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始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計)將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個風(fēng)道口裝置(每個藥劑槽對應(yīng)一個),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計,方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 14
設(shè)備概況:(僅做參考)主要功能:本設(shè)備主要手動搬運(yùn)方式,通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個用戶要求的效果。設(shè)備名稱:KOH  Etch刻蝕清洗機(jī)           設(shè)備型號:CSE-SC-NZD254整機(jī)尺寸(參考):自動設(shè)備約2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/籃)設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;操作形式:手動各槽位主要技術(shù)工藝:設(shè)備組成:該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備走向:方案圖按 “左進(jìn)右出”方式,另可按要求設(shè)計“右進(jìn)左出”方式;設(shè)備描述:此裝置是一個全自動的處理設(shè)備。8.0英寸大型觸摸屏(PROFACE/OMRON)顯示 / 檢測 / 操作每個槽前上方對應(yīng)操作按鈕,與觸摸屏互相配合主體材料:德國進(jìn)口10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;臺面板為德國10mm PP板;DIW管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,需滿足18M去離子水水質(zhì)要求,酸堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成;排風(fēng):位于機(jī)臺后上部工作照明:上方防酸照明三菱、歐姆龍 PLC控制。安全考慮:設(shè)有EMO(急停裝置), 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離所有電磁閥均高于工作槽體工作液面電控箱正壓裝置(CDA Purge)設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)排放管路加過濾裝置所有槽體折彎成型,可有效避免死角顆粒;更多化學(xué)品相關(guān)濕法腐蝕相關(guān)設(shè)備(KOH腐蝕刻蝕機(jī)、RCA清洗機(jī)、去膠機(jī)、外延片清洗機(jī)、酸堿腐蝕機(jī)、顯影機(jī)等)以及干燥設(shè)備(馬蘭戈尼干燥機(jī)Marangoni、單腔...
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同刻蝕一樣,干法等離子體工藝也可用于光刻膠去除。將晶圓放置于反應(yīng)室中.并通入氧氣。等離子體場把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài),因而將光刻跤成分氧化為氣體由真空泵從反應(yīng)室吸走。術(shù)語灰化(ashlng〕用來說明那些設(shè)計成用來只去除有機(jī)殘留物的等離子體工藝。等離子去除需要去除有機(jī)和無機(jī)兩種殘留物的工藝。在干法去除機(jī)中,等離子體由微波,射頻和UV臭氧源共同作用產(chǎn)生。等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了液體槽和對化學(xué)品的操作。缺點(diǎn)是對于金屬離子的去除沒有效果。在等離子體場中沒有足夠的能量使金屬離子揮發(fā)。需要對等離子體去膠的另一個考慮是高能等離子體場對電路的輻射損傷。采用將等離子體發(fā)生室從去除反應(yīng)室移開的系統(tǒng)設(shè)計來減小這個問題。因而稱其為下游去除機(jī)(downstream strip,這是因?yàn)榈入x子體在晶的下游產(chǎn)生。MOS晶圓在去膠中對輻射影響更加敏感。工業(yè)對干法等離子體工藝取代濕法去除期待已久。然而,氧等離子體不能去除移動離子的僉屬污染.并且有一定程度的金屬殘留和輻射損傷,這使得濕法去除或濕法/于法結(jié)合繼續(xù)保持著光刻膠去除工藝的主流。等離子體去除被用于硬化的光刻般層,然后以濕法來去除未被等離子體去掉的殘留物。有專門的濕法去膠機(jī)處理這些硬化的光刻膠層。兩個有問題的地方是離子注人后光刻膠的去除和等離子體去除之后,離子注人導(dǎo)致強(qiáng)烈的光刻膠聚合并使表層崆化。一般地,用十法工藝來去除或減少光刻膠,然后再加以濕法上藝...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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一、引言在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上,美國麻省理工學(xué)院林肯實(shí)驗(yàn)室的兩名學(xué)者克耶斯和奎斯特報告了砷化鎵材料的光發(fā)射現(xiàn)象,這引起通用電氣研究實(shí)驗(yàn)室工程師哈爾的極大興趣,在會后回家的火車上他寫下了有關(guān)數(shù)據(jù)?;氐郊液?,哈爾立即制定了研制半導(dǎo)體激光器的計劃,并與其他研究人員一道,經(jīng)數(shù)周奮斗,他們的計劃獲得成功。從此拉開了研究半導(dǎo)體激光器的序幕。