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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備-華林科納(江蘇)CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無(wú)論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個(gè)引出端的液晶顯示器(LCD)驅(qū)動(dòng)電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點(diǎn),例如金凸點(diǎn)、焊料凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn),然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍?cè)O(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動(dòng),浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達(dá)到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動(dòng)片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時(shí)間可以調(diào)整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡(luò)合物,利用這個(gè)性質(zhì)可以很容易通過(guò)光刻工藝實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為一步光刻,只有少部分品種還分步光刻,比如2XN003,2XN004,2XN013,2XP013等...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱:高溫磷酸清洗機(jī)設(shè)備型號(hào):CSE-SZ2011-16整機(jī)尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據(jù)實(shí)際工藝時(shí)間可調(diào)清洗量:批量清洗時(shí),采用提籃裝片,單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機(jī)殼,優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機(jī)臺(tái)底部:廢液排放管路,防漏液盤結(jié)構(gòu)機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過(guò)可調(diào)式地腳,可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸型照明臺(tái)面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺(tái)面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護(hù)裝置:      ●設(shè)有EMO(急停裝置),       ●強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺(tái)面布置圖:各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-華林科納(江蘇)CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納(江蘇)的晶圓電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的,對(duì)所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類,適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應(yīng)用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(tái)(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設(shè)備功能和特點(diǎn)(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產(chǎn)品名稱:芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計(jì) 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過(guò)濾出系統(tǒng),流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽(yáng)極 11. 陰極擺動(dòng)裝置,頻率可調(diào)。 12. 陽(yáng)極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺(tái),風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級(jí)清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無(wú)氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)w...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 04 - 06
異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途: 對(duì)高效太陽(yáng)能電池異質(zhì)結(jié)電池片進(jìn)行制絨、清洗設(shè)備工藝流程:l  H2O2工藝:SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l  O3工藝:預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點(diǎn):l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí)l  結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu),設(shè)備占地空間小l  先進(jìn)的400片結(jié)構(gòu),有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l  工藝槽體采用“定排定補(bǔ)”模式和“時(shí)間補(bǔ)液”模式相結(jié)合,有效延長(zhǎng)藥液使用壽命和減少換液周期l  補(bǔ)配液采用槽內(nèi)與補(bǔ)液罐雙磁致伸縮流量計(jì)線性檢測(cè),以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu),有效保證初配時(shí)間和微量精補(bǔ)配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級(jí),避免材料使用雜質(zhì)析出l  采用最新低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù):l  設(shè)備尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  產(chǎn)能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備,可以關(guān)注網(wǎng)址:http://126xa.cn,熱線:400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機(jī)-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機(jī)優(yōu)    點(diǎn) 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單臺(tái)獨(dú)立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設(shè)備帶有滾輪可移動(dòng) 優(yōu)越的可靠性 獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃 可選內(nèi)置電阻率檢測(cè)傳感器來(lái)控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個(gè)菜單,每個(gè)菜單可有10步 多等級(jí)用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測(cè)裝置 機(jī)械手自動(dòng)加載 可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單臺(tái)獨(dú)立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設(shè)計(jì)的花籃設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 0513-87733829;更多的單腔立式甩干機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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國(guó)內(nèi)EDA軟件、集成無(wú)源器件IPD和系統(tǒng)級(jí)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商,芯和半導(dǎo)體于近日宣布:基于中芯集成電路(寧波)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中芯寧波”)自主開(kāi)發(fā)的高性能體聲波諧振器技術(shù)以及全套晶圓級(jí)加工與封裝工藝技術(shù),芯和半導(dǎo)體的首款自主設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)的高頻段體聲波濾波器產(chǎn)品正式發(fā)布,并已向本土無(wú)線終端客戶送樣,進(jìn)入系統(tǒng)客戶的驗(yàn)證和測(cè)試階段,預(yù)計(jì)第三季度進(jìn)入批量生產(chǎn)和供貨。市場(chǎng)隨著5G商用的啟動(dòng),射頻前端市場(chǎng)將通過(guò)更多額外頻段的載波聚合和MIMO技術(shù),迎來(lái)新一波年均8%以上的高速增長(zhǎng)。濾波器在全球射頻前端市場(chǎng)中占最大份額,其出貨量將會(huì)從2018年的530億顆增長(zhǎng)到2025年的約1000億顆,年增長(zhǎng)率接近兩位數(shù)。目前國(guó)內(nèi)濾波器市場(chǎng)主要為國(guó)外廠商所壟斷,行業(yè)急需國(guó)內(nèi)供應(yīng)商的突圍。產(chǎn)品本濾波器為一款低插損、高抑制WiFi2.4GHz帶通濾波器,封裝尺寸僅為1.1mm×0.9mm×0.6mm ,完全兼容當(dāng)前主流1109 的WiFi帶通濾波器尺寸。產(chǎn)品性能媲美同類國(guó)際領(lǐng)先產(chǎn)品,可滿足智能手機(jī)、無(wú)線終端、便攜路由器、無(wú)線模組等多種系統(tǒng)應(yīng)用需求。根據(jù)規(guī)劃,芯和半導(dǎo)體在今年還將聯(lián)合中芯寧波陸續(xù)發(fā)布包括B40、N41、B41、B7等在內(nèi)的其他國(guó)內(nèi)緊缺的中高頻段射頻濾波器、雙工器和耦合器等產(chǎn)品。芯和半導(dǎo)體高級(jí)副總裁代文亮博士表示:“我們很高興看到中芯寧波與芯和半導(dǎo)體的成功合作,開(kāi)發(fā)出具有競(jìng)爭(zhēng)力的...
