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產品名稱:

全自動硅芯硅棒清洗機---CSE

上市日期: 2016-03-10

?全自動硅芯硅棒清洗機---CSE

南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產的單多晶制絨設備已經形成了良好的客戶基礎和市場影響。

生產工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結

太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本3.多通道注入結構實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制

全自動硅芯硅棒清洗機.jpg


產品描述

1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進行清洗干燥處理。

2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋?、酸洗漂洗、下料等工藝;

3)控制方式:手動或自動

4)材質:根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質,保證設備的耐用性;

5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結構,便于清洗和排渣;??

6)設備設有旋轉裝置使工件達到更好的清洗效果;

7)頂部設有排霧系統(tǒng)結合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;

8)PLC控制人機界面操作顯示能根據(jù)實際情況更改清洗參數(shù)。


更多的太陽能光伏清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數(shù)…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內...
2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: ...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越...
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