ＴＺ一１０７自動探針測試臺主要技術(shù)指標(biāo)及功能：該機的主要技術(shù)指標(biāo)；可測片徑；７５、１００１２５ｍｍ。工作臺最大行程；ｘ向２６５ｒａｍ，Ｙ向２０５ｍｍ４工作臺速度：５０ｍｍ／Ｓ。定位精度：±０.Ｏ１３ｍｍ。重復(fù)精度：±０．００３ｍｍ。行進分辨率：０．Ｏｌｍｍ。ｚ向行程：Ｏ～Ｏ．８ｍｍ可誦。該機工作臺調(diào)整采用多功能集中控制手柄?？蓪崿F(xiàn)微動（１０ｍ／步）、連續(xù)點動’快動、步進等ｌ６種功能。通過鍵盤命令，可實現(xiàn)“掃描”、圖形／探邊方式選擇、自檢、公制／英制步距選擇、單圖測試、中停、ｚ向升降及微調(diào)。機器還具有同步／延時打點選擇，工作狀態(tài)顯示及聲光報警功能，以及品片平墼：墨：跟蹤。并可根據(jù)配接的測試儀不同進行狀態(tài)預(yù)置。測試完畢，承片臺自動高速“回零”到下料位置，便于裝卸晶片。 該系統(tǒng)由滾珠絲杠、電機座ｌ、底座２、溜板３、軸承座４和６、連板５以及軸承、直線滾動導(dǎo)軌、步進電機等組成。用以完成）０一Ｙ步進運動、掃描、裝卸片時快速進中心和回零。ｘ、Ｙ向均采用最高精度的Ｃ級滾球絲杠，較高精度的Ｄ級滾動直線導(dǎo)軌，和高速大力矩步進電機驅(qū)動系統(tǒng)。使精度和可重復(fù)性達到美［Ｅｌｅｃｔｒｏｇｌａｓ公司生產(chǎn)的ｌＯ３４ｘ一６型５自動探針臺的水平。由于選用了新型滾動功能部件，還使結(jié)構(gòu)簡單、工作穩(wěn)定、易于維護保養(yǎng)。 該系統(tǒng)由吸盤１、芯軸２、擺桿５、托板８、偏心套１０和步進電機等組成。...
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半自動刷片機1主機毛刷由微型電機帶動可做順逆時針方向轉(zhuǎn)動。同時,硅片架由毛刷架撥動作間隙轉(zhuǎn)動。由于這兩個運動的結(jié)合,使硅片的每一部位都能刷到。為避免劃傷表面,采用較軟的羊毛制刷。本機還采用杠桿式取片機構(gòu),裝片、取片時能自動抬起片架,從而避免了通常取片方式帶入的硅渣,確保了清洗質(zhì)量。 2控制器(見圖1)電路比較簡單,由周期為約15秒和30秒兩檔的多諧振蕩器和三級分頻器、一個譯碼器組成。涂電源外,全部電路由十只三極管和十三只二極管組成(詳見控制電路如圖4和5)。電機轉(zhuǎn)向由第一級分頻器控制。電機啟動前,全部計數(shù)器都置零,啟動后開始計數(shù),計到名時,譯碼器給出脈沖,關(guān)斷電機電源。主機結(jié)構(gòu)示意圖(圖2、3)及使用：工作前將待清洗的硅片置于硅片盤(5)上,清洗用水由進水咀(1)注入到毛刷和硅片上。于交通電源,啟動電機(9),毛刷(7)轉(zhuǎn)動并自動定時換向。就這樣邊沖水邊刷片達到清洗目的。和毛刷連在一起的撥桿(6)隨毛刷轉(zhuǎn)動而不時撥動硅片盤,使盤間隙轉(zhuǎn)動一個角度,以保證硅片每個部分都能均勻刷到。機器自動來回八次轉(zhuǎn)向后自動關(guān)斷電源，工作人員可打開機器上蓋，（10）壓動杠桿（2）使托片盤（4）翹起，自動抬起硅片，已使取片，清洗用水由出水詛（3）流出。 免責(zé)聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，不代表本公司觀點，如有侵權(quán)請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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PVD技術(shù)及設(shè)備玻璃表面鍍膜：?