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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說(shuō)明2.1工藝說(shuō)明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說(shuō)明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶(hù)要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車(chē)間排風(fēng)管道或戶(hù)外(室外排放遵守國(guó)家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門(mén),操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門(mén):?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門(mén),隔離門(mén)采用透明PVC板制成,前門(mén)可以輕松開(kāi)合,在清洗過(guò)程中,隔離門(mén)關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門(mén)。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來(lái)保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過(guò)程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過(guò)程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專(zhuān)用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過(guò)PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過(guò)對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶(hù)要求的效果。設(shè)備名稱(chēng):KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號(hào):CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動(dòng)設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動(dòng)各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計(jì)“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)全自動(dòng)的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測(cè) / 操作每個(gè)槽前上方對(duì)應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國(guó)進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺(tái)面板為德國(guó)10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬(wàn)級(jí)凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤(pán)傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤(pán)內(nèi)排放管路加過(guò)濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊 2017年我國(guó)將調(diào)整集成電路等進(jìn)出口關(guān)稅據(jù)財(cái)政部發(fā)布消息,經(jīng)國(guó)務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)審議通過(guò),并報(bào)經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn),自2017年1月1日起,我國(guó)將調(diào)整部分商品的進(jìn)出口關(guān)稅。據(jù)介紹,明年關(guān)稅調(diào)整將秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的理念,繼續(xù)鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)亟需的先進(jìn)設(shè)備、關(guān)鍵零部件和能源原材料進(jìn)口,以進(jìn)口暫定稅率方式降低集成電路測(cè)試分選設(shè)備、飛機(jī)用液壓作動(dòng)器、熱裂解爐等商品的進(jìn)口關(guān)稅。為豐富國(guó)內(nèi)消費(fèi)者的購(gòu)物選擇,還將降低金槍魚(yú)、北極蝦、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消費(fèi)品的進(jìn)口關(guān)稅。為回應(yīng)國(guó)民對(duì)醫(yī)療和健康的關(guān)注,降低生產(chǎn)抗癌藥所需的紅豆杉皮和枝葉、治療糖尿病藥所需阿卡波糖水合物的進(jìn)口關(guān)稅。