發(fā)布時(shí)間: 2020 - 04 - 29
瀏覽次數(shù):135
新冠病毒的來(lái)臨,讓全社會(huì)嚴(yán)陣以待。全球不斷攀升的確診人數(shù)對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)和供應(yīng)鏈都造成了一定壓力。然而壓力面前,具有前瞻性的企業(yè)卻不懼疫情影響,逆勢(shì)而上,增資提產(chǎn),為今后長(zhǎng)期的發(fā)展提前做好準(zhǔn)備。這些消息釋放出來(lái)也極大地提振了全行業(yè)的士氣。形勢(shì)嚴(yán)峻新冠病毒向行業(yè)施壓2019年,全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期,智能手機(jī)、PC、筆記本電腦等需求放緩導(dǎo)致了半導(dǎo)體市場(chǎng)的下滑。專家原本預(yù)測(cè)2020年半導(dǎo)體或?qū)⒅鼗厣仙壍溃?G的部署與AI的需求將成為推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的強(qiáng)勁動(dòng)力。然而,新型冠狀病毒肺炎疫情的突然發(fā)生,為半導(dǎo)體行業(yè)回暖帶來(lái)不確定性。集邦咨詢認(rèn)為,疫情擴(kuò)大使得未來(lái)終端需求能見(jiàn)度降低,尤以專注于智能手機(jī)與消費(fèi)性電子領(lǐng)域的IC設(shè)計(jì)業(yè),2020年第二季度營(yíng)收可能受到較大影響。集邦咨詢修改了2020年第一季度智能手機(jī)生產(chǎn)總數(shù)的預(yù)估,下調(diào)至2.75億只,較去年同期衰退約12%,為近5年來(lái)新低。疫情帶來(lái)壓力的同時(shí),也推動(dòng)人們對(duì)網(wǎng)絡(luò)通信給予更多的依賴與重視。市場(chǎng)重新評(píng)估數(shù)據(jù)中心、人工智能的價(jià)值。一大批人工智能、5G芯片企業(yè)產(chǎn)品加速落地。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),2020年我國(guó)人工智能市場(chǎng)將再續(xù)輝煌,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到42.5億美元,預(yù)計(jì)年增長(zhǎng)率約為51.5%。而在5G通信方面,華為中國(guó)運(yùn)營(yíng)商業(yè)務(wù)部副總裁楊濤預(yù)測(cè),到2023年,與5G相關(guān)的半導(dǎo)體收入將達(dá)到208億美元以上。雖然疫情的爆發(fā)帶給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)些許沖擊,然5G與A...
