掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在未來(lái)幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線（ FEOL）后離子注入（源極/漏極、擴(kuò)展），使用PR來(lái)阻斷部分 電路導(dǎo)致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。介紹 光致抗蝕劑用于保護(hù)晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學(xué)物質(zhì)、離子注入等影響。工藝完成后，需要選擇性去除光刻膠并清潔表面，確保表面無(wú)殘留物和顆粒。使用濕化學(xué)物質(zhì)，如熱 SPM、有機(jī)溶劑或使用干等離子體“ 灰化”，原則上可以去除抗蝕劑。然而，抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學(xué)改性，并且適種改性可以顯著降低剝離速率。 圖1所示 當(dāng)pet被光刻阻保護(hù)時(shí)(不按比例)，選擇性結(jié)植入到fet的示意圖 圖2 x.裸硅襯底上KrF抗蝕線的掃描電鏡顯微圖(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蝕變薄，模糊，結(jié)痂。 當(dāng)前的方法 為了達(dá)到足夠，從而達(dá)到可接受的低周期時(shí)間，以及良好的殘留去除，腐蝕等離子體str...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料導(dǎo)言:薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外，垂直系統(tǒng)集成和微機(jī)電系統(tǒng)器件中的新概念要求晶片厚度減薄到小于150米。機(jī)械研磨是最常見(jiàn)的晶圓減薄技術(shù)，因?yàn)槠錅p薄速率高。商業(yè)上可獲得的研磨系統(tǒng)通常使用兩步工藝，首先以非常高的速率(5 m/sec)進(jìn)行粗研磨，然后以降低的速率進(jìn)行后續(xù)的細(xì)研磨工藝。實(shí)驗(yàn)性:實(shí)驗(yàn)是在SSEC 3300系統(tǒng)上進(jìn)行的。在蝕刻過(guò)程中，有許多工藝參數(shù)可以改變。為了這個(gè)研究的目的，使用了單一的蝕刻化學(xué)物質(zhì)。溫度、流速、分配曲線、旋轉(zhuǎn)速度和室排氣是可以通過(guò)工藝步驟編程的參數(shù)。我們希望關(guān)注對(duì)工藝影響最大的工具參數(shù)，因此選擇了溫度、旋轉(zhuǎn)速度和流速。所使用的化學(xué)物質(zhì)是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物，并且作為旋蝕刻劑在市場(chǎng)上可以買(mǎi)到?；瘜W(xué)物質(zhì)的再循環(huán)使用SSEC的開(kāi)放式或封閉式收集環(huán)技術(shù)進(jìn)行。圖1:蝕刻過(guò)程中的SSEC收集環(huán)和液流分配采用JMP軟件進(jìn)行三因素三水平的Box-Behnken響應(yīng)面試驗(yàn)設(shè)計(jì)。測(cè)量的響應(yīng)是蝕刻速率、TTV和表面粗糙度 略結(jié)果 略文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。介紹 由于半導(dǎo)體器件正在追求更高水平的 集成度和更高分辨率的模式，ET清潔技術(shù)對(duì)于重新 移動(dòng)硅片表面的污染物仍然至關(guān)重要。 在1970年提出的RCA清洗工藝作為一種濕式清洗技術(shù)在世界各地仍在使用，以去除晶圓表面的污染物。 雖然RCA凈化 過(guò)程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液對(duì) 顆粒的去除效果非常好，但其顆粒去除機(jī)理尚不完全清楚。實(shí)驗(yàn) 采用五英寸CZ(1,0,0)晶片進(jìn)行粒子吸附實(shí)驗(yàn)。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中從晶圓表面去除。 然后將晶片浸泡在含有顆粒的各種溶液中10分鐘，然后沖洗和干燥。 天然氧化物在晶圓表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移動(dòng)，然后清洗和干燥。