1.1寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。這類(lèi)材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。第二代半導(dǎo)體GaAs與Si相比除了禁帶寬度增大外，其電子遷移率與電子飽和速度分別是Si的6倍和2倍，因此其器件更適合高頻工作。GaAs場(chǎng)效應(yīng)管器件還具有噪聲低、效率高和線性度好的特點(diǎn)但相比第三代半導(dǎo)體GaN和SiC，它的熱導(dǎo)率和擊穿電場(chǎng)都不高，因此它的功率特性方面的表現(xiàn)不足。為了滿(mǎn)足無(wú)線通信、雷達(dá)等應(yīng)用對(duì)高頻率、寬禁帶、高效率、大功率器件的需要從二十世紀(jì)九十年代初開(kāi)始，化合物半導(dǎo)體電子器件的研究重心開(kāi)始轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體。我們一般把禁帶寬度大于2eV的半導(dǎo)體稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)，在高溫、高頻、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。1.2主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料近年來(lái)，發(fā)展較好的寬禁帶半導(dǎo)體材料主要是SiC和GaN，其中SiC的發(fā)展更早一些，碳化硅、氮化鎵、硅以及砷化鎵的一些參數(shù)如下圖所示：如上圖所示，SiC和GaN的禁帶寬度遠(yuǎn)大于Si和GaAs，相應(yīng)的本征載流子濃度小于硅和砷化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體的最高工作溫度要...
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濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種，是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用，是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源顯著的侵蝕，這層掩蔽膜用來(lái)在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開(kāi)始，濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開(kāi)始被干法刻蝕所取代，但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比，濕法刻蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比，對(duì)器件不會(huì)帶來(lái)等離子體損傷，并且設(shè)備簡(jiǎn)單。1 濕法刻蝕及其應(yīng)用1.1濕法刻蝕濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，是利用合適的化學(xué)試劑先將未被光刻膠覆蓋的晶片部分分解，然后轉(zhuǎn)成可溶的化合物達(dá)到去除的目的。濕法刻蝕是刻蝕的一種方法,其他的有干刻蝕，等離子刻蝕等。濕法刻蝕這種刻蝕技術(shù)主要是借助腐蝕液和晶片材料的化學(xué)反應(yīng)，因此我們可以借助化學(xué)試劑的選取、配比以及溫度的控制等來(lái)達(dá)到合適的刻蝕速率和良好的刻蝕選擇比。1.2 濕法刻蝕的過(guò)程（1）反應(yīng)物擴(kuò)散到欲被刻蝕材料的表面；（2）反應(yīng)物與被刻蝕材料反應(yīng)；（3）反應(yīng)后的產(chǎn)物離開(kāi)刻蝕表面擴(kuò)散到溶液中，隨溶液被排出。在上述三步反應(yīng)中，進(jìn)行速度最慢的就是控制刻蝕速率的步驟，也就是說(shuō)，該步驟的進(jìn)行速率就是反應(yīng)速率...
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背景技術(shù)濾光片可以用來(lái)選取所需要輻射的波段，從而廣泛應(yīng)用于相機(jī)等光學(xué)儀器。濾光片在組裝時(shí)，需要使用UV膠將濾光片粘在鏡座上。操作時(shí)，先在濾光片表面點(diǎn)膠，膠水固化后即可將濾光片固定至鏡座。然而，由于膠水在鏡片的表面擴(kuò)散較快，膠水在固化前會(huì)溢出到濾光片的有效區(qū)域，從而影響成像質(zhì)量?；诖?，有必要提供一種可防止濾光片溢膠的濾光片表面處理方法。一種濾光片表面處理方法，包括以下步驟：將濾光片放入含有增稠劑和無(wú)機(jī)鹽的清洗液中浸泡；使用甩干機(jī)甩干所述濾光片，其中，所述增稠劑選自O(shè)ES液體增稠劑、瓜膠、阿拉伯膠及聚丙烯酸鈉中的至少一種，所述無(wú)機(jī)鹽選自氯化鈉、氯化鉀、氯化鎂及氯化鈣中的至少一種。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液中所述增稠劑的質(zhì)量濃度為30mg/L~500mg/L,所述無(wú)機(jī)鹽的質(zhì)量濃度為10mg/L~100mg/L。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液中還含有表面活性劑。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液中還含有陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陰離子表面活性劑為烷基磺酸鈉或脂肪醇硫硫酸納。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗液由含有增稠劑和無(wú)機(jī)鹽的洗潔精與水混合形成，其中，所述水與所述洗潔精的體積比為1000:1.5~1000:1。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速為35轉(zhuǎn)/秒~50轉(zhuǎn)/秒。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述濾光片表面處理方法還包括步驟：在將濾光片放入有增稠劑和無(wú)機(jī)鹽的...
