一、無(wú)源晶振與有源晶振的對(duì)比1. 無(wú)源晶振是有2個(gè)引腳的無(wú)極性元件，需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來(lái)，無(wú)源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法。無(wú)源晶振沒(méi)有電壓的問(wèn)題，信號(hào)電平是可變的，也就是說(shuō)是根據(jù)起振電路來(lái)決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP，而且價(jià)格通常也較低，因此對(duì)于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。2. 有源晶振有4只引腳，是一個(gè)完整的振蕩器，里面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器，信號(hào)質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單（主要是做好電源濾波，通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過(guò)濾信號(hào)即可），不需要復(fù)雜的配置電路。有源晶振相比于無(wú)源晶體通常體積較大，但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當(dāng)，有的甚至比許多晶體還要小。二、無(wú)源晶振與有源晶振的優(yōu)缺點(diǎn)無(wú)源晶振相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時(shí)建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。相對(duì)于無(wú)源晶體，有源晶振的缺陷是其信號(hào)電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，...
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HIT電池具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)，具體特點(diǎn)如下：（1）低溫工藝HIT電池結(jié)合了薄膜太陽(yáng)能電池低溫（900℃）擴(kuò)散工藝來(lái)獲得p-n結(jié)。這種技術(shù)不僅節(jié)約了能源，而且低溫環(huán)境使得a_Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優(yōu)化器件特性；低溫沉積過(guò)程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時(shí)低溫過(guò)程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來(lái)作襯底。 高溫環(huán)境下發(fā)電量高，在一天的中午時(shí)分，HIT電池的發(fā)電量比一般晶體硅太陽(yáng)電池高出8-10%，雙玻HIT組件的發(fā)電量高出20%以上，具有更高的用戶(hù)附加值。（2）雙面電池HIT是非常好的雙面電池，正面和背面基本無(wú)顏色差異，且雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）可達(dá)到90%以上，最高可達(dá)96%，背面發(fā)電的優(yōu)勢(shì)明顯。（3）高效率HIT電池獨(dú)有的帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，在p-n結(jié)成結(jié)的同時(shí)完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實(shí)驗(yàn)室效率已達(dá)到23%，市售200W組件的電池效率達(dá)到19.5%。（4）高穩(wěn)定性HIT電池的光照穩(wěn)定性好，理論研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質(zhì)結(jié)中的非晶硅薄膜沒(méi)有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應(yīng)，從而不會(huì)出現(xiàn)類(lèi)似非晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率因光照而衰退的現(xiàn)象；H...
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![微納光學(xué)]( "微納光學(xué)")
微納光學(xué)是目前新型光電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向，在光通信、光互聯(lián)、光存儲(chǔ)、半導(dǎo)體器件等諸多領(lǐng)域，發(fā)揮了巨大的作用。微納光學(xué)的結(jié)構(gòu)技術(shù)是指通過(guò)將微納光學(xué)結(jié)構(gòu)引入到相關(guān)的材料中，制成新型光學(xué)功能器件。微納光學(xué)就是利用微結(jié)構(gòu)材料作為光學(xué)元件的光學(xué)分支。它的結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制造是微納光學(xué)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵性問(wèn)題，所以微納光學(xué)成為了新型光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵性突破。它的主要優(yōu)點(diǎn)就是能在局域電磁相互作用的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)許多全新的功能，成為21世紀(jì)國(guó)家不可或缺的關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)。微納光學(xué)現(xiàn)有技術(shù)與特點(diǎn)微納光學(xué)制造技術(shù)以LIGA工藝為基礎(chǔ)，主要經(jīng)過(guò)光刻、電鑄制模和微納米壓印三個(gè)主要工藝步驟。（1）光刻光刻是半導(dǎo)體技術(shù)中晶圓制造的關(guān)鍵工藝，通過(guò)表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去，在晶圓表面留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上?？上攵?，半導(dǎo)體清洗設(shè)備就發(fā)揮了非常大的作用。國(guó)內(nèi)也是有多家濕法清洗設(shè)備廠商，其中熟知的華林科納就是一家濕制程設(shè)備專(zhuān)業(yè)制造商，主要從事半導(dǎo)體濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。目前光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級(jí)，已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。微納光學(xué)制造技術(shù)采用光刻技術(shù)在激光原版上形成具有微納尺寸的細(xì)微結(jié)構(gòu)，即...