為充分發(fā)揮關(guān)稅對(duì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的保護(hù)作用,明年對(duì)此前實(shí)行暫定稅率的丙烯酸鈉聚合物、具有變流功能的半導(dǎo)體拈等商品的進(jìn)口關(guān)稅稅率進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。明年還將取消氮肥、磷肥和天然石墨等商品的出口關(guān)稅,適當(dāng)降低三元復(fù)合肥、鋼坯等商品的出口關(guān)稅。為擴(kuò)大雙邊、多邊經(jīng)貿(mào)合作,加快實(shí)施自由貿(mào)易區(qū)戰(zhàn)略,明年我國(guó)將繼續(xù)對(duì)原產(chǎn)于25個(gè)國(guó)家或地區(qū)的部分進(jìn)口商品實(shí)施協(xié)定稅率,其中需進(jìn)一步降稅的有中國(guó)與韓國(guó)、澳大利亞、新西蘭、秘魯、哥斯達(dá)黎加、瑞士、冰島、巴基斯坦的自貿(mào)協(xié)定;商品范圍和稅率水平均維持不變的有中國(guó)與新加坡、東盟、智利的自貿(mào)協(xié)定,以及亞太貿(mào)易協(xié)定;同時(shí),內(nèi)地分別與港澳的更緊密經(jīng)貿(mào)安排(CEPA)將適當(dāng)增加實(shí)施零關(guān)稅的商品...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 28
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半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊2016.12.27韓媒:中國(guó)半導(dǎo)體正在加快崛起 有望趕超韓國(guó)韓媒稱(chēng),在1年多的時(shí)間里,中國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)公司增加到了之前的2倍之多。市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦科技21日透露,中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司從去年初的736家,增長(zhǎng)到了現(xiàn)在的1362家。壓倒性地超過(guò)了幾年來(lái)一直在200多家規(guī)模上原地踏步的韓國(guó),實(shí)現(xiàn)了急速增長(zhǎng)。韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》網(wǎng)站12月22日?qǐng)?bào)道,中國(guó)半導(dǎo)體正在加快崛起,在存儲(chǔ)芯片工廠建設(shè)方面投資了幾十萬(wàn)億韓元,還在傾盡全力培育相當(dāng)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大腦的設(shè)計(jì)公司。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)電子回路的企業(yè),技術(shù)人才是競(jìng)爭(zhēng)力的源泉。不僅是存儲(chǔ)芯片,在韓國(guó)相對(duì)薄弱的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,中國(guó)也意欲上升至世界最高水平。中國(guó)對(duì)創(chuàng)業(yè)者給予破例的資金支持,大舉召回在外國(guó)學(xué)習(xí)的本國(guó)半導(dǎo)體人才。半導(dǎo)體行業(yè)有關(guān)人士說(shuō):“中國(guó)展露出了躍升為涵蓋設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的綜合半導(dǎo)體大國(guó)的野心?!眻?bào)道稱(chēng),中國(guó)將視線轉(zhuǎn)向了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域,是為了掌握未來(lái)IT(信息技術(shù))產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)權(quán)。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司大部分以擔(dān)當(dāng)信息計(jì)算和處理的“系統(tǒng)半導(dǎo)體”為主業(yè)。系統(tǒng)半導(dǎo)體是PC和智能手機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)人駕駛汽車(chē)等未來(lái)產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),因此跨國(guó)半導(dǎo)體公司間的角逐異常激烈。報(bào)道稱(chēng),中國(guó)在半導(dǎo)體生產(chǎn)方面已經(jīng)進(jìn)行了天文數(shù)字的投資。在韓國(guó)名列世界第一位的存儲(chǔ)(信息存儲(chǔ))芯片領(lǐng)域,今年初清華紫光集團(tuán)和XMC分別宣布投資300億美元和240億美元進(jìn)行工廠建設(shè)。...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 27
