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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設備構(gòu)成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設備說明3.1 排風系統(tǒng)?●排風裝置(排風壓力、風量根據(jù)實際情況或客戶要求設計)將設備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴散到室內(nèi);?●排風通道內(nèi)設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調(diào)節(jié)風門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統(tǒng),獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設備概況:(僅做參考)主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機           設備型號:CSE-SC-NZD254整機尺寸(參考):自動設備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術工藝:設備組成:該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備走向:方案圖按 “左進右出”方式,另可按要求設計“右進左出”方式;設備描述:此裝置是一個全自動的處理設備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設有EMO(急停裝置), 強電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學品相關濕法腐蝕相關設備(KOH腐蝕刻蝕機、RCA清洗機、去膠機、外延片清洗機、酸堿腐蝕機、顯影機等)以及干燥設備(馬蘭戈尼干燥機Marangoni、單腔...
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濕法腐蝕清洗設備是集成電路、LED、太陽能、MEMS等芯片制造中必不可少的工藝設備,而為了更好的達到腐蝕效果,在各種腐蝕工藝中往往要配合藥液的循環(huán)完成,從而達到更好的腐蝕均勻性。華林科納(江蘇)半導體CSE工程師介紹了幾種常用的腐蝕工藝循環(huán)原理及在濕法腐蝕清洗設備的典型應用。 關鍵詞:工藝槽循環(huán)過濾; 濕法腐蝕清洗; 硅腐蝕;隨著芯片制造特征尺寸的縮小,工藝水平的不斷提高,對晶片腐蝕的均勻性,晶片表面顆粒及金屬污染等潔凈度指標提出了更高的要求,因此,濕法腐蝕清洗設備在采用晶片旋轉(zhuǎn)、抖動、超聲清洗、兆聲清洗等的同時,業(yè)內(nèi)普遍采用工藝槽循環(huán)過濾方式,來凈化槽內(nèi)藥液,同時均勻流場保證藥液濃度和溫度的均勻性。1 濕法腐蝕的關鍵問題硅的濕法腐蝕在選擇腐蝕工藝和腐蝕劑時,需考慮諸多因素影響(如濃度、時間、溫度、攪拌等)的同時,需考慮以下幾方面的問題:(1)腐蝕速率。較高的腐蝕速率將有效的縮短腐蝕時間,但所得到的腐蝕表面較粗糙。腐蝕液的濃度與腐蝕速率及腐蝕表面質(zhì)量有關,當腐蝕液濃度較小時,腐蝕速率較大。(2)腐蝕選擇性。選擇性是指要腐蝕材料的腐蝕速率與不希望腐蝕的材料(如掩模)的腐蝕速率的比率。一般地,選擇比越大越好。(3)腐蝕均勻性。在硅腐蝕表面各處,腐蝕速率常常不相等,造成腐蝕表面出現(xiàn)起伏等,腐蝕尺寸比較大時表現(xiàn)尤為明顯。這與腐蝕液濃度有關,反應槽中腐蝕液的濃度...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 11
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在太陽能電池生產(chǎn)中,制絨是晶硅電池的第 一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說,制絨的目的就是延長 光在電池表面的傳播路徑,從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿 (NaOH、KOH)對硅片表面進行腐蝕。由于硅片的 內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,各向異性的堿液制絨主要是使晶 向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的 絨面,有效地增強硅片對入射太陽光的吸收,從而 提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射 率,又有利于太陽能電池的后續(xù)制作工藝的絨面, 應該是金字塔大小均勻,單體尺寸在 2~10 μm 之間,相鄰金字塔之間沒有空隙,即覆蓋率達到 100%。理想質(zhì)量絨面的形成,受到了諸多因素的 影響,如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組 成、各組分的含量、溫度、反應時間等。而在工業(yè)生 產(chǎn)中,對這一工藝過程的影響因素更加復雜,例如 加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應產(chǎn)物在溶液中 的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn) 良好的可重復性,并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較 透徹地了解金字塔絨面的形成機理,控制對制絨 過程中影響較大的因素,在較短的時間內(nèi)形成質(zhì) 量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復雜,不同公司有各自 獨特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法: NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學添加劑有兩種,一...
發(fā)布時間: 2018 - 07 - 02
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集成電路濕法工藝的目的半導體集成電路制程主要以20世紀50年代以后發(fā)明的四項基礎工藝(離子注入、擴散、外延生長及光刻)為基礎逐漸發(fā)展起來,由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當微細,因此制造過程中,如果遭到塵粒、金屬的污染,很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞,形成短路或斷路等,導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。濕法工藝作用是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下,有效地使用化學藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機物之雜質(zhì)。  批處理清洗設備                         單晶圓清洗設備 集成電路工藝過程IC芯片主要工藝過程 濕法設備的應用濕法設備在8寸IC芯片制造過程中的應用集成電路濕法工藝IC芯片清洗工藝分類1. 前段灰化后清洗 35%     -硫酸過氧化混合液清洗(SPM Clean) 2.   熱氧化前預清洗      &#...
