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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗驗證具有:①結(jié)構(gòu)簡單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最大晶...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
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刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù),國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,國內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達(dá)到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調(diào)整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡(luò)合物,利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為...
金屬剝離清洗機(jī)-南通華林科納CSE微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設(shè)備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機(jī)設(shè)備系列CSE-CX13系列設(shè)備概況尺寸(參考):機(jī)臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環(huán)境:室內(nèi)放置;主體構(gòu)造特點(diǎn)外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門:無安全門,采用敞開式設(shè)計;管路系統(tǒng):藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;排 風(fēng):后下抽風(fēng),動力抽風(fēng)法蘭位于機(jī)臺上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側(cè);隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機(jī)臺上方配照明(與工作區(qū)隔離);機(jī)臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。三色警示燈置于機(jī)臺上方明顯處。工作槽參數(shù)剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學(xué)藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動加入;工作溫度:60℃并可調(diào);溫度可調(diào);加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數(shù)位檢測; 計時功能:工藝時間可設(shè)定,并可調(diào),到設(shè)定時間后聲鳴提示,點(diǎn)擊按鈕后開始倒序計時;批次記憶:藥液使用次數(shù)可記憶,藥液供入時間可記憶,設(shè)定次數(shù)和設(shè)定時間到后更換藥液;排液:排液管道材質(zhì)為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動槽蓋;IPA槽槽體:不...
管道清洗機(jī)設(shè)備—華林科納CSE半自動石英管清洗設(shè)備適用于臥式或立式石英管清洗優(yōu)點(diǎn)石英管清洗:臥式—標(biāo)準(zhǔn)/立式—選項 先進(jìn)的圖形化界面 極高的生產(chǎn)效率 最佳的占地 結(jié)合最先進(jìn)工藝技術(shù) 優(yōu)越的可靠性 獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 應(yīng)用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉(zhuǎn),清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲備槽(根據(jù)使用化學(xué)品的數(shù)量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內(nèi)部進(jìn)行不斷循環(huán) 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨(dú)排液系統(tǒng) 安全蓋子 易于操作和控制 節(jié)約用酸系統(tǒng) 全自動的清洗工藝步驟 備件 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的PP外殼材料—標(biāo)準(zhǔn)更多的石英管道清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
零部件清洗機(jī)_華林科納CSECleanStep的零部件被設(shè)計用于PECVD刻蝕清洗設(shè)備,以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴(kuò)散舟的刻蝕和清洗設(shè)備。優(yōu)點(diǎn) 通過關(guān)閉的工藝腔室的安全操作,加載和僅一次工藝腔室沖洗之后卸載,完成整個工藝過程。 安全門自鎖裝置 工藝腔室保護(hù)防止水溢流 排風(fēng)監(jiān)控部件 用于門自鎖的電導(dǎo)傳感器(僅適用于石英舟清洗設(shè)備) 簡便、安全操作的高品質(zhì)觸摸屏 很少的化學(xué)品消耗產(chǎn)生最小的生產(chǎn)費(fèi)用,與浸泡式工藝相比至少節(jié)約2-3倍 減少了操作次數(shù) 化學(xué)品的消耗,與浸泡式工藝相比要少于大約10倍 穩(wěn)定的清洗工藝,水的消耗,與浸泡式工藝相比少于2倍 設(shè)備高利用率和低維修率,得益于它獨(dú)特的模塊化設(shè)計和長壽命零部件的應(yīng)用 最佳的占地應(yīng)用CleanStep的零部件被設(shè)計用于PECVD刻蝕清洗設(shè)備,以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴(kuò)散舟的刻蝕和清洗設(shè)備。標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計的設(shè)備是用于2個石墨舟或4個石英舟的清洗。同時也強(qiáng)有力的證明了用噴淋工藝代替浸泡工藝不僅節(jié)約了工藝時間,同時也節(jié)約了化學(xué)品的消耗量。選項 廢液槽起重裝置 系統(tǒng)外殼結(jié)構(gòu)[FM認(rèn)可材質(zhì)] HF有毒氣體檢測裝置 Centrotherm 一套石墨舟花籃可裝載19片到21片晶圓«可拆卸石墨舟« Centrotherm 一套石墨舟可裝載23片«可拆卸石墨舟« 石英部件清洗的石英舟夾具 漏液盤連接閥 電阻率監(jiān)測裝置 手動加載花籃干燥的烘干箱 30升的HNO3 / HF/ DI-H2O的預(yù)備槽 獨(dú)立的設(shè)備化學(xué)品供應(yīng)用于回收用過的HF 氮氧化物有毒氣體檢測裝置 晶圓背面腐蝕的ACL片盒夾 N2 凈化更多的半導(dǎo)體零部件清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