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1/我國(guó)絕緣雙極性晶體管(IGBT)首次出口海外市場(chǎng)近日,中車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司(中車(chē)株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品,成功中標(biāo)印度機(jī)車(chē)市場(chǎng),將用于該國(guó)電力貨運(yùn)重載機(jī)車(chē)改造升級(jí)項(xiàng)目,這是該產(chǎn)品首次出口海外。 2/看好智能汽車(chē)發(fā)展,促成最大半導(dǎo)體收購(gòu)案誕生據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》稱(chēng),高通周四斥資390億美元收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP Semiconductors NV),這是半導(dǎo)體行業(yè)有史以來(lái)最大的收購(gòu)案,也是整個(gè)科技行業(yè)歷史上第二大交易案 3/兩岸半導(dǎo)體競(jìng)合大打擦邊球戰(zhàn)術(shù) LCD驅(qū)動(dòng)IC供應(yīng)鏈轉(zhuǎn)移中大陸投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾乎已經(jīng)勢(shì)不可擋,清華紫光集團(tuán)原本預(yù)計(jì)投資臺(tái)系IC封測(cè)大廠的硅品、力成、南茂,但業(yè)界認(rèn)為,基本上隨著臺(tái)灣政策將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)視為具有戰(zhàn)略高度產(chǎn)業(yè),“以拖待變”戰(zhàn)術(shù)使得紫光集團(tuán)不得其門(mén)而入。然而,隨著與大陸競(jìng)合多空不一的爭(zhēng)論持續(xù),全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電仍不改其于南京設(shè)立12吋晶圓廠的計(jì)劃并已經(jīng)進(jìn)行,使得臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)界也深知不與大陸合作,幾乎是逆勢(shì)而行。 4/華嶺股份:國(guó)內(nèi)集成電路第三方測(cè)試龍頭IC產(chǎn)業(yè)鏈帶動(dòng)測(cè)試服務(wù)需求,獨(dú)立測(cè)試企業(yè)應(yīng)運(yùn)而生:IC測(cè)試主要是對(duì)芯片、電路產(chǎn)品的功能、性能測(cè)試,最近幾年IC封裝測(cè)試業(yè)依然保持著每年10%左右的穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),IC封測(cè)業(yè)仍是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中占比最大的環(huán)節(jié),比重穩(wěn)定在40%左右。同時(shí)IC制造業(yè)和設(shè)計(jì)業(yè)開(kāi)...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 14
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通過(guò)結(jié)合3D全息光刻和2D光刻技術(shù),美國(guó)伊利諾伊大學(xué)厄巴納—香檳分校的科學(xué)家日前開(kāi)發(fā)出一種適用于大規(guī)模集成電路的高性能3D微電池。研究人員稱(chēng),這種微型高能電池具有極其優(yōu)異的性能和可擴(kuò)展性,為人們提供了無(wú)限的想象空間,有望讓很多設(shè)備小型化應(yīng)用成為現(xiàn)實(shí)。相關(guān)論文發(fā)表在美國(guó)《國(guó)家科學(xué)院學(xué)報(bào)》上。負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的伊利諾伊大學(xué)材料與工程學(xué)教授保羅·布勞恩說(shuō),由于小型化儲(chǔ)能技術(shù)一直以來(lái)都是一個(gè)難題,微型設(shè)備通常都由片外電池或電源提供能源。其難點(diǎn)主要在于3D電極,這種電極十分復(fù)雜,在普通電池上實(shí)現(xiàn)的難度都比較大,更不用說(shuō)片上集成。新技術(shù)成功突破了難關(guān),讓很多重要的應(yīng)用成為了可能。論文第一作者、伊利諾伊大學(xué)材料與工程學(xué)院研究生寧海龍(音譯)稱(chēng),他們采用了一種能夠與現(xiàn)有微電子制造高度兼容的技術(shù),開(kāi)發(fā)出這種微型3D鋰離子電池。在制造電極時(shí),他們先用3D全息光刻技術(shù)來(lái)界定電極的內(nèi)部結(jié)構(gòu),再用2D光刻技術(shù)塑造電極的外部形狀。借助3D全息光刻技術(shù),研究人員通過(guò)光束創(chuàng)建出完美的三維結(jié)構(gòu),讓這種微型電池獲得了性能優(yōu)異的多孔電極,有助于電池內(nèi)部電子和離子的快速傳導(dǎo)。這種方法的顯著優(yōu)勢(shì)在于,能讓人們對(duì)與電池能量、功率密切相關(guān)的參數(shù)進(jìn)行靈活的調(diào)整,如電極的大小、形狀、表面積、孔隙率和彎曲狀態(tài)等。這為下一代芯片儲(chǔ)能設(shè)備的設(shè)計(jì)制造鋪平了道路。雖然3D全息光刻技術(shù)需要對(duì)光束進(jìn)行十分精確的控制,但最近的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)大...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 13
