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濕法制程整體解決方案提供商
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發(fā)布時間： 2016 - 03 - 10
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域，由于多晶硅電池片成本較低，其 市 場 占有率已躍居首位，但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構(gòu)化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各 向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產(chǎn)工序中，同時成 本 最 低，因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒（Foup片盒）三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開口片盒（Foup片盒）清洗產(chǎn)能：每小時18組前端開口片盒（Foup片盒） 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉(zhuǎn)籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時4組花籃和片盒，或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統(tǒng)對自鎖裝置的檢測，達到安全加載片盒和花籃，及其運行特征和優(yōu)點可應用不同化學品（稀釋劑）來清洗 泵傳輸清洗液 計量調(diào)整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務供應 — 標準化 或有一個體積約100升的熱水預備槽（循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預備槽—選項） 籠子 帶有可變速旋轉(zhuǎn)的控制的高扭矩伺服電機（按照加載量和設備配置，最大旋轉(zhuǎn)速度200rpm,） 旋轉(zhuǎn)的不銹鋼籠子 會自動停止工作（運行過程中出現(xiàn)失衡狀態(tài)時）熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據(jù)設備待機和工藝運行模式的可調(diào)風量的風扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器，可以溫度控制 軟件監(jiān)控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標準化 也...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
RCA濕法腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設 備 名  稱華林科納（江蘇）CSE-RCA濕法腐蝕清洗機使 用 對 象硅晶片2-12inch適 用 領(lǐng)  域半導體、太陽能、液晶、MEMS等設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備主體構(gòu)造特點1. 設備包括：設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體：設備為半敞開式，主體使用進口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅固耐用，雙層防漏，機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；4.骨 架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲物區(qū)：位于工作臺面左側(cè)，約280mm寬，儲物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設計，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機臺的滲漏危險；8.管路系統(tǒng)：位于設備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接...
發(fā)布時間： 2020 - 04 - 21
拋光液供液系統(tǒng)//拋光液供酸系統(tǒng)//拋光液供液設備//拋光液供酸設備設備功能1.提供拋光液和表面活性劑供應緩存桶，從而保證設備工藝流量穩(wěn)定；2.提供溫度，PH值控制，以滿足拋光設備的工藝需求；3.滿足stock slurry循環(huán)使用需求；特點：1.所有Tank箱體采用SUS304框架+米黃PVC 保管，需配置排氣，排液，排漏以及漏液檢測報警。2.Tank材質(zhì)采用NPP或PVDF以上，管道使用PFA，選用材料對slurry無顆粒和金屬污染(包括Pump內(nèi)部與Slurry接觸部分)；3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater，4.Tank內(nèi)的 Slurry 以及Surfactant處于常時循環(huán)狀態(tài)， 供應設備管路末端有壓力表；5.為檢測Tank內(nèi) Slurry 以及Surfactant的容量(Level)， 配置***個**液位傳感器；6.所有Tank配置水槍，同時slurry桶上部能開啟，以方便沖洗Tank。7.所有的 Tank內(nèi)要配置溫度和PH sensor，同時需要將數(shù)據(jù)同步傳送給設備主機；8.Tank使用控制面板進行顯示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵，滿足現(xiàn)場實際揚程，流量等能力需求。9. 每個tank外部供應管路配置有自動配送閥并由設備自我控制。更多拋光液供液系統(tǒng)//拋光液供酸系統(tǒng)//拋光液供液設備//拋光液供酸設備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導體設備有限公司官網(wǎng)126xa.cn,熱線0513-87733829
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 19
片盒清洗機-華林科納CSE 設備概況：主要功能：本設備主要手動/自動搬運方式，通過對片盒化學液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱：片盒清洗機設備型號：CSE-SC-N259整機尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設備非標定制）操作形式：手動 設備組成該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成 設備描述此裝置是一個手動的處理設備；設備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；主體材料：德國進口 10mmPP 板，優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；臺面板為德國 10mm PP 板；DIW 管路及構(gòu)件采用日本進口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質(zhì)要求；采用國際標準生產(chǎn)加工，焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸照明安全考慮：1. 設有 EMO(急停裝置)2. 強電弱點隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設備排風口加負壓檢測表5. 設備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報警 設備整體置于防漏托盤內(nèi) 更多的花籃和片盒清洗機設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費的片盒清洗機解決方案。
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
自動供液系統(tǒng)（CDS）-華林科納（江蘇）CSEChemical Dispense System System 華林科納（江蘇）半導體CSE-CDS自動供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱華林科納（江蘇）CSE-CDS自動供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...