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2、HIT電池工藝流程HIT電池的一大優(yōu)勢(shì)在于工藝步驟相對(duì)簡(jiǎn)單，總共分為四個(gè)步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。 圖表2：HIT太陽(yáng)能電池工藝流程制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積，其對(duì)工藝清潔度要求極高，量產(chǎn)過(guò)程中可靠性和可重復(fù)性是一大挑戰(zhàn)，目前通常用PECVD法制備。 HIT電池的制備工藝步驟簡(jiǎn)單，且工藝溫度低，可避免高溫工藝對(duì)硅片的損傷，并有效降低排放，但是工藝難度大，且產(chǎn)線與傳統(tǒng)電池不兼容，設(shè)備資產(chǎn)投資較大。
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在許多大學(xué)、研究所，研究員在實(shí)驗(yàn)室做實(shí)驗(yàn)時(shí)，往往需要配比很多不同類(lèi)型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機(jī)液，人工配液時(shí)接觸，不僅存在安全隱患，還經(jīng)常存在配液比例不準(zhǔn)確，效率低下的問(wèn)題。同時(shí)，由于人工反復(fù)不斷的配比，人在疲倦的時(shí)候容易出錯(cuò)，還易造成藥液的浪費(fèi)?！ ∪A林科納公司設(shè)計(jì)的CSE-LIQOUR-II自動(dòng)配液機(jī)，專(zhuān)為解決以上問(wèn)題而研發(fā)，可以適用于各類(lèi)化學(xué)生物制藥工藝實(shí)驗(yàn)室，是用來(lái)滿(mǎn)足藥液自動(dòng)配比的設(shè)備，通過(guò)稱(chēng)重、流量計(jì)準(zhǔn)確計(jì)量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送，配液精確度能夠達(dá)到2‰。 該配液機(jī)由配液控制單元與配液稱(chēng)量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區(qū)域、外接原液桶裝置與計(jì)算控比裝置組成，通過(guò)操作區(qū)域輸入化學(xué)藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量，經(jīng)過(guò)計(jì)算控比裝置的精確計(jì)算，將幾種藥液進(jìn)行混合配比，從而實(shí)現(xiàn)藥液的精確配比。同時(shí)，配有精確的配液稱(chēng)量單元，最高配液分辨率可達(dá)到0.01g。除了可以用量杯進(jìn)行大規(guī)格的調(diào)制之外，還可以配備標(biāo)準(zhǔn)試管支架，以用來(lái)固定試管，進(jìn)行精確地試管配比?！ ≡撆湟簷C(jī)能夠達(dá)到高精準(zhǔn)、高效率的配液，并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能，保證操作者安全；通過(guò)計(jì)算控比單元與機(jī)臺(tái)界面自動(dòng)化，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制操作的運(yùn)轉(zhuǎn)；接觸部分與絕大多數(shù)化學(xué)品（如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液；氨水N...
