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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
發(fā)布時間: 2019 - 06 - 11
實(shí)驗(yàn)室自動配液機(jī)(灌裝機(jī))CSE-LIQOUR-II  隨著濕化學(xué)設(shè)備在LED、太陽能、MEMS、功率器件、分立器件、先進(jìn)封裝和半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域自動化程度的不斷提高,傳統(tǒng)的人工手動配液、補(bǔ)液逐漸由自動配液取代。  然而,在濕制程工藝實(shí)驗(yàn)以及生物配藥實(shí)驗(yàn)等實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的過程中,大多數(shù)還保持著采用量筒量杯逐一調(diào)配制程藥液的方法。采用人為手工配置藥液不僅精度得不到保證,而且化學(xué)品大多有腐蝕性、毒性等特點(diǎn)(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氫氧化鉀KOH等堿性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有機(jī)液),在配比過程中對操作人員具有一定的危險(xiǎn)性?! 榻鉀Q實(shí)驗(yàn)室手動配液的弊端,華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司開發(fā)研制了新型實(shí)驗(yàn)室自動配液機(jī)(灌裝機(jī))CSE-LIQOUR-II。此配液機(jī)專為化學(xué)生物制藥工藝實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì),是用來滿足藥液自動配比的設(shè)備,通過稱重、流量計(jì)準(zhǔn)確計(jì)量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送,配液精確度能夠達(dá)到2‰。  該設(shè)備操作自動化,質(zhì)量好,能預(yù)防藥液污染。適用于半導(dǎo)體清洗和藥廠配制普通液體藥劑等用途,具有以下優(yōu)點(diǎn):  1)操作安全:系統(tǒng)應(yīng)具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能,保證操作者安全;  2)兼容性:與化學(xué)品接觸部分完全與輸送化學(xué)品兼容,對化學(xué)品零污染;  3)自動控制操作運(yùn)轉(zhuǎn):系統(tǒng)單元與機(jī)臺界面自動化;  4)精確配比:系統(tǒng)連續(xù)供液(配液、補(bǔ)液)過程中準(zhǔn)確可靠,脈動性較好;  5)泄漏警報(bào):檢測泄漏及緊急關(guān)閉系統(tǒng)(E-MO);  6)其他:系統(tǒng)自診斷及管路維修保養(yǎng)功能?! ∽鳛闈裰瞥淘O(shè)備專業(yè)制造商,華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司對實(shí)驗(yàn)室自動配液機(jī)(灌裝機(jī))CSE-LIQOUR-II的成功研發(fā),為濕制程工藝實(shí)驗(yàn)室或生物配藥實(shí)驗(yàn)室的精確配比,提升實(shí)驗(yàn)人員的實(shí)驗(yàn)...
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 02
太陽能單晶制絨清洗機(jī)設(shè)備-CSE華林科納(江蘇)CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過程控制。  在太陽能電池生產(chǎn)中,制絨是晶硅電池的第一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說,制絨的目的就是延長光在電池表面的傳播路徑,從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿(NaOH、KOH)對硅片表面進(jìn)行腐蝕。由于硅片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,各向異性的堿液制絨主要是使晶向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的絨面,有效地增強(qiáng)硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射率,又有利于太陽能電池的后續(xù)制作工藝的絨面,應(yīng)該是金字塔大小均勻,單體尺寸在 2~10 μm之間,相鄰金字塔之間沒有空隙,即覆蓋率達(dá)到100%。理想質(zhì)量絨面的形成,受到了諸多因素的影響,如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時間等。而在工業(yè)生產(chǎn)中,對這一工藝過程的影響因素更加復(fù)雜,例如加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn)良好的可重復(fù)性,并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較透徹地了解金字塔絨面的形成機(jī)理,控制對制絨過程中影響較大的因素,在較短的時間內(nèi)形成質(zhì)量較好的金字塔絨面。      單晶制絨的工藝比較復(fù)雜,不同公司有各自獨(dú)特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法:...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 02