發(fā)布時(shí)間: 2020 - 04 - 21
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據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部昨(20)日宣布,韓國(guó)化學(xué)大廠SKC目前正對(duì)用于半導(dǎo)體制程的光罩基板(Mask Blank)的試作樣品展開(kāi)測(cè)試,預(yù)計(jì)2020年下半年正式展開(kāi)量產(chǎn)。據(jù)報(bào)導(dǎo),韓國(guó)的半導(dǎo)體制造中,其光罩基板約90%依賴日本供應(yīng),同時(shí)光罩基板也是韓國(guó)大量進(jìn)口自日本的20種高科技材料之一,韓國(guó)政府希望在20種主要材料、零件、設(shè)備,能脫離對(duì)日貨的倚賴,而光罩基板就名列其中。資料顯示,SKC與SK海力士同屬于SK集團(tuán)旗下,自1976年成立以來(lái),在韓國(guó)最早開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)了不計(jì)其數(shù)的薄膜、化學(xué)、材料領(lǐng)域的產(chǎn)品,其核心部門為薄膜和化學(xué)部門。自2018年開(kāi)始,SKC已投入430億韓元(約3500萬(wàn)美元)用于建設(shè)光罩基板廠,并于2019年建成,SKC不僅計(jì)劃在2020年內(nèi)開(kāi)始光罩基板的量產(chǎn),同時(shí)也計(jì)劃在2021年量產(chǎn)更高端的產(chǎn)品。2019年7月,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將對(duì)用于智能手機(jī)及電視機(jī)的半導(dǎo)體等制造過(guò)程中需要的三種材料加強(qiáng)對(duì)韓國(guó)的出口管制,這三種材料分別為用于半導(dǎo)體清洗的氟化氫、用于智能手機(jī)顯示屏等的氟化聚酰亞胺,以及涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑“光刻膠”。對(duì)此,韓國(guó)也出臺(tái)了相關(guān)措施以應(yīng)對(duì)日本針對(duì)韓國(guó)的出口管制措施。如提出了100大核心戰(zhàn)略產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化計(jì)劃,將投入7.8萬(wàn)億韓元的研發(fā)費(fèi)用,在1至5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)核心戰(zhàn)略產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化,而韓國(guó)企業(yè)也在加速在該領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化。2019年,外媒曾報(bào)道,SK...
發(fā)布時(shí)間: 2020 - 04 - 21
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“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)來(lái)了!日前,江北新區(qū)舉行“芯片之城”地標(biāo)產(chǎn)業(yè)簽約儀式。市委常委、江北新區(qū)黨工委專職副書記羅群,新區(qū)管委會(huì)副主任陳潺嵋,東南大學(xué)首席教授、南京集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心主任時(shí)龍興,金雨茂物投資管理股份有限公司董事長(zhǎng)段小光, 南京中安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司董事長(zhǎng)曾安,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)劉欣宇出席活動(dòng)。活動(dòng)中,超芯星半導(dǎo)體項(xiàng)目和中安半導(dǎo)體項(xiàng)目與新區(qū)簽約,未來(lái)都將落戶新區(qū)研創(chuàng)園。據(jù)了解,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司主要從事6-8英寸SiC碳化硅芯片襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅材料供應(yīng)商,碳化硅作為三代半導(dǎo)體材料,將在軌道交通、5G、新能源汽車等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅擴(kuò)徑晶體,實(shí)現(xiàn)厚度突破,屬于技術(shù)領(lǐng)先的三代半產(chǎn)品。總部遷入研創(chuàng)園后將推動(dòng)上市計(jì)劃,項(xiàng)目規(guī)劃三年實(shí)現(xiàn)6英寸碳化硅襯底年產(chǎn)3萬(wàn)片,未來(lái)還將在SiC襯底產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,將進(jìn)一步研發(fā)SiC切磨拋工藝,打造國(guó)內(nèi)SiC行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)。另外,中安半導(dǎo)體作為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)設(shè)備研發(fā)商,擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的檢測(cè)設(shè)備研發(fā)能力。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)擁有硅片檢測(cè)核心技術(shù),并且具備工程應(yīng)用、生產(chǎn)管理以及銷售服務(wù)等各方面的管理經(jīng)驗(yàn)以及多年所累積的市場(chǎng)資源。此次項(xiàng)目主要是開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備,從事開(kāi)發(fā)200mm和300mm硅片平整度和三維形貌檢測(cè)設(shè)備,目前已獲得金茂資本首期風(fēng)險(xiǎn)投資,未來(lái)將通過(guò)開(kāi)發(fā)擁有獨(dú)立知...
