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外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最大晶...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ健⒆詣涌刂颇Ｊ?#160;設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

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南通華林科納工程師分享RCA 清洗工藝

實(shí)驗(yàn)室常用的改進(jìn)的RCA 清洗工藝1.水中超聲清洗：灰塵、殘余物去除2.濃硫酸、濃硫酸+雙氧水：表面污染（有機(jī)物、重金屬、微粒） BHF去除氧化層（to 疏水性）3.堿洗（雙氧水、氨水、水）：顆粒、有機(jī)物去除 BHF去除氧化層（to 疏水性）4.酸洗（雙氧水、鹽酸、水）：微粒、金屬去除 BHF去除氧化層（to 疏水性）5.超純水淋洗：去除離子設(shè)備組成：中央控制系統(tǒng)及晶圓輸入端串聯(lián)式化學(xué)酸槽、堿槽及洗滌槽檢測系統(tǒng)，包括流量監(jiān)測，溫度檢測，酸槽化學(xué)濃度校準(zhǔn) 旋轉(zhuǎn)、干燥設(shè)備南通華林科納專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備包括RCA清洗設(shè)備，兆聲清洗設(shè)備，超聲清洗設(shè)備，更多詳情可以關(guān)注http://126xa.cn/ ，400-8768-096

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 05

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CSE工程師介紹全自動半導(dǎo)體RCA清洗機(jī)

RCA清洗工藝是一種在半導(dǎo)體制造過程中被廣泛應(yīng)用的工藝,是去除硅片表面各類玷污的有效方法。南通華林科納的工程師在本文中簡單介紹了RCA清洗工藝的原理及應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件和集成電路內(nèi)各元件及連線越來越微細(xì)，因此制造過程中，塵粒、金屬等的污染，對晶片內(nèi)電路功能的損壞影響越來越大。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造工藝過程中均需要對硅片表面進(jìn)行清洗，以有效地使用化學(xué)溶液清除殘留在硅片表面上的各種雜質(zhì)。硅片是半導(dǎo)體器件和集成電路中使用最廣泛的基底材料，對其表面的清洗是整個硅片制造工藝中極為重要的環(huán)節(jié)之一。半導(dǎo)體領(lǐng)域中的濕式清洗技術(shù)是伴隨設(shè)備的微小化及對產(chǎn)品質(zhì)量要求的不斷提高而提高的，是以 RCA 清洗技術(shù)為基本的框架，經(jīng)過多年的不斷發(fā)展形成。完全清潔的基片表面是實(shí)現(xiàn)高性能處理的第一步。如果基底表面不完全清潔，其他處理無論如何控制也達(dá)不到高質(zhì)量的要求。目前在國內(nèi)，對硅片表面進(jìn)行化學(xué)清洗的設(shè)備比較多，但大多屬于手動設(shè)備，在實(shí)際應(yīng)用過程中存在工藝一致性差、效率低下、無法適應(yīng)大批量生產(chǎn)等缺點(diǎn)。國外進(jìn)口的全自動 RCA 清洗機(jī)雖然性能優(yōu)越，但售價非常昂貴，使眾多半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家望而卻步。鑒于此，南通華林科納CSE自主獨(dú)立開發(fā)了全自動半導(dǎo)體RCA 清洗機(jī)，經(jīng)過試驗(yàn)和用戶使用驗(yàn)證，完全能達(dá)到用戶的使用要求。&#...

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 06

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兆聲清洗原理介紹

一．簡介兆聲清洗是運(yùn)用在半導(dǎo)體清洗設(shè)備中的一種比較新穎清洗技術(shù)，它不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克服了它的不足，它是由高頻（900khz 可根據(jù)實(shí)際使用來定）振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對硅片進(jìn)行清洗的。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運(yùn)動，最大瞬時速度可達(dá)到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。二．作用兆聲波清洗可去掉硅片表面上小于0.2μm的粒子,起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時起到機(jī)械擦片和化學(xué)清洗兩種方法的作用。目前兆聲波清洗方法已成為拋光片清洗的一種有效方法。三．結(jié)構(gòu)兆聲波清洗的結(jié)構(gòu)主要可以分為放著清洗晶片的石英槽體、保證在清洗過程溫度穩(wěn)定的溢流外槽、產(chǎn)生兆聲波的兆聲振盒及其發(fā)生器、保證清洗槽體內(nèi)溫度的在線加熱和根據(jù)設(shè)備使用中是否需要的自動供酸系統(tǒng)，是否有其他結(jié)構(gòu)可根據(jù)實(shí)際使用來進(jìn)行添加。四．使用原理兆聲波清洗機(jī)是用在硅片清洗中的一種清洗技術(shù)，使用時首先要把清洗槽體和在線加熱內(nèi)注入適當(dāng)?shù)那逑吹囊后w，注入的的方法可根據(jù)廠方的注液方式分為手動上液和自動上液，上液完成之后打開在線加熱，使溫度達(dá)到使用溫度，溫度達(dá)到時...