像晶體二極管一樣,半導(dǎo)體激光器也以材料的P—n結(jié)特性為基礎(chǔ),且外觀亦與前者類似,因此,半導(dǎo)體激光器常被稱為二極管激光器或激光二極管。本文對半導(dǎo)體激光器的原理,發(fā)展以及應(yīng)用等作簡要介紹。二、半導(dǎo)體激光器原理半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是,通過一定的激勵方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。半導(dǎo)體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導(dǎo)體激光器,一般是由GaAs(砷化鎵),lnAs(砷化銦),InSb(銻化銦)等材料制成的半導(dǎo)體面結(jié)型二極管,沿正向偏壓注入電流進(jìn)行激勵,在結(jié)平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射。三、半導(dǎo)體激光器的發(fā)展2O世紀(jì)6O年代初期的半導(dǎo)體激光器是同質(zhì)結(jié)型激光器,它是存一種材料上制作的PN結(jié)二極管在正向...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導(dǎo)體工藝-----光刻刻蝕一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型:正性光刻和負(fù)性光刻,區(qū)別如下二、光刻工藝步驟1.清洗硅片通過化學(xué)清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、雜質(zhì)顆粒,減少針孔和其他缺陷從而提供光刻膠粘附性2.預(yù)烘和底膜涂覆使用HMDS作為底膠,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脫水烘焙去除圓片表面的潮氣3.光刻膠涂覆硅圓片放置在高速旋轉(zhuǎn)的真空卡盤上,將液態(tài)光刻膠滴在圓片中心,光刻膠以離心力向外擴(kuò)展從而均勻涂覆在圓片表面。4.前烘促進(jìn)膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā),使得膠膜干燥,增加與其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙時間不宜過長,溫度不宜過高。5.對準(zhǔn)為了成功在硅片上形成圖形,必須把硅片上的正確圖形與掩膜版上的圖形對準(zhǔn),套準(zhǔn)精度是測量對準(zhǔn)系統(tǒng)把版圖套刻到硅片上圖形的能力。6. 曝光7.后烘光刻膠分子發(fā)生熱運(yùn)動,過曝光和欠曝光的光刻膠分子發(fā)生重分布,通過后烘可以平衡駐波效應(yīng)(入射光與反射光干涉現(xiàn)象),提供分辨率8.顯影通過顯影、漂洗、干燥達(dá)到顯影液溶解掉光刻膠中軟化的部分的目的9.堅膜溫度通常要高于前烘溫度100-130℃,時間2分鐘。蒸發(fā)光刻膠中所有有機(jī)溶劑、提高刻蝕和注入的抵抗力、提高光刻膠和表面的粘附性、聚合和使得光刻膠更加穩(wěn)定、光刻膠流動填充針孔10.圖形檢測通過SEM、OM檢測,若出現(xiàn)問題如;未對準(zhǔn)、掩膜旋轉(zhuǎn)、晶圓旋轉(zhuǎn)、X/Y方向錯位、臨界尺寸、表面不規(guī)...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上,為下一步進(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。光刻的成本約為整個硅片制造工藝的1/3,耗費(fèi)時間約占整個硅片工藝的40~60%。 光刻機(jī)是生產(chǎn)線上最貴的機(jī)臺,5~15百萬美元/臺。主要是貴在成像系統(tǒng)(由15~20個直 徑為200~300mm的透鏡組成)和定位系統(tǒng)(定位精度小于10nm)。其折舊速度非???,大約3~9萬人民幣/天,所以也稱之為印鈔機(jī)。光刻部分的主 要機(jī)臺包括兩部分:軌道機(jī)(Tracker),用于涂膠顯影;掃描曝光機(jī)(Scanning ) 光刻工藝的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻膠具有高的光學(xué)敏感性;準(zhǔn)確地對準(zhǔn);大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 光刻工藝過程 一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。 1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking) 方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~2500C,1~2分鐘,氮?dú)獗Wo(hù)) 目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機(jī)物、工藝殘余、可動離子);b、除去水蒸氣,是基底表面由親水性變?yōu)樵魉?,增?qiáng)表面的黏附性(對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。 2、涂底(Prim...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導(dǎo)體制造在很大程度上是一種與化學(xué)有關(guān)的工藝過程,高達(dá)20%工藝步驟是清洗和晶圓表面的處理:我們習(xí)慣將硅片制造中使用的化學(xué)材料稱為工藝用化學(xué)品,有不同種類的化學(xué)形態(tài)(液態(tài)和氣態(tài))并且要嚴(yán)格控制純度。