發(fā)布時(shí)間: 2020 - 04 - 20
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近幾年,在政策和市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng)下,骨干企業(yè)加大了工藝研發(fā)和技改投入力度,生產(chǎn)工藝水平不斷進(jìn)步,高效電池技術(shù)不斷發(fā)展?! ?018年,各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率方面,規(guī)模化生產(chǎn)的多晶黑硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.2%,使用PERC電池技術(shù)的單晶和多晶黑硅電池效率提升至21.8%和20.3%,較2017年分別提升0.5個(gè)百分點(diǎn)和0.3個(gè)百分點(diǎn),N型PERT單晶電池平均轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到21.5%。雙面N型PERT電池和異質(zhì)結(jié)(HJT)電池已進(jìn)入量產(chǎn),并且會(huì)成為未來(lái)發(fā)展的主要方向之一。下表給出了2018-2025年不同類型電池轉(zhuǎn)換效率變化趨勢(shì)?! ?018年,各種電池技術(shù)市場(chǎng)占比方面,BSF電池(常規(guī)電池及多晶黑硅電池結(jié)構(gòu))仍占據(jù)大部分市場(chǎng)份額,但相比2017年83%的占比已下降了23個(gè)百分點(diǎn),隨著新技術(shù)的發(fā)展其占比將逐年減少;PERC電池是當(dāng)前產(chǎn)能最大的高效電池,2018年市場(chǎng)份額占比大幅增加,達(dá)到33.5%左右,預(yù)計(jì)明年P(guān)ERC電池市場(chǎng)占比將反超BSF電池,成為市場(chǎng)占比最高的電池種類。雙面N型PERT電池、背接觸(IBC)電池、異質(zhì)結(jié)(HJT)電池等新型高效電池市場(chǎng)份額將逐步提高,其中N-PERT電池未來(lái)將成為市場(chǎng)占比第二的電池種類。下圖給出了2018-2025年不同電池技術(shù)市場(chǎng)占比的變化趨勢(shì)?! 】v觀未來(lái)光伏市場(chǎng)發(fā)展,隨著高效電池技術(shù)的逐步成熟、成本的逐步下降,產(chǎn)品市場(chǎng)需求將繼續(xù)擴(kuò)大,...
發(fā)布時(shí)間: 2019 - 04 - 30
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作為我市集成電路產(chǎn)業(yè)“一園三基地”的重點(diǎn)園區(qū),“芯港小鎮(zhèn)”再次迎來(lái)重大發(fā)展機(jī)遇。11月2日上午,中芯寧波200毫米特種工藝(晶圓/芯片)N1產(chǎn)線正式投產(chǎn),小鎮(zhèn)內(nèi)中芯寧波N2項(xiàng)目、南大光電與安集微電子也將正式動(dòng)工。自2017年開(kāi)園以來(lái),“芯港小鎮(zhèn)”已簽約落戶14個(gè)集成電路企業(yè)項(xiàng)目,總投資200億元?!?一批集成電路龍頭企業(yè)在我市加速集聚寧波瞄準(zhǔn)集成電路發(fā)展機(jī)遇,搶項(xiàng)目、爭(zhēng)創(chuàng)新、擴(kuò)規(guī)模,全市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入新拐點(diǎn),一批支撐項(xiàng)目開(kāi)工投產(chǎn),取得明顯效益。數(shù)據(jù)顯示,2018年前三季度,我市集成電路及相關(guān)產(chǎn)業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值127.6億元,同比增長(zhǎng)9.8%;實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)13.36億元;實(shí)現(xiàn)利稅16.48億元。60余個(gè)項(xiàng)目落戶 “芯光”照亮創(chuàng)業(yè)路“目前,我們的設(shè)備正準(zhǔn)備打包發(fā)往國(guó)內(nèi),如果一切順利,預(yù)計(jì)2019年9月可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?!痹诮张e行的中國(guó)半導(dǎo)體材料和零部件創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)上,已在國(guó)外生活、工作30余年的華菲難掩回國(guó)創(chuàng)業(yè)的激動(dòng)之情。2018年3月,看好寧波集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景與氛圍的華菲來(lái)到故土,并在余姚成立了寧波華芯電子科技有限公司。華菲說(shuō),在國(guó)內(nèi),小于100微米的高端半導(dǎo)體焊球以及高可靠性焊球的制造技術(shù)仍屬空白。如果在甬發(fā)展順利,她將加大投資,將研發(fā)及生產(chǎn)的觸角伸至更多集成電路領(lǐng)域?!靶靖坌℃?zhèn)”開(kāi)園未滿一年,便吸引了中科院寧波微電子應(yīng)用研究院、集成電路材料和零部件聯(lián)盟寧波產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心等兩個(gè)技術(shù)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 11 - 05