結(jié)果與討論 圖2所示 pH對(duì)Fe2O3離子氧化粒的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 單片SPM系統(tǒng)使用了大量的化學(xué)物質(zhì)，同時(shí)滿(mǎn)足28nm以下的清潔規(guī)格。 本文描述了在集成系統(tǒng)Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統(tǒng)和單晶片清洗，結(jié)果達(dá)到了技術(shù)規(guī)范，使用了不到單晶片系統(tǒng)中使用的80%的SPM化學(xué)物質(zhì)。介紹 采用干法和濕法相結(jié)合的方法開(kāi)發(fā)了傳統(tǒng)的有機(jī)光刻膠條工藝。 然而，基于反應(yīng)性等離子體灰化的干燥處理也存在一些問(wèn)題，如等離子體損傷、抗爆裂、不完全去除抗蝕劑，以及副產(chǎn)品再沉積，需要后續(xù)進(jìn)行濕剝離/清洗。 為了避免等離子體問(wèn)題，采用了以硫酸和過(guò)氧化氫水溶液(SPM在80℃-150℃)等酸性化學(xué)物質(zhì)為基礎(chǔ)的濕汽提工藝。 圖1:Ultra C太浩清洗系統(tǒng)的簡(jiǎn)化裝置。 圖2:使用超音波裝置或氮?dú)鈬婌F裝置的單片清洗裝置 圖3:獨(dú)立工作臺(tái)、獨(dú)立單晶片和Ultra-C Tahoe整體清洗性能對(duì)比文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料加速 除了旋轉(zhuǎn)速度外，加速度也會(huì)影響涂膜的性能。由于樹(shù)脂在旋轉(zhuǎn)周期的第一部分開(kāi)始干燥，因此準(zhǔn)確控制加速度非常重要。在某些過(guò)程中，樹(shù)脂中 50% 的溶劑會(huì)在過(guò)程的最初幾秒鐘內(nèi)蒸發(fā)掉。 加速在圖案化基材的涂層特性中也起著重要作用。在許多情況下，基材會(huì)保留先前工藝的地形特征；因此，重要的是在這些特征上和通過(guò)這些特征均勻地涂覆樹(shù)脂。雖然旋轉(zhuǎn)過(guò)程通常會(huì)向樹(shù)脂提供徑向（向外）力，但加速有助于樹(shù)脂在形貌周?chē)姆稚ⅲ駝t可能會(huì)遮擋部分基板與流體。Cee ® 微調(diào)器可編程，最大加速度為 30,000 rpm/秒（空載）。排煙 樹(shù)脂的干燥速率由流體的特性以及旋轉(zhuǎn)過(guò)程中基材周?chē)目諝鉀Q定。眾所周知，空氣溫度和濕度等因素在決定涂膜性能方面起著重要作用。在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中，將基板本身上方的氣流和相關(guān)湍流最小化或至少保持恒定也非常重要。 所有 Cee ® 旋涂機(jī)均采用“封閉碗”設(shè)計(jì)。雖然實(shí)際上不是一個(gè)密閉的環(huán)境，但排氣蓋在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中只允許最少的排氣。結(jié)合位于旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)下方的底部排氣口，排氣蓋成為系統(tǒng)的一部分，以最大限度地減少不必要的隨機(jī)湍流。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料旋涂概述 旋涂作為一種應(yīng)用薄膜的方法已經(jīng)使用了幾十年。典型的工藝包括將一小塊流體材料沉積到基板的中心，然后高速旋轉(zhuǎn)基板。向心加速度將導(dǎo)致樹(shù)脂在基材上擴(kuò)散，留下材料薄膜。最終薄膜厚度將取決于流體材料特性（粘度、干燥速率、固體百分比、表面張力等）和旋轉(zhuǎn)工藝參數(shù)（轉(zhuǎn)速、加速度和排煙）。旋涂中最重要的因素之一是可重復(fù)性，因?yàn)槎x旋涂工藝的參數(shù)的細(xì)微變化會(huì)導(dǎo)致涂層膜的劇烈變化 旋涂工藝說(shuō)明 典型的旋涂工藝包括將樹(shù)脂流體沉積到基材表面上的分配步驟、使流體變稀的高速旋涂步驟以及從所得薄膜中去除多余溶劑的干燥步驟。兩種常見(jiàn)的分配方法是靜態(tài)分配和動(dòng)態(tài)分配。 靜態(tài)點(diǎn)膠只是在基材中心或附近沉積一小滴液體。根據(jù)流體的粘度和要涂覆的基材的尺寸，這可以在 1 到 10 cc 的范圍內(nèi)。