玻璃表面鍍膜是玻璃表面改性的常用方法，通過鍍膜可以改變玻璃的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、力學(xué)、化學(xué)性質(zhì)、膜層既可是功能性的，也可以是裝飾性的。?玻璃表面鍍膜方法化學(xué)還原、高溫分解、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、電浮等。氣相沉積方法：?PVD：物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition)主要是借助物理現(xiàn)象來進行薄膜沉積。?CVD:化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition)是以薄膜材料的蒸氣相經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)后，在玻璃表面形成固相薄膜。 1、 湯生放電區(qū)：離子撞擊陰極產(chǎn)生二次電子，參與與氣體分子碰撞，并使氣體分子繼續(xù)電離，產(chǎn)生新的離子和電子。這時，放電電流迅速增加，但電壓變化不大，這一放電階段稱為湯生放電。湯生放電后期稱為電暈放電。?電極間無電流通過，氣體原子多處于中性，只有少量的電離粒子在電場作用下定向運動，形成極微弱的電流。2和3、輝光放電區(qū)：湯生放電后，氣體會突然發(fā)生電擊穿現(xiàn)象。此時，氣體具備了相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電能力，稱這種具有一定導(dǎo)電能力的氣體為等離子體。電流大幅度增加，放電電壓卻有所下降。導(dǎo)電粒子大量增加，能量轉(zhuǎn)移也足夠大，放電氣體會發(fā)生明顯的輝光。電流不斷增大，輝光區(qū)擴大到整放電長度上，電壓有所回升，輝光的亮度不斷提高，叫異常輝光放電，可提供面積大、分布均勻的等離子體。氣體放電現(xiàn)象4、 ...
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GPP器件關(guān)鍵工藝設(shè)備制造技術(shù)研究１GPP二極管工藝制程圖ｌ為GPP二極管制造主要工藝流程示意圖，包括晶片來料濕法清洗、磷預(yù)擴散、硼擴散及磷再分布、一次光刻、Ｖ形溝槽刻蝕、ｓ口OS（SE．ｍｉ—111舳LATEDPOLYCRYSTALLINEOFSILICON）半絕緣多晶硅保護膜淀積、玻璃涂布、二次光刻、光阻去除、玻璃燒結(jié)、LTO（LOWTEMPERAN】ｒｅｏｘｉｄ撕ｏｎ）低溫氧化層淀積、三次光刻、接觸面刻蝕、鍍鎳、鎳燒結(jié)、鍍金、電性測試。 從以上流程可以看出，GPP二極管的制程主要為三層保護膜的制作，其中ＳＩＰＯＳ起到束縛電子的作用，燒結(jié)玻璃是對ＰＮ結(jié)的保護、Ｓｉ０：是防止鎳層與玻璃的附著；而這三層保護膜的完成都是基于同一位置——晶圓Ｖ形深溝槽中，由此可見溝槽的寬度、深度、形狀、均勻性等直接影響著玻璃覆層的附著及厚度，進而影響著GPP二極管的性能參數(shù)。以往多采用機械式劃槽技術(shù)，采用高速砂輪劃Ｖ型槽，由于易造成碎片，溝槽深度也有一定的限制，因此現(xiàn)在多采用半導(dǎo)體平面刻蝕槽工藝技術(shù)，即光刻掩膜后利用濕法腐蝕的原理刻蝕Ｖ形槽。Ｖ型槽腐蝕液配比通常為硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝５：５：２，腐蝕溫度為一１０℃～０℃，時間２０～２５ｒｎｊｎ（腐蝕時間隨槽深而確定），通常為100～120斗ｍ，關(guān)鍵是控制好腐蝕速率。２GPP器件關(guān)鍵工藝設(shè)備GPP二極管主要工藝流程為溝槽制作及保護膜的制作，因...