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1、HIT電池結(jié)構(gòu)和原理HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的縮寫(xiě)，意為本征薄膜異質(zhì)結(jié)，因HIT已被日本三洋公司申請(qǐng)為注冊(cè)商標(biāo)，所以又被稱(chēng)為HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。該類(lèi)型太陽(yáng)能電池最早由日本三洋公司于1990年成功開(kāi)發(fā)，當(dāng)時(shí)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到14.5%（4mm2的電池），后來(lái)在三洋公司的不斷改進(jìn)下，三洋HIT電池的轉(zhuǎn)換效率于2015年已達(dá)到25.6%。2015年三洋的HIT專(zhuān)利保護(hù)結(jié)束，技術(shù)壁壘消除，是我國(guó)大力發(fā)展和推廣HIT技術(shù)的大好時(shí)機(jī)。下圖是HIT太陽(yáng)能電池的基本構(gòu)造，其特征是以光照射側(cè)的p-i型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si：H膜（膜厚5-l0nm）夾住晶體硅片，在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極，構(gòu)成具有對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的HIT太陽(yáng)能電池。 圖表：HIT太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖在電池正表面，由于能帶彎曲，阻擋了電子向正面的移動(dòng)，空穴則由于本征層很薄而可以隧穿后通過(guò)高摻雜的p+型非晶硅，構(gòu)成空穴傳輸層。同樣，在背表面，由于能帶彎曲阻擋了空穴向背面的移動(dòng)，而電子可以隧穿后通過(guò)高摻雜的n+型非晶硅，構(gòu)成電子傳輸層。通過(guò)在電池正反兩面沉積選擇性傳輸層，使得光生載流子只能在吸收材料中產(chǎn)生富集然后從電池的一個(gè)表面流出，從而實(shí)現(xiàn)兩者的分離...
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TFT-LCD的制造過(guò)程此文件僅供參考學(xué)習(xí)，勿用于商業(yè)用途一、Array制程薄膜黃光蝕刻剝膜二、Cell制程配向膜印刷密封膠涂布噴淋間隔物注入液晶密封組合偏光片貼附三、Module制程COG制程軟性電路板壓合印刷電路板壓合背光模組組裝老化測(cè)試
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低通濾波器低通濾波器（英語(yǔ)：Low-pass filter）容許低頻信號(hào)通過(guò)，但減弱（或減少）頻率高于截止頻率的信號(hào)的通過(guò)。對(duì)于不同濾波器而言，每個(gè)頻率的信號(hào)的減弱程度不同。當(dāng)使用在音頻應(yīng)用時(shí)，它有時(shí)被稱(chēng)為高頻剪切濾波器，或高音消除濾波器。高通濾波器則相反，而帶通濾波器則是高通濾波器同低通濾波器的組合。低通濾波器概念有許多不同的形式，其中包括電子線路（如音頻設(shè)備中使用的hiss濾波器、平滑數(shù)據(jù)的數(shù)字算法、音障（acoustic barriers）、圖像模糊處理等等)。低通濾波器在信號(hào)處理中的作用等同于其它領(lǐng)域如金融領(lǐng)域中移動(dòng)平均數(shù)（moving average）所起的作用；這兩個(gè)工具都通過(guò)剔除短期波動(dòng)、保留長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)提供了信號(hào)的平滑形式。低通濾波器實(shí)例一個(gè)固體屏障就是一個(gè)聲波的低通濾波器。當(dāng)另外一個(gè)房間中播放音樂(lè)時(shí)，很容易聽(tīng)到音樂(lè)的低音，但是高音部分大部分被過(guò)濾掉了。類(lèi)似的情況是一輛小汽車(chē)中播放非常大的音樂(lè)聲，在另外一個(gè)車(chē)中的人聽(tīng)來(lái)卻是低音節(jié)拍，因?yàn)檫@時(shí)封閉的汽車(chē)和空氣間隔起到了低通濾波器的作用，減弱了所有的高音。電子低通濾波器用來(lái)驅(qū)動(dòng)重低音喇叭（subwoofer）和其它類(lèi)型的擴(kuò)音器、并且阻塞它們不能有效傳播的高音節(jié)拍。無(wú)線電發(fā)射機(jī)使用低通濾波器阻塞可能引起與其它通信發(fā)生干擾的諧波發(fā)射。DSL分離器使用低通和高通濾波器分離共享使用雙絞線的DSL和POTS信號(hào)。低通濾波器也在如R...