全自動硅料清洗機(jī) ---華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過程控制。特點(diǎn):1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設(shè)備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu),便于清洗和排渣;  6)設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果;7)頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能光伏清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 10
全自動硅芯硅棒清洗機(jī)---CSE華林科納(江蘇)CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過程控制。產(chǎn)品描述1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設(shè)備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu),便于清洗和排渣;  6)設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果;7)頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能光伏清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 29
全自動制絨清洗機(jī)設(shè)備--CSE華林科納(江蘇)CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過程控制。產(chǎn)品描述1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設(shè)備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu),便于清洗和排渣;  6)設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果;7)頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能單晶多晶硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 09
硅片濕法清洗技術(shù)與設(shè)備---華林科納CSE硅片制造過程中,在進(jìn)行下一步工藝前要獲得 一個潔凈的表面,以保證后道工藝能再一個完全潔 凈的表面上進(jìn)行,這就需要對硅片進(jìn)行清洗。清洗是硅片制造過程中重復(fù)次數(shù)最多的工藝。目前,在 清洗工藝中使用最多的就是濕法清洗技術(shù),華林科納半導(dǎo)體設(shè)備公司的硅片濕法腐蝕清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)得到了很多客戶的認(rèn)可.1 硅片濕法清洗的種類1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面顆粒的一種直接而有效的方法,該清洗技術(shù)一般用在切割或拋光后的硅片清洗上,可高效地清除拋光后產(chǎn)生的大量顆粒。刷洗一般有單面或雙面兩種模式,雙面模式可同時清洗硅片的兩面。刷洗有時也與超聲及去離子水或化學(xué)液一起配合使用,以達(dá)到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化學(xué)清洗1.2.1 RCA 清洗20 世紀(jì) 60 年代,由美國無線電公司(RCA)研發(fā)了用于硅片清洗的 RCA 清洗技術(shù),這種技術(shù)成為后來各種化學(xué)清洗技術(shù)的基礎(chǔ),現(xiàn)在大多數(shù)工廠所使用的清洗技術(shù)都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的順序依次浸入兩種標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SC-1 和 SC-2)中來完成,這兩種清洗液的使用溫度一般在 80 ℃以內(nèi),有時也需要將溶液冷卻到室溫以下。1.2.2 改進(jìn)的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高溫下進(jìn)行,并且化學(xué)液的濃度很高,這樣就造成大量消耗化學(xué)液和去離子水的問題。目前,很少有人還按照最初的 RCA化學(xué)液配比進(jìn)行濕法清洗。在 RCA 清洗的基礎(chǔ)上,采用稀釋化學(xué)法,將SC-1、SC-2 稀釋到 100 倍以上,也可以達(dá)到甚至超過最初的 RCA 清洗效果。改進(jìn)的 RCA 清洗方法最大的好處是減少了化學(xué)液的消耗,可使化學(xué)液的消耗量減少 85﹪以上。另外,附加兆聲或超聲能量后,可大大降低溶液的使用溫度和反應(yīng)時間,提高溶液的使用壽命,大幅度降低了生產(chǎn)成本,同時,低濃度化學(xué)液對人體健康和安全方面...
