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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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空穴空穴又稱電洞(Electron hole),在固體物理學(xué)中指共價鍵上流失一個電子,最后在共價鍵上留下空位的現(xiàn)象。一個呈電中性的原子,其正電的質(zhì)子和負(fù)電的電子的數(shù)量是相等的。現(xiàn)在由于少了一個負(fù)電的電子,所以那里就會呈現(xiàn)出一個正電性的空位——空穴。當(dāng)有外面一個電子進(jìn)來掉進(jìn)了空穴,就會發(fā)出電磁波——光子??昭ú皇钦娮?,電子與正電子相遇湮滅時,所發(fā)出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質(zhì)量所完全轉(zhuǎn)化出來的電磁波(通常會轉(zhuǎn)出一對光子)。而電子掉入空穴所發(fā)出來的光子,其能量通常只有幾個電子伏特。半導(dǎo)體由于禁帶較窄,電子只需不多的能量就能從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶,從而在價帶中留下空穴。周圍電子可以填補(bǔ)這個空穴,同時在原位置產(chǎn)生一個新的空穴,因此實際上的電子運動看起來就如同是空穴在移動。在半導(dǎo)體的制備中,要在4價的本征半導(dǎo)體(純硅、鍺等的晶體)的基礎(chǔ)上摻雜。若摻入3價元素雜質(zhì)(如硼、鎵、銦、鋁等),則可產(chǎn)生大量空穴,獲得P型半導(dǎo)體,又稱空穴型半導(dǎo)體??昭ㄊ荘型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 23
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電子電子是一種帶有負(fù)電的次原子粒子。電子屬于輕子類,以重力、電磁力和弱核力與其它粒子相互作用。輕子是構(gòu)成物質(zhì)的基本粒子之一,無法被分解為更小的粒子。電子帶有1/2自旋,是一種費米子。因此,根據(jù)泡利不相容原理,任何兩個電子都不能處于同樣的狀態(tài)。電子的反粒子是正電子,其質(zhì)量、自旋、帶電量大小都與電子相同,但是電量正負(fù)性與電子相反。電子與正電子會因碰撞而互相湮滅,在這過程中,生成一對以上的光子。由電子與中子、質(zhì)子所組成的原子,是物質(zhì)的基本單位。相對于中子和質(zhì)子所組成的原子核,電子的質(zhì)量顯得極小。質(zhì)子的質(zhì)量大約是電子質(zhì)量的1836倍。當(dāng)原子的電子數(shù)與質(zhì)子數(shù)不等時,原子會帶電;稱該帶電原子為離子。當(dāng)原子得到額外的電子時,它帶有負(fù)電,叫陰離子,失去電子時,它帶有正電,叫陽離子。若物體帶有的電子多于或少于原子核的電量,導(dǎo)致正負(fù)電量不平衡時,稱該物體帶靜電。當(dāng)正負(fù)電量平衡時,稱物體的電性為電中性。靜電在日常生活中有很多用途,例如,靜電油漆系統(tǒng)能夠?qū)⒋善峄蚓郯滨テ幔鶆虻貒姙⒂谖锲繁砻?。電子與質(zhì)子之間的吸引性庫侖力,使得電子被束縛于原子,稱此電子為束縛電子。兩個以上的原子,會交換或分享它們的束縛電子,這是化學(xué)鍵的主要成因。當(dāng)電子脫離原子核的束縛,能夠自由移動時,則改稱此電子為自由電子。許多自由電子一起移動所產(chǎn)生的凈流動現(xiàn)象稱為電流。在許多物理現(xiàn)象里,像電傳導(dǎo)、磁性或熱傳導(dǎo),電子都扮演了機(jī)要的角色。移...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 22
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載流子在物理學(xué)中,載流子(charge carrier),或簡稱載子(carrier),指可以自由移動的帶有電荷的物質(zhì)微粒,如電子和離子。在半導(dǎo)體物理學(xué)中,電子流失導(dǎo)致共價鍵上留下的空位(空穴)被視為載流子。在電解質(zhì)溶液中,載流子是已溶解的陽離子和陰離子。類似地,游離液體中的陽離子和陰離子在液體和熔融態(tài)固體電解質(zhì)中也是載流子?;魻枺t敺ň褪且粋€熔融電解的例子。在等離子體,如電弧中,電離氣體和汽化的電極材料中的電子和陽離子是載流子。電極汽化在真空中也可以發(fā)生,但技術(shù)上電弧在真空中不能發(fā)生,而是發(fā)生在低壓電氣中;在真空中,如真空電弧或真空管中,自由電子是載流子;在金屬中,金屬晶格中形成費米氣體的電子是載流子。半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子在半導(dǎo)體中,電子和空穴作為載流子。