完美世界官网,盗墓笔记小说txt下载,女强穿越玄幻完结小说

歡迎訪問南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)

Homepage 收藏夾關(guān)于我們 Contact Us 在線留言

網(wǎng)站地圖

手機網(wǎng)站

濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌

--- 全國服務(wù)熱線 --- 400-8768-096

本周熱門搜索：

CDS供液系統(tǒng)

單片清洗機

腐蝕清洗機

顯影機

刻蝕機

華林科納產(chǎn)品分類 Products

聯(lián)系華林科納:

400-8768-096

聯(lián)系電話

聯(lián)系我們

掃一掃

QQ客服

SKYPE客服

旺旺客服

新浪微博

分享到豆瓣

Products 產(chǎn)品詳情

您現(xiàn)在的位置：首頁 → 華林科納產(chǎn)品分類 → 單片式清洗設(shè)備 > 單片式清洗

產(chǎn)品名稱：
單片清洗機CSE

上市日期： 2018-01-23

?

?單片清洗機-華林科納CSE

Single wafer cleaner system

南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；

可處理晶圓尺寸2"-12"；

可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；

主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路?? 聲表面波器件? 微波毫米波器件? MEMS? 先進封裝等

?

單片清洗機CSE

?

設(shè) 備名稱	CSE-單片清洗機
類??型	單片式
適用領(lǐng) 域	半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等
清洗方式	2英寸——12英寸
設(shè)備穩(wěn)定性	1、≥0.2um顆粒少于10顆 2、金屬附著量:<3E10 atoms/ cm2 3、純水消耗量：1L/min/片 4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2% 5、干燥時間：≤20S 6、藥液回收率：＞95%	單片式優(yōu)點	1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機） 2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式） 3、良品率高 4、有效避免邊緣再附著 5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小

?

更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn?,400-8768-096，18913575037

?

Hot Products / 熱賣產(chǎn)品 More

枚葉式清洗機-華林科納CSE

2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

More

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能。控制模式：手動控制模式、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)...

More

IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備-CSE

2016 - 03 - 08

IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點：干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: ...

More

酸/堿刻蝕機

2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越...

More