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 03

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濕法腐蝕清洗設(shè)備中的循環(huán)管路應(yīng)用

濕法腐蝕清洗設(shè)備是集成電路、LED、太陽能、MEMS等芯片制造中必不可少的工藝設(shè)備,而為了更好的達(dá)到腐蝕效果,在各種腐蝕工藝中往往要配合藥液的循環(huán)完成,從而達(dá)到更好的腐蝕均勻性。南通華林科納半導(dǎo)體CSE工程師介紹了幾種常用的腐蝕工藝循環(huán)原理及在濕法腐蝕清洗設(shè)備的典型應(yīng)用。關(guān)鍵詞：工藝槽循環(huán)過濾; 濕法腐蝕清洗; 硅腐蝕;隨著芯片制造特征尺寸的縮小，工藝水平的不斷提高，對晶片腐蝕的均勻性，晶片表面顆粒及金屬污染等潔凈度指標(biāo)提出了更高的要求，因此，濕法腐蝕清洗設(shè)備在采用晶片旋轉(zhuǎn)、抖動、超聲清洗、兆聲清洗等的同時，業(yè)內(nèi)普遍采用工藝槽循環(huán)過濾方式，來凈化槽內(nèi)藥液，同時均勻流場保證藥液濃度和溫度的均勻性。1 濕法腐蝕的關(guān)鍵問題硅的濕法腐蝕在選擇腐蝕工藝和腐蝕劑時，需考慮諸多因素影響（如濃度、時間、溫度、攪拌等）的同時，需考慮以下幾方面的問題：（1）腐蝕速率。較高的腐蝕速率將有效的縮短腐蝕時間，但所得到的腐蝕表面較粗糙。腐蝕液的濃度與腐蝕速率及腐蝕表面質(zhì)量有關(guān)，當(dāng)腐蝕液濃度較小時，腐蝕速率較大。（2）腐蝕選擇性。選擇性是指要腐蝕材料的腐蝕速率與不希望腐蝕的材料（如掩模）的腐蝕速率的比率。一般地，選擇比越大越好。（3）腐蝕均勻性。在硅腐蝕表面各處，腐蝕速率常常不相等，造成腐蝕表面出現(xiàn)起伏等，腐蝕尺寸比較大時表現(xiàn)尤為明顯。這與腐蝕液濃度有關(guān)，反應(yīng)槽中腐蝕液的濃度一直...

發(fā)布時間: 2018 - 01 - 11

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太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)

在太陽能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說，制絨的目的就是延長光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿（NaOH、KOH）對硅片表面進(jìn)行腐蝕。由于硅片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的絨面，有效地增強(qiáng)硅片對入射太陽光的吸收，從而提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射率，又有利于太陽能電池的后續(xù)制作工藝的絨面，應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm 之間，相鄰金字塔之間沒有空隙，即覆蓋率達(dá)到 100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時間等。而在工業(yè)生產(chǎn)中，對這一工藝過程的影響因素更加復(fù)雜，例如加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn) 良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較透徹地了解金字塔絨面的形成機(jī)理，控制對制絨過程中影響較大的因素，在較短的時間內(nèi)形成質(zhì) 量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復(fù)雜，不同公司有各自獨(dú)特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法： NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學(xué)添加劑有兩種，一...