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一、用料銅編織線1050mm1根,950mm1根;銅接線端子200A2個;助焊劑,焊條;二、工具專用焊錫鍋1只;專用鉗子1把;專用卡具1對;螺絲刀,錐子,銼刀等三、制作方法將銅編織線一端夾在專用卡具里,盡量讓銅編織線與夾具持平,或稍高出夾具一些。然后將螺絲穿過卡具蓋板,再穿過銅編織線,擰緊螺絲,讓銅編織線在夾具里厚度一致。另一端用銅接線端子將銅編織線包住,然后用專用鉗子將接線端子夾緊,將銅編織線固定在銅端子里后用手錘將銅端子砸平即可。四、焊錫加溫將焊錫條放入焊錫鍋,通電加熱,當(dāng)焊錫條溶化后,再加熱20-30分鐘,表面起氧化反應(yīng)即可。用一鐵片將表面的氧化層刮掉,這時將銅編織線兩端分別浸泡在助焊劑中2-3秒,取出后垂直放入錫鍋內(nèi),放入深度與專用夾具平行即可。另一端與接線端子全部進(jìn)入錫鍋中為止,放置2-4秒后即可。五、電極頭制作待銅編織線冷卻后,將多余的焊錫及銅線去掉,將專用夾具去掉后將這部分進(jìn)行加工處理,如圖所示:料厚=4mm 六、 將制作好的電極套上18的臘管,用絕緣膠布將兩端的臘管頭部與端子根部包住,另一端與加工部位的根部包住,即完成。免責(zé)聲明:文章來源于網(wǎng)絡(luò),不代表本公司觀點(diǎn),如有侵權(quán)請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 12
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藍(lán)寶石晶體結(jié)構(gòu)圖: 藍(lán)寶石切面圖晶體結(jié)構(gòu)上視圖藍(lán)寶石(Al2O3)特性: 藍(lán)寶石晶體生長過程: 藍(lán)寶石基片的原材料是晶棒,晶棒由藍(lán)寶石晶體加工而成。晶體生長方法: 晶體生長方法: 泡生法示意圖  水平傳動法示意圖 提拉法示意圖 熱交換法示意圖 熔焰法示意圖 導(dǎo)模法示意圖  導(dǎo)向溫梯法示意圖 微提拉旋轉(zhuǎn)泡生法示意圖1-冷凝水桿;2-加熱器;3-籽晶夾;4-熱交換器頂部;5-坩鍋;6-晶體;7-固/液界面;8-熔體;9-支撐桿;10-熱屏蔽系統(tǒng)藍(lán)寶石晶棒加工制作工藝流程: 藍(lán)寶石晶片加工制作工藝流程: 藍(lán)寶石晶棒加工制作工藝流程圖片: 免責(zé)聲明:文章來源于網(wǎng)絡(luò),不代表本公司觀點(diǎn),如有侵權(quán)請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
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晶圓劃片機(jī) 晶圓劃片機(jī),包括機(jī)體、導(dǎo)軌、支撐座、晶圓片、滑軌、主軸、劃刀,導(dǎo)軌安裝在機(jī)體內(nèi),支撐座安裝在導(dǎo)軌上,晶圓片安裝在支撐座上,滑軌安裝在機(jī)體的內(nèi)部,主軸安裝在滑軌的底部,劃刀安裝在主軸的端部,所述支撐座上安裝有磁環(huán),所述支撐座內(nèi)安裝有位于磁環(huán)內(nèi)圈處的卡套,所述卡套的內(nèi)部填充有膠板,所述膠板的頂部與晶圓片的底部粘接,所述主軸的外圈處固定連接有磁桿,所述磁桿的端部固定連接有第一磁圈。支撐座的頂部安裝有支撐桿,支撐桿的外部滑動套裝有滑動套,滑動套的外側(cè)螺紋連接有螺栓,螺栓的端部貫穿并延伸至滑動套的內(nèi)部,滑動套的側(cè)面固定連接有支撐塊,支撐塊的端部固定連接有定位環(huán)。定位環(huán)的內(nèi)部填充有粘接環(huán),定位環(huán)的直徑大于晶圓片的直徑,粘接環(huán)與晶圓片為軸向滑動連接。第一磁圈的外圈處固定連接有磁棒,所述磁棒的端部固定連接有第二磁圈,所述磁桿、第一磁圈、磁棒、第二磁圈的磁極均為相同磁極,所述磁桿、第一磁圈、磁棒、第二磁圈與磁環(huán)為同極相斥狀態(tài)。膠板的材質(zhì)為工業(yè)級橡皮泥材質(zhì),所述粘接環(huán)的材質(zhì)為粘性橡膠圈,所述粘接環(huán)上開設(shè)有若干個通孔,所述粘接環(huán)上通孔的形狀與晶圓片的形狀相適配。1、該晶圓劃片機(jī),通過卡套與膠板之間的配合使用,使得晶圓在切割過程中,底部受到重力與磁力相斥的力度直接陷進(jìn)膠板的內(nèi)部,通過膠板的柔性設(shè)計(jì),使得晶圓在切割時,底部直接被膠板包裹,同時通過膠板將晶圓固定在支撐座上,無需另外采用固...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 09
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化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及其操作方法 圖1 圖2A  圖2B 圖3  圖4  圖5A 圖5B 圖6圖1是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備的示意圖。圖2A是根據(jù)一些實(shí)施例的圖1中的CMP設(shè)備的墊調(diào)節(jié)器的示意仰視圖。圖2B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖1中的CMP設(shè)備的墊調(diào)節(jié)器的示意橫截面圖。圖3是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備的示意圖。