害等缺點(diǎn)。針對這一難題，德國聯(lián)邦材料測試研究所利用鎂開發(fā)出功能表面最佳的合金板和矯形螺釘。這種鎂植入物尤其適用于骨骼迅速增長的兒童，生物降解的螺釘不會影響孩子的骨骼生長，可以免去二次手術(shù)，降低感染風(fēng)險并節(jié)省成本。研究人員艾利·布魯尼克說：“鎂合金植入物不僅具有生物相容性，而且在最初的脆弱愈合階段具有與骨骼相似的機(jī)械性能，因此比鈦更合適?！毕胗面V合金...

發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06

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硅片襯底微粗糙度對外延硅片表面顆粒的影響

1. 引言目前半導(dǎo)體IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代，集成電路的特征向著納米尺寸發(fā)展，這就要求集成電路用表面質(zhì)量越來越高的單晶硅片或者外延硅片，表面如有加工過程的機(jī)械損傷等，會造成外延表面的缺陷或者層錯，這也會給后續(xù)器件加工帶來良率損失。根據(jù)目前硅片加工技術(shù)看，拋光襯底或者外延襯底表面粗糙度基本在納米級別，微電子技術(shù)從微米級進(jìn)入到納米級，甚至到14或者7 nm級別，對硅片表面的微粗糙度或者顆粒的特征粒徑尺寸要求越來越小，150 mm或者200 mm重?fù)絾尉L外延后，需要嚴(yán)格管控表面顆粒和缺陷水平，如果顆粒過多，會造成外延缺陷，影響產(chǎn)品成品率和表層質(zhì)量，一般要求硅片顆粒小于特征線寬的三分之一。通常情況下，由于襯底原因或者外延原因造成的外延層霧狀缺陷，通過清洗的方式是去除不掉的，所以一般會考慮襯底或者外延工藝改進(jìn)。有些學(xué)者也利用原子力顯微鏡進(jìn)行微觀分析霧狀微觀形態(tài)，霧狀區(qū)域起伏較大。對于影響外延片表面顆粒質(zhì)量的，我們需要從襯底片表面和外延反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行探討，襯底表面粗糙度增大，會嚴(yán)重影響外延片的表面質(zhì)量，同時外延工藝中合適氣體的選擇使用也會進(jìn)一步提高外延片表面的質(zhì)量。本文發(fā)現(xiàn)部分拋光硅片在外延后出現(xiàn)0.12 um顆粒聚集分布現(xiàn)象，外延爐同爐其他批次外延后均未發(fā)現(xiàn)有類似現(xiàn)象。為解決此類問題，我們對拋光片襯底微粗糙度進(jìn)行分析，并外延驗(yàn)證。 2. 實(shí)驗(yàn)部分...

發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06

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多晶硅清洗設(shè)備研究

高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原料，在未來的50年里，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產(chǎn)業(yè)主要原材料。近年來，全球太陽能電池產(chǎn)量快速增加，直接拉動了多晶硅需求的迅猛增長。多晶硅市場需求經(jīng)歷了由“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)”向“光伏產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)”的轉(zhuǎn)變。光伏行業(yè)很快出現(xiàn)高速發(fā)展的局面，硅材料生產(chǎn)過程中必需的清洗設(shè)備的市場需求仍然非常大。這些設(shè)備分別用于半導(dǎo)體材料行業(yè)中多晶硅塊料、棒料和硅芯的清洗。我公司結(jié)合多年電子行業(yè)清洗機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，針對該工藝的生產(chǎn)特點(diǎn)，開發(fā)出針對以上產(chǎn)品的專用全自動清洗設(shè)備，并已在多家硅材料生產(chǎn)廠家得以成功應(yīng)用。1、工藝研究在多晶硅生產(chǎn)過程中，清洗的作用是在盡量減小材料損失的前提下，有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英器Ⅲ的污染物。采用酸液剝離表面沾污層，再通過純水進(jìn)行沖洗的方法達(dá)到洗凈效果。在規(guī)模生產(chǎn)中，一般采用HF+HNO3,作為腐蝕液與硅材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。為了降低剝離層厚度，對于反應(yīng)溫度、時間的控制非常關(guān)鍵。對于塊狀料，由于其形狀不規(guī)則且處理過程互相堆疊，增加了清洗及干燥的難度，我們在經(jīng)過多次試驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)：對腐蝕槽溶液降溫能有效控制反應(yīng)速度、降低材料損失并可以獲得更好的表面質(zhì)量。通過QDR、階梯溢流、加熱超聲的依次水洗，可以將殘留酸液去除。熱氮吹掃去除水滴，真空加熱干燥對于堆疊工件（塊狀料）的干燥效果良好。2、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基于上述...

