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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心

外延片清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導線電刷、Ｎ２保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用，產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最大晶...

雙腔甩干機

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

單片清洗機CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網(wǎng)，關注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

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外延片清洗機-CSE

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酸/堿刻蝕機

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為...

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黑硅制絨設備-CSE

黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術成功解決了這一難題，該技術將來勢必成為多晶電池的標配技術。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。設備名稱CSE-黑硅制絨設備用途單晶/多晶太陽能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW正常運作時間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無色差；安裝調(diào)試時間技術硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關設備，可以關注網(wǎng)址：http://126xa.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

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兆聲清洗機-CSE

半導體兆聲清洗機—華林科納CSE Mega sonic cleaning machine南通華林科納CSE-兆聲清洗機適用于硅晶片藍寶石晶片砷化鎵晶片磷化銦晶片碳化硅晶片石英晶片可處理晶片尺寸2"-8"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應用領域：半導體太陽能光伏液晶等設備名稱CSE-兆聲清洗機類型槽式尺寸(參考)約3500（L）×1350 (W)×2300mm (H)清洗件規(guī)格4” 2籃50片設備凈重1T運行重量1.5T±10%電源380v 50hz 功率70kw槽體尺寸200mm*400mm*260mm槽數(shù)6個操作方式手動/半自動/全自動適用規(guī)格2英寸-8英寸適用領域半導體、太陽能、液晶等設備穩(wěn)定性1、清洗良品率≥99%2、≥0.2um顆粒少于10顆產(chǎn)品簡介1設備機架采用不銹鋼骨架外包PP板，耐酸堿腐蝕；2電氣區(qū)設置在設備后上部，與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離；3槽體材料選用耐相應溶液腐蝕的材料；4機械手探入濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理；5設備排風采用頂部百級FFU送新風，臺面下抽風，每套工藝清洗槽都有自動開閉的槽蓋，槽蓋下有單獨的抽風裝置，排風口處設有自動調(diào)節(jié)風門，即上電打開風門，斷電關閉風門，具有風壓檢測功能，以及氮氣、壓縮空氣壓力報警功能；6溶液槽中藥液自動供液按設定好比例混合，并可在工作過程中根據(jù)設定補液；客戶根據(jù)自身工藝條件自行設定；7臺面為多孔結(jié)構(gòu)，便于臺面上沖洗水、液的排出；8操作面設有透明PVC安全門；9設備設有漏電、急停、液位、過溫、安全門開、漏液、超時等保護和報警裝置，保證設備的安全可靠；10配備有進口PFA，水、氣槍各一。更多半導體兆聲清洗機設備（最終...

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SPM腐蝕機-華林科納CSE

SPM腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備。其中SPM自動清洗系統(tǒng)設備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。設備名稱南通華林科納CSE-SPM腐蝕酸洗機適用領域LED外延及芯片制造設備用途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備基本介紹主要功能：通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸（25片/藍）設備形式：室內(nèi)放置型操作形式：自動設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096；18913575037更多的全自動半導體SPM腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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全自動濕法去膠清洗機-CSE

全自動濕法去膠清洗機-南通華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設備名稱南通華林科納CSE-全自動濕法去膠清洗機設備設備概況尺寸(參考)：約3500（L）*1500(W)*2000(H)（具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定）清洗件規(guī)格：一次性可裝8寸晶片25pcs典型生產(chǎn)節(jié)拍：5～10min/籃（清洗節(jié)拍連續(xù)可調(diào)）門：不銹鋼合頁門+PVC視窗主題構(gòu)造特點設備由于是在一個腐蝕的環(huán)境，我們設備的排風方式，臺面下抽風，每套工藝清洗槽都有自動開閉的槽蓋，槽蓋下有單獨的抽風裝置。設備結(jié)構(gòu)外型，整機主要由機架、工藝槽體、機械手傳輸系統(tǒng)、排風系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、水路系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等組成。由于工藝槽內(nèi)藥液腐蝕性強，設備需要做防腐處理：（1）設備機架采用鋼結(jié)構(gòu)骨架包塑；（2）殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接，制程區(qū)由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成：（3）電氣區(qū)設置在設備后上部，與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離；（4）槽體材料選用耐相應溶液腐蝕的材料；（5）機械手探人濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多全自動濕法去膠清洗機設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的全自動濕法去膠清洗機設備的相關方案