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隨著集成電路器件的納米化、高密度化、高集成度及多層金屬互連的進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)實(shí)際制造的多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜性，使得半導(dǎo)體器件對(duì)顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來(lái)越敏感。據(jù)2019年1月28日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電南科14廠發(fā)生一起不合格原料污染事故，預(yù)估損失上萬(wàn)片晶圓，受到影響的主要是16/12nm工藝。NVIDIA的GPU芯片、海思、聯(lián)發(fā)科的手機(jī)芯片以及一些ARM服務(wù)器處理器都使用了這一工藝，這也是臺(tái)積電的主要營(yíng)收來(lái)源之一。臺(tái)積電發(fā)生的污染源已被確認(rèn)，分別為前段刻蝕的鐵離子污染和光刻膠原材料污染。前段晶體管受到污染可能會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)生不正常的漏電，進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率、電學(xué)性能和可靠性。2019年2月15日，臺(tái)積電坦承，受到南科14廠污染事件影響，本季營(yíng)收將減少約5.5億美元。受到影響的客戶(hù)包括輝達(dá)、聯(lián)發(fā)科、海思和賽靈思等重量級(jí)客戶(hù)，其中輝達(dá)的投片量超過(guò)上萬(wàn)片?？紤]到此次事故涉及的是相對(duì)先進(jìn)的16/12nm工藝，加上受到影響的股價(jià)大跌，臺(tái)積電的實(shí)際損失有可能超過(guò)了40億美元。如果再算上事故造成的停機(jī)以及產(chǎn)能和交付上的損失，則后果將更加慘重。 這一事件非常強(qiáng)烈地傳遞了這樣一個(gè)信號(hào)，隨著集成電路特征尺寸越來(lái)越小，半導(dǎo)體器件對(duì)生產(chǎn)工藝過(guò)程中的顆粒、有機(jī)殘留物、雜質(zhì)等污染物及濕法清洗的去除能力、缺陷控制、關(guān)鍵尺寸調(diào)控等的...
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紅外截止濾光片是一種允許可見(jiàn)光（400nm-700nm)透過(guò)，而截止或反射近紅外光(700nm-1100nm)的光學(xué)濾光片，廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)攝像頭、電腦攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域，在攝像鏡頭和CCD/CMOS圖像傳感器之間加上紅外截止濾光片，能濾去通過(guò)攝相鏡頭的高頻段光波，只讓一定范圍內(nèi)的低頻光波通過(guò)，從而有效地濾除紅外光波，消除其對(duì)CCD/CMOS成像的干擾，提高成像的分辨率和色彩還原性，使圖像清晰且穩(wěn)定。傳統(tǒng)的紅外截止濾光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的紅外截止膜，利用多層膜的干涉實(shí)現(xiàn)截止紅外光、透過(guò)可見(jiàn)光的功能。但這種紅外截止膜只考慮到可見(jiàn)光在垂直入射時(shí)的透過(guò)效果，而忽視了大角度入射時(shí)的透過(guò)率，并且在大角度入射時(shí)傳統(tǒng)紅外截止膜的波長(zhǎng)偏移會(huì)導(dǎo)致紅光部分的嚴(yán)重?fù)p失，成像質(zhì)量嚴(yán)重下降。另一種是藍(lán)玻璃紅外截止濾光片，通過(guò)在藍(lán)玻璃表面鍍制紅外截止膜來(lái)達(dá)到截止紅外波的效果。這種藍(lán)玻璃紅外截止濾光片雖然解決了斜角度入射時(shí)光譜偏移的問(wèn)題，但它從紅光處便開(kāi)始吸收光波一直延伸到紅外光，造成部分可見(jiàn)的紅光被過(guò)濾，紅光的損失會(huì)造成色彩還原性的降低，從而影響相機(jī)的成像質(zhì)量。而且藍(lán)玻璃本身原材料成本高，目前還不利于在低端產(chǎn)品上大量普及。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服上述問(wèn)題，而提供一種色彩還原度高、成像效果好、成本低廉的紅外截止濾光片。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是...