發(fā)布時間： 2016 - 06 - 13
設備名稱：晶棒腐蝕機---CSE產(chǎn)品描述：        ●此設備自動化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置,CDS系統(tǒng)，抽風系統(tǒng),電控及操作臺等部分組成;         ●進口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動門（對開/推拉式），保證設備外部環(huán)境符合勞動保護的相關(guān)標準，以保證設備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;         ●機械臂定位精度高;         ●整體設備腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠;         ●設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術(shù)先進,結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作.         ●非標設備，根據(jù)客戶要求具體定制，歡迎詳細咨詢！更多半導體清洗設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
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自2014年以來中國對芯片產(chǎn)業(yè)高度重視，中國的芯片設計企業(yè)如雨后春筍般涌現(xiàn)，不過在芯片制造工藝上中國進展緩慢，中國最大的芯片制造企業(yè)中芯國際一直努力研發(fā)先進的制程工藝，不過其在28nm工藝上遭遇了困難，量產(chǎn)時間被一再延遲，直到去年業(yè)內(nèi)知名的臺積電前研發(fā)處長加入，中芯國際的28nmHKMG工藝良率快速提升，再到如今的14nmFinFET工藝取得突破，中國在芯片制造工藝上開始縮短與臺積電和三星的差距。中芯國際研發(fā)先進工藝遇到困難中芯國際的28nm工藝早在2015年就開始投產(chǎn)，并在2016年獲得了高通驍龍425芯片的訂單，不過當時的28nm為Poly／SiON規(guī)格，中芯國際的28nmPoly／SiON成功投產(chǎn)意義重大，代表著它在先進工藝制程上的又一個重大進展，不過中芯國際隨后在研發(fā)先進工藝上遭遇了困難。中芯國際的28nmPoly／SiON是相對落后的工藝，要取得更高的能效需要研發(fā)更先進的28nmHKMG工藝，然而其在研發(fā)該工藝上遭遇了難題，據(jù)稱直到去年其一直都為提升28nmHKMG的良率而努力。在研發(fā)28nmHKMG面臨困難的時候，臺積電和三星已先后演進至14nmFinFET、10nm工藝，其中臺積電更在中國大陸的南京設立芯片制造廠預計在今年開始投產(chǎn)16nmFinFET，希望就近為中國芯片企業(yè)提供服務贏得大陸客戶的訂單，這給中芯國際帶來了巨大的壓力。為此中芯國際決定研發(fā)更先進的14nmF...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 03
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芯片無疑是2018年最火的話題之一。中興事件之后，更是全民關(guān)注、討論芯片。不久前，在半導體產(chǎn)業(yè)高端論壇上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（下稱“大基金”）總裁丁文武稱，全國老百姓都知道芯片，即使不知道芯片是什么，也都知道芯片產(chǎn)業(yè)差距很大。有人欣慰這一行業(yè)終于引起了大眾關(guān)注，也有人擔心只是表面繁榮、虛火過旺。