更高的粘度和/或更大的基材通常需要更大的水坑以確保在高速旋轉(zhuǎn)步驟中完全覆蓋基材。動(dòng)態(tài)點(diǎn)膠是在基材低速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)進(jìn)行點(diǎn)膠的過(guò)程。在該工藝步驟中，通常使用大約 500 rpm 的速度。這用于將流體散布在基材上，并且可以減少樹(shù)脂材料的浪費(fèi)，因?yàn)橥ǔ２恍枰练e那么多來(lái)潤(rùn)濕基材的整個(gè)表面。 在分配步驟之后，通常會(huì)加速到相對(duì)較高的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在微電子和機(jī)械元件中，各種金屬因其各自的電、光、化學(xué)或機(jī)械特性而被使用。鋁、鉻、金和銅等元素也可以是濕化學(xué)結(jié)構(gòu)，它們特別常見(jiàn)。本章描述了用不同的蝕刻混合物蝕刻這些金屬的具體方法，以及用于蝕刻的抗蝕劑掩模的處理方法。本章中所有標(biāo)有星號(hào)(*)的物質(zhì)是指最后一節(jié)中列出的相應(yīng)物質(zhì)的常用濃度。 鋁的蝕刻鋁的性能及應(yīng)用領(lǐng)域鋁的密度為2.7 g/cm3，因此屬于輕金屬。其晶體結(jié)構(gòu)為立方面心型。由于鋁的高導(dǎo)電性，它被用作微電子學(xué)中的導(dǎo)體，在微電子學(xué)中，鋁經(jīng)常與銅形成合金以防止電遷移，或者與硅形成合金以防止(消耗硅的)鋁硅合金的形成。標(biāo)準(zhǔn)電位為-1.66伏，鋁不屬于貴金屬。然而，非常薄(幾納米)的Al2O 3膜的形成使得它在許多物質(zhì)中非常惰性。鋁蝕刻劑典型的鋁蝕刻劑包含1 - 5 %的硝酸*(用于鋁氧化)、65 - 80 %的H3PO 4*用于蝕刻天然氧化鋁以及由硝酸、乙酸穩(wěn)定地新形成的氧化物，以改善蝕刻溶液對(duì)襯底的潤(rùn)濕，以及用于硝酸和水的緩沖，以在給定溫度下調(diào)節(jié)蝕刻速率。鋁也可以用堿性液體蝕刻，例如。用稀釋的氫氧化鈉或氫氧化鉀。然而，光致抗蝕劑掩模不適合這種情況，因?yàn)橄鄳?yīng)的高酸堿度會(huì)在短時(shí)間內(nèi)溶解抗蝕劑膜層，或者在交聯(lián)負(fù)性抗蝕劑的情況下會(huì)將其剝離。鋁蝕刻的均勻性 例如，當(dāng)使用磷酸作為典型鋁蝕刻混合物的成分，溶解鋁表面存在的幾納米厚的天然氧化鋁...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料某些金屬的電鍍本章專(zhuān)門(mén)討論某些金屬的電鍍，由于其特殊的性質(zhì)，這些金屬經(jīng)常用于微電子學(xué)或微觀力學(xué)。對(duì)于每種金屬，解釋了可能的電解質(zhì)以及電解質(zhì)和電極中相應(yīng)的電化學(xué)過(guò)程。 鍍金應(yīng)用領(lǐng)域由于其非常高的耐腐蝕性、良好的導(dǎo)電性、低接觸電阻以及金的良好可焊性，金涂層在電子和電氣工程中得到廣泛應(yīng)用。幾個(gè)100納米的典型層厚度(例如。作為焊接輔助)到一些微米被用作腐蝕保護(hù)。金的堿性氰化物沉積這里的電解質(zhì)是基于劇毒的二氰基尿酸鉀(I) = K[Au(CN)2]。該溶液含有約68%的金，在水溶液中以鉀離子和[金(CN)2]離子解離。后者遷移到陽(yáng)極并在那里離解成金+和(CN)離子。金離子遷移回陰極，在那里被中和并沉積在陰極上。使用的陽(yáng)極是可溶性金或金銅電極，或不溶性鍍鉑鈦電極。 金的中性氰化物沉積這種電解質(zhì)也基于二氰基尿酸鉀，但不含任何游離氰化物(無(wú)游離(CN)離子)。不溶性鍍鉑鈦電極用作陽(yáng)極。 金的酸性氰化物沉積這里，二氰基尿酸鉀也是電解液中的金源，電解液中還含有鈷或鎳以及檸檬酸。結(jié)果，可以獲得有光澤的金層，該金層由于其相對(duì)大比例的有機(jī)成分而相對(duì)較硬，并且具有低延展性。陽(yáng)極使用不溶性鍍鉑鈦或不銹鋼。 金的強(qiáng)酸性氰化物沉積為此，在強(qiáng)酸性溶液中也穩(wěn)定的三價(jià)四氰基尿酸鉀(III) = K [Au(CN)4]形成電解質(zhì)的金屬供應(yīng)。此外，...
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![半導(dǎo)體面臨的自動(dòng)化挑戰(zhàn)]( "半導(dǎo)體面臨的自動(dòng)化挑戰(zhàn)")