發(fā)布時間: 2018 - 06 - 11
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中國政府“十三五“規(guī)劃草案,經(jīng)濟發(fā)展目標包括半導體等先進產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機器人、航空設備和衛(wèi)星的次世代領域成為世界領先,研發(fā)經(jīng)費將達GDP2.5%。那么半導體是怎么制造出來的?這里我們并不是探究從沙子到芯片的過程,而是聚焦于半導體生產(chǎn)制造的環(huán)境和生產(chǎn)設備。半導體芯片的生產(chǎn)通常要經(jīng)歷以下過程:半導體芯片生產(chǎn)工序這些高端精細的制備過程對芯片的生產(chǎn)環(huán)境和設備要求是極高的,這些機器設備會令硅芯片(如英特爾硅芯片)遭受超強真空處理、「化學浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟,同時還要使硅芯片經(jīng)過數(shù)百個制造階段,從而將它們變成CPU、存儲器片、圖形處理器等。我們以美國應用材料公司的梅坦技術中心半導體生產(chǎn)環(huán)境和制備設備為例。 1.無塵室在進入研究中心以前,必須穿上防護服,戴上面具、護目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產(chǎn)車間,相反,這個無塵室只是模擬了晶圓廠的環(huán)境,應用材料公司的設備將在這種環(huán)境下使用,以便公司及其客戶可以測試新技術和新工藝,然后真正將它們推向生產(chǎn)線。2.玻璃光掩膜 芯片制造的核心技術是平版印刷(光刻),這種技術就像是絲網(wǎng)印刷,只不過不是通過絲制模板將墨滾壓至棉T恤上,而是通過玻璃光掩膜,使紫外光照射表面涂有光刻膠(一種有機化合物)的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方,光刻膠的化學特性會被削弱,使硅芯片表面留下圖案。接著,硅芯片會被...
發(fā)布時間: 2018 - 06 - 09
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SEMICON China是中國首屈一指的半導體旗艦展覽,每年吸引全球高數(shù)量和高質(zhì)量的觀眾到場參觀,包括企業(yè)高層領導人、采購商和投資人、技術工程師、中央及產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點地區(qū)政府官員,是業(yè)界公認的會見新老供應商,洽談生意,獲取最新產(chǎn)品、技術和解決方案的首要平臺。華林科納CSE再次參加了2018年SEMICON China展會,展會期間參展了公司四大系列產(chǎn)品,其產(chǎn)品優(yōu)勢吸引了眾多知名企業(yè)領導蒞臨參觀,其中CSE單片清洗機、甩干機、自動供液系統(tǒng)以及黑硅制絨設備的技術方案在同行里優(yōu)勢凸顯,多家企業(yè)意向預約前往公司生產(chǎn)基地參觀。此次參展的圓滿成功離不開合作伙伴和公司小伙伴們的支持,再次表示感謝,同時也邀請大家參加公司明年的展會,歡迎大家蒞臨參觀指導。
發(fā)布時間: 2018 - 03 - 20
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長期以來,多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決,制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術成功解決了這一難題,該技術將來勢必成為多晶電池的標配技術。         多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨,形成蠕蟲狀的坑洞;而單晶采用堿制絨,形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池,常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%(絕對值)。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關鍵。成本方面,單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣,成本大幅下降;而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配,具體講,金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后,反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷,嚴重降低電池效率。華林科納(江蘇)CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術完美的解決以上問題,既能提升電池效率又能降低電池成本,是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。 更過太陽能電池片濕法黑硅制絨機設備可以關注華林科納(江蘇)半導體CSE網(wǎng)站:126xa.cn
發(fā)布時間: 2017 - 05 - 24
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關于晶圓封裝測試工序和半導體制造工藝流程 一、 IC檢測 1. 缺陷檢查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy)  用來檢測出晶圓上是否有瑕疵,主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外,對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言,則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說,圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線,并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除,以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。  3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement)  對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。  二、 IC封裝  1. 構(gòu)裝(Packaging)  IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷(ceramic)及塑膠(plastic)兩種,而目前商業(yè)應用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例,其步驟依序為晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊線(wire bond)、封膠(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、電鍍(plating)及檢驗(inspection)等。  (1) 晶片切割(die ...