僅在最近三個月里，就有多家公司發(fā)布AI芯片或模組，不僅有百度，也有寒武紀、云知聲、出門問問、Rokid等初創(chuàng)企業(yè)。但芯片從來不是賺快錢的產(chǎn)業(yè)，對于AI芯片可實現(xiàn)彎道超車的觀點，不少業(yè)內(nèi)人士持懷疑態(tài)度。由冷到熱在中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上，第一財經(jīng)記者看到，一些芯片廠商的展臺周圍到處都是駐足觀察和拍照的觀眾，展臺的講解員則一一為觀眾進行科普。“集成電路的話題越炒越熱。”賽迪研究院集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心總經(jīng)理韓曉敏告訴記者，“這兩年行業(yè)發(fā)展也好，國內(nèi)資金支持力度也好，半導體這個行業(yè)整體景氣度上來了。”根據(jù)賽迪顧問提供的數(shù)據(jù)，2007年到2017年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)年均復合增長率為15.8%，遠遠高于全球半導體市場6.8%的增速。元禾華創(chuàng)投資管理有限公司執(zhí)行合伙人劉越對第一財經(jīng)記者表示，在美國等西方國家芯片已經(jīng)是一個非常成熟的行業(yè)，“20世紀八九十年代，集成電路在硅谷是最火的，大量資本進入集成電路企業(yè)”；在中國，目前這一行業(yè)仍處于快速發(fā)展期。但由于芯片是高投入、高風險、慢回報的行業(yè)，中國投資者更...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 01
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半導體對于我們的重要性不言而喻，它涉及方方面面，通訊、計算機、消費電子、汽車、工控、照明、醫(yī)療等行業(yè)分分鐘離不開它。近年來，隨著全球AI、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等發(fā)展，半導體行業(yè)迎來了更大的爆發(fā)，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017年全球整體半導體市場規(guī)模達4,203.93億美元，較2016年3,458.51億美元，大幅成長21.6%。半導體行業(yè)是典型的“金字塔”結(jié)構(gòu)，越上游的企業(yè)越少，產(chǎn)值越大，技術(shù)難度越高。由于起步晚、核心技術(shù)缺少，我國半導體發(fā)展受限，尤其是核心技術(shù)方面，仍有尚未掌握的關(guān)鍵技術(shù)，到目前為止，關(guān)鍵芯片領(lǐng)域依賴于進口仍是現(xiàn)狀。正因如此，我國將半導體列為國家重點規(guī)劃產(chǎn)業(yè)，并在資金、人才、技術(shù)上下苦功，力爭突破瓶頸，振興國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)。這些半導體核心技術(shù)仍待突破1、頂尖光刻機作為集成電路產(chǎn)業(yè)的核心裝備，光刻機被稱為“人類最精密復雜的機器”。據(jù)OFweek電子工程網(wǎng)編輯了解，當前全球能制造高端光刻機的只有荷蘭的ASML、日本的尼康和佳能三大企業(yè)，它們市場份額超過八成。光刻機又名掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)，它是芯片制造核心中的核心，光刻是半導體芯片生產(chǎn)流程中最復雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。高端光刻機堪稱現(xiàn)代光學工業(yè)之花，其制造難度非常大，現(xiàn)在其...