數(shù)目較多的載流子稱為多數(shù)載流子;在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是電子,而在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是空穴。數(shù)目較少的載流子稱為少數(shù)載流子;在N型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子是空穴,而在P型半導(dǎo)體中少數(shù)載流子是電子。少數(shù)載流子在雙極性晶體管和太陽能電池中起重要作用。不過,此種載流子在場效應(yīng)管(FET)中的作用是有些復(fù)雜的:例如,MOSFET兼有P型和N型。晶體管酌涉及到源漏區(qū),但這些少數(shù)載流子橫穿多數(shù)載流子體。不過在傳送區(qū)內(nèi),橫穿的載流子比其相反類型載流子的數(shù)目多得多(實際上,相反類型的載流子會被外加電場移除而形成耗盡層),因此按慣例...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 22
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PN結(jié)一塊半導(dǎo)體晶體一側(cè)摻雜成P型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成N型半導(dǎo)體,中間二者相連的接觸面稱為PN結(jié)(英語:pn junction)。PN結(jié)是電子技術(shù)中許多元件,例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。N型半導(dǎo)體摻入少量雜質(zhì)磷元素(或銻元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代,磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵,多出的一個電子幾乎不受束縛,較為容易地成為自由電子。于是,N型半導(dǎo)體就成為了含自由電子濃度較高的半導(dǎo)體,其導(dǎo)電性主要是因為自由電子導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體摻入少量雜質(zhì)硼元素(或銦元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代,硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵的時候,會產(chǎn)生一個“空穴”,這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”,使得硼原子成為帶負(fù)電的離子。這樣,這類半導(dǎo)體由于含有較高濃度的“空穴”(“相當(dāng)于”正電荷),成為能夠?qū)щ姷奈镔|(zhì)。PN結(jié)的形成采用一些特殊的工藝,可以將上述的P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體緊密地結(jié)合在一起。在二者的接觸面的位置形成一個PN結(jié)。P型、N型半導(dǎo)體由于分別含有較高濃度的“空穴”和自由電子,存在濃度梯度,所以二者之間將產(chǎn)生擴(kuò)散運動。即:● 自由電子由N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體的方向擴(kuò)散● 空穴由P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體的方向擴(kuò)散載流子經(jīng)過擴(kuò)散的過程后,擴(kuò)散...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 21
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晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)是指晶體的周期性結(jié)構(gòu)。固體材料可以分為晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體三大類,其中,晶體內(nèi)部原子的排列具有周期性,外部具有規(guī)則外形,比如鉆石。Hauy最早提出晶體的規(guī)則外型是因為晶體內(nèi)部原子分子呈規(guī)則排列,比如鉆石所具有的完美外形和優(yōu)良光學(xué)性質(zhì)就可以歸結(jié)為其內(nèi)部原子的規(guī)則排列。20世紀(jì)初期,勞厄發(fā)明X射線衍射法,從此人們可以使用X射線來研究晶體內(nèi)部的原子排列,其研究結(jié)果進(jìn)而證實了Hauy的判斷。晶體內(nèi)部原子排列的具體形式一般稱之為晶格,不同的晶體內(nèi)部原子排列稱為具有不同的晶格結(jié)構(gòu)。各種晶格結(jié)構(gòu)又可以歸納為七大晶系,各種晶系分別與十四種空間格(稱作布拉維晶格)相對應(yīng),在宏觀上又可以歸結(jié)為三十二種空間點群,在微觀上可進(jìn)一步細(xì)分為230個空間群。對于晶體結(jié)構(gòu)的研究是研究固體材料的宏觀性質(zhì)及各種微觀過程的基礎(chǔ)。專門研究分子結(jié)晶結(jié)構(gòu)的科學(xué)稱為晶體學(xué),經(jīng)常應(yīng)用在化學(xué)、生物化學(xué)與分子生物學(xué)。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 21