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線性濾波器線性濾波器用于時(shí)變輸入信號(hào)的線性運(yùn)算（en:linear operator）。線性濾波器在電子學(xué)和數(shù)字信號(hào)處理中應(yīng)用非常普遍（參見(jiàn)電子濾波器中的文章），它們也用于機(jī)械工程和其它技術(shù)領(lǐng)域。線性濾波器經(jīng)常用于剔除輸入信號(hào)中不想要的頻率或者從許多頻率中選擇一個(gè)想要的頻率。濾波器和濾波器技術(shù)類(lèi)型非常廣泛，這篇文章將給出一個(gè)總的描述。不論它們是電子的、電力的還是機(jī)械的，也不論它們的頻率范圍或者時(shí)間尺度有多大，線性濾波器的數(shù)學(xué)理論都是通用的。按照傳遞函數(shù)分類(lèi)：脈沖響應(yīng)線性濾波器可以分為兩類(lèi)：無(wú)限脈沖響應(yīng)（IIR）和有限脈沖響應(yīng)（FIR）濾波器。通常，一個(gè)窄（compact）頻率響應(yīng)的濾波器有無(wú)限脈沖響應(yīng)，一個(gè)窄脈沖響應(yīng)的濾波器有無(wú)限頻率響應(yīng)。直到，人們才能夠?qū)崿F(xiàn)模擬IIR濾波器，但是，如模擬延時(shí)線（en:analog delay line）和數(shù)字濾波器這樣的技術(shù)都已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了FIR濾波器。頻率響應(yīng)幾種常見(jiàn)的線性濾波器：● 允許低頻率通過(guò)的低通濾波器?！?#160;允許高頻率通過(guò)的高通濾波器。● 允許一定范圍頻率通過(guò)的帶通濾波器。● 阻止一定范圍頻率通過(guò)并且允許其它頻率通過(guò)的帶阻濾波器?！?#160;允許所有頻率通過(guò)、僅僅改變相位關(guān)系的全通濾波器?！?#160;阻止一個(gè)狹窄頻率范圍通過(guò)的特殊帶阻濾波器陷波濾波器（en:notch filter）?！?#160...
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單晶硅片加工工藝主要為：切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗等。切斷：是指在晶體生長(zhǎng)完成后， 沿垂直與晶體生長(zhǎng)的方向切去晶體硅頭尾無(wú)用的部分，即頭部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圓切割機(jī)進(jìn)行切割。 外圓切割機(jī)刀片邊緣為金剛石涂層。這種切割機(jī)的刀片厚，速度快，操作方便；但是刀縫寬，浪費(fèi)材料，而且硅片表面機(jī)械損傷嚴(yán)重。目前，也有使用帶式切割機(jī)來(lái)割斷晶體硅的，尤其適用于大直徑的單晶硅。外徑滾圓：在直拉單晶硅中，由于晶體生長(zhǎng)方時(shí)的熱振動(dòng)，熱沖擊等原因，晶體表面都不是非常平滑的，也就是說(shuō)整根單晶硅的直徑有一定偏差起伏；而且晶體生長(zhǎng)完成后的單晶硅棒表面存在扁平的棱線，需要進(jìn)一步加工，使得整根單晶硅棒的直徑達(dá)到統(tǒng)一，以便于在后續(xù)的材料和加工工藝中操作。切片：在單晶硅滾圓工序完成后，需要對(duì)單晶硅棒切片。太陽(yáng)電池用單晶硅在切片時(shí)，對(duì)硅片的晶向，平行度和翹曲度等參數(shù)要求不高，只需對(duì)硅片的厚度進(jìn)行控制。倒角：將單晶硅棒切割成晶片，晶片銳利邊需要休整成圓弧形，主要防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。研磨：切片后，在硅片的表面產(chǎn)生線痕，需要通過(guò)研磨除去切片所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光處理的過(guò)程規(guī)格。腐蝕、清洗：切片后，硅片表面有機(jī)械損傷層，近表面晶體的晶格不完整，而且硅片表面有金屬粒子等雜質(zhì)污染。因此，一般切片后，在制備太陽(yáng)能電池前，需要...
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