這些工藝用化學(xué)品主要作用如下:用濕法化學(xué)溶液和超純水清洗硅片表面;用高能離子對硅片進(jìn)行摻雜得到P型或N型硅材料;淀積不同的金屬導(dǎo)體層及導(dǎo)體層之間必要的介質(zhì)層;生成薄的SiO2層作為MOS器件主要柵極介質(zhì)材料;用等離子體增強(qiáng)刻蝕或濕法試劑,有選擇的去除材料,并在薄膜上形成所需要的圖形;液態(tài)高純試劑,其等級根據(jù)純度分為UP-S、UP、EL三個等級,其中EL又劃分為:電子級1級(EL-Ⅰ)其金屬雜質(zhì)含量為100--1000 PPb,相當(dāng)SEMI C1 C2標(biāo)準(zhǔn);電子級2級(EL-Ⅱ)其金屬雜質(zhì)含量為10--100 PPb,,相當(dāng)SEMI C7標(biāo)準(zhǔn);電子級3級(EL-Ⅲ)其金屬雜質(zhì)含量為1--10 PPb,相當(dāng)SEMI C7標(biāo)準(zhǔn);電子級4級(EL-Ⅳ)其金屬雜質(zhì)含量為0.1--1PPb,相當(dāng)SEMI C8標(biāo)準(zhǔn);1.液態(tài)化學(xué)品   在半導(dǎo)體制造的濕法工藝步驟中使用了許多種液態(tài)化學(xué)品。在硅片加工廠減少使用化學(xué)品是長期的努力。許多液體化學(xué)品都是非常危險的,需要特殊處理和銷毀手段。另外,化學(xué)品的殘余不僅會沾污硅片,還會產(chǎn)生蒸氣通過空氣擴(kuò)散后沉淀在硅片表面。在硅片加工廠液態(tài)工...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備是半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中的重要熱工藝設(shè)備。氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程。擴(kuò)散是指在高溫條件下,利用熱擴(kuò)散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中,使其具有特定的濃度分布,從而改變硅材料的電學(xué)特性。退火是指加熱離子注入后的硅片,修復(fù)離子注入帶來的晶格缺陷的過程。用于氧化/擴(kuò)散/退火的基本設(shè)備有三種:臥式爐、立式爐和快速升溫爐(RTP)。根據(jù) 2018 年 Gartner 的數(shù)據(jù),氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備占晶圓制造(含先進(jìn)封裝)設(shè)備的 3%左右。氧化工藝氧化是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚诠杵砻姘l(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程。氧化膜的用途廣泛,主要有以下幾個方面:(1)保護(hù)器件免受劃傷和沾污;(2)表面鈍化層;(3)形成柵極氧化層或者作為存儲器單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料;(4)摻雜過程中的掩蔽層;(5)金屬導(dǎo)電層之間的介質(zhì)層等等。
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導(dǎo)體的工藝流程:主要包括四個方面,單晶硅片制造、IC芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試。這四大流程里,除了IC芯片設(shè)計對于半導(dǎo)體設(shè)備的需求很少,其他3個都需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備。 單晶硅片制造需要單晶爐等設(shè)備,IC晶圓制造需要光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、擴(kuò)散/離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、過程檢測等6大類設(shè)備。封裝測試需要封裝機(jī),封膜機(jī) ,測試機(jī)等設(shè)備。其中國內(nèi)濕法設(shè)備廠商主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售;目前已形成濕槽式清洗、單片刻蝕、干燥甩干系列、供液系統(tǒng)、電(化學(xué))鍍五大系列產(chǎn)品; 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料加工、集成電路、光伏產(chǎn)品、LED、MEMS以及分立器件等行業(yè)和領(lǐng)域。今天主要來介紹下華林科納RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備  一、設(shè)備概況設(shè)備名稱:RCA濕法腐蝕清洗機(jī)整機(jī)尺寸:具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定二、使用對象硅晶片2-12inch三、適用領(lǐng)域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等四、設(shè)備用途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備五、設(shè)備包括設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。六、主體構(gòu)造特點(diǎn)1、設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅固耐用,雙層防漏,機(jī)臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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一、激光器的發(fā)展 1916年愛因斯坦提出了一套全新的技術(shù)理論‘受激輻射’。