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料自動(dòng)化半導(dǎo)體制造過(guò)程有其自身的一系列困難。隨著社會(huì)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)將面臨產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。隨著人工智能(AI)和物聯(lián)網(wǎng)(loT)的普及和智能手機(jī)行業(yè)和其他高科技業(yè)務(wù)的持續(xù)市場(chǎng)，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈將面臨壓力。持續(xù)的國(guó)際貿(mào)易緊張局勢(shì)將加劇這一問(wèn)題。可能會(huì)推高半導(dǎo)體材料的成本并阻礙全球產(chǎn)業(yè)合作。為了滿(mǎn)足這些需求，需要新的解決方案。使用更可持續(xù)的程序來(lái)制造半導(dǎo)體設(shè)備以減少制造過(guò)程中的有害污染物排放以及在設(shè)備報(bào)廢時(shí)回收半導(dǎo)體材料的要求仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。 半導(dǎo)體行業(yè)的自動(dòng)化問(wèn)題半導(dǎo)體供應(yīng)鏈需要精簡(jiǎn)。目前，集成電路的生產(chǎn)可能需要長(zhǎng)達(dá)六個(gè)月的時(shí)間，不包括芯片的封裝和交付給買(mǎi)方。因此，半導(dǎo)體企業(yè)的制造流程必須更加順暢和高效。自動(dòng)化可以提供解決方案。另一方面，自動(dòng)化半導(dǎo)體制造過(guò)程有其自身的一系列困難。讓我們看看自動(dòng)化可以提供幫助的幾種方式。自動(dòng)化提高投資回報(bào)率自動(dòng)化作業(yè)和增強(qiáng)工藝可靠性可實(shí)現(xiàn)更出色，更一致的晶圓產(chǎn)量并減少材料浪費(fèi)。根據(jù)這項(xiàng)研究，包括半導(dǎo)體制造商在內(nèi)的100%的電子行業(yè)高管都希望在他們的制造過(guò)程中加入或正在實(shí)施人工智能，83%的人報(bào)告說(shuō)，由于更好的良率預(yù)處理，投資回報(bào)率中等至可觀自動(dòng)化提高了過(guò)程可靠性考慮到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需的時(shí)間長(zhǎng)度，制造過(guò)程中任何一點(diǎn)的停機(jī)都意味著經(jīng)濟(jì)和材料損失。此外，人工操作會(huì)增加晶圓運(yùn)輸過(guò)程中出現(xiàn)人為錯(cuò)誤的可...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文測(cè)試了三種方法對(duì)超薄氧化層硅片表面的清潔和調(diào)節(jié)的適用性:兩種UV/O3源(汞蒸氣燈和高效準(zhǔn)分子模塊)以及在HNO3中濕式化學(xué)氧化。研究表明，通過(guò)UV/O3(汞蒸氣燈)照射可以去除堿性變形過(guò)程中硅化和掩蔽表面所產(chǎn)生的有機(jī)殘留物。此外，使用UV/O3(準(zhǔn)分子)和HNO3氧化物與Al2O3/SiNx或AlN/SiNx鈍化組合，可以改善鈍化質(zhì)量和發(fā)射極飽和電流。介紹 隨著高效硅太陽(yáng)能電池概念引入到工業(yè)生產(chǎn)中，在鈍化之前的表面清洗和調(diào)節(jié)變得越來(lái)越重要。硅襯底與鈍化層之間的界面質(zhì)量對(duì)各種污染、缺陷、表面終止和充電非常敏感，具有重要的作用。實(shí)驗(yàn)步驟和結(jié)果 圖1所示 汞蒸氣燈原理圖及反應(yīng)機(jī)理(左)，準(zhǔn)分子體系原理圖及反應(yīng)機(jī)理(右)去除有機(jī)殘留物 圖2所示 污染樣品的示意圖(a)，清潔的紋理參考樣品的平板掃描無(wú)污染(B)和污染和UV/O3清潔樣品的參數(shù)變化(C-F) Pre-passivation調(diào)節(jié) 圖3 樣品制備示意圖(左);有/沒(méi)有超薄siox層作為預(yù)鈍化條件的樣品的發(fā)射極飽和電流密度(右) 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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