發(fā)布時間: 2018 - 09 - 01
瀏覽次數(shù)：156
我們正處于最大規(guī)模的計算潮流的風口浪尖——那就是由大數(shù)據(jù)驅(qū)動的AI （人工智能） 時代。要想成為這個時代的弄潮兒，就需要顯著提升處理器性能以及內(nèi)存容量和延遲性。當經(jīng)典摩爾定律微縮速度日漸減緩，行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)正在日益嚴峻。而以上的要求便成為AI時代之所需。為繼續(xù)推動行業(yè)與時俱進的發(fā)展，我們需要在原子級層面就開始系統(tǒng)性的設計新型材料組合，用新架構(gòu)和新設備成就人工智能的明天。談到計算機時代，它曾經(jīng)由經(jīng)典摩爾定律所代表，即依賴于少數(shù)材料以及通過光刻實現(xiàn)幾何尺寸縮小，從而提升芯片性能、功耗、尺寸及成本，通常稱為PPAC。而到了移動時代，我們看到原來用在經(jīng)典摩爾定律中的系列材料達到物理極限，隨著器件架構(gòu)的變化采用一些新型材料，例如從平面晶體管轉(zhuǎn)變到FinFETs來促進PPAC縮放。時至如今，對于人工智能時代而言，PPAC優(yōu)化需要更多新型的其它材料。此外，尺寸縮小后，界面層在材料特征中的占比也越來越大，而在原子級層面設計材料成為需求的核心，同時也是重要挑戰(zhàn)。新型材料被需求的關(guān)鍵之處在于接觸孔和本地互聯(lián)，即最小層面的金屬互聯(lián)。它將晶體管與外界相連，目前我們使用的材料分別是鎢和銅（圖1）。圖1：為持續(xù)提升器件性能，在最小、最關(guān)鍵的導電層需要的材料變化（來源：TECHINSIGHTS）新型材料應用材料公司在創(chuàng)新材料工程方面的突破性進展就是研發(fā)出一系列使用鈷作為導體制造晶體管接觸孔和互聯(lián)的產(chǎn)品。這是過...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 31
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全球第二大半導體晶圓代工廠格芯宣布，將在7納米FinFET先進制程發(fā)展無限期休兵。聯(lián)電之后半導體大廠先進制程競逐又少一家，外界擔憂將對全球代工晶圓產(chǎn)業(yè)造成什么影響，集邦咨詢（TrendForce）針對幾個面向進行分析。晶圓代工市場格局將如何轉(zhuǎn)變？參與7納米制程競逐廠商，包括龍頭臺積電、格芯、三星及英特爾，各廠分別預定在2018年提供代工業(yè)者7納米節(jié)點的對應技術(shù)，讓設計業(yè)者有較多的選擇，可擴大在7納米設計業(yè)者的議價能力。格芯7納米研發(fā)路線在2016年已經(jīng)底定，原先預計在2018年量產(chǎn)，然而隨著量產(chǎn)的腳步逼近，雖然主要客戶皆已決定代工伙伴，但這些客戶對格芯的信賴度與產(chǎn)品進度的認可仍有限。在沒有足夠訂單量的支撐下，繼續(xù)發(fā)展7納米制程對格芯來說，已無經(jīng)濟效益可言，加上7納米市場格局已定，格芯此時宣布投資中斷并退出競逐，僅代表其在這節(jié)點與客戶的約定失效，而對全球7納米晶圓代工產(chǎn)業(yè)格局的影響則有限。隨著格芯的無限期暫停計劃展開，市場對7納米的需求重心，可能轉(zhuǎn)嫁到臺積電、英特爾及三星身上。（Source：TrendForce整理，2018/08）格芯為何決定放棄7納米制程研發(fā)？針對7納米的生產(chǎn)周期及應用發(fā)展面來看，其制程較16/14nm更為復雜。因此，只要EUV的設備能提供足夠的量產(chǎn)性，各大制造業(yè)者至少在7納米Gen2上都會部分導入EUV。從制程層面來說，7納米是先進曝光設備選用上的一個轉(zhuǎn)換節(jié)點...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 31
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網(wǎng)易科技訊8月31日消息，周四，一位業(yè)內(nèi)高管向國外媒體表示，盡管中國加大了在主導存儲芯片產(chǎn)業(yè)方面的努力，但中國的芯片企業(yè)仍落后于全球競爭對手。　　　　SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)中國區(qū)總裁居龍表示：“半導體行業(yè)已經(jīng)存在了幾十年，但由于人工智能和第五代移動網(wǎng)絡等新技術(shù)的出現(xiàn)，該行業(yè)有望迎來新一輪增長。”　　　　