圖4是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備的示意圖。圖5A及5B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖4中的CMP設(shè)備的墊調(diào)節(jié)器的示意仰視圖。圖6是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的操作CMP設(shè)備的方法的示意流程圖。圖1是繪示根據(jù)一些實(shí)施例的CMP設(shè)備100的示意圖。如圖1中所展示,CMP設(shè)備100包含壓板102、晶片載體104及墊調(diào)節(jié)器110。拋光墊105安置于壓板102上且包含面向晶片載體104及墊調(diào)節(jié)器110的拋光表面105A。在一些實(shí)施例中,壓板102可由基座101支撐且可使拋光墊105圍繞第一軸線103旋轉(zhuǎn)。晶片載體104包含軸件106及耦合到軸件106的平板107。軸件106經(jīng)配置以圍繞第二軸線113旋轉(zhuǎn)。平板107經(jīng)配置以固持工件108,例如半導(dǎo)體晶片。在一些實(shí)施例中,晶片載體104經(jīng)配置以向上或向下移動晶片108,使得晶片108可與拋光表面105A接合。在一些實(shí)施例中,平板107可通過...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 09
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晶圓減薄機(jī)的研發(fā)及應(yīng)用 1硅片自旋轉(zhuǎn)磨削法的特點(diǎn):(1) 可實(shí)現(xiàn)延性域磨削。在加工脆性材料時,當(dāng)磨削深度小于某一臨界值時,可以實(shí)現(xiàn)延性域磨削。通過大量試驗(yàn)表明,Si材料的脆性一塑性轉(zhuǎn)換臨界值約為0.06m。進(jìn)給速度廠控制在10m/min,承片臺轉(zhuǎn)速取200r/min,則每轉(zhuǎn)切割深度可達(dá)到0.05m。對于自旋轉(zhuǎn)磨削,由公式(1)可知,對給定的軸向進(jìn)給速度,如果工作臺的轉(zhuǎn)速足夠高,就可以實(shí)現(xiàn)極微小磨削深度。(2)可實(shí)現(xiàn)高效磨削。由公式(1)可知,通過同時提高硅片轉(zhuǎn)速和砂輪軸向進(jìn)給速度,可以在保持與普通磨削同樣的磨削深度情況下,達(dá)到較高的材料去除率,適用于大余量磨削。(3)砂輪與硅片的接觸長度、接觸面積、切入角不變,磨削力恒定,加工狀態(tài)穩(wěn)定,可以避免硅片出現(xiàn)中凸和塌邊現(xiàn)象。由r上述優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在直徑200mm以上的大尺寸硅片背面磨削(backgrinding)大都采用基于硅片白旋轉(zhuǎn)磨削原理的超精密磨削技術(shù)。2硅片背面磨削的工藝過程:硅片背面磨削一般分為兩步:粗磨和精磨。在粗磨階段,采用粒度46#~500#的金剛石砂輪,軸向進(jìn)給速度為100~500mm/min,磨削深度較大,般為0.5~l1TII'fl。目的是迅速去除硅片背面絕大部分的多余材料(加工余量的90%)。精磨時,加工余量幾微米直至十幾微米,采用粒度2000?!矗埃埃埃5慕饎偸拜?,軸向進(jìn)給速度為0.5~10mm...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 12
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硅拋光片全自動濕法清洗設(shè)備的研制硅拋光片濕法清洗原理1.1APM(SC-1):NH4OH/H202/HzOSC-1是堿性溶液,能去除顆粒和部分金屬雜質(zhì)。由于h2o2氧化作用在硅片表面生成氧化膜,該氧化膜又被NH4OH腐蝕,腐蝕后立即又發(fā)生氧化,氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行,因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。si〇2的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而加快。Si的腐蝕速度隨NH4OH的濃度升高而快。當(dāng)清洗洗液溫度升高,顆粒去除率也提高,在一定溫度下可達(dá)最大值,一般工藝溫度為60?75°C。SC-1溶液濃度一般控制在稀濃度范圍內(nèi),這樣不但可以有效去除顆粒,而且可以防止表面微粗糙度增加。通常,在SC-1的基礎(chǔ)上增加兆聲系統(tǒng),由于兆聲微水流的加速度作用,可以增加顆粒去除效果,能夠去除小于0.2um顆粒。1.2HPM(SC-2):HCI/H202/H20由于硅表面的氧化和腐蝕作用,硅片表面的金屬雜質(zhì),將隨腐蝕層而進(jìn)入清洗液中,并隨去離子水的沖洗而被排除。SC-2用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下能去除鐵和鋅。一般工藝溫度為65~85。。。1.3HF/HCI稀的HF/HC1溶液可以去除硅片表面的自然氧化膜,同時去除表面的金屬沾污。一般工藝溫度為室溫。設(shè)備的組成及配置2.1設(shè)備的組成設(shè)備結(jié)構(gòu)外形如圖1所示,硅拋光片全自動濕法清洗設(shè)備采用全封閉、模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。整機(jī)按功...