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 02

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關(guān)于集成電路濕法工藝--南通華林科納工程師的分享

集成電路濕法工藝的目的半導(dǎo)體集成電路制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴(kuò)散、外延生長及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。濕法工藝作用是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機(jī)物之雜質(zhì)。批處理清洗設(shè)備單晶圓清洗設(shè)備集成電路工藝過程IC芯片主要工藝過程濕法設(shè)備的應(yīng)用濕法設(shè)備在8寸IC芯片制造過程中的應(yīng)用集成電路濕法工藝IC芯片清洗工藝分類1. 前段灰化后清洗 35% -硫酸過氧化混合液清洗(SPM Clean) 2. 熱氧化前預(yù)清洗 &#...

發(fā)布時間: 2018 - 06 - 11

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南通華林科納工程師分享半導(dǎo)體制備工藝

中國政府“十三五“規(guī)劃草案，經(jīng)濟(jì)發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機(jī)器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先，研發(fā)經(jīng)費(fèi)將達(dá)GDP2.5%。那么半導(dǎo)體是怎么制造出來的？這里我們并不是探究從沙子到芯片的過程，而是聚焦于半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的環(huán)境和生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)通常要經(jīng)歷以下過程：半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序這些高端精細(xì)的制備過程對芯片的生產(chǎn)環(huán)境和設(shè)備要求是極高的，這些機(jī)器設(shè)備會令硅芯片（如英特爾硅芯片）遭受超強(qiáng)真空處理、「化學(xué)浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟，同時還要使硅芯片經(jīng)過數(shù)百個制造階段，從而將它們變成CPU、存儲器片、圖形處理器等。我們以美國應(yīng)用材料公司的梅坦技術(shù)中心半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境和制備設(shè)備為例。 1.無塵室在進(jìn)入研究中心以前，必須穿上防護(hù)服，戴上面具、護(hù)目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產(chǎn)車間，相反，這個無塵室只是模擬了晶圓廠的環(huán)境，應(yīng)用材料公司的設(shè)備將在這種環(huán)境下使用，以便公司及其客戶可以測試新技術(shù)和新工藝，然后真正將它們推向生產(chǎn)線。2.玻璃光掩膜芯片制造的核心技術(shù)是平版印刷（光刻），這種技術(shù)就像是絲網(wǎng)印刷，只不過不是通過絲制模板將墨滾壓至棉T恤上，而是通過玻璃光掩膜，使紫外光照射表面涂有光刻膠（一種有機(jī)化合物）的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方，光刻膠的化學(xué)特性會被削弱，使硅芯片表面留下圖案。接著，硅芯片會被...

發(fā)布時間: 2018 - 06 - 09

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CSE SEMICON China 2018參展圓滿成功

SEMICON China是中國首屈一指的半導(dǎo)體旗艦展覽，每年吸引全球高數(shù)量和高質(zhì)量的觀眾到場參觀，包括企業(yè)高層領(lǐng)導(dǎo)人、采購商和投資人、技術(shù)工程師、中央及產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)地區(qū)政府官員，是業(yè)界公認(rèn)的會見新老供應(yīng)商，洽談生意，獲取最新產(chǎn)品、技術(shù)和解決方案的首要平臺。華林科納CSE再次參加了2018年SEMICON China展會，展會期間參展了公司四大系列產(chǎn)品，其產(chǎn)品優(yōu)勢吸引了眾多知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)蒞臨參觀，其中CSE單片清洗機(jī)、甩干機(jī)、自動供液系統(tǒng)以及黑硅制絨設(shè)備的技術(shù)方案在同行里優(yōu)勢凸顯，多家企業(yè)意向預(yù)約前往公司生產(chǎn)基地參觀。此次參展的圓滿成功離不開合作伙伴和公司小伙伴們的支持，再次表示感謝，同時也邀請大家參加公司明年的展會，歡迎大家蒞臨參觀指導(dǎo)。

發(fā)布時間: 2018 - 03 - 20

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南通華林科納CSE的黑硅制絨機(jī)設(shè)備研發(fā)成功了

長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來勢必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。更過太陽能電池片濕法黑硅制絨機(jī)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體CSE網(wǎng)站：126xa.cn

發(fā)布時間: 2017 - 05 - 24

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南通華林科納-分享關(guān)于晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

關(guān)于晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程一、 IC檢測 1. 缺陷檢查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進(jìn)行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進(jìn)行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。二、 IC封裝 1. 構(gòu)裝（Packaging） IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序?yàn)榫懈睿╠ie saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗(yàn)（inspection）等。 (1) 晶片切割（die ...

發(fā)布時間: 2017 - 05 - 12

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