這一理論說明在組成物質(zhì)的原子中,有不同數(shù)量的電子分布在不同的能級上,在高能級上的粒子受到某種光子的激發(fā),從高能級躍遷到低能級上,這時將會輻射出與激發(fā)它的光相同性質(zhì)的光,而且在某種狀態(tài)下,能出現(xiàn)一個弱光激發(fā)出一個強(qiáng)光的現(xiàn)象。這就叫做“受激輻射的光放大”,簡稱激光。  1960年7月7日,梅曼研制成功世界上第一臺激光器,梅曼的方案是,利用一個高強(qiáng)閃光燈管,來刺激在紅寶石色水晶里的鉻原子,從而產(chǎn)生一條相當(dāng)集中的纖細(xì)紅色光柱,當(dāng)它射向某一點(diǎn)時,可使其達(dá)到比太陽表面還高的溫度。  到目前為止,激光產(chǎn)業(yè)得到空前發(fā)展,制造出了各種各樣的激光產(chǎn)品,其中包括固體激光器、氣體激光器、液體激光器以及其他激光器。涉及到醫(yī)學(xué)治療、工業(yè)切割、測量、探測、激光武器、條形碼識別等多個領(lǐng)域,具有非常誘人的前景。 二、半導(dǎo)體激光器發(fā)展及應(yīng)用 半導(dǎo)體激光器的發(fā)展是從上世紀(jì)60年代開始的。當(dāng)時的半導(dǎo)體激光器主要是同質(zhì)結(jié)激光器,外形類似于晶體二極管,故常被稱為二極管激光器,但此種激光器在實(shí)際應(yīng)用中存在很多限制。第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器,首先是單異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器,但它因無法實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)工作而被淘汰,然后出現(xiàn)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器解決了這個問題。1978年出現(xiàn)了世界上第一個半導(dǎo)體量子阱激光器...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。         半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)。由于半導(dǎo)體制造與封測技術(shù)的復(fù)雜性,從晶圓裸片到芯片成品,中間需要經(jīng)過氧化、濺鍍、光刻、刻蝕、離子注入、以及封裝等上百道特殊的工藝步驟,半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步也帶動了上游專用材料與設(shè)備產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。就半導(dǎo)體材料而言,主要應(yīng)用領(lǐng)域集中在晶圓制造與芯片封裝環(huán)節(jié)(如圖): 半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),其中晶圓制造材料包括硅片、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、 CMP 拋光材料、以及靶材等,芯片封裝材料包括封裝基板、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等,同時類似濕電子化學(xué)品中又包含了酸、堿等各類試劑,細(xì)分子行業(yè)多達(dá)上百個。硅片硅片的生產(chǎn)過程非常復(fù)雜,從硅石到硅片需要經(jīng)過提純、熔鑄、拉棒、切割、拋光、清洗等多道工序。一般而言,硅片要經(jīng)過硅石的三步提純制備出純度為 99.9999999%的半導(dǎo)體級硅,再通過熔鑄、拉棒等工藝流程生產(chǎn)成適當(dāng)直徑的硅錠,最后被切割、拋光、清洗并通過質(zhì)檢環(huán)節(jié)后,...
發(fā)布時間: 2021 - 03 - 01
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1引言硅片上的有機(jī)﹑無機(jī)和顆粒狀雜質(zhì)通常是以化學(xué)或物理吸附的方式結(jié)合于硅片表面或包埋于硅片自身的氧化膜中。這些沾染物及顆粒狀雜質(zhì)會嚴(yán)重影響器件的性能﹑可靠性和成品率。實(shí)驗(yàn)表明,有超過50%的次品是由于清洗不當(dāng)造成的,從而使得超凈表面的制備工藝成了制作大規(guī)模和超大規(guī)模(VLSI)集成電路(IC)的關(guān)鍵技術(shù)。所謂超凈表面即要求硅片表面無顆粒狀雜質(zhì)和有機(jī)、金屬沾染物(保守地說,表面的金屬雜質(zhì)應(yīng)少于每平方厘米1010個原子;大于0.1mm的粒子應(yīng)少于每平方厘米0.1個),無自身氧化物,完全氫終端﹑表面的微觀粗糙度要小[1,2]。因此清洗時必須有效地去除表面有機(jī)與無機(jī)沾染物,而又不侵蝕和破壞硅片表面或?qū)е卤砻娲植诨?。目前世界各國在半?dǎo)體器件生產(chǎn)中普遍采用的是Kern于1970年發(fā)明的RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法[1]。自90年代初期,人們開始致力于新型清洗工藝和清洗劑的研究以取代RCA清洗技術(shù)。1996年W.A.Cady和M.Varadarajan[3]提出了采用四甲基氫氧化氨[N(CH3)4OH)]與羧酸鹽緩沖劑配置的堿性水溶液噴霧清洗法;1997年JoongS.Jeon和SriniRaghavan[4,5]提出了利用兆聲波激發(fā)臭氧水對硅片進(jìn)行清洗;1998年GeoffreyL.Bakker[6]等人提出了用水和水/CO2混合溶液在高溫、高壓下的清洗等等。1995年山東大學(xué)光電材料與器件研究所研制成...
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