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高真空化學(xué)氣相外延爐的研制1.1 材料生長工藝簡介Ge的晶格常數(shù)TGe=5.657A,Si的晶格常數(shù)TSi=5.431A。Si1-xGex體合金的晶格常數(shù)和Si1-xGex合金與Si之間格失配率可用下式表示TSi1-xGex=TSi-(TSi-TGe)x(1)fm(x)=(TSi1-xGex-TSi)/TSi=0.24x(2)Si1-xGex是一種典型的晶格失配異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng),x值越大則晶格失配率越大。當(dāng)x=1時,即Si和Ge之間的晶格失配率為4.2%。這一特點(diǎn)使Si1-xGex/Si結(jié)構(gòu)的生長有別于晶格匹配材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的情況,其中必需考慮“臨界厚度”以及控制和充分利用由于應(yīng)力引起能帶變化而出現(xiàn)的新的電學(xué)與光學(xué)特性。由于工藝方面的原因,70年代以前,無論在硅單晶襯底上或在鍺單晶襯底上,均未能生長出高質(zhì)量的Si1-xGex異質(zhì)結(jié)外延層,多半會發(fā)生三維島狀生長并出現(xiàn)大量的穿透位錯,堆垛層錯和裂文[6]。由于近年來外延工藝技術(shù)的發(fā)展,80年代中期人們開始應(yīng)用低溫高真空化學(xué)氣相外延技術(shù)生長硅外延片[7]。90年代中期用同樣的方法已研制出合格的Si1-xGex外延片[8]。應(yīng)用低溫高真空化學(xué)氣相外延技術(shù)來生長鍺硅薄層,解決了高溫生長外延材料的許多缺點(diǎn),保證原子級的清潔的生長表面,防止引入不希望的缺陷,實(shí)現(xiàn)二維共度生長,防止應(yīng)變弛豫和三維島狀生長以提高晶格完整性,實(shí)現(xiàn)原位摻雜,防止界面互擴(kuò)散以獲...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 09
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高速電鍍設(shè)備及工藝流程1上料系統(tǒng)這臺設(shè)備的上料系統(tǒng)采用了半自動上料方式,首先把產(chǎn)品平放到上料臺,由臺上的推針把其送入上料夾,夾住產(chǎn)品后翻轉(zhuǎn)至與不銹鋼傳送帶同一平面,后與不銹鋼傳送帶一起運(yùn)動,當(dāng)上料夾速度與不銹鋼傳送帶速度一致時,把產(chǎn)品送人不銹鋼傳送帶,翻轉(zhuǎn)至初始位置,完成一次上料過程。2工藝工位每個工位都有一個儲液罐,經(jīng)抽液泵把液體打到工藝槽,形成環(huán)狀循環(huán)(工藝槽在儲液罐上面,有一定的距離)。這樣的設(shè)計(jì)不但加快了藥水濃度的補(bǔ)充,也把工作液中產(chǎn)生的氣體及時排走,避免氣泡停留在框架表面。從而提高電鍍產(chǎn)品質(zhì)量,保證鍍品成品率。2.1工藝檀有液位傳感器,在槽內(nèi)有幾段工位具備產(chǎn)品跟蹤系統(tǒng),有了這套跟蹤系統(tǒng)能檢測哪段工位有無產(chǎn)品掉落。主要工作原理為:產(chǎn)品進(jìn)入第一個工藝槽時,該處的記數(shù)器開始工作,并記錄下產(chǎn)品數(shù)量;若下一記數(shù)器的數(shù)據(jù)與上一記數(shù)器記錄的數(shù)據(jù)不相同,會立到報(bào)警(由電腦上讀取)。跟蹤系統(tǒng)的存在減少了廢品率,提高了成品率,還節(jié)約了材料和降低成本。2.2儲液罐電鍍設(shè)備每個工藝槽都配一個儲液槽,除裝藥水外,還保證工藝槽內(nèi)藥水液面,保證鍍品質(zhì)量;若液位不夠,工藝槽內(nèi)會出現(xiàn)時有溶液上來,時而無液體,你想,這樣的工作液面能生產(chǎn)產(chǎn)品嗎,要讓儲液罐為工藝槽提供穩(wěn)定的液拉,就必須由儲液槽內(nèi)的高低位傳感器進(jìn)行控制。若液位低于低位傳感器,會報(bào)警,此時必須添加溶液至規(guī)定刻度;若液位高于高位傳感器,也會報(bào)警,此...