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柴可拉斯基法柴可拉斯基法(簡稱柴氏法 英語:Czochralski process),又稱直拉法,是一種用來獲取半導(dǎo)體(如硅、鍺和砷化鎵等)、金屬(如鈀、鉑、銀、金等)、鹽、合成寶石單晶材料的晶體生長方法。這個方法得名于波蘭科學(xué)家揚·柴可拉斯基,他在1916年研究金屬的結(jié)晶速率時,發(fā)明了這種方法。后來,演變?yōu)殇撹F工廠的標(biāo)準(zhǔn)制程之一。直拉法最重要的應(yīng)用是晶錠、晶棒、單晶硅的生長。其他的半導(dǎo)體,例如砷化鎵,也可以利用直拉法進(jìn)行生長,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以獲得更低的晶體缺陷密度。硅的直拉法生長高純度的半導(dǎo)體級多晶硅在一個坩堝(通常是由石英制成)中被加熱至熔融狀態(tài)。諸如硼原子和磷原子的雜質(zhì)原子可以精確定量地被摻入熔融的硅中,這樣就可以使硅變?yōu)镻型或N型硅。這個摻雜過程將改變硅的電學(xué)性質(zhì)。將晶種(或稱“籽晶”)置于一根精確定向的棒的末端,并使末端浸入熔融狀態(tài)的硅。然后,將棒緩慢地向上提拉,同時進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。如果對棒的溫度梯度、提拉速率、旋轉(zhuǎn)速率進(jìn)行精確控制,那么就可以在棒的末端得到一根較大的、圓柱體狀的單晶晶錠。通過研究晶體生長中溫度、速度的影響,可以盡量避免不必要的結(jié)果。上述過程通常在惰性氣體(例如氬)氛圍中進(jìn)行,并采用坩堝這種由較穩(wěn)定的化學(xué)材料制成的反應(yīng)室。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 15
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單晶單晶是指其內(nèi)部微粒有規(guī)律地排列在一個空間格子內(nèi)的晶體。其晶體結(jié)構(gòu)是連續(xù)的,或者可以說,在宏觀尺度范圍內(nèi)單晶不包含晶界。與單晶相對的,是眾多晶粒(Crystallite)組成的多晶(Polycrystal)。單晶材料是一種應(yīng)用日益廣泛的新材料,由單獨的一個晶體組成,其衍射花樣為規(guī)則的點陣。相對普通的多晶體材料性能特殊,一般采用提拉法制備。單晶根據(jù)晶體生長法制作分為:1、借由柴克勞司基法(Czochralski):將復(fù)晶晶體提煉成對稱的、有規(guī)律的、成幾何型的單晶晶格結(jié)構(gòu)。2、浮區(qū)法(Floating zone):可將低純度硅晶體提煉成對稱的、有規(guī)律的、成幾何型的單晶晶格結(jié)構(gòu)。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 15
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晶種晶種是一小塊單晶或多晶(通常是單晶),像種子般用來成長與自身相同材料、相同晶體結(jié)構(gòu)的大晶體。無論把晶種浸入過飽和溶液,或使晶種與熔融材料接觸并冷卻,或者讓材料蒸氣在晶種表面沉積,皆能成長出大晶體。晶種效果背后的理論,從化合物與過飽和溶液(或與蒸氣)的分子間物理交互作用衍生而來。在溶液中,自由的可溶分子(溶質(zhì))在隨機(jī)流動中自由移動。此隨機(jī)流動允許兩個或更多的化合物分子有機(jī)會交互作用。這種交互作用可以強(qiáng)化分離的分子之間的分子間作用力并形成晶格的基礎(chǔ)。然而將晶種置入溶液會使隨機(jī)分子間的碰撞與交互作用減少,促進(jìn)再結(jié)晶過程。 借由引入已有秩序的晶體,分子間不用太仰賴隨機(jī)流動就可以很容易地進(jìn)行交互作用。在溶液中這種溶質(zhì)發(fā)展出晶格的相變化被稱為成核。簡言之,晶種效果就是縮短了再結(jié)晶過程中的成核時間。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,常用的柴可拉斯基法與布里奇曼-史托巴格法就是用小晶種長出大人造胚晶或晶錠的運用實例。