發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06

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薄膜前基片清洗

本文主要介紹在鍍膜以前，快速清洗各種形狀和尺寸的單個基片的方法。對表面的清洗基本上可以分成清洗和干燥兩個階段：清洗的目的是清除零件表面嚴(yán)重污染，如水汽、油污、微粒等，進(jìn)一步清除零件表面殘留物；最后是對零件進(jìn)行干燥。在清洗和干燥階段，需盡量避免對零件造成重新污染。各種清洗方法介紹基片的清潔度對薄膜性能有很大影響。在鍍膜以前，最理想的情況是使用剛拋光完的基片，否則基片表面會變質(zhì)。特別是當(dāng)基片經(jīng)受了不正確處理和貯存后，其情況變得更加嚴(yán)重。但是，即使是對剛拋光完的基片來說，有時也會由于存在氧化篩拋光粉的污染而使這種基片在鍍膜以后在某些地方出現(xiàn)較大的散射。只有在拋光以后，立即清洗基片表面，并且在鍍膜以前再次清洗才能消除這種影響。通常，只對基片重要表面進(jìn)行拋光，共余表面，如基片邊綠部份保持研磨后狀態(tài)。清洗基片表面時，只需清洗基片拋光面就行了。清洗粗糙面的污染往往比較困難，有時會因?yàn)橄肭逑催@些表面而影響到拋光面的清潔。1.清洗清洗方法的適用性取決于基片材料和基片原始表面狀態(tài)。通常是用一種陰離子介面活性劑的稀釋溶液來清洗基片表面。清洗時，用浸有這種溶液的脫脂棉輕輕擦洗基片表面。在清洗后，再將基片放在含有這種洗滌劑的稀釋溶液的超聲波槽里繼續(xù)進(jìn)行清洗。1976年Mathewson介紹了先用全氯乙稀蒸汽脫脂，然后用堿性洗滌劑超聲波清洗的方法。上述預(yù)清洗方法，雖然能為基片進(jìn)一步清洗打下良好的基礎(chǔ)。但是處理...

發(fā)布時間: 2021 - 08 - 06

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電氣設(shè)備異質(zhì)結(jié)電池行業(yè)深度報告

1.2、異質(zhì)結(jié)電池工藝流程簡潔，擁有更高開路電壓：異質(zhì)結(jié)的工藝流程更為簡潔，獨(dú)特工藝是非晶硅薄膜沉積和TCO膜沉積。異質(zhì)結(jié)電池全稱為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer），又稱HIT、HJT或SHJ電池。其工藝流程十分簡潔，主要是清洗制絨、非晶硅薄膜沉積、TCO膜沉積以及絲網(wǎng)印刷四道工序。與需要10余項(xiàng)流程的PERC+以及TOPCon相比，HJT工藝流程相當(dāng)簡潔。而且其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨(dú)特的工藝在于非晶硅薄膜沉積以及TCO膜沉積。從技術(shù)原理來看，HIT擁有更低的載流子復(fù)合速率和更低的接觸阻抗造就了更高的開路電壓。獲得更高開路電壓的兩個重要條件是避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，同時還要降低電阻促進(jìn)多數(shù)載流子更有效運(yùn)輸。PERC技術(shù)由于其不可避免的開槽工藝造成了多子橫向輸運(yùn)損耗，同時在開槽處金屬極與Si局域接觸仍然有較高的復(fù)合。而ITO薄膜（氧化銦錫薄膜，TCO薄膜中性能最好的材料）的特性是載流子復(fù)合速率高，但其接觸電阻率低，而非晶硅薄膜（a-Si:H）的特性是載流子復(fù)合速率低，但接觸電阻率高。異質(zhì)結(jié)電池中薄膜沉積的順序是非晶硅薄膜偏中間而ITO在最外層，這一順序決定了異質(zhì)結(jié)電池完美地結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。具體而言，非晶硅薄膜在偏中間位置，當(dāng)光照到電池內(nèi)時，光生伏特效應(yīng)下產(chǎn)生了電子-...

