簡(jiǎn)介半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導(dǎo)體材料不斷出現(xiàn)，但 90%以上的半導(dǎo)體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。硅片清洗對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因?yàn)楣杵砻娴奈廴疚飼?huì)嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對(duì)原料要求的提高，污染物對(duì)器件的影響也愈加突出。20世紀(jì)70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、增益高、時(shí)間響應(yīng)快和空間成像等特點(diǎn)，因而得到廣泛應(yīng)。它主要應(yīng)用于各種類(lèi)型的像增強(qiáng)器、夜視儀、量子位置探測(cè)器、射線放大器、場(chǎng)離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強(qiáng)器的核心部件。MCP的制作工藝周期長(zhǎng)且復(fù)雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過(guò)程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機(jī)物和無(wú)機(jī)物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點(diǎn)、黑點(diǎn)、暗斑等,導(dǎo)致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過(guò)程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能達(dá)到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應(yīng)生成物及其他污染物會(huì)在后序工藝中會(huì)產(chǎn)生重復(fù)污染...
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所謂的半導(dǎo)體，是指在某些情況下，能夠?qū)娏鳎谀承l件下，又具有絕緣體效用的物質(zhì)；而至于所謂的IC，則是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND等），進(jìn)而達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能。自1947年12月23日第一個(gè)晶體管在美國(guó)的貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab)被發(fā)明出來(lái)，結(jié)束了真空管的時(shí)代，到1958年TI開(kāi)發(fā)出全球第一顆IC成功，又意謂宣告晶體管的時(shí)代結(jié)束，IC的時(shí)代正式開(kāi)始。從此開(kāi)始各式IC不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，集積度也不斷提升。從小型集成電路（SSI），每顆IC包含10顆晶體管的時(shí)代；一路發(fā)展MSI、LSI、VLSI、ULSI；再到今天，短短50年時(shí)間，包含千萬(wàn)個(gè)以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn)，并應(yīng)用到我們的生活的各領(lǐng)域中來(lái)，為我們的生活帶來(lái)飛速的發(fā)展。不能想象離開(kāi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會(huì)怎樣，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r已成為一個(gè)國(guó)家的技術(shù)狀況的重要指針，電子技術(shù)也成為一個(gè)國(guó)家提高國(guó)防能力的重要途徑。 半導(dǎo)產(chǎn)品類(lèi)別 目前的半導(dǎo)體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件、光電半導(dǎo)體等三種。 集成電路(IC)，是將一電路設(shè)計(jì)，包括線路及電子組件，做在一片硅芯片上，使其具有處理信息的功能...
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一、雙極型IC的基本制造工藝： A、在元器件間要做電隔離區(qū)（PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及PN結(jié)介質(zhì)混合隔離） ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、STTL （飽和型） B、在元器件間自然隔離 I2L（飽和型）二、MOSIC的基本制造工藝： 根據(jù)柵工藝分類(lèi)： A 鋁柵工藝 B 硅柵工藝 ...
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外延生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。 MOCVD介紹： 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng) MOCVD）， 1968年由美國(guó)洛克威爾公司提出來(lái)的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專(zhuān)用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專(zhuān)用設(shè)備之一。 LED芯片的制造工藝流程： 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 &#...
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腐蝕液被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向異向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
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在半導(dǎo)體封裝技術(shù)國(guó)際學(xué)會(huì)“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”上，IBM蘇黎世研究所發(fā)表了用銅納米粒子使銅柱的倒裝芯片接合實(shí)現(xiàn)了低溫化目標(biāo)的成果。 雖尚在初步評(píng)測(cè)階段，但擁有可在150℃的低溫下接合的潛在可能，有能緩和組裝時(shí)芯片與封裝間應(yīng)力的優(yōu)點(diǎn)。并且，由于使用銅納米粒子來(lái)接合銅柱，因此接合部最終會(huì)僅由銅構(gòu)成的塊。另外，對(duì)電流導(dǎo)致金屬離子移動(dòng)的電遷移還有良好耐受力，稱(chēng)能夠?qū)崿F(xiàn)可通過(guò)大電流的接合。 在實(shí)際評(píng)測(cè)的鍵合條件下，向接合部供給銅納米粒子后，以250℃烘烤，將銅納米粒子燒結(jié)成體塊。此前人們知道的接合銅表面的方法是熱壓鍵合，但其量產(chǎn)的門(mén)檻較高。存在如對(duì)接合部的平坦性的要求精度較高、要求接合面清潔以及要在400℃高溫下高壓接合等課題。此次的技術(shù)若能實(shí)用化，便可輕松實(shí)現(xiàn)僅由銅構(gòu)成的體塊接合，具有很大的優(yōu)點(diǎn)。公開(kāi)接合方法和接合后的強(qiáng)度評(píng)測(cè)結(jié)果 此次發(fā)布的成果，尚未進(jìn)入電遷移評(píng)測(cè)階段，只報(bào)告了接合方法和接合后的強(qiáng)度評(píng)測(cè)結(jié)果。該研究所表示，嘗試了兩種向銅柱與焊盤(pán)間供給銅納米粒子的方法。 ...
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（1）外延工藝技術(shù) 外延工藝是根據(jù)不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃溫度下在硅片表面再長(zhǎng)一層/多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并把硅層的厚度和電阻率，厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。功率半導(dǎo)體器件的外延生產(chǎn)工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)一般要求達(dá)到厚度40-80±5um, 厚度和電阻率均勻性控制在5%以?xún)?nèi)。（2）光刻工藝技術(shù) 光刻工藝是半導(dǎo)體工藝技術(shù)中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，也是反映半導(dǎo)體工藝技術(shù)水平的重要指標(biāo)。光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，光刻機(jī)的精度一般是指光刻時(shí)所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細(xì)的線條，集成度也越高。對(duì)于高端Trench工藝技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件，光刻生產(chǎn)工藝采用8英寸硅片，0.5um技術(shù)。 （3）刻蝕工藝技術(shù) 刻蝕是用物理或化學(xué)的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，刻蝕的基本作用是準(zhǔn)確地復(fù)制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進(jìn)行。濕法刻蝕是通過(guò)合適...
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Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一種用來(lái)在半導(dǎo)體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導(dǎo)體元素少一價(jià)電子。 Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套準(zhǔn)精度——在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。 Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向異性——在蝕刻過(guò)程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
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Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正電荷類(lèi)似，是由缺少價(jià)電子引起的。 Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶錠 - 由多晶或單晶形成的圓柱體，晶圓片由此切割而成。 Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號(hào)。 Lay - The main direction of s...
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硅晶片 硅是一種灰色、易碎、四價(jià)的非金屬化學(xué)元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的，其次是氧元素，硅是自然界中最豐富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅是建筑材料水泥、磚、和玻璃中的主要成分，也是大多數(shù)半導(dǎo)體和微電子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過(guò)添加適當(dāng)?shù)臄v雜劑來(lái)精確控制它的電阻率。 制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。這要從硅錠的生長(zhǎng)開(kāi)始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個(gè)材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的，不能用來(lái)做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。 加工硅晶片 生成一個(gè)硅錠要花一周到一個(gè)月的時(shí)間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶(hù)要求。超過(guò) 75%的單晶硅晶圓片都是通過(guò)直拉生長(zhǎng)法（Czochralski (CZ)）生長(zhǎng)的。CZ 硅錠生長(zhǎng)需要大塊的純凈多晶硅將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱(chēng)為攙雜。&#...
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