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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱(chēng)正性光刻膠，后者稱(chēng)負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。兩種工藝常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。①光復(fù)印工藝：經(jīng)曝光系統(tǒng)將預(yù)制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預(yù)涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。②刻蝕工藝：利用化學(xué)或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復(fù)進(jìn)行?；静襟E1.氣相成底模2.旋轉(zhuǎn)烘膠3.軟烘4.對(duì)準(zhǔn)和曝光5.曝光后烘焙（PEB）6.顯影7.堅(jiān)膜烘焙8.顯影檢查準(zhǔn)分子光刻技術(shù)準(zhǔn)分子光刻技...
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典型光電行業(yè)用超純水設(shè)備工藝光電行業(yè)用超純水設(shè)備采用PLC+觸摸屏控制，全套系統(tǒng)自動(dòng)化程度高，系統(tǒng)穩(wěn)定性高。大大節(jié)省人力成本和維護(hù)成本，水利用率高，運(yùn)行可靠，經(jīng)濟(jì)合理。使設(shè)備與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比較，具有更高的性?xún)r(jià)比和設(shè)備可靠性。典型光電行業(yè)用超純水設(shè)備工藝 1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)?！ ?、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥18MΩ.CM)(最新工藝)。 3、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級(jí)反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥17MΩ.CM)(最新工藝)。 4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥15MΩ.CM)(最新工藝)?！ ?、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過(guò)濾器→用水對(duì)象(≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。 光電行業(yè)用超純水對(duì)水質(zhì)的要求新興的光電材料生產(chǎn)、加工、清洗：LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏、高品質(zhì)燈管顯像管、微...
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（一）什么是薄膜面板薄膜面板是在PET、PC、PVC等彈性聚酯薄膜材料上，運(yùn)用絲印技術(shù)把圖形、文字、標(biāo)識(shí)集于一體并配以不同材質(zhì)的雙面膠制作而成的具有一定功能字用于家用電器、通訊設(shè)備、儀器儀表、工業(yè)控制等領(lǐng)域。在業(yè)界，我們把薄膜面板通稱(chēng)為薄膜開(kāi)關(guān)面板，在不同的行業(yè)中，薄膜開(kāi)關(guān)面板有不同的叫法，比較常見(jiàn)的有以下幾種：1）薄膜開(kāi)關(guān)2）薄膜輕觸鍵盤(pán)3）盤(pán)膜4）面膜5）塑貼6）按鍵開(kāi)關(guān)7）面貼8）觸摸開(kāi)關(guān)等。薄膜面板的印刷工藝要分為正面和反面印刷，分別應(yīng)用于不同材質(zhì)和類(lèi)型的薄膜面板上。大致可以分為平面類(lèi)和壓鼓類(lèi)。平面類(lèi)薄膜面板是最簡(jiǎn)單的面板類(lèi)型，主要是用不同顏色的文字、線條、色塊對(duì)各個(gè)功能部位加以指示或加以區(qū)分，用戶(hù)可以根據(jù)自身的需要來(lái)選擇不同的薄膜材料及雙面膠。壓鼓類(lèi)薄膜面板是在平面型薄膜面板的基礎(chǔ)上新開(kāi)發(fā)出的一種較為美觀而且實(shí)用的面板。它的制作流程是，是在普通面板的基礎(chǔ)上，通過(guò)一種壓制模具，將面板經(jīng)過(guò)熱壓后使按鍵部位微微凸起形成立體按鍵。這種立體鍵不僅能準(zhǔn)確地給定鍵體的范圍，提高辨認(rèn)速度，使操作者的觸覺(jué)比較敏感，同時(shí)還增進(jìn)了產(chǎn)品外觀的裝飾效果。(二）制作薄膜面板的要求面板薄膜是將彩色油墨絲印至透明高分子聚合物背面，一旦絲印完成并切割成形，此層就成為彩色面膜層。面膜層為薄膜開(kāi)關(guān)的組成部分，它能清楚地顯示開(kāi)關(guān)的功能、顯示顏色、面膜類(lèi)型以及開(kāi)關(guān)的操作位置，它還能起保護(hù)作用。作為薄膜開(kāi)關(guān)的面板，...