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硅晶圓大廠合晶今(26)日舉行鄭州新廠啟用典禮,第一階段為月產(chǎn)能20萬(wàn)片的8吋產(chǎn)能,明年正式量產(chǎn)后,全年產(chǎn)值可望達(dá)5億人民幣,第二階段則規(guī)畫12吋產(chǎn)能20萬(wàn)片、磊晶產(chǎn)能7萬(wàn)片,部分資金已到位,待兩階段產(chǎn)能均啟用后,年產(chǎn)值可望上看20億人民幣。合晶今日舉行啟用典禮,鄭州合晶為合晶與鄭州空港經(jīng)濟(jì)綜合實(shí)驗(yàn)區(qū)合資成立,為鄭州地方政府取得的首個(gè)半導(dǎo)體投資案,其中,合晶持股約6成,雙方合資投資額共12億人民幣,第一階段為一條月產(chǎn)能20萬(wàn)片的8吋產(chǎn)線,12月開(kāi)始送樣,合晶鄭州董事長(zhǎng)劉蘇生表示,明年正式量產(chǎn)后,全年產(chǎn)值可望達(dá)5億人民幣。在第一階段鄭州8 吋廠啟用后,合晶第二階段計(jì)劃透過(guò)具有磊晶生產(chǎn)能力的12 吋廠,擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)布局。合晶12 吋廠也將采取合資形式,董事長(zhǎng)焦平海就提到,「跨足12 吋是必然的」。據(jù)悉,12吋廠資金預(yù)計(jì)投入45億人民幣,目前部分資金已到位,月產(chǎn)能規(guī)劃為12吋產(chǎn)能20萬(wàn)片、磊晶產(chǎn)能7萬(wàn)片,最快可望于2020年量產(chǎn),劉蘇生表示,待兩階段產(chǎn)能均到位后,年產(chǎn)值可望上看20億人民幣。目前合晶臺(tái)灣楊梅廠為6 吋重?fù)焦杈A產(chǎn)能,月產(chǎn)能為33 萬(wàn)片;龍?zhí)稄S為8 吋硅晶圓產(chǎn)能,將由目前的30 萬(wàn)片逐月增加至年底的32 萬(wàn)片。在中國(guó)的產(chǎn)能部分,揚(yáng)州廠主力為8 吋以下單晶晶棒;上海晶盟磊晶廠將在明年農(nóng)歷年前,月產(chǎn)能達(dá)20 萬(wàn)片。合晶總經(jīng)理陳春霖表示,第一期產(chǎn)能預(yù)計(jì)12 月初送樣客戶端認(rèn)證,認(rèn)證時(shí)...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 10 - 29
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隨著移動(dòng)通信、高性能計(jì)算、汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體器件需求量的增加,其基礎(chǔ)材料硅片的需求將繼續(xù)增長(zhǎng)?!?硅片需求繼續(xù)增長(zhǎng)SEMI最近(2018年10月16日)對(duì)2018至2021年全球硅晶圓片出貨量進(jìn)行預(yù)測(cè),2018年硅晶圓片出貨量將超過(guò)2017年創(chuàng)下歷史最高市場(chǎng)紀(jì)錄,并將持續(xù)到2021年。2018年至2021年全球硅片市場(chǎng)需求量顯示,2018年硅拋光片和外延片出貨量為12445百萬(wàn)平方英寸,同比增長(zhǎng)7.1%;2019年市場(chǎng)需求為13090百萬(wàn)平方英寸,同比增長(zhǎng)5.2%;2020年市場(chǎng)需求為13440百萬(wàn)平方英寸,同比增長(zhǎng)2.7%;2021年市場(chǎng)需求為13778百萬(wàn)平方英寸,同比增長(zhǎng)2.5%?!?全球12英寸硅晶圓需求強(qiáng)勁從技術(shù)和成本的角度看,硅片尺寸越大則每片硅片上可以制造的芯片數(shù)量就越多,從而制造成本就越低。因此,硅片尺寸的擴(kuò)大和芯片制程的減小是集成電路行業(yè)技術(shù)進(jìn)步的兩條主線。目前,市場(chǎng)主流硅片出貨已經(jīng)集中在8英寸、12英寸等大尺寸硅片上。而大尺寸硅片生產(chǎn)是我國(guó)集成電路發(fā)展最薄弱的環(huán)節(jié)。目前,中國(guó)12英寸大硅片幾乎100%依賴進(jìn)口,8英寸硅片90%依賴進(jìn)口。近幾年,隨著國(guó)家、地方、社會(huì)資本對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力投資,加上硅材料市場(chǎng)向好,投向硅片的資本越來(lái)越多。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),國(guó)內(nèi)硅材料企業(yè)已經(jīng)投入和未來(lái)幾年計(jì)劃投入的總投資已超過(guò)700億元人民幣。中國(guó)12英寸硅片的國(guó)產(chǎn)化,將...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 10 - 22