在北京舉行的摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信大會上，居龍告訴記者：“半導體行業(yè)有很多機會?！薄　　　∷忉屨f：“2014年，中國政府通過創(chuàng)新和投資發(fā)布了中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南。有證據(jù)表明，中國已經(jīng)投入了資金，但我認為，中國要趕上全球領(lǐng)先者還需要很長時間。”　　　　SEMI是全球半導體行業(yè)協(xié)會，在美國、中國和韓國等國家設有分支機構(gòu)?！　　　「鶕?jù)咨詢公司Gartner和IHS Markit的數(shù)據(jù)，去年全球半導體行業(yè)收入超過4000億美元。 IHS Markit稱2017年全球半導體行業(yè)收入增長21.7％，達到4291億美元。該行業(yè)的主導者有三星電子、英特爾、SK Hynix和高通等公司?！　　　【育埍硎?，全球芯片消費的一半以上來自中國市場，但中國本土供應商只滿足了約13%的國內(nèi)需求。這意味著中國在這一領(lǐng)域存在巨額貿(mào)易逆差?！　　　∷f：“這是政府和經(jīng)濟市場所擔憂的，但這也是本地企業(yè)進入集成電路行業(yè)的大好...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 31
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半導體領(lǐng)域第三方調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新發(fā)布的報告顯示，預計2018年全球集成電路產(chǎn)業(yè)的資本開支將首次超過1000億美元，為1020億美元，預計同比增長9.32%?！　　　〈鎯︻I(lǐng)域高投入　　　　報告顯示，2018年超過一半的集成電路資本支出預計用于存儲領(lǐng)域，主要包括隨機存儲器和閃存兩個分支。其中，內(nèi)存領(lǐng)域資本開支為540億美元?！　　　?017年，存儲領(lǐng)域資本支出大幅上升，為438.51億美元；2013年-2016年，資本支出介于140億美元-250億美元之間。其資本開支占集成電路產(chǎn)業(yè)的份額從2013年的27%升至2017年的47%，預計2018年將突破50%?！　　　募毞诸I(lǐng)域看，預計2018年隨機存儲器的資本開支為229億美元，同比增長41%；閃存為311億美元，同比增長13%；微處理器為130億美元，同比增長19%。邏輯和制造兩個領(lǐng)域的資本開支分別下滑14%、11%。　　　　報告指出，過多的支出可能導致供給過剩風險不容忽視?！　　　≡鏊俅蠓啪彙　　　‰m然2018年集成電路資本開支有望突破1000億美元大關(guān)，但增速不到10%，較2017年的37.61%的增速大幅放緩。華東某大型上市券商半導體分析師表示，“景氣度只能說正常。上游的AMAT（半導體生產(chǎn)器材制造商）業(yè)績出現(xiàn)下調(diào)，其資本開支在縮減。”　　　　摩根士丹利則指出，芯片廠商庫存逼近十年最高水平，行業(yè)出現(xiàn)過熱跡象。...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 30
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中商情報網(wǎng)訊：半導體，指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料?！　　　“雽w行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈有上游支撐產(chǎn)業(yè)、中游制造產(chǎn)業(yè)以及下游應用產(chǎn)業(yè)構(gòu)成，其中上游支撐產(chǎn)業(yè)主要有半導體材料和設備構(gòu)成，中游制造產(chǎn)業(yè)核心為集成電路的制造，下游為半導體應用領(lǐng)域。　　　　資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理　　　　一、半導體材料市場規(guī)模及構(gòu)成情況　　　　半導體材料是指電導率介于金屬和絕緣體之間的材料，半導體材料是制作晶體管、集成電路、光電子器件的重要材料。半導體材料主要應用在晶圓制造和芯片封測階段?！　　　≡诎雽w材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%，其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比為12.6%，其后分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，占比分別為7.2%、6.9%、6.1%、4%和3%。　　　　