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鉻和釩的摻雜含鉻和釩的硬質(zhì)合金有很高的硬度及一定的韌性，其熱膨脹系數(shù)接近鋼。使用這些材料沉積擴散涂層可獲得非常好的結(jié)合力。工業(yè)CAD工藝在中溫下，在油淬的碳鋼制零部件上沉積硬質(zhì)涂層，某些情況下會產(chǎn)生不一致的結(jié)合力。通過含ｃｒ或Ｖ的擴散過渡層，工藝和結(jié)合力可得到很好的控制。圖１展示了結(jié)合力較差的涂層（見圖ｌａ）和通過Ｃｒ擴散涂層獲得的結(jié)合力較好的涂層（見圖１ｂ）。 這些復(fù)合涂層的實現(xiàn)需要額外的前驅(qū)物質(zhì)及設(shè)施用于沉積工藝。在上例中，需要額外的發(fā)生器來產(chǎn)生揮發(fā)性的含Ｃｒ化合物——Ｃ尤ｌ?？冢薄Ｔ诖税l(fā)生器中，不同的金屬（粒狀或碎屑狀）與氯氣或氯化氫進行反應(yīng)。而此發(fā)生器的使用不應(yīng)將最終的ｃｒ或Ｖ殘留物帶人到后序的涂層中（如氧化鋁）。使用帶內(nèi)部金屬氯化物發(fā)生器的同一CAD設(shè)備，可沉積帶摻雜的CAD涂層，通過加入一定量的一種或幾種合金（如鉻、釩、鎢或鉈）來改善ＴｉＮ，ＴｉＣ或Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）涂層性能。形成的涂層一般為（Ｔｉｌ０Ｑ“一。ｃｒ。Ｖ６ｗ。）Ｃ，Ｎ，Ｏ：，其中戈＋ｙ＋ｚ＝１，其機械性能（如硬度及韌性）與ＴｉＮ，ＴｉＣ和Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）類似，但由于合金元素的存在，其抗腐蝕性能也得到改善。３硼的添加從早期的研究ｐ１可知，在中溫Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）中添加硼可改變Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）典型的柱狀結(jié)構(gòu)，獲得相當(dāng)高的硬度。在實際應(yīng)用中，由于其較高的內(nèi)部應(yīng)力及脆性，這種涂層僅限于非常薄的涂層。因此，通過改變多...
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砷化鎵的制造工藝：1.主動層的形成：由于目前砷化稼器件市場定位以高性能特性取勝,因此器件皆以異質(zhì)接面方式成長為主,以求達到最佳的器件功能,目前器件以理及為市場主流,主要都是以磊晶成長方式完成。在磊晶方面,由于砷化稼器件特性取決于磊晶層的品質(zhì)的好壞,所以需要成長出品質(zhì)非常好的磊晶層,才能得到良好的器件特性。而要成長出良好的砷化稼磊晶品質(zhì),目前最普遍的是以或等方式成長,因為這些方式可以精準(zhǔn)的控制磊晶純度、厚度、摻雜濃度、元素成分,且有平整的薄膜表面,及良好的異質(zhì)接面特性,并且有效的降低缺陷集成度。而硅制造工藝目前主要以離子布植形成主動層,即使是有磊晶成長,皆是以為主,并無精確控制其接口成分的必要性。另外目前新興以硅鍺材料為主的制造工藝,其磊晶成長主要以技術(shù)為主,成長時需在工藝技術(shù)中使用選擇性成長方式以便與技術(shù)集成,因此并無像砷化稼磊晶一般有專業(yè)代工廠成長磊晶層。2.微影制造工藝：砷化稼制造工藝中有干式蝕刻和濕式蝕刻,其中濕式蝕刻應(yīng)用在一些砷化稼材料本身的蝕刻上,為制造工藝上極為關(guān)鍵的步驟。砷化稼濕式蝕刻基本上有非等方向的本質(zhì),其使用的蝕刻化學(xué)溶液和硅制造工藝不同,如硅是使用硝酸與氫氟酸的混合溶液來進行蝕刻,而砷化稼可以用磷酸、雙氧水與水的混合溶液蝕刻。比較特別的是,由于砷化稼為二元化合物,在不同面蝕刻后形狀會不一樣,隨著不同平面、不同方向、不同溶液侵蝕,蝕刻后的形狀可能為字型,亦可能為...