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鍺和鉛在元素周期表中是同屬一族的,后者在很早以前就被古代的人們發(fā)現(xiàn)并利用,但是鍺長(zhǎng)時(shí)期以來(lái)卻沒(méi)有被工業(yè)規(guī)模的開(kāi)采。原因并不是由于鍺在地殼中的含量少,而是因?yàn)樗堑貧ぶ凶顬榉稚⒌脑刂?,含鍺的礦石是很少的。鍺是位于元素周期表(長(zhǎng)式)中第4周期第ⅣA族的元素,原子序數(shù)為32。它的左邊是31號(hào)元素鎵(金屬),右邊是33號(hào)元素砷(非金屬),上面是14號(hào)元素硅(屬非金屬,可做半導(dǎo)體材料),下面是50號(hào)元素錫(屬金屬元素,但金屬性較弱),可見(jiàn)鍺處于金屬和非金屬交界處。因?yàn)樗馁|(zhì)地很脆但它的導(dǎo)電性很差,可是它又算不上良好的絕緣體。它介于兩者之間,物理學(xué)上稱(chēng)它為半導(dǎo)體。鍺的電阻率處于硅和錫之間,鍺和硅一樣,能夠制成整流器,把交流電變?yōu)橹绷麟姟fN的半導(dǎo)體特性早在1915年就被科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了,但由于當(dāng)時(shí)無(wú)線電技術(shù)剛發(fā)展,半導(dǎo)體材料僅用做收音機(jī)的檢波器而已;鍺的原料缺乏,提純困難;鍺制成的整流器性能不如電子管,所以鍺長(zhǎng)期未受重視。到第二次世界大戰(zhàn)期間,雷達(dá)興起,電子管已不能滿足雷達(dá)的要求,人們通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)鍺能很好地滿足這種要求,然而用鍺制得的電子元件性能總不穩(wěn)定,主要是微粒雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的性能影響較大,但隨著超純鍺的制得,鍺優(yōu)良的半導(dǎo)體特性就充分顯露出來(lái)。用鍺制成的整流器體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、機(jī)械穩(wěn)定性良好,鍺成為電子工業(yè)的重要材料。近二三十年來(lái),半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展很快。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)容量大致以每5年翻一...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 12
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中芯國(guó)際北京公司擁有國(guó)內(nèi)唯一一條實(shí)現(xiàn)持續(xù)盈利的12英寸集成電路生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線上所使用的幾十臺(tái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備,與眾多進(jìn)口設(shè)備一起,新近完成了12英寸晶圓千萬(wàn)片次的量產(chǎn)。     集成電路俗稱(chēng)芯片,是高端制造業(yè)的核心。近年來(lái),我國(guó)每年集成電路產(chǎn)品進(jìn)口金額超過(guò)石油。在普及率極高的智能手機(jī)行業(yè),包括CPU、存儲(chǔ)器、各類(lèi)感應(yīng)元器件等,基本依賴(lài)進(jìn)口。     2008年以來(lái),國(guó)家通過(guò)極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專(zhuān)項(xiàng)——“02專(zhuān)項(xiàng)”的實(shí)施,推動(dòng)集成電路國(guó)產(chǎn)裝備的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,把目標(biāo)直接定位在世界上最先進(jìn)的65納米、40納米、28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上,并由行業(yè)的龍頭企業(yè)來(lái)牽頭。     中芯國(guó)際是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路制造企業(yè)。其位于亦莊的北京公司,與國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備制造商成立了“產(chǎn)學(xué)研”聯(lián)合開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室,共同面對(duì)設(shè)備要求高、系統(tǒng)復(fù)雜、每?jī)赡旮乱淮?、市?chǎng)基本被美歐日幾家廠商壟斷的局面。     在裝備設(shè)計(jì)上,以往,廠商自己在實(shí)驗(yàn)室里閉門(mén)造車(chē),造出一個(gè)“鐵箱子”,然后搬到工廠里去,不行再搬回來(lái)改;現(xiàn)在要預(yù)先知道生產(chǎn)的具體要求是什么,隨時(shí)改進(jìn),共同開(kāi)發(fā)。     對(duì)芯片生產(chǎn)企業(yè)來(lái)說(shuō),原來(lái)是購(gòu)買(mǎi)進(jìn)口...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 10