發(fā)布時間: 2021 - 04 - 12

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第二屆華林科納泛半導(dǎo)體濕法培訓(xùn)會成功舉辦

3月20日，第二屆華林科納泛半導(dǎo)體濕法培訓(xùn)會在華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司成功舉辦。這屆培訓(xùn)會以“以聲共匯平臺，以友共筑數(shù)據(jù)”的主題面向芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、材料和設(shè)備以及下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈多個群體。培訓(xùn)會進(jìn)一步聚焦泛半導(dǎo)體濕法行業(yè)發(fā)展新動態(tài)、新趨勢、新技術(shù)及創(chuàng)新項(xiàng)目，深入探討濕法工藝的發(fā)展模式和行業(yè)發(fā)展趨勢。中環(huán)科技、協(xié)鑫集團(tuán)、三安光電、有研硅股、天科合達(dá)、中電科集團(tuán)研究所、中科院半導(dǎo)體所、清華大學(xué)、浙江大學(xué)、中科大等多家單位代表出席培訓(xùn)會，國內(nèi)近50家半導(dǎo)體知名企業(yè)與大學(xué)研究所80余人參加培訓(xùn)會。本次培訓(xùn)會面向濕制程設(shè)備實(shí)際使用者，主要由濕法行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者華林科納牽頭，匯集了濕法工藝&設(shè)備、濕制程的化學(xué)品知識、水處理知識、超聲/兆聲清洗知識、專業(yè)計(jì)量儀器應(yīng)用知識等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的優(yōu)秀課程。每個課程的演講者都是來自國際一流或者國內(nèi)頂尖的供應(yīng)鏈，無一不代表著當(dāng)下產(chǎn)業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。課程首先由華林科納項(xiàng)目總監(jiān)高艷帶來的《濕法設(shè)備與工藝解析》，深入淺出的原理介紹了濕法清洗在半導(dǎo)體領(lǐng)域的影響。制程工藝每推進(jìn)一代，清洗步驟增加約15%。半導(dǎo)體器件集成度和芯片復(fù)雜度的提高，使得芯片對雜質(zhì)的敏感度大大提升。在工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)的前提下，為了降低雜質(zhì)影響、提高良率，需要繼續(xù)增加清洗步驟。而受當(dāng)前國際疫情形勢影響，且國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)在國家的大力發(fā)展下，本土清洗設(shè)備市場國有化率約為20%，國產(chǎn)...

發(fā)布時間: 2021 - 03 - 26

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功率半導(dǎo)體市場規(guī)模持續(xù)增長，晶圓廠轉(zhuǎn)型加速

近期，行業(yè)出現(xiàn)了一股熱潮，即越來越多的模擬芯片企業(yè)，特別是功率半導(dǎo)體廠商或業(yè)務(wù)部門，熱衷于興建12英寸晶圓產(chǎn)線。本周，就有兩則相關(guān)消息很受關(guān)注。 3月10日，東芝宣布，計(jì)劃引進(jìn)一條新的12英寸晶圓生產(chǎn)線。傳統(tǒng)上，該公司的功率半導(dǎo)體主要使用8英寸晶圓生產(chǎn)。而隨著采用12英寸晶圓生產(chǎn)模擬芯片成為全球趨勢，該公司似乎也在跟緊潮流。東芝表示，新廠建成后，可將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高20%。據(jù)悉，東芝引進(jìn)12英寸晶圓生產(chǎn)線的主要目標(biāo)是提高低壓MOSFET和IGBT的生產(chǎn)能力。根據(jù)規(guī)劃，新產(chǎn)線將于2023財年上半年投產(chǎn)，該公司表示，將根據(jù)市場趨勢，逐步確定后續(xù)投資計(jì)劃，并將繼續(xù)擴(kuò)大日本工廠的分立器件，特別是功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。同樣是在近期，歐洲大廠博世正在德國德累斯頓建設(shè)新的12英寸晶圓廠，投資額達(dá)到10億歐元。計(jì)劃今年下半年實(shí)現(xiàn)商用生產(chǎn)。其生產(chǎn)的產(chǎn)品主要是用于汽車的功率半導(dǎo)體，如用于電動和混合動力汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器等。 2月，汽車功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)英飛凌宣布，為了緩解全球車用芯片產(chǎn)能不足的困境，將在奧地利新建12英寸晶圓廠，專門用于生產(chǎn)車用芯片，預(yù)計(jì)將于今年第三季度動工。后續(xù)還計(jì)劃在德國也建一座與奧地利相同的新廠。 &#...