1、設(shè)備概況:主要功能:本設(shè)備主要采用手動搬運(yùn)方式,通過對擴(kuò)散、外延等設(shè)備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領(lǐng) 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設(shè)備名稱:半自動石英管清洗機(jī)設(shè)備型號:CSE-SC-N401整機(jī)尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;節(jié)拍:約1--12小時(節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實(shí)際工藝時間而定)      操作形式:半自動2、設(shè)備描述:此裝置是一個半自動的處理設(shè)備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設(shè)備特點(diǎn): 腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠;設(shè)備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作;結(jié)合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各部分遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先同類產(chǎn)品;設(shè)備上層電器控制系統(tǒng)及抽風(fēng)系統(tǒng),中層工作區(qū),下層為管道安裝維修區(qū),主體結(jié)構(gòu)由清洗機(jī)主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風(fēng)系統(tǒng)、工件滾動系統(tǒng)、氮?dú)夤呐菹到y(tǒng)、支撐及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)、管路部分、電控部分。本設(shè)備裝有雙防漏盤結(jié)構(gòu),并有防漏檢測報警系統(tǒng),在整臺設(shè)備的底部裝有接液盤。設(shè)備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正常→啟動電源→人工上料→注酸→槽體底部氮?dú)夤呐荨⒐苻D(zhuǎn)動(7轉(zhuǎn)/min)→進(jìn)入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關(guān)閉)→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質(zhì)排出)→初級潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復(fù)循環(huán)(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成1#,2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用...
顯影清洗機(jī)CSE-南通華林科納微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設(shè)備概述設(shè)備名稱:顯影清洗機(jī)整機(jī)尺寸:約1000mm(L) ×1260mm(W) ×1900mm(H)(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)主體構(gòu)造特點(diǎn)設(shè)備包括設(shè)備主體、電氣控制部分、顯影清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等主體設(shè)備主體使用德國勞士林10mm瓷白PP骨架SUS304+PP德國勞士領(lǐng)板組合而成安全門設(shè)備安裝高透明PVC上下推拉安全門,分隔與保護(hù)人員安全;邊緣處設(shè)備密封條臺面高度約900mm,適合高于1.5米人群操作工藝槽模組化設(shè)計,放置在同一個承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機(jī)臺的滲漏危險。管路系統(tǒng)位于設(shè)備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明;藥液管路采用勞士林PP管,純水管路采用積水CL-PVC管,廢液可通過專用管道排放電氣保護(hù)電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護(hù)以免腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠。工作照明上方防酸型照明220V 40W 可更換水氣槍機(jī)臺前部配備有PP純水槍和PP CDA槍各一只置左右兩側(cè),水槍滴漏活水設(shè)計,方便操作員手工清洗槽體或工件機(jī)臺支腳有滑輪裝置及固定裝置并加防腐座,并且有高低調(diào)整及鎖定功能安全保障完善的報警和保護(hù)設(shè)計,排風(fēng)壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖,直觀的操作界面,清晰的信息提示,保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示...
無機(jī)清洗機(jī)?設(shè)備名稱:無機(jī)清洗機(jī)?設(shè)備型號:CSE-JR11-WJ04?整機(jī)尺寸(參考):約2000mmL×1400mmW×2000mmH;?硅片尺寸:2寸~6寸?工作環(huán)境:室內(nèi)放置;?操作形式:手動?重量:650Kg( 大約);蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司由中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所合資成立于2008年3月,投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、太陽能光伏設(shè)備、液晶濕制程設(shè)備、真空設(shè)備的研發(fā)、技術(shù)推廣和生產(chǎn)銷售。
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