數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理　　　　2.不同半導體材料特性及國產(chǎn)化程度情況　　　　由于半導體材料領(lǐng)域高端產(chǎn)品技術(shù)壁壘高，而中國企業(yè)長期研發(fā)和累計不足，中國半導體材料在國際中處于中低端領(lǐng)域,大部分產(chǎn)品的自給率較低，主要是技術(shù)壁壘較低的封裝材料，而晶圓制造材料主要依靠進口。目前，中國半導體材料企業(yè)集中在6英寸以下的生產(chǎn)線，...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 30
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北京時間29日消息，全球最大芯片代工商臺積電股價周三早盤一度上漲3%，至257新臺幣，創(chuàng)五個月新高。此前該公司的主要競爭對手，美國GlobalFoundries宣布無限期暫停7納米芯片研發(fā)項目，意味著全球最先進半導體——7納米芯片——將只有臺積電和韓國三星電子能夠生產(chǎn)。　　　　GlobalFoundries周一表示，無法承受與主要對手三星和臺積電競爭所需的巨額開發(fā)成本?；谶@樣的考量，他們認為將資源集中在現(xiàn)有的14 / 12納米制程產(chǎn)品上是更加合理的策略?！　　　∵@樣一來，AMD接下來的 7nm 芯片（包括 Zen 2 CPU 和 Navi GPU）就確認會完全交由臺積電來負責。在接受 MarketWatch 采訪時，AMD CEO 蘇姿豐博士承認 GlobalFoundries 放棄 7nm 確實會給其產(chǎn)能造成影響，但她同時也表示跟單一代工廠合作也會更有利于簡化 7nm 產(chǎn)品的開發(fā)。此外，AMD 和 GlobalFoundries 仍然會一起打造現(xiàn)有的 Ryzen 和 Radeon 芯片。　　　　GlobalFoundries去年曾宣稱將于2018年推出7納米LP芯片，使用 EUV技術(shù)的產(chǎn)品則將在2019年亮相。但現(xiàn)在來看，從14/ 12納米一下子跳到7納米LP 需要的資源顯然超出了其承受范圍（單一生產(chǎn)線可能就要耗資十幾億美元），GlobalFoundries 背后的投資方Mub...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 29
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全球 7 納米戰(zhàn)局又傳震撼消息，GlobalFoundries 宣布將暫停所有 7 納米 FinFET 技術(shù)的研發(fā)，這代表大客戶 AMD 產(chǎn)品將全數(shù)委由臺積電代工，且未來參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠僅剩英特爾、臺積電和三星三家，然值得關(guān)注的是，中芯國際曾表示明年要進入第二代 FinFET 技術(shù)的開發(fā)，是否會直攻 7 納米，搶下全球第四張入場券，值得后續(xù)高度關(guān)注！半導體高端技術(shù)是個燒錢的游戲，要不要玩下去，對許多廠商都是個困難的決定，三星、臺積電這些一線大廠沒有選擇的權(quán)利，只能一路玩到底，但聯(lián)電已經(jīng)用行動宣布退出高端工藝的競賽，停在 14 納米工藝世代，如今，GlobalFoundries 也用退出 7 納米研發(fā)的決定，宣告世人“高端技術(shù)不玩了！”芯片利潤集中在前三家，7 納米投資過大已讓二線廠難見投資回報GlobalFoundries 退出后，全球 7 納米戰(zhàn)局成為英特爾、臺積電、三星三家半導體大廠的閉門游戲，且英特爾日前也淡出晶圓代工業(yè)務，即使開發(fā)出 7 納米的技術(shù)，會以自己產(chǎn)品為主，未來能開放代工服務的，僅剩下臺積電和三星。其實 GlobalFoundries 退出高端技術(shù)，對于臺積電是短多長空，短多是可以 100% 拿下 AMD 訂單，但未來在 7 納米高端技術(shù)上，客戶若是要尋求第二供應商分散風險，只能被迫找三星做代工，這等于是變相扶植三星的晶圓代工業(yè)務成長茁壯，而三星是臺積...
發(fā)布時間: 2018 - 08 - 29
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