發(fā)布時間: 2021 - 03 - 15

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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與細(xì)分領(lǐng)域概況

華林科納之半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資備忘錄一、概述（一）行業(yè)業(yè)績回顧 1（二）篩選標(biāo)的邏輯 3（三）疫情影響 4（四）行業(yè)展望 5（五）推薦標(biāo)的清單 6二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與細(xì)分領(lǐng)域概況（一）產(chǎn)業(yè)鏈概況 9（二）半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域 9（三）半導(dǎo)體產(chǎn)品分類 11（四）國產(chǎn)細(xì)分領(lǐng)域發(fā)展 12三、半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域行業(yè)情況（一）集成電路 131、處理器 132、DSP 173、FPGA 184、存儲芯片 195、人工智能芯片 226、EDA軟件 257、顯示驅(qū)動芯片 268、觸控與指紋識別芯片 289、射頻前端芯片 3110、藍(lán)牙芯片 3611、電源管理芯片 38（二）傳感器 401、圖像傳感器 402、MEMS傳感器 42（三）分立器件 461、功率半導(dǎo)體 462、晶振 523、電容電阻 543、超級電容 57（四）光電子器件 591、光模塊 592、光芯片 62（五）制造 631、晶圓代工 63（六）封測 651、第四代封裝技術(shù)之一：WLCSP 封裝 66（七）材料 671、硅片 712、濕電子化學(xué)品 723、靶材 753、光刻膠 75（八）設(shè)備 771、光刻機(jī) 792、刻蝕設(shè)備 803、薄膜設(shè)備 814、其他設(shè)備 81一、概述（一）行業(yè)業(yè)績回顧在中美貿(mào)易摩擦、高科技企業(yè)被美封鎖的背景下，2019年電子行業(yè)在逆境中迅速發(fā)展，整體實(shí)現(xiàn)營收與利潤的共同增長。以申萬電子行業(yè)板塊的上市公司為樣本進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，20...

發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01

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半導(dǎo)體材料之濕電子化學(xué)品

2014年9月，國家大基金一期成立，總投資額1387億，帶動新增社會融資約5000億，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋。近日國家大基金披露，二期基金已到位，11月開始投資。實(shí)際募資2000億左右，按照1∶3的撬動比，所撬動的社會資金規(guī)模在6000億左右。二期基金投資的布局重點(diǎn)在集成電路裝備、材料領(lǐng)域。2019年1-6月，我國集成電路進(jìn)口額1376.2億美元，同比下降6.9%；集成電路出口額457.5億美元，同比增長17.1%。這說明隨著我國集成電路技術(shù)的進(jìn)步，以及產(chǎn)能的擴(kuò)張，我國集成電路進(jìn)口替代取得了顯著的效果。我國集成電路產(chǎn)業(yè)從前期大力投入，開始進(jìn)入收獲季節(jié)，相關(guān)公司開始增收增利。近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)中，韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就因日本限制了關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口，而被鎖住了命運(yùn)的咽喉，半導(dǎo)體材料也因此成為了各界所關(guān)注的焦點(diǎn)。在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體材料處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是整個半導(dǎo)體行業(yè)的重要支撐。在集成電路芯片制造過程中，每一個步驟都需要用到相應(yīng)的材料。半導(dǎo)體材料主要包括晶圓制造材料與封裝測試材料兩大類。其中，晶圓制造材料主要包括硅晶圓、光刻膠、掩膜版、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、CMP 拋光材料等；封裝材料包括引線框架、基板、陶瓷封裝材料、鍵合絲、封裝樹脂、芯片貼裝材料等(圖 1)。圖 1 半導(dǎo)體材料涉及工藝流程(紅色為濕電子化學(xué)品應(yīng)用環(huán)節(jié))一濕電子化學(xué)品簡述濕電子化...

發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01

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