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 14
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半導(dǎo)體半導(dǎo)體(英語:Semiconductor)是一種電導(dǎo)率在絕緣體至導(dǎo)體之間的物質(zhì)。電導(dǎo)率容易受控制的半導(dǎo)體,可作為信息處理的元件材料。從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性非常巨大。很多電子產(chǎn)品,如計算機(jī)、移動電話、數(shù)字錄音機(jī)的核心單元都是利用半導(dǎo)體的電導(dǎo)率變化來處理信息。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。材料的導(dǎo)電性是由導(dǎo)帶中含有的電子數(shù)量決定。當(dāng)電子從價帶獲得能量而跳躍至導(dǎo)電帶時,電子就可以在帶間任意移動而導(dǎo)電。一般常見的金屬材料其導(dǎo)電帶與價電帶之間的能隙非常小,在室溫下電子很容易獲得能量而跳躍至導(dǎo)電帶而導(dǎo)電,而絕緣材料則因為能隙很大(通常大于9電子伏特),電子很難跳躍至導(dǎo)電帶,所以無法導(dǎo)電。一般半導(dǎo)體材料的能隙約為1至3電子伏特,介于導(dǎo)體和絕緣體之間。因此只要給予適當(dāng)條件的能量激發(fā),或是改變其能隙之間距,此材料就能導(dǎo)電。半導(dǎo)體通過電子傳導(dǎo)或空穴傳導(dǎo)的方式傳輸電流。電子傳導(dǎo)的方式與銅線中電流的流動類似,即在電場作用下高度電離的原子將多余的電子向著負(fù)離子化程度比較低的方向傳遞??昭▽?dǎo)電則是指在正離子化的材料中,原子核外由于電子缺失形成的“空穴”,在電場作用下,空穴被少數(shù)的電子補(bǔ)入而造成空穴移動所形成的電流(一般稱為正電流)。材料中載流子(carrier)的數(shù)量對半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性極為重要。這可以通過在半導(dǎo)體中有選...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 14
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集成電路的發(fā)展最先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的核心,可以控制計算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。存儲器和特定應(yīng)用集成電路是其他集成電路家族的例子,對于現(xiàn)代信息社會非常重要。雖然設(shè)計開發(fā)一個復(fù)雜集成電路的成本非常高,但是當(dāng)分散到通常以百萬計的產(chǎn)品上,每個集成電路的成本最小化。集成電路的性能很高,因為小尺寸帶來短路徑,使得低功率邏輯電路可以在快速開關(guān)速度應(yīng)用。這些年來,集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展,使得每個芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能-見摩爾定律,集成電路中的晶體管數(shù)量,每1.5年增加一倍。總之,隨著外形尺寸縮小,幾乎所有的指標(biāo)改善了-單位成本和開關(guān)功率消耗下降,速度提高。但是,集成納米級別設(shè)備的IC不是沒有問題,主要是泄漏電流。因此,對于最終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯,制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn)。這個過程和在未來幾年所期望的進(jìn)步,在半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖中有很好的描述。越來越多的電路以集成芯片的方式出現(xiàn)在設(shè)計師手里,使電子電路的開發(fā)趨向于小型化、高速化。越來越多的應(yīng)用已經(jīng)由復(fù)雜的模擬電路轉(zhuǎn)化為簡單的數(shù)字邏輯集成電路。集成電路的普及僅在其開發(fā)后半個世紀(jì),集成電路變得無處不在,計算機(jī)、手機(jī)和其他數(shù)字電器成為現(xiàn)代社會結(jié)構(gòu)不可缺少的一部分。這是因為,現(xiàn)代計算、交流、制造和交通系統(tǒng),包括互聯(lián)網(wǎng),全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學(xué)...
發(fā)布時間: 2019 - 01 - 12
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