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華林科納關(guān)注半導(dǎo)體業(yè)界動(dòng)態(tài)1. 北京君正擬126億收購(gòu)豪威和思必科12月1日,北京君正集成電路股份有限公司晚間發(fā)布公告稱(chēng),擬采用非公開(kāi)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買(mǎi)北京豪威科技有限公司100%股權(quán)、北京視信源科技發(fā)展有限公司100%股權(quán)以及北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司40.43%股權(quán)。本次交易作價(jià)共計(jì)約126.22億元,募集配套資金不超過(guò)21.55億元。北京君正認(rèn)為,收購(gòu)?fù)瓿珊?,豪威科技將和思比科充分發(fā)揮協(xié)同作用。豪威科技將利用技術(shù)優(yōu)勢(shì),結(jié)合思比科的成本控制能力,遏制市場(chǎng)內(nèi)中低端圖像傳感器芯片企業(yè)蠶食市場(chǎng)空間,能夠有效應(yīng)對(duì)價(jià)格沖擊。 2. 廈門(mén)與中科院簽訂合作協(xié)議共建學(xué)院11月30日,廈門(mén)市和中國(guó)科學(xué)院簽訂共建“中國(guó)科學(xué)院大學(xué)廈門(mén)微電子工程學(xué)院”暨“廈門(mén)微電子產(chǎn)業(yè)研究院”合作框架協(xié)議。中國(guó)科學(xué)院大學(xué)廈門(mén)微電子工程學(xué)院為中國(guó)科學(xué)院大學(xué)二級(jí)學(xué)院,主要培養(yǎng)工程高端型+實(shí)用型的復(fù)合型人才,將實(shí)行雙導(dǎo)師制(學(xué)院和企業(yè)各一名)。學(xué)院預(yù)計(jì)從2018年起開(kāi)始招收研究生,學(xué)歷教育以工程學(xué)位為主。同時(shí),將開(kāi)展集成電路相關(guān)專(zhuān)業(yè)的本科三、四年級(jí)專(zhuān)業(yè)課程及項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)教育。廈門(mén)微電子產(chǎn)業(yè)研究院是適應(yīng)廈門(mén)微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展及技術(shù)創(chuàng)新要求,集產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)和關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、企業(yè)孵化、技術(shù)服務(wù)及人才培養(yǎng)等于一體的新興研發(fā)組織。 3. 紫光旗下新華三集團(tuán)落戶(hù)合肥高新區(qū)11月28日,新華三集團(tuán)安全...
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華芯通啟用北京研發(fā)中心高通服務(wù)器芯片戰(zhàn)略主打中國(guó)牌”   貴州華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司日前宣布正式啟用位于北京望京地區(qū)的北京研發(fā)中心。作為華芯通半導(dǎo)體全資子公司的北京華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司亦落戶(hù)該地區(qū)并舉行了盛大的開(kāi)業(yè)典禮。    目前,華芯通已經(jīng)獲得了ARM-V8架構(gòu)技術(shù)授權(quán),并制定了未來(lái)三年的產(chǎn)品規(guī)劃和時(shí)間表。    根據(jù)規(guī)劃,華芯通半導(dǎo)體近期將建設(shè)貴州、北京、上海三個(gè)基地,加快公司的芯片研發(fā)步伐。其中,貴州基地主要負(fù)責(zé)芯片和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)平臺(tái)的測(cè)試,已規(guī)劃建設(shè)四平方公里的集成電路產(chǎn)業(yè)園,包括設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試和辦公配套五個(gè)功能板塊;北京基地主要負(fù)責(zé)芯片的設(shè)計(jì)、參考系統(tǒng)和軟件的開(kāi)發(fā),市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和營(yíng)運(yùn),目前已經(jīng)完成了管理團(tuán)隊(duì)的組建,技術(shù)團(tuán)隊(duì)的招聘、技術(shù)資料的移交、研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等等工作,研發(fā)中心和實(shí)驗(yàn)室也正式投入使用; 上?;刂饕?fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和驗(yàn)證,預(yù)計(jì)在2017年第一季度投入使用。直擊東莞集成電路高峰論壇明年IC業(yè)靠什么來(lái)拉動(dòng)?   全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不是高速增長(zhǎng),而是呈個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)?!痹谌涨坝谒缮胶e辦的“2016年?yáng)|莞市IT產(chǎn)業(yè)峰會(huì)暨集成電路高峰論壇”上,臺(tái)灣資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼資深總監(jiān)陳子昂如是指出IC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀,并對(duì)IC產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用及未來(lái)趨勢(shì)進(jìn)行了具體解讀,并給出了...