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雙真空室結(jié)構(gòu)磁控濺射臺的研制1設(shè)計(jì)原理:本文設(shè)計(jì)的磁控濺射臺使用陰極濺射的方法淀積薄膜,將電壓的負(fù)極應(yīng)用于靶材,正極接于基架地,基片裝在基片架上,從而在靶材和基片之間形成一個負(fù)的電場。在電場中通人工藝氣體,在一定的真空條件下,工藝氣體原子就會電離出帶正電荷的離子和帶負(fù)電荷的電子,如果工藝氣體是氬氣,則有:Ar→Ar++e-。電場的存在使氬離子加速向陰極移動,自由電子則移向正極。這個過程中,加速電子跟更多的氬原子發(fā)生碰撞,電子的動能使得受到碰撞的氬原子發(fā)生電離。上述過程持續(xù)重復(fù),就能產(chǎn)生巨大數(shù)量的氬離子和電子,在靶材和基片之間形成等離子區(qū)。等離子區(qū)中大量帶正電的氬離子飛向靶材,因氬離子具有較大的質(zhì)量,能量較大,碰撞靶材后引起靶材原子逸出并沉積在基片上。圖1顯示了本設(shè)備的濺射成膜原理。  如果在陰極靶材背面合理地安裝一塊永久磁鐵。磁鐵的磁場強(qiáng)迫自由電子作額外的螺旋運(yùn)動,就可以延長電子的移動路徑,產(chǎn)生更高等級的分裂,并使得等離子區(qū)具有更好的同質(zhì)性,能夠更好的利用靶材,減少由濺射粒子引起的靶材再沉積的數(shù)量,避免弧光放電現(xiàn)象。如果陰極是由非導(dǎo)體材料組成,則轟擊靶材的工藝氣體離子就不能被傳導(dǎo)電子中和,濺射過程就會熄火,所以絕緣靶材或電介質(zhì)靶材不能使用直流源濺射,而需要采用射頻濺射。射頻濺射使用射頻電源(典型13.65MHz)來點(diǎn)燃等離子區(qū)。在射頻濺射的情況下,靶材交替地被帶...
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步進(jìn)掃描光刻機(jī)整機(jī)集成工藝方案設(shè)計(jì)分系統(tǒng)集成工藝方案設(shè)計(jì):分系統(tǒng)集成工藝方案設(shè)計(jì)包含布局與接口分析、集成與檢測方案規(guī)劃、集成工具工裝需求規(guī)劃、集成步驟規(guī)劃等。布局與接口分析:主要是分析分系統(tǒng)在整機(jī)中的布局、接口的形式、定位方式等;集成與檢測方案規(guī)劃:主要是分析集成指標(biāo),結(jié)合布局與接口形式規(guī)劃集成方案及檢測方法,如指標(biāo)無法直接實(shí)現(xiàn),還需要進(jìn)行裝配尺寸鏈分解;集成工具工裝需求規(guī)劃:根據(jù)集成和檢測方案,選擇適用的工具/檢具,如需要設(shè)計(jì)專用工裝輔助集成或檢測的,則需給出工裝設(shè)計(jì)方案及其指標(biāo)需求;集成步驟規(guī)劃:制定分系統(tǒng)集成到整機(jī)上的集成步驟。步進(jìn)掃描光刻機(jī)集成工藝方案非常復(fù)雜,下文將通過幾個分系統(tǒng)案例,闡述集成工藝方案的設(shè)計(jì)過程。調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)安裝在主基板下方,物鏡安裝在主基板上方,結(jié)構(gòu)布局如圖1所示。根據(jù)整機(jī)測校流程,調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)在物鏡曝光過程中實(shí)時調(diào)平調(diào)焦,因此,要求調(diào)焦調(diào)平焦面與像面的垂向集成誤差不能超過調(diào)焦調(diào)平的焦深范圍。步進(jìn)掃描光刻機(jī)所選用的調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)焦深范圍非常小,是微米級別的。由此,調(diào)焦調(diào)平集成方案規(guī)劃需解決以下幾方面的問題:1、調(diào)焦調(diào)平焦面和像面都是光學(xué)面,相互為基準(zhǔn)集成,集成階段如何去確定這兩個光學(xué)面的位置; 圖1調(diào)焦調(diào)平分系統(tǒng)機(jī)構(gòu)布局2、指標(biāo)是微米級別的,常規(guī)的測量方法達(dá)不到這個級別的測量精度,該選用什么樣的測量儀器;3、在線集成空間小,選...
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