發(fā)布時間: 2017 - 05 - 12
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導讀: 半導體分立器件IGBT潛在市場巨大,在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應用市場廣闊,而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口,以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn),提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大,在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應用市場廣闊,而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口,以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn),提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。IGBT應用領域廣泛,堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶,到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),都有它的身影。不過當前全球IGBT市場,仍被日、歐、美等IDM芯片廠刮分。盡管中國擁有全球最大的功率半導體市場,但與國際芯片大廠相比仍有很大差距,包括目前中國現(xiàn)在的IGBT等功率元器件幾乎也都依賴進口,每年需花數(shù)十億美元進行海外采購,自給率仍較低。不過這樣的情況正在一步步改觀取得突破。近期,包括中車株洲所與中車電動共同推出了多款應用于電動汽車的IGBT。這也讓中國的高鐵采用自己“中國芯”的核心芯片。中車電動母公司——中車株洲目前擁有國內(nèi)首條、全球第二條8吋IGBT芯片及模塊生產(chǎn)線,并且已掌握IGBT的專業(yè)研發(fā)制造技術,具備年產(chǎn)12萬片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力,芯片與...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 13
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半導體行業(yè)招標采購項目進展英特爾半導體大連有限公司 (美國獨資)—非易失性存儲器一期擴建項目項目背景:英特爾大連芯片廠是英特爾半導體(大連)有限公司在大連市投資25億美元建設的先進半導體芯片制造廠, 也是英特爾在亞洲設立的第一座芯片廠。工廠于2007年底開始建設,2009年建成投入試用,2010年10月正式投產(chǎn), 大連芯片廠的總建筑面積16.3萬平方米, 采用業(yè)界主流的300毫米硅晶圓和英特爾成熟的65納米制造工藝生產(chǎn)電腦芯片組產(chǎn)品。2015年10月21日, 英特爾宣布將其與美光合資開發(fā)的最新非易失性儲存技術引入中國, 并在遼寧大連投資55億美元, 升級現(xiàn)在的英特爾大連工廠以生產(chǎn)“非易失性儲存”設備。該項目將于2016年年底實現(xiàn)正式投產(chǎn)。非易失性儲存固態(tài)硬盤項目是英特爾核心計算業(yè)務, 大連新工廠也將成為英特爾在全球第一個用300毫米晶圓領先生產(chǎn)技術的非易失性存儲產(chǎn)品集成電路制造中心。這項投資將成為英特爾進一步踐行“生根中國, 綻放世界”戰(zhàn)略的重要里程碑。審批手續(xù)進展情況:該項目由區(qū)發(fā)改委批復建設 預計采購設備:模擬示波器、可程式交換直流電源供應器、臺式數(shù)字萬用表、電器綜合測試儀、光譜亮度計、分光輻射度計、電器綜合測試儀、色彩分析儀、視角測量儀、半導體封裝超純水設備、組裝生產(chǎn)線、芯片封裝機、無鉛...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 12
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SEMICON China在半導體行業(yè)內(nèi)眾所周知,它是一次行業(yè)的盛會,每年從全世界各地趕來參加的半導體精英都是數(shù)以萬計。這說明了半導體在全球范圍內(nèi)的火熱態(tài)勢,同時也見證了中國半導體制造業(yè)茁壯成長、加速發(fā)展的歷史,也必將為中國半導體制造業(yè)未來的強盛壯大作出貢獻。在不久前上海召開的SEMICON China 2017場面相當火爆中國半導體市場規(guī)模正在不斷提升,這是顯而易見的。從2000年以來,全球半導體市場一直在迅猛增長,而尤其以中國半導體的成長態(tài)勢最為顯著,在世界市場上所占的份額也日益提升。從2000年到2010年,中國半導體市場占全球份額從7%變成了30%;在剛過去的2016年,全球半導體市場總額高達3530億美元,而中國半導體市場占了其中的45%。相信在未來的幾年時間里中國半導體市場的占有份額還是會持續(xù)穩(wěn)定的增長。不過目前中國的“半導體熱”基本上屬于投資拉動型,實際的產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平與國際先進水平仍有很大差距,尤其是在材料與設備上的差距特別明顯。隨著半導體行業(yè)的國際競爭力的持續(xù)增長,國內(nèi)有經(jīng)驗的人才資源還是不足。尤其是上游材料與設備嚴重依賴海外市場的供給,自身的材料與設備的質(zhì)量和技術存在嚴重缺陷。集成電路產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展需要有適當?shù)漠a(chǎn)業(yè)環(huán)境,需要有完善的生態(tài)體系。目前,中國制造企業(yè)仍然大量采用日韓等國外廠商供應的材料,這不利于自身技術的發(fā)揮,也不利于培育本土設備材料等配套企業(yè)。從“SE...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 10
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