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LED 用藍(lán)寶石晶片濕法腐蝕清洗技術(shù)的研究      近二十年來(lái),氮化鎵基發(fā)光二極管(GaN-basedLEDs)取得了飛躍式發(fā)展,并實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。GaN-based LEDs 由于其高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)越性能,將取代現(xiàn)有的白熾燈、熒光燈、鹵化燈等而成為主流的固態(tài)照明工具。      現(xiàn)有的外延襯底大部分為藍(lán)寶石,藍(lán)寶石的組成為氧化鋁(Al2O3)。由于藍(lán)寶石的光學(xué)穿透帶很寬,從近紫外光到中紅外線都具有很好的透光性。因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強(qiáng)度鐳射鏡片材料及光罩材料上,它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點(diǎn)高等特點(diǎn),因此常被用來(lái)作為光電元件的材料。目前超高亮度白 / 藍(lán)光 LED 的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶(GaN)的材料品質(zhì),而藍(lán)寶石襯底晶片拋光表面的雜質(zhì)沾污會(huì)嚴(yán)重影響 LED 的質(zhì)量和成品率。影響 GaN生長(zhǎng)的臨界顆粒尺寸為 0.3 μm,在目前的 LED生產(chǎn)中,絕大多數(shù)廢品是由于表面污染引起的,由于在襯底晶片生產(chǎn)中,幾乎每道工序都有清洗問(wèn)題,所以藍(lán)寶石晶片清洗的好壞對(duì) LED 的發(fā)光性能有嚴(yán)重的影響,處理不當(dāng),可能使全部藍(lán)寶石晶片報(bào)廢,做不出管子來(lái),或者制造出來(lái)的 LED 性能低劣、穩(wěn)定性和可靠性很差。因此弄清楚藍(lán)寶石晶片清洗的方法和原理具有十...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 01
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資料根據(jù)金融資料提供商 Dealogic 的資料顯示,過(guò)去 2 年間,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成的并購(gòu)交易規(guī)模已經(jīng)達(dá)到 2,400 億美元。而 2016 年目前為止,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的并購(gòu)交易金額則達(dá)到為 1,302 億美元,較 2015 年的金額高出 16%,創(chuàng)下新紀(jì)錄。而且,過(guò)去 2 年,有 6 筆交易的規(guī)模超過(guò) 100 億美元,3 筆超過(guò) 300 億美元。 在這么瘋狂的并購(gòu)熱潮后,未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展的態(tài)勢(shì)將會(huì)如何?根據(jù) Dealogic 的分析顯示,接下來(lái)的市場(chǎng)狀況有可能退燒一段時(shí)間。 首先是當(dāng)前市場(chǎng)中可供收購(gòu)的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體芯片企業(yè)已不多,而且多數(shù)想要實(shí)施收購(gòu)的公司已經(jīng)完成了各自收購(gòu)交易。舉例來(lái)說(shuō):高通(Qualcomm)藉由 300 億美元的海外現(xiàn)金儲(chǔ)備中,要拿出大部分用來(lái)收購(gòu)恩智浦 (NXP) 半導(dǎo)體。博通 (Broadcom) 則在 2016 年初完成了與安華高科技(Avago)的 370 億美元合并交易后,并另外投資 55 億美元收購(gòu)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備公司博科通訊系統(tǒng)(Brocade)。至于半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)則在 2015 年斥資逾 150 億美元,收購(gòu)了 Altera 之后,隨后又收購(gòu)或計(jì)劃收購(gòu) 12 家小型公司。這些交易,都已經(jīng)使得市場(chǎng)上可以再被收購(gòu)的好標(biāo)的大大減少。 而另外一個(gè)導(dǎo)致半導(dǎo)體企業(yè)收購(gòu)放緩的原因,就是各國(guó)監(jiān)管部門(mén)的管制。就如同...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 14
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