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金屬剝離清洗機-CSE

金屬剝離清洗機-南通華林科納CSE微機電系統(tǒng)（MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為：成膜工藝（氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜：擴散注入退火）→光刻圖形（旋涂/光刻/顯影）→干法/濕法/ 刻蝕（濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗）設備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機設備系列CSE-CX13系列設備概況尺寸(參考)：機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH（具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定）清洗量：6寸25裝花籃2籃；重量：500Kg( 大約)；工作環(huán)境：室內(nèi)放置；主體構(gòu)造特點外殼：不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門：無安全門，采用敞開式設計；管路系統(tǒng)：藥液管路采用不銹鋼管，純水管路采用CL-PVC管；閥門：藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門；排風：后下抽風，動力抽風法蘭位于機臺上部；水汽槍：配有水氣槍各2把，分置于兩側(cè)；隔板：藥液槽之間配有隔離板，防止藥液交叉污染；照明：機臺上方配照明（與工作區(qū)隔離）；機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且有高低調(diào)整及鎖定功能。三色警示燈置于機臺上方明顯處。工作槽參數(shù)剝離洗槽槽體：不銹鋼316，有效尺寸405×220×260mm；化學藥品：剝離洗液；藥液供液：人工手動加入；工作溫度：60℃并可調(diào)；溫度可調(diào)；加熱方式：五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱；液位控制：采用N2背壓數(shù)位檢測；計時功能：工藝時間可設定，并可調(diào)，到設定時間后聲鳴提示，點擊按鈕后開始倒序計時；批次記憶：藥液使用次數(shù)可記憶，藥液供入時間可記憶，設定次數(shù)和設定時間到后更換藥液；排液：排液管道材質(zhì)為不銹鋼管，按鈕控制；槽蓋：配有手動槽蓋；IPA槽槽體：不...

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最終清洗機-華林科納CSE

最終清洗機-華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設備用途: 清洗槽用于6/8吋兼容，集成電路制造工藝的最終清洗。配合LOAD and UNLOAD的上下料，實現(xiàn)干進干出，每批次50枚Cassette Type的高效清洗。共有三種工藝槽，三水槽+一個干燥單元：1個DHF清洗槽、1個OF槽、1個SC-1槽、1個QDR槽、1個SC-2槽、1個QDR槽、1個干燥槽。設備功能:●Chemical BATH: 自動換酸，自動洗槽，自動槽內(nèi)配比?！馜IW BATH : Pre Flow and After Change Function。●S/D : 6/8 Inch 自動換位，旋干?！駲C械手臂:Chuck Open/Close Type，Speed 為可控變動；●Scheduler: 排程計算，實現(xiàn)多批次同時清洗，不發(fā)生Process Over Time?！馭afety: Door，TEMP，LEVEL，Exhaust…等等INTERLOCK Safety。設備工藝流程:●進貨區(qū)(LOAD)→DHF(100:1)→OF 槽→SC-1 槽→QDR 槽→SC-2 槽→QDR 槽→S/D 槽→→出貨區(qū)(UNLOAD)●High WPH Type: AWB200-T。雙Cassette 50 枚/槽?！?/8 inch 兼容Cassette Type?！袂懊媸綑C械手臂: ARM-1、ARM-2、ARM-3 共三套?！駲C臺上部設有高效過濾器（FFU)。工藝技術指標:1. 該設備應實現(xiàn)全自動作業(yè)，可自動過程控制工藝、沖水及干燥全套作業(yè)，并具備自動供液、自動洗槽、SC1-1槽帶有兆聲；可編程選擇工藝槽及工藝時間進行清洗。2. 通過DHF/SC...

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石英管道清洗機設備-CSE

管道清洗機設備—華林科納CSE半自動石英管清洗設備適用于臥式或立式石英管清洗優(yōu)點石英管清洗：臥式—標準/立式—選項先進的圖形化界面極高的生產(chǎn)效率最佳的占地結(jié)合最先進工藝技術優(yōu)越的可靠性獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修應用清洗不同尺寸的石英管一般特征可編程使得清洗管旋轉(zhuǎn)，清洗更干凈 PVDF工藝槽裝有清洗溶劑的儲備槽（根據(jù)使用化學品的數(shù)量）放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內(nèi)部進行不斷循環(huán) 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗集成水槍和N2搶單獨排液系統(tǒng) 安全蓋子易于操作和控制節(jié)約用酸系統(tǒng) 全自動的清洗工藝步驟備件經(jīng)濟實惠的PP外殼材料—標準更多的石英管道清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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零部件清洗機CSE