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薄膜面板各部分組成材質(zhì)什么叫薄膜面板通稱(chēng)的PVC面板薄膜面板名稱(chēng)常見(jiàn)薄膜開(kāi)關(guān)面板各部分組成材質(zhì)一、面板層二、墊膠層三、控制電路上層和下層四、夾膠層五、背面膠層什么叫薄膜面板通稱(chēng)的PVC面板薄膜面板名稱(chēng)常見(jiàn)薄膜開(kāi)關(guān)面板各部分組成材質(zhì)一、面板層二、墊膠層三、控制電路上層和下層四、夾膠層五、背面膠層薄膜面板是在PVC、PC、PET等軟性塑膠材料絲印上既定的圖形、文字說(shuō)明等并配以不同材質(zhì)的雙面膠制作而成的用于起標(biāo)識(shí)或保護(hù)作用的塑膠制品。薄膜面板采用不同的材料，決定了它的價(jià)格與性能，采用絲印工藝制作出來(lái)的薄膜面板，最大的特點(diǎn)在于：1，字清晰直觀的圖形和文字，并能適應(yīng)不同的平面和彎曲平面。2，不同材料的選擇，可使PVC、PC、PET等材料。3，薄膜面板具有：防水、防變形、防污染、防高溫、粘性極強(qiáng)等特點(diǎn)。一、面板層面板層一般在低于0.25MM的PET、PC等無(wú)色透光片材絲印上精美圖案和文字制作而成，因面板層最主要的作用在于起標(biāo)識(shí)和按鍵作用，所以選用材料必須具有高透明度、高油墨附著力、高彈性、防折性等特點(diǎn)。二、墊膠層墊膠層最主要的作用是將面板層與電路層緊密相連，以達(dá)到密封和連接的效果，此層一般要求厚度在0.02---0.05MM之間，具有高強(qiáng)的粘性和防老化性；在生產(chǎn)中，一般選用專(zhuān)用的薄膜開(kāi)關(guān)雙面膠，有些薄膜開(kāi)關(guān)要求能防水防高溫，因此墊膠層也必須根據(jù)需要而使用不同性質(zhì)的材料。三、控制電路上層和下層此...
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半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過(guò)程主要包括晶圓制造（前道，F(xiàn)ront-End）和封裝（后道，Back-End）測(cè)試，隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的滲透，出現(xiàn)介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié)，稱(chēng)為中道（Middle-End）。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多，所以在制造過(guò)程中需要大量的半導(dǎo)體設(shè)備和材料。一、晶圓制造在這里，我們以最為復(fù)雜的晶圓制造（前道）和傳統(tǒng)封裝（后道）工藝為例，說(shuō)明制造過(guò)程的所需要的設(shè)備和材料。晶圓生產(chǎn)線可以分成7個(gè)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)域：擴(kuò)散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長(zhǎng)（Dielectric Deposition）、拋光（CMP）、金屬化（Metalization）。這7個(gè)主要的生產(chǎn)區(qū)和相關(guān)步驟以及測(cè)量等都是晶圓潔凈廠房進(jìn)行的。在這幾個(gè)生產(chǎn)區(qū)都放置有若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿(mǎn)足不同的需要。例如在光刻區(qū)，除了光刻機(jī)之外，還會(huì)有配套的涂膠/顯影和測(cè)量設(shè)備。二、封裝傳統(tǒng)封裝（后道）測(cè)試工藝可以大致分為背面減薄、晶圓切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋/成型和終測(cè)等8個(gè)主要步驟。與IC晶圓制造（前道）相比，后道封裝相對(duì)簡(jiǎn)單，技術(shù)難度較低，對(duì)工藝環(huán)境、設(shè)備和材料的要求遠(yuǎn)低于晶圓制造。三、半導(dǎo)體工藝解析半導(dǎo)體制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段，也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。自從1948年晶體管發(fā)明以來(lái)，半導(dǎo)體器件工...
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