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2017年,中國(guó)集成電路進(jìn)口金額2600億美元,遠(yuǎn)超石油進(jìn)口額。2014年出臺(tái)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,并成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金,體現(xiàn)了政策的高度重視。2017年,全球晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模260億美元,其中硅片市場(chǎng)規(guī)模90億美元,占比近30%。政策的重視與市場(chǎng)需求,驅(qū)動(dòng)了FAB與大硅片項(xiàng)目的投資布局。中國(guó)FAB工廠項(xiàng)目與列表如下目前中國(guó)大陸共計(jì)有27座12英寸晶圓廠,18座8英寸晶圓,其中有10座12英寸晶圓廠及6座8英寸晶圓廠處于建設(shè)當(dāng)中。項(xiàng)目主要集中在北京、成都、重慶及江浙一帶。具體項(xiàng)目信息如下表所示:多數(shù)項(xiàng)目仍然在建設(shè)中,或處于初期產(chǎn)能爬升階段。在晶圓加工制程方面,中芯國(guó)際、華力微電子、武漢新芯、紫光集團(tuán)以及國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)基地長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成、合肥長(zhǎng)鑫正在進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)制程,中國(guó)芯片自主制造已成進(jìn)行時(shí)。大硅片需求旺盛,市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)待上表所有Fab廠投產(chǎn)后,將多出185萬(wàn)片/月的12英寸晶圓加工產(chǎn)能及35萬(wàn)片/月的8英寸晶圓加工產(chǎn)能,這對(duì)于上游原材料——硅片的供應(yīng)提出了新的需求。而目前,全球硅片市場(chǎng)已經(jīng)處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。國(guó)際硅片供片龍頭往往與晶圓加工大廠如臺(tái)積電、三星等建立著長(zhǎng)期的供應(yīng)關(guān)系。在全球8英寸硅片缺貨的背景下,中國(guó)自主新建的Fab廠恐怕難以與臺(tái)積電、三星、英特爾等大廠進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng),因此獲得國(guó)際硅片龍頭8英寸硅片的充足供應(yīng),可能會(huì)受到一定的局限。2012年至今,2...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 10 - 17
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在10月11日舉行的廣州2018小蠻腰科技大會(huì)上,中國(guó)芯片如何破局成為熱點(diǎn)話題之一。厚生利用投資創(chuàng)始合伙人兼總裁欒凌預(yù)測(cè),中國(guó)半導(dǎo)體投資未來(lái)十年將增至10000億元。而深圳半導(dǎo)體協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)常軍鋒提醒說(shuō),國(guó)內(nèi)芯片投資要避免大而全、半途而廢、短期超越三大誤區(qū)。芯片投資將達(dá)萬(wàn)億欒凌介紹說(shuō),半導(dǎo)體芯片短板已成為中國(guó)人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的挑戰(zhàn)之一。隨著互聯(lián)網(wǎng)、社交媒體、移動(dòng)設(shè)備的大量普及,以及5G和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求增加,而人工智能芯片技術(shù)的高速迭代又催生出各類AI專用芯片。目前在集成電路領(lǐng)域,美國(guó)擁有英特爾、高通、德州儀器、博通、Nvidia、美光等半導(dǎo)體巨頭。2017年公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示,總部設(shè)在美國(guó)的半導(dǎo)體公司銷售額占了全球銷售份額的46%。中國(guó)代表性的半導(dǎo)體企業(yè),正在奮起追趕。2000年成立的中芯國(guó)際,目前14納米制程已接近研發(fā)完成,距離2019年量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn),一旦實(shí)現(xiàn)目前由海外代工的部分產(chǎn)品將有望回歸國(guó)內(nèi)代工。華為海思,2017年以47.15億美元的銷售額成為全球第七大芯片設(shè)計(jì)公司,增長(zhǎng)率達(dá)到21%;海思的麒麟980芯片是全球首款7納米人工智能手機(jī)芯片,在AI運(yùn)算能力上領(lǐng)先。在人工智能芯片領(lǐng)域,出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線多家芯片公司。如寒武紀(jì)今年6月完成數(shù)億美元B輪融資,投后估值25億美元;阿里巴巴成立平頭哥半導(dǎo)體有限公司,四個(gè)主攻方向包括AI芯片、嵌入式芯...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 10 - 15
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