零部件清洗機_華林科納CSECleanStep的零部件被設計用于PECVD刻蝕清洗設備，以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴散舟的刻蝕和清洗設備。優(yōu)點通過關閉的工藝腔室的安全操作，加載和僅一次工藝腔室沖洗之后卸載，完成整個工藝過程。安全門自鎖裝置工藝腔室保護防止水溢流排風監(jiān)控部件用于門自鎖的電導傳感器（僅適用于石英舟清洗設備）簡便、安全操作的高品質(zhì)觸摸屏很少的化學品消耗產(chǎn)生最小的生產(chǎn)費用，與浸泡式工藝相比至少節(jié)約2-3倍減少了操作次數(shù) 化學品的消耗，與浸泡式工藝相比要少于大約10倍穩(wěn)定的清洗工藝，水的消耗，與浸泡式工藝相比少于2倍設備高利用率和低維修率，得益于它獨特的模塊化設計和長壽命零部件的應用最佳的占地應用CleanStep的零部件被設計用于PECVD刻蝕清洗設備，以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴散舟的刻蝕和清洗設備。標準化設計的設備是用于2個石墨舟或4個石英舟的清洗。同時也強有力的證明了用噴淋工藝代替浸泡工藝不僅節(jié)約了工藝時間，同時也節(jié)約了化學品的消耗量。選項廢液槽起重裝置系統(tǒng)外殼結(jié)構(gòu)[FM認可材質(zhì)] HF有毒氣體檢測裝置 Centrotherm 一套石墨舟花籃可裝載19片到21片晶圓«可拆卸石墨舟« Centrotherm 一套石墨舟可裝載23片«可拆卸石墨舟« 石英部件清洗的石英舟夾具漏液盤連接閥電阻率監(jiān)測裝置手動加載花籃干燥的烘干箱 30升的HNO3 / HF/ DI-H2O的預備槽獨立的設備化學品供應用于回收用過的HF 氮氧化物有毒氣體檢測裝置晶圓背面腐蝕的ACL片盒夾 N2 凈化更多的半導體零部件清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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半自動石英管清洗機

1、設備概況：主要功能：本設備主要采用手動搬運方式，通過對擴散、外延等設備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領瓷白PP板，骨架采用不銹鋼外包PP 防腐板；設備名稱：半自動石英管清洗機設備型號：CSE-SC-N401整機尺寸(參考)：4500mm*1500mm*2100mm；被清洗爐管尺寸（Max）：也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設備形式:室內(nèi)放置型;節(jié)拍：約1--12小時（節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實際工藝時間而定）操作形式：半自動2、設備描述：此裝置是一個半自動的處理設備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設備特點：腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠;設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作;結(jié)合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各部分遠遠領先同類產(chǎn)品;設備上層電器控制系統(tǒng)及抽風系統(tǒng)，中層工作區(qū)，下層為管道安裝維修區(qū)，主體結(jié)構(gòu)由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風系統(tǒng)、工件滾動系統(tǒng)、氮氣鼓泡系統(tǒng)、支撐及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)、管路部分、電控部分。本設備裝有雙防漏盤結(jié)構(gòu)，并有防漏檢測報警系統(tǒng)，在整臺設備的底部裝有接液盤。設備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程：檢查水、電、氣正?！鷨与娫础斯ど狭稀⑺帷垠w底部氮氣鼓泡→石英管轉(zhuǎn)動（7轉(zhuǎn)/min）→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水（同時氣動碟閥關閉）→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開（重顆粒雜質(zhì)排出）→初級潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復循環(huán)（人工控制）→下料。酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成1#，2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用...

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太陽能單晶制絨清洗機設備-CSE

太陽能單晶制絨清洗機設備-CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為：預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設備主要技術特點：1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本；3.多通道注入結(jié)構(gòu)實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證；5.適應性強的工藝過程控制。在太陽能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說，制絨的目的就是延長光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿（NaOH、KOH）對硅片表面進行腐蝕。由于硅片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的絨面，有效地增強硅片對入射太陽光的吸收，從而提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射率，又有利于太陽能電池的后續(xù)制作工藝的絨面，應該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm之間，相鄰金字塔之間沒有空隙，即覆蓋率達到100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組成、各組分的含量、溫度、反應時間等。而在工業(yè)生產(chǎn)中，對這一工藝過程的影響因素更加復雜，例如加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應產(chǎn)物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn)良好的可重復性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較透徹地了解金字塔絨面的形成機理，控制對制絨過程中影響較大的因素，在較短的時間內(nèi)形成質(zhì)量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復雜，不同公司有各自獨特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法：Na...

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