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晶體硅太陽電池制作流程太陽電池基本結(jié)構(gòu)：一個單一的晶體硅電池輸出電壓在0.5V左右，而其最大輸出功率則與太陽電池效率和表面積有關(guān)。如，一個接受光面積約為100cm2，效率為15%的太陽電池的最大輸出功率僅為1.5W左右。達到一般應(yīng)用要求，必須將許多太陽電池串聯(lián)及并聯(lián)在一起，形成所謂的模組（module）。并聯(lián)的目的是為了增加輸出功率，串聯(lián)的目的在于提高輸出電壓，進一步的串聯(lián)或并聯(lián)則可形成陣列安排（array）。 在一把的太陽電池應(yīng)用系統(tǒng)上，還包括蓄電池（storagebattery）、功率調(diào)節(jié)器（powerconditioner）和安裝固定結(jié)構(gòu)（mountingstructures）等周邊設(shè)施，統(tǒng)稱為平衡系統(tǒng)（balanceofsystem）。隨材料和制造技術(shù)不同，太陽電池的架構(gòu)會有不同變化，但最基本的結(jié)構(gòu)可分為基板、PN二極管、抗反射層、表面粗糙結(jié)構(gòu)化和金屬電極等五個主要部分。 為達到最佳的轉(zhuǎn)換效率，主要考慮的因素有：減低太陽光的表面反射；減低任何形式的載流子再結(jié)合(carrierrecombination)；金屬電極接觸最優(yōu)化。基板：在晶體硅太陽電池中，以單晶硅能達到的能量轉(zhuǎn)換效率最高。要達到最優(yōu)的能量轉(zhuǎn)換效率，所使用的基板的品質(zhì)最為關(guān)鍵，這里的品質(zhì)指基板應(yīng)具有很好的結(jié)晶完美性、最低的雜質(zhì)污染等。就品質(zhì)的完美性而言，所有的結(jié)晶硅中以FZ硅片（FloatZon...
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Al2O3-GaN外延片結(jié)構(gòu)：?超晶格(異質(zhì)結(jié))就是將兩種晶格常數(shù)不同的材料交替生長而成的多層薄膜結(jié)構(gòu)，超晶格材料是兩種不同組元以幾個納米到幾十個納米的薄層交替生長并保持嚴(yán)格周期性的多層膜，事實上就是特定形式的層狀精細(xì)復(fù)合材料。?由于GaN與襯底晶格失配為15．4％，因此要生長平坦而沒有裂紋的高質(zhì)量GaN外延層非常困難。Amano提出利用低溫生長AlN或GaN作為緩沖再與高溫(1000℃)生長GaN的二段生長法得到表面平坦如鏡，低剩余載流子濃度，高電子遷移率的高質(zhì)量GaN外延層。 外延片制造的基本流程： 襯底的制備：(a)、結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。(b)、接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強。(c)、化學(xué)穩(wěn)定性好，在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。(d)、熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小。(e)、導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)。(f)、光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。(g)、機械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等。(h)、大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。(i)、價格低廉。襯底材料的選用：Al2O3襯底目前用于氮化鎵生長的最普遍的襯底是Al2O3優(yōu)點：化學(xué)穩(wěn)定性好、不吸收可見光、價格適中、制造技術(shù)相對成熟；機械強度高，易于處理和清洗缺點：(1)晶格失配和熱應(yīng)力失配(...
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真空鍍膜腔室，包括腔室門和對基板進行真空鍍膜的至少一個真空制程腔，真空制程腔設(shè)于腔室門內(nèi)；大氣傳輸腔室，包括至少一個對鍍膜后的基板進行散熱的大氣腔；以及移動裝置，將基板移動至真空鍍膜腔室或者大氣傳輸腔室的輸入端；其中大氣傳輸腔室的數(shù)量少于真空鍍膜腔室的數(shù)量。每個大氣傳輸腔室對應(yīng)設(shè)有至少兩個真空鍍膜腔室。真空鍍膜腔室包括多個間隔設(shè)置的真空環(huán)境不同的真空制程腔和/或大氣傳輸腔室包括多個間隔設(shè)置的大氣環(huán)境不同的大氣腔。真空鍍膜腔室和/或大氣傳輸腔室包括腔室門和真空閥，腔室門設(shè)于真空鍍膜腔室和/或大氣傳輸腔室的端部，真空閥連通真空制程腔和/或大氣腔的內(nèi)部和真空泵。真空鍍膜腔室可切換為大氣傳輸腔室，和/或，大氣傳輸腔室可切換為真空鍍膜腔室。真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室內(nèi)均設(shè)有傳輸機構(gòu)，傳輸機構(gòu)包括設(shè)于腔室內(nèi)的磁性導(dǎo)軌以及傳送輥；移動裝置設(shè)于真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的同側(cè)端部；真空鍍膜腔室和大氣傳輸腔室的兩側(cè)端部分別設(shè)置有移動裝置；移動裝置的傳輸方向垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向；還包括基板架基板固定設(shè)于所述基板架上基板架與所述磁性導(dǎo)軌磁性連接；所述基板架上設(shè)有與所述傳送輥連接的傳動軸。移動裝置包括移動組件和與其連接的固定組件固定組件固定所述基板架移動組件驅(qū)動所述固定組件移動。固定組件包括機架和設(shè)于其上的固定輥固定輥上設(shè)有允許所述傳動軸卡入的凹槽；所述移動組件包括帶輪傳動件機架與所述帶輪傳動件的...
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石英二元衍射光學(xué)元件制作工藝1.石英二元光學(xué)元件的制作二元光學(xué)元件的設(shè)計遵循光的衍射理論。衍射效率的高低是評價元件的重要指標(biāo)。在表1中可見,理論上臺階級數(shù)越多衍射效率越高,但制作難度也加大,隨之的制作誤差也變大,它又將導(dǎo)致元件的衍射效率降低。根據(jù)我們現(xiàn)有的工藝手段和設(shè)備制作8個臺階的元件是比較合理的。 8個臺階的元件要經(jīng)過一次曝光,兩次套刻曝光,三次刻蝕才能完成,其整個過程如圖1所示。 1.1基片預(yù)處理預(yù)處理主要是用各種方法洗凈基片表面粘附的臟物,增加光刻膠與基片的粘附能力,避免脫膠現(xiàn)象發(fā)生。處理后基片表面要鍍一層厚度為100～200nm的鉻層。它既可以增強光刻膠的粘附能力,又可以作為對準(zhǔn)標(biāo)記,以便在套刻時有良好的觀察對比度。1.2甩膠及前烘處理好的基片要涂上一層光刻膠,用它來傳遞掩模版上的圖形,然后經(jīng)過反應(yīng)離子刻蝕(RIE)把圖形傳遞到基片上,這里膠的厚度W是一個主要參數(shù),它主要由刻蝕深度h和刻蝕選擇比C決定W=Ch實驗時決定膠厚的因素有甩膠機的轉(zhuǎn)速、甩膠時間、膠的類型以及稀釋程度等。對這些因素作適當(dāng)?shù)呐浜暇涂梢缘玫嚼硐氲哪z厚。甩好的基片要及時放到恒溫箱中烘烤。1.3曝光及處理工藝衍射元件設(shè)計好后可以由計算機處理成圖形數(shù)據(jù)。量化級數(shù)L與曝光次數(shù)N的關(guān)系為L=2N例如,制作8個相臺階的菲涅爾透鏡就要曝光3次,對應(yīng)3組圖形數(shù)據(jù)。如果用激光直寫制作DOE,就可由計算...
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