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目前，多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽［１］、激 光刻槽［２，３］、反應離子體蝕刻［４－６］、酸腐蝕制絨［７－１２］ 等，其中各 向同性酸腐制絨技術的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產工序中，同時成 本 最 低，因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產中得到了廣泛的應用。
酸腐蝕法制備絨面的原理:各向同性酸腐制絨技術的制絨液是由 ＨＮＯ３、ＨＦ組成， 其在多晶硅表面與硅單質發(fā)生電化學反應，從而織構化表面 以達到降低反射率的 效 果。其 反 應 原 理 為：首 先，硅 片 表 面 的硅原子在氧化劑的作用下失去電子，在硅片表面形成硅的 氧化物（式（１））；然后，生成的硅的氧化物與溶液中的 ＨＦ反 應形成四氟化硅（式（２））；四氟化硅又與溶液中的 ＨＦ 繼 續(xù) 結合最終生成 Ｈ２ＳｉＦ６ 進 入 溶 液，使得內部的硅原子重新暴 露出來（式（３））。
?。樱椋矗澹?/span> →Ｓｉ４＋ （１）
ＳｉＯ２＋４ＨＦ→ＳｉＦ４＋２Ｈ２Ｏ （２）
?。樱椋疲矗玻龋?/span>→Ｈ２ＳｉＦ６ （３）
總的化學反應方程式為：
?。常樱椋矗龋危希常剑常樱椋希玻玻龋玻希矗危?/span>↑ （４）
?。樱椋希玻叮龋疲剑龋玻